芳香族酰亚胺化合物及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种芳香族酰亚胺化合物及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 人们期待，光致抗蚀材料用的酸产生剂一并具有可吸收紫外线或者其以下的能量 的光的分子结构、以及在通过光吸收而激发之后可产生酸的键。作为这样的酸产生剂，已知 有鑰盐化合物、肟化合物、酰胺化合物、酰亚胺化合物等。例如，作为酰亚胺化合物，已知有 芳香族部位是未取代的磺酸酯（例如参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1 :美国第4371605号专利
【发明内容】
[0006] 发明想要解决的问题
[0007] 但是，在专利文献1等中记载的以往的酸产生剂中，依然存在有无法高效地吸收 长波长的光的问题。
[0008] 因此，本发明为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种通过吸收长波长侧 的光而产生酸的芳香族酰亚胺化合物。另外，本发明的目的在于提供一种简便并且高收率 的芳香族酰亚胺化合物的制造方法。
[0009] 用于解决问题的方案
[0010] 即，本发明涉及根据下述[1]或[2]所述的芳香族酰亚胺化合物以及根据下述[3] 以及[4]所述的芳香族酰亚胺化合物的制造方法。
[0011] [1] 一种芳香族酰亚胺化合物，其由下述式（1)表示。
【主权项】
1. 一种芳香族酷亚胺化合物，其由下述式（1)表示，
式中，Ri表示碳原子数1~7的面代烷基或面代芳基，R2表示取代或未取代的、具有也 可含有杂原子的脂肪族基团或芳香族基团的基团，R3表示面素原子或姪基，另外，关于R2， 相邻的基团也可相互键合而形成酷亚胺基，m是0或1W上的整数，n是0或1W上的整数， m与n的合计为1W上6W下。
2. 根据权利要求1所述的芳香族酷亚胺化合物，其能吸收g线（436nm)和/或h线 (405nm)的光。
3. -种芳香族酷亚胺化合物的制造方法，其为制造由式（1)表示的芳香族酷亚胺化合 物的方法，
式中，Ri表示碳原子数1~7的面代烷基或面代芳基，R2表示取代或未取代的、具有也 可含有杂原子的脂肪族基团或芳香族基团的基团，R3表示面素原子或姪基，另外，关于R2， 相邻的基团也可相互键合而形成酷亚胺基，m是0或1W上的整数，n是0或1W上的整数， m与n的合计为6W下， 该芳香族酷亚胺化合物的制造方法包含如下工序： 第1工序（A)，通过使由下述式（3-1)和/或（3-2)表示的化合物与取代或未取代的、 具有也可含有杂原子的脂肪族基团或芳香族基团的姪进行反应，从而制造由下述式（4-1) 和/或（4-2)表示的化合物，
式中，Ziw及z2各自独立地表示哲基或烷氧基，X表示面素原子，m、n、R3表示与上述相 同的意义，
式中，R2、R3、Z\Z2、m、n表示与上述相同的意义； 第2工序炬），通过使由上述式（4-1)和/或（4-2)表示的化合物与哲锭化合物进行反 应，从而制造由下述式（5)表示的化合物，
式中，R2、R3、m、n表示与上述相同的意义； 第3工序（C)，通过使由上述式（5)表示的化合物与由下述式（6)表示的化合物进行反 应，从而制造由上述式（1)表示的芳香族酷亚胺化合物， R'SOJ(6) 式中，Ri表示与上述相同的意义，Y表示面素原子或甲苯横酷基。
4.根据权利要求3所述的芳香族酷亚胺化合物的制造方法，其特征在于由式（1)表示 的芳香族酷亚胺化合物是能吸收g线（436nm)和/或h线（405nm)的光的化合物。
【专利摘要】提高了对g线以及h线等可见光的灵敏度并且也改善了溶解性的芳香族酰亚胺化合物由式(1)表示(式中，R1表示碳原子数1～7的卤代烷基或卤代芳基，R2表示取代或未取代的、具有也可含有杂原子的脂肪族基团或芳香族基团的基团，R3表示卤素原子或烃基，m是0或1以上的整数，n是0或1以上的整数，m与n的合计为1以上6以下)。该化合物例如通过如下方式获得：通过使卤代萘二甲酸酐与含有乙炔基苯等芳香族基团的烃进行反应，从而制造由含芳香族基团的基团取代了的萘二甲酸酐，将其与盐酸羟胺进行反应而进行N-羟基酰亚胺化，接着与三氟磺酰氯等磺酰卤进行反应。
【IPC分类】G03F7-004, C07D409-06, C07D221-14
【公开号】CN104797560
【申请号】CN201380058490
【发明人】平原衣梨, R·达默尔, G·帕夫洛夫斯基
【申请人】Az电子材料（卢森堡）有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2013年10月28日
【公告号】DE112013005388T5, WO2014073409A1