含氮芳香族化合物和有机场致发光元件的制作方法

文档序号:3479602阅读:303来源:国知局
含氮芳香族化合物和有机场致发光元件的制作方法
【专利摘要】本发明提供作为有机场致发光元件有用的含氮芳香族化合物和有机场致发光元件(有机EL元件),所述有机场致发光元件可改善元件的发光效率、充分地确保驱动稳定性。该含氮芳香族化合物如下述式(1)所示。本发明的有机EL元件,在层叠于基板上的阳极与阴极之间具有含有上述含氮芳香族化合物的有机层。式(1)中,环A表示与2个邻接环进行缩合的由式(1a)表示的芳香环,环B表示与2个邻接环进行缩合的由式(1b)表示的杂环,Y表示C-R或N,X为N-Z、O、S或Se,R为氢、烷基、芳香族基等,Z为烷基、芳香族基等。
【专利说明】含氮芳香族化合物和有机场致发光元件
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种新型的含氮芳香族化合物以及应用该化合物的有机场致发光元件。详细而言,涉及一种对由有机化合物形成的发光层施加电场而释放光的薄膜型器件。
【背景技术】
[0002]通常,作为有机场致发光元件(以下,称为有机EL元件)的最简单的结构是由发光层和夹持该层的一对对置电极构成。即,在有机EL元件中,利用如下现象:如果在两电极间施加电场,则电子从阴极注入且空穴从阳极注入,它们在发光层进行复合,释放光。
[0003]近年来,对使用了有机薄膜的有机EL元件进行了开发。特别是为了提高发光效率,而以提高从电极注入载流子的效率作为目的进行电极种类的最优化,通过对在电极间以薄膜的形式设置由芳香族二胺形成的空穴传输层和由8-羟基喹啉铝配合物(以下,称为Alq3)形成的发光层而成的元件进行开发,从而与以往的使用了蒽等单晶的元件相比,发光效率得到了大幅度改善,所以以在具有自发光.高速响应性之类的特征的高性能平板或有机EL照明中实用化为目标而继续发展。
[0004]另外,作为提高元件的发光效率的尝试,研究了不使用荧光而使用磷光。虽然以上述的设置了由芳香族二胺形成的空穴传输层和由Alq3形成的发光层而成的元件为表示的大多数元件利用了荧光发光,但通过使用磷光发光、即利用来自三重态激发状态的发光,从而期待与以往的使用荧光(单重态)的元件相比,提高3~4倍左右的效率。为了该目的,研究了将香豆素衍生物、二苯甲酮衍生物制成发光层,但只能得到极低的亮度。另外,作为利用三重态的尝试,研究了使 用铕配合物,但这也不能达到高效率的发光。近年来,如专利文献I中举出的那样,以发光的高效率化、长寿命化为目的,以铱配合物等有机金属配合物为中心大量进行磷光发光掺杂剂材料的研究。
[0005]为了得到高发光效率,与上述掺杂剂材料同时使用的主体材料变得重要。对于作为主体材料提出的代表例,可举出专利文献2中介绍的咔唑化合物中的4,4’ -双(9-咔唑基)联苯(以下,称为CBP)。将CBP用作以三(2-苯基吡啶)合铱配合物(以下,称为Ir(ppy)3)为表示的绿色磷光发光材料的主体材料时,由于CBP易于流过空穴且难以流过电子的特性,所以电荷注入平衡崩溃,过度的空穴流出到电子传输层侧,结果来自Ir (ppy)3的发光效率降低。
[0006]在有机EL元件中得到高的发光效率方面,需要具有高三重态激发能量、并且两种电荷(空穴?电子)注入传输特性获得平衡的主体材料。进而,期望电化学稳定、具备高耐热性和优异的非晶稳定性的化合物,从而寻求进一步的改进。
[0007]尽管专利文献3中公开了以下所示的吲哚并咔唑化合物,然而,该文献仅示出了作为有机半导体的有用的周环取代物。
[0008]
【权利要求】
1.一种含氮芳香族化合物,由通式(I)表示,

2.如权利要求1所述的含氮芳香族化合物,其特征在于,由下述通式(2)表示,

3.如权利要求2所述的含氮芳香族化合物,其特征在于,通式(2)中,环B的X为N-Z。
4.如权利要求1所述的含氮芳香族化合物,其特征在于,通式(I)中,I个或2个Y为N0
5.如权利要求2所述的含氮芳香族化合物,其特征在于,通式(2)中,I个或2个Y为N0
6.—种有机场致发光兀件,其特征在于,含有权利要求1~5中任一项所述的含氮芳香族化合物。
7.如权利要求6所述的有机发光元件,其中,含有所述含氮芳香族化合物的有机层为选自发光层、空穴传输层、电子传输层以及空穴阻挡层中的至少一个层。
8.如权利要求6所述的有机场致发光元件,其特征在于,含有所述含氮芳香族化合物的有机层为发光层或空穴传输层。
9.如权利要求6所述的有机场致发光元件,其中, 含有所述含氮芳香族化合物的有机层为在层叠于基板上的阳极与阴极之间具有发光层的有机场致发光兀件的发光层; 该发光层含有磷光发光性掺杂剂和所述含氮芳香族化合物作为主体材料。
【文档编号】C07D471/14GK103582641SQ201280013072
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年2月9日 优先权日:2011年3月16日
【发明者】石山贵也, 林田广幸, 坂井满, 新名将司, 白石和人, 吉村和明 申请人:新日铁住金化学株式会社
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1