专利名称：一种液晶化合物及其组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶材料领域。具体地说，涉及一种液晶化合物及其制备方法与应用。
背景技术：
1888年,奥地利植物学家Friedrich Reinitzer发现液晶,此后,液晶的研究与应用迅速发展，尤其是1971年W.Helfrich和M.Schadt 一起发现了扭曲向列相液晶场效应之后，使得液晶显示技术得以实现。液晶显示器有无源矩阵[又称被动矩阵(Passive Matrix，PM)或简单矩阵]和有源矩阵[又称主动矩阵(Active Matrix，AM)]两种驱动方式。有源矩阵液晶显示器根据有源器件的种类可以二端子有源矩阵和三端子有源矩阵两大类。二端有源方式工艺相对简单，但是图像质量比三端有源的差，目前已近淘汰。三端有源矩阵以薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT)为主。TFT-1XD是有源矩阵液晶显示器的典型代表，其研究最活跃、发展最快、应用增长也最迅速。TFT-LCD已经在手机、台式电脑、笔记本电脑、液晶电视和摄像机等显示设备上都得到了良好的应用。目前，TFT-1XD产品技术已经成熟，成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题，其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸TFT-LCD显示器在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。但是因受液晶材料本身的限制，TFT-LCD仍然存在着响应不够快，电压不够低，电荷保持率不够高等诸多缺陷。1989年德国默克公司在专利US5045229中对具有二氟甲基醚桥键的液晶组合物予以公开，但没有运用到液晶组合物中。直到上世纪九十年代中期日本智索公司才开发出确实能够运用到液晶组合物中的该类`化合物(CNl 158602 )。该类化合物溶解性能增加；偶极矩加大，致使其介电各向异性较大，有利于饱和电压的降低，该类物质在液晶显示领域有良好的应用前景。1994年德国默克公司在专利DE4430668中对具有4，4- 二氟环己烷结构液晶化合物的合成进行公开，1987年日本大日本油墨公司在专利JP63238030中对末端具有卤代环己烯结构液晶化合物的合成进行公开。该类化合物溶解性能增加，也有一定的发展前景。但就目前而言，依然有待于提出新型性能优异的液晶化合物及其组合物来得到更高质量的液晶显示装置。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供一种新型的液晶化合物。该类化合物同时具有二氟甲基醚桥键和4，4- 二氟环己烷(或末端具有卤代环己烯)结构。所述化合物结构、性质稳定，具有互溶性好，抗紫外性能好，电荷保持率高，介电各向异性大的特点。应用于液晶组合物后，能够降低阈值电压，调节体系的△ η数值，并且能够提高或者改善液晶组合物的综合性能。尤其适用TN、IPS、FFS、ADS-TFT模式以及与其类似的显示模式。为实现上述目的，本发明具体采用如下技术方案:
—种液晶化合物，所述的液晶化合物具有如式I或II所示的结构:
权利要求
1.一种液晶化合物，其特征在于，所述液晶化合物具有如式I或II所示的结构:
2.根据权利要求1所述的液晶化合物，其特征在于，所述R表示C1 C7的烷基，其中部分CH2基团可各自彼此独立地被-C = C-、-CF=CF-, -CF=CH-或-CH=CF-取代； A1, A2各自独立地表示1，4-亚环己基或1，4-亚苯基，其中1，4-亚环己基是未被取代或其中I个CH2基团被氧原子取代的1，4-亚环己基，I, 4-亚苯基是未被取代或f 4个氢原子被氟原子取代的1，4-亚苯基； A3表示广4个氢原子被氟原子取代的1，4-亚苯基； Zp Z2各自独立地表示单键； m表示2或3, η表示O。
3.根据权利要求1所述的液晶化合物，其特征在于，所述的液晶化合物为:
4.权利要求1所述的液晶化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤(I)中，
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，所述催化加氢以钯碳为催化剂，催化剂的用量为化合物A质量的59TlO%，于室温条件下，对化合物A进行催化加氢。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤(3)中，反应温度为-80 _85°C，化合物B与相应鎗盐的摩尔比为f 1.2:1。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤(4)中，所述碱性催化剂为叔丁醇钾或氢氧化钾，反应时间为8 10小时。
9.有权利要求1所述的液晶化合物的组合物，其特征在于，按重量份计，所述化合物在液晶组合物中的用量为广70%，优选5 50%。
10.权利要求1所述的液晶化合物在制造显示装置中的应用。
全文摘要
本发明涉及一种液晶化合物及其组合物，该类化合物同时具有二氟甲基醚桥键和4,4-二氟环己烷(或末端具有卤代环己烯)结构。所述化合物结构、性质稳定，具有互溶性好，抗紫外性能好，电荷保持率高，介电各向异性大的特点。应用于液晶组合物后，能够降低阈值电压，调节体系的Δn数值，并且能够提高或者改善液晶组合物的综合性能。尤其适用TN、IPS、FFS、ADS–TFT模式以及与其类似的显示模式。
文档编号C07D309/06GK103086849SQ20121055383
公开日2013年5月8日 申请日期2012年12月18日 优先权日2012年12月18日
发明者姜天孟, 杭德余, 田会强, 储士红, 陈海光, 高立龙, 班全志 申请人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司