芳香族胺类化合物及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光材料领域，尤其涉及一种芳香族胺类化合物及其制备方 法和应用。
【背景技术】
[0002] 自1987年Tang等制备成功低压驱动的小分子发光器件以来，有机发光技术已取 得了巨大的进展，并开始进入产业化进程；其中，有机电致发光材料对有机发光器件的性能 起着非常重要的作用。
[0003] 根据有机电致发光材料分子量的大小，可以分为小分子有机电致发光材料和高分 子有机电致发光材料。目前公开的发光材料中，由于小分子电致发光材料的荧光量子效率 高，容易提纯，发光亮度和色纯度也优于高分子材料，所以，小分子电致发光材料应用于发 光器件以开始实现商业化。
[0004] 芳香族胺类化合物是一类重要的小分子有机电致发光材料，如TPD，a -NPD以及
[0006] 但是，目前公开的这些芳香族胺类化合物作为电致发光材料时的热稳定性、快速 空穴移动度、发光体效率及寿命都比较差。
【发明内容】
[0007] 有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于一种芳香族胺类化合物及其制备方法 和应用，本发明提供的芳香族胺类化合物不仅发光效率高，而且使用寿命长。
[0008] 本发明提供了一种芳香族胺类化合物，具有式（I)结构，
[0009]
12 其中， 2 R1为氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、 C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0012] R2为氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、 C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0013] R3为卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、C7~ C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0014] R4为卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、C7~ C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0015] Arn Ar2独立的选自C6~C50的亚芳基，
[0016] 或者Ar1、与Ar1直接相连的氮以及取代基R1所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 1独立的选自C6~C50的芳基，
[0017] 或者Ar2、与Ar2直接相连的氮以及取代基R2所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 2独立的选自C6~C50的芳基。
[0018] 优选的，所述烷基为直链烷基、支链烷基、环烷基、至少1个取代基取代的直连烷 基、至少1个取代基取代的支链烷基或至少1个取代基取代的环烷基；
[0019] 所述芳基为未取代的芳基或至少1个取代基取代的芳基；
[0020] 所述芳烷基为未取代的芳烷基或至少1个取代基取代的芳烷基；
[0021] 所述芳基烷氧基为未取代的芳基烷氧基或至少1个取代基取代的芳基烷氧基；
[0022] 所述芳基烷巯基为未取代的芳基烷巯基或至少1个取代基取代的芳基烷巯基；
[0023] 所述杂芳基为未取代的杂芳基或至少1个取代基取代的杂芳基，
[0024] 其中，所述杂芳基中的杂原子为氮、硫或氧；
[0025] 所述取代基独立的选择卤素、氨基、氰基、硝基、羟基或巯基。
[0026] 优选的，所述&、1?2、1?3、1?4独立的选自氢、卤素、氰基』3~〇20的烷基、(：10~〇40 的芳基、ClO~C40的芳烷基、ClO~C40的芳基烷氧基、ClO~C40的芳基烷巯基或C7~ C30的杂芳基。
[0027] 优选的，Arn Ar2独立的选自ClO~C40的亚芳基，
[0028] 或者Ar1、与Ar1直接相连的氮以及取代基R1所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 1独立的选自ClO~C40的亚芳基，
[0029] 或者Ar2、与Ar2直接相连的氮以及取代基R2所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 2独立的选自ClO~C40的亚芳基。
[0030] 优选的，所述札、R2、R3、R4独立的选自H、F、Cl、Br、I、甲基、乙基、2-氟-乙基、 2_氰基-丙基、异丙基、叔丁基、戊烷基、庚烷基、十二烷基、式（a-1)结构、式（a-2)结构、式 (a-3)结构、式（a-4)结构、式（a-5)结构、式（a-6)结构、式（a-7)结构、式（a-8)结构、式 (a-9)结构、式（a-10)结构、式（a-11)结构、式（a-12)结构、式（a-13)结构、式（b-1)结构、 式（b-2)结构、式（b-3)结构、式（b-4)结构、式（b-5)结构、式（b-6)结构、式（b-7)结构、 式（b-8)结构、式（b-9)结构、式（b-10)结构、式（b-11)结构、式（b-12)结构、式（c-1)结 构、式（c-2)结构、式（c-3)结构、式（c-4)结构、式（c-5)结构、式（c-6)结构、式（c-7)结 构、式（c-8)结构、式（c-9)结构、式（c-10)结构、式（c-11)结构、式（c-12)结构、式（d-1) 结构、式（d-2)结构、式（d-3)结构、式（d-4)结构、式（d-5)结构、式（d-6)结构或式（d-7) 结构；
[0035] 其中，1^为卤素、氨基、氰基、硝基、羟基或巯基。
[0036] 优选的，Ar^Ar2独立的选自式（e_l)结构、式（e_2)结构、式（e_3)结构、式（e_4) 结构、式（e_5)结构、式（e-6)结构、式（e-7)结构、式（e-8)结构、式（e-9)结构、式（e-10) 结构、式（e-11)结构或式（e-12)结构，
[0038] 其中，RaS卤素、氨基、氰基、硝基、羟基或巯基。
[0039] 优选的，所述式（I)结构的化合物为式（I-I)、式（1-2)或式（1-3)，
[0040]
[0042] 其中，
[0043] R1为氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、 C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0044] R2为氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、 C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0045] R3为卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、C7~ C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0046] R4为卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、C7~ C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0047] Arn Ar2独立的选自C6~C50的芳基。
[0048] 优选的，所述式⑴结构的化合物为式（1-1-1)、式（1-1-2)、式（1-1-3)、式 (1 -1-4)、式（1-1-5)、式（1-1 -6)、式（1-1-7)、式（1-1-8)、式（1 -1-9)、式（I-I-IO)、式 (I -I-Il)、式（1_1_12)、式（1-1 -13)、式（1-1-14)、式（1-2-1)、式（IH)、式（IH)、 式（1 _2-4)、式（IH)、式（IH)、式（IH)、式（IH)、式（1-2 -9)、式（1-2-10)、式 (1-2-11)、式（1-2-12)、式（1-2-13)或式（1-3-1)所示的化合物，
[0049]
[0052] 本发明还提供了一种具有式（I)结构芳香族胺类化合物的制备方法，包括：
[0053] 将具有式（II)结构的化合物与式（III)结构的化合物反应，得到式（IV)结构的 化合物，
[0055] R1J3独立的选自氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的 芳基烷基、C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0056] Ar1选自C6~C50的亚芳基，
[0057] 或者Ar1、与Ar1直接相连的氮以及取代基R1所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 1独立的选自C6~C50的亚芳基；
[0058] 将具有式（IV)结构的化合物与式（V)结构的化合物反应，得到式（I)结构的化合 物。
[0059]
[0060] R2、R4独立的选自氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的 芳基烷基、C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0061] Ar2选自C6~C50的亚芳基，
[0062] 或者Ar2、与Ar2直接相连的氮以及取代基R2所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 2独立的选自C6~C50的亚芳基。
[0063] 本发明还提供了一种本发明所述的式（I)结构的化合物在制备有机电致发光器 件中的应用。
[0064] 与现有技术相比，本发明提供的化合物的发光效率在电流密度为20mA/cm2的情 况下，电流效率高达6. 5cd/A，且使用寿命可高达6700小时，远高于现有公开的电致发光材 料。
【具体实施方式】
[0065] 本发明提供了一种芳香族胺类化合物，具有式（I)结构，
[0066]
[0067] 其中，
[0068] R1为氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、 C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0069] R2为氢、卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、 C7~C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0070] R3为卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、C7~ C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0071] R4为卤素、氰基、Cl~C30的烷基、C6~C50的芳基、C7~C50的芳基烷基、C7~ C50的芳基烷氧基、C7~C50的芳基烷巯基或C5~C50的杂芳基；
[0072] Arn Ar2独立的选自C6~C50的亚芳基，
[0073] 或者Ar1、与Ar1直接相连的氮以及取代基R1所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar 1独立的选自C6~C50的亚芳基，
[0074] 或者Ar2、与Ar2直接相连的氮以及取代基R2所在的苯环形成咔唑类结构，其中， Ar2独立的选自C6~C50的亚芳基。
[0075] 其中，所述烷基优选为直链烷基、支链烷基、环烷基、至少1个取代基取代的直连 烷基、至少1个取代基取代的支链烷基或至少1个取代基取代的环烷基；其中，所述取代基 独立的选自卤素、氰基、羟基和巯基中的一种或几种，所述烷基上取代基的个数优选为1~ 5,更优选为2、3或4。
[0076] 所述芳基优选为未取代的芳基或至少1个取代基取代的芳基；其中，所述取代基 独立的选择卤素、氨基、氰基、硝基、羟基或巯基；所述芳基上取代基的个数优选为1~5,更 优选为2、3或4。
[0077] 所述亚芳基是指芳香环上有两个链接键，且亚芳基也可以