白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法

文档序号:3698001阅读:177来源:国知局
专利名称:白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法
技术领域
本发明涉及一种白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧 光粉之制备方法,尤指一种应用了能辐射多种颜色光,包括 白光的氮化物异质结,其显着特点是呈现出强烈的黄色和黄 橙色,具有很高的量子发光率和持久的发光时间之白光二极 管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉之制备方法。
背景技术
自1968年起,在发光二极管技术中幵始广泛应用荧光 粉及以荧光粉为基础的光谱转换结构。最初出现的是提高发 光频率的转换装置,通过反斯托克斯荧光粉的作用将GaAsP 二极管的近红外发光转变为红色或绿色光(请参照Berg, Din A., LED , 《Mir , 1975)。之后,众多研究工作者尝试将 GaN 二极管的弱紫外发光转变为可见光。
日本Nichia公司的专家(S. Nakamura, S. Shimizu)在
此研究方向上取得了突破性的进展,他们研发出了由发蓝光 的GalnN异质结与覆盖在其表面的黄色铝钇石榴石荧光粉 (Y3A15012 )构成的新型光源(请参照S. Nakamura于 11, 05, 2006获准之德国DE6933829T专利,及S. Shimizu Y., 于11, 01, 2005获准之中华民国TW156177B)。
这两项发明成果的应用实现了用于照明,灯饰及指示用 途的白光发光二极管。专利文件(请参照S. Shimizu Y.,于
411,01,2005获准之中华民国TW156177B)中对这种铝钇石 榴石荧光粉在发光二极管中的应用作了详细描述。但我们认
为此项发明并不具有绝对的创新意义。我们将其作为原型, 以下是其专利档中列出的创新之处1.用发蓝光的GaInN
异质结作发光二极管的结构基础;2.在发光二极管中采用 了具有增效转光作用的荧光粉颗粒;3.通过将两个部分的 发光,即GalnN半导体异质结直接发光与荧光粉颗粒被其激 发发光相混合,最终获得白光;以及4.采用化学式为 Y3Al5012:Ce的铝钇石榴石及其衍生物(如 (Y,Gd)3(Al,Ga,Sc)A2.. Ce)颗粒构成的荧光粉。关于发蓝 光的GalnN半导体异质结着有大量文献,但S. Nakamum and G.Fasol等人于1998年所公开之技术文件(请参照 S. Nakamura and G. Fasol, The blue laser diodes. Berlin, Springer, 1998)中只引用了其中一部分。S. Nakamura研发 的在量子效应基础上高效发光的氮化物异质结成果已经为 全世界所共有,因此将其完全归功于Nichia公司并非名副 其实。
用于发光二极管的增效转光粉,如前所述,采用反斯托 克斯材料(请参照Berg, Din A., LED, Mir , 1975)经过
细致的工艺制作而成。将短波辐射用于激发各种物质发光在
很多专题学术论文中都有详细描述(请分别参照P. Pringshein, Phluorescence and phosphorescence, IL, 1950; G. Blasse, P. Grabmaier, Uiminescence materials, Pergamon press, NY, 1995;以及S. Shionoja, W. Yen, Handbook of phosphors, NY, 1999.)。我们认为,{昔助于 发出短波辐射的发光二极管,实现从荧光粉获取相对长波段辐射的方法并不具有实质性的创新意义与显着的区别性特 征。用于激发其它物质发光的光源多种多样,其中包括放电
光源l.汞蒸汽的气体放电;2.氮气的气体放电;以及3.
氙气,氪气的气体放电。此外,激光辐射也被广泛用于激发 荧光粉发光,如氮气激光器,输出三次谐波与四次谐波的
Nd:YAG激光器。
用半导体发光二极管激发荧光粉的方案不止一次被提 及(请参照S. Nakamura and G. Fasol, The blue laser diodes. Berlin, Springer, 1998)。
以下是关于通过将两个或三个基础光源相结合以获取 白光的问题。将光发生色散得到的单色光进行合成,如蓝光 和黄光,绿光和红光,红光,绿光和蓝光等,最终获得白光 的做法的物理基础最早是由牛顿奠定的,由他提出的光色理 论发展而来。该物理原理在19与20世纪广泛应用于印刷, 摄影,尤其是黑白及彩色电视技术。如,兹沃雷金运用蓝色 光和黄色光两种基础光作出了发白光的黑白显像管显示器 (请参照H. W. Leverenz, An introduction to Luminescence of Solids, NY, 1950),这是彩色电视技术领域一个复杂的 技术方案..不仅需要原色光具有完全色差系数,而且要在数 量上补偿原色以获得色度标准的白光。
照明技术领域中同上述物理原理相近的问题也已解决 (请参照L. M. Kogan LED lighttechnic , Moscow, H o 5, pp. 16-20. (2002)):汞蒸气放电发出蓝色光,激发YV(X: En 发出红色光,最终得到与白光光源发光相接近的白光。氙气 与氪气的短波放电保证气体放电等离子平板能够产生红绿 蓝色和白色光。因此,用半导体发光二极管代替气体放电光源以激发荧光粉发光是在完善照明、信息、指示系统过程中 显着的技术进步,也是必然的趋势。
可产生多种光学效果的蓝光光源得到广泛应用,比如, 长余辉和超长余辉发光的蓝光光源被广泛应用于雷达定位 技术。原始蓝光与发光显示器的黄白色余辉光学上有机结合 在一个装置中。
因此,在Nichia公司提出他们的研究成果之前,由两 个或三个光源合成无色差白光的物理原理早就被大家所知 并应用。
将钇铝石榴石用作荧光材料引起了很多法律上的纠纷, 因为只有在得到Nichia公司准许的情况下才有权使用这种 材料(由此甚至出现了新的研究方向一用于发光二极管的非 钇铝石榴石荧光物),这种权限后来被证明是完全缺乏根据 的。首先,由钇铝石榴石构成的荧光材料和显示器的出现远 早于日本研究工作者的研究成果(请分别参照G. Blasse, P. Grabmaier, Luminescence materials, Pergamon press, NY, 1995; S. Shionoja, W. Yen, Handbook of phosphors, NY,1999.;H. W.Leverenz,Anintroduction to Luminescence of Solids, NY, 1950 以及 V. A. Abramov, patent USSR No. 635813, 09,12,1977.)。化学组成为Y3A15012 或(Y, Gd)3(Al, Ga)5012:Ce的材料被广泛应用在高速阴极射线 管技术中以检测黑白或彩色底片。以粉末状钇铝石榴石或单 晶钇铝石榴石为结构基础的闪烁器被人们用在核物理及核 技术中。同时,光谱的物理修正技术也被人们应用。因此可 以说,YAG荧光材料的主要物理特性,如发光效率高,在可 见光的蓝绿色、绿色、黄色和橙色波段宽带带发光,余辉相当短,光通量和功率的稳定性高等,早在Nichia公司将石 榴石荧光粉用于发光二极管之前就已经被人们所熟知。因 而,我们认为,Nichia的专家关于石榴石荧光粉的研究成果 并没有超出将荧光粉合理用于其直接用途所需的知识水平。 同时,将所有以铈作启动剂的发光材料都归属到Nichia的 专利权限内也是完全缺乏根据的。人们所熟知的大量荧光材 料,如AlA:Ce, gelenite:Ce,钇,钆,镥的正硅酸盐和焦 硅酸盐Y2SiA:Ce, Gd2Si05:Ce, Lu3Si207:Ce,他们被广泛应用 于荧光技术的生产,生活实践中,与Nichia公司的专利成 果没有任何关系。
由以上分析可得出以下结论l.将荧光粉及增效转光装 置用于各种类型发光二极管的技术早已为人们所熟知;2.通 过将两种或两种以上基础光相合成获得白光的方法我们也 已相当了解,其物理和色度原理很明确;3.用以铈为启动剂 的钇铝石榴石化合物作主要成分的荧光材料早在1965年就 已出现,也就是说远早于Nichia公司的发明;4.Ce"被用于 启动具有各种各样晶体结构的荧光材料;以及5. Nichia公 司关于石榴石荧光粉的专利成果并不具有创新特征,而只是 针对当前具体问题的技术解决方案借助蓝色基础光获得白 光,诚属美中不足之处。

发明内容
为解决上述现有技术缺点,本发明的主要目的 是提供一种白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的 制备方法,其可用于发光二极管上且具有新成分和新特性。 本发明的另一目的在于提供一种白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法,其可选择在采用
辐射波长在400 500nm的氮化物异质结的情况下,能够产 生多种色温辐射的荧光粉的最佳配方。
本发明的另一目的在于提供一种白光二极管、增 效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法,其选择用在氮化物 异质结上的增效转光材料,研究最佳结构。
本发明的另一目的在于提供一种白光二极管、增 效转光粉、荧光粉及荧光粉之制备方法,其可使发光二极 管整体结构的优化,包括增效转光层的光学厚度,在发光二 极管的内腔填入浸没组件等。
为达上述目的,本发明的一种荧光粉,其是用于
白光二极管中,其是由元素周期表中第n, III主族元
素的氧化物为基体,用电子d层与f层发生跃迁的元素作启 动剂,且该荧光粉的基体由钡和钇的同类铝酸盐的固体溶液 构成,其化学式为Bax(Yh—zGdyCez)3Al5+2x012+4x,其中x二O. 01 10, y二0 1, z二0.005 0. 1;当该基体被一短波辐射激发时, 该元素的离子会辐射出绿橙色光,与一氮化铟镓半导体异质 结发出的短波辐射相混合后形成白光。
为达上述目的,本发明的一种白光二极管,其是 由一InGaN半导体异质结及一增效转光粉所构成,其中该增
效转光粉是由聚合物基体和荧光粉构成,其结构基础是聚合 度为100 500,分子质量大于5000个标准碳单位的环氧树脂 或有机硅树脂,并在其中填充重量比1 75%的荧光粉,从 而在异质结的发光面上形成一层厚度均匀的聚合物层,该层 可将短波异质结的原始辐射转化成比色温度在6000 3200K
之间的白光,其发光色度为Ra》75。


图1为以"三色,,(Sensing)公司的SPR-920D 荧光粉光色参数综合分析系统测量样品1的荧光 粉,所得到的辐射光谱图。
图2为以"三色,,(Sensing)公司的SPR-920D 荧光粉光色参数综合分析系统测量样品2的荧光 粉,所得到的辐射光谱图。
图3为以"三色,,(Sensing)公司的SPR-920D 荧光粉光色参数综合分析系统测量样品3的荧光粉, 所得到的辐射光谱图。
具体实施例方式
本发明提出了新型荧光粉和在其基础上的增效转光粉, 该荧光粉以元素周期表II, III主族元素的氧化物为基体,
用d-f元素作启动剂,具有以下特征该荧光粉的基体由钡
和钇的同类铝酸盐的固体溶液构成,化学式为 Bax(Y卜y—zGdyCez)3Al5+2x012+4x ,其中x=0. 01 10 , y二O 1 , z二0.005 0. 1。在上述化合物中加入f元素与d元素Ce,或 Pr,或Eu,或Dy,或Tb,或Sm,或Mn,或Ti,或Fe,它们具有+2 +4间不同的氧化程度,当基体化合物被A《500nm的短波辐 射激发时,上述离子会辐射出波长X 二530 610nm的绿橙色 光,与氮化铟镓半导体异质结发出的短波辐射相合成后形成 白光。
本发明的物理化学实质如下。首先,本发明的实验发 现,第II主族元素的铝酸盐与铝酸钇具有相近的光学特性,如MeAl204 (当Me:Mg或Ca时,形成具有MgAl204尖晶石类型的立 方晶系结构的化合物),或Me4AlAs类型的化合物。当这些化 合物被Ce+3离子启动时,具有很强的发光特性,会被蓝光二 极管发出的A 二400 500nm的光束激发发光。
本发明的实验还发现,第II主族元素的单铝酸盐和多铝 酸盐在与Y3AhC^石榴石类型铝酸钇或钙钛矿YA103类型铝酸
钇形成固体溶液时,其发光特性会增强。这种固体溶液的成 分中含有整数数目的MeAlA类型单铝酸盐,例如,单位钇铝 石榴石中可能含有l, 2, 3或4个单位单铝酸盐。然而,也有
可能得到含有非整数单位的单铝酸盐的固体溶液,如, MeAU)4的数量可以是0. 1,0.25, 0.4, 0. 5等。第II主族元素
的铝酸盐与铝酸钇形成的固体溶液中也可含有少量后者。
第II主族元素的铝酸盐与铝酸钇形成的固体溶液可以 很好地溶解体积较大的离子,如&+3。与Ce+3同属于轻稀土元 素的Pr+3也易溶解于该固体溶液中。Dy+3, Tb+3, Eu"等重稀土元 素离子及位于轻,重稀土元素交界位置的Sm+3极易溶解于合 成的固体溶液。此时,具有可变价态的En+2和Sm+2可能同时存 在两种不同的氧化状态+2和+ 3价态,而Mn+2与Mn+4, Ti"与 Ti+4, Fe+2与Fe+3可能同时或单独存在于固体溶液的晶格结构 中。这时所有上述离子都具有很强的发旋旋旋光性(其中某 些离子,如Tr3,是重新获得了这种发旋旋旋光性)。所有上
述具有强发旋旋旋光性的离子被激发发光的波段在近紫外 波段(Dy+3,Tb+3, Mn+4,Ti+3)或可见光光谱中A =440咖的蓝
色光波段。
除传统的启动剂Ce+3外,若在荧光粉基体中再溶入Tr3 与Fe+3可使荧光粉辐射峰值增大125 130nm,此时的色品坐标具有橙红色特征x《0.40, y《0.45。
当在荧光粉基体中加入化学计量参数x《1,此时可以用 Gd+3取代部分Y+3,荧光粉的辐射峰值会向长波方向移动,从 入二558nm处移至入《570nm波段。发光色品坐标之和 E (x+y) 80。这种荧光粉样品的优势表现在发出高温红 色光。
本发明中发现,可以用Sr+2或Ca+2取代阳离子晶格中的部 分Ba+2。此时,荧光粉基体可被£11+2, Sm+2或Mn+2启动,在光 谱的505 585nm波段产生窄频带辐射,A A =100-130nm。 以下描述本发明荧光粉的制取方法.-依据化学式秤取所需稀土元素的氧化物以及所 需的碳酸物,然后将所有的物料充分混和后,放到 300 500ml的坩埚中充分压实;
将坩埚放入电炉中开始热加工处理,热加工处 理分四个阶段;第一阶段的温度上升5"C/分钟至 900 1200°C, 2 6小时,第二阶段的温度上升5 。C/分钟至1350 1600°C , 2 8小时;第三次加工 的温度为降低速度约5。C/分钟至800 120(TC , 2 6小时,第四次加工的温度为降低速度约5t/分钟
至室温,在热加工处理过程中全程用弱还原气体(体 积比为H2:N2=5:95)保护;
在热加工处理后的产品再用(HC1或丽03)进 行酸洗,在荧光粉颗粒的表面形成厚度为50纳米 ZnO Si02薄膜层;
之后获取的荧光粉经过800目的网筛之后,再
测量其参数。现举出一实施例及其制备方法如下: 先秤取如下原物料
Y203 : 27. 12 g Al (OH) 3 :
Gd203 : 9. 25 g BaC03 :
40. 56 g 2.0 g
Ce02: 1. 55 g 然后将所有的物料充分混和后,放到300 500ml 的坩埚中充分压实;
将坩埚放入电炉中开始热加工处理,热加工处 理分三个阶段第一阶段的温度上升5。C/分钟至 1150°C, 2.5小时,第二阶段的温度上升5。C/分钟 至1450°C, 4.5小时;第三次加工的温度为降低速 度约5。C/分钟至1050°C , 2.5小时,第四次加工的 温度为降低速度约5。C/分钟至室温;
在热加工处理后的产品再用丽03进行酸洗,在 荧光粉颗粒的表面形成厚度为50纳米ZnO Si02薄 膜层。之后获取的荧光粉经过800目的网筛之后, 再测量其参数。
以上实施例所制作样品1的化学式为
Ce02: 2. 06 g 然后将所有的物料充分混和后,放到300 500ml 的坩埚中充分压实;
54. 6 g 10. 0 g将坩埚放入电炉中开始热加工处理,热加工处
理分三个阶段第一阶段的温度上升5t:/分钟至
1100°C, 2.5小时,第二阶段的温度上升5。C/分钟 至1400°C, 4.5小时;第三次加工的温度为降低速 度约5。C/分钟至1000°C , 2.5小时,第四次加工的 温度为降低速度约5。C/分钟至室温;
在热加工处理后的产品再用丽03进行酸洗,在 荧光粉颗粒的表面形成厚度为50纳米Zn0 Si02薄 膜层。之后获取的荧光粉经过800目的网筛之后, 再测量其参数。
以上实施例所制作样品2的化学式为 Bai (Yo. eGdo. 3eCe0. 。4) 3AI7O16 。
现再举出一实施例及其制备方法如下
先秤取如下原物料
Y203: 13. 56 g Al (OH) 3 : 70. 2 g
Gd203 : 29. 91 g BaC03 : 20. 0 g
Ce02: 2. 58 g 然后将所有的物料充分混和后,放到300 500ml 的坩埚中充分压实;
将坩埚放入电炉中开始热加工处理,热加工处 理分三个阶段第一阶段的温度上升5。C/分钟至 1050°C, 2.5小时,第二阶段的温度上升5。C/分钟 至1350°C, 4.5小时;第三次加工的温度为降低速 度约5t/分钟至95(TC, 2.5小时,第四次加工的 温度为降低速度约5X:/分钟至室温;
在热加工处理后的产品再用丽03进行酸洗,在
14荧光粉颗粒的表面形成厚度为50纳米ZnO Si02薄 膜层。之后获取的荧光粉经过800目的网筛之后, 再测量其参数。
以上实施例所制作样品3的化学式为
BgL2 (Yo. 4Gd0. 55Ceo. 05) 3AI9O2O o
如图1所示,以"三色"(Sensing)公司的 SPR-920D荧光粉光色参数综合分析系统测量样品1
的荧光粉,所得到的辐射光谱参数分别为
色品坐标Chromaticity Coordinates x二0.4223 y二0.4498u二O. 2236 v二O. 3573
相关色温 Correlated Color Temperature : 3588 K
亮度Brightness : 26316.7 参照白光Reference WhiteC光源 峰值波长Peak Wave length :569.3 nm 主波长 Dominant Wavelength : 575 nm 谱线带宽Bandwidth : 124.6 nm 色纯度Purity : 0-6609 辐tf亮度Radiant Brightness 71.941 色比 Color Ratio : Kr=51.2% Kg=32. 9% Kb=15.9%
显色指数 Rendering Index : Ra二68. 0 Rl二62 R2=77 R3二91 R4二58 R5=58
R6=66 R7=84 R8二48 R9二-38 R10二45 Rll二47R12=27R13=65 R14二94 R15二55
如图2所示,以"三色"(Sensing)公司的SPR-920D荧光粉光色参数综合分析系统测量样品2
的荧光粉,所得到的辐射光谱参数分别为
色品坐标Chromaticity Coordinates : x二O.4194 y=0.4226u二O.2319v二O. 3506
相关色温 Correlated Color Temperature : 3459 K
亮度Brightness: 20930.2 参照白光Reference White :C光源 峰值波长Peak Wave length : 570.1 nm 主波长 Dominant Wavelength : 577 nm 谱线带宽Bandwidth : 126.9 nm 色纯度Purity 0.5787 辐射亮度Radiant Brightness : 61.428 色比 Color Ratio : Kr二52. 9%Kg二29. 4% Kb二17. 7%
显色指数 Rendering Index s Ra二7L 3 Rl二66R2二82R3二93R4二60 R5二62 R6二71R7=83R8二52R9二-20 R10二55 Rll二48R12=38R13二70 R14二95 R15=62
如图3所示,以"三色"(Sensing)公司的 SPR-920D荧光粉光色参数综合分析系统测量样品3
的荧光粉,所得到的辐射光谱参数分别为
色品坐标Chromaticity Coordinates x二O.3762 y二O.3741u二O.2234v二O.3332
相关色温 Correlated Color Temperature : 4098 K亮度Brightness : 20648. 1 参照白光Reference White :C光源 峰值波长Peak Wave length468.6 nm 主波长 Dominant Wavelength 579 蘭 谱线带宽Bandwidth : 32.6 nm 色纯度Purity :0. 3321 辐射亮度Radiant Brightness : 66.992 色比 Color Ratio : Kr二46. 9% Kg二25. 9% Kb=27. 2%
显色指数Rendering Index : Ra=79. 2 Rl二78R2二95 R3=92 R4二65 R5二75
R6二87 R7二80 R8二61 R9=13 R10=81 Rll二55R12二60R13二83 R14二96 R15二76
以上的合成法可以得到颗粒大小约1 10um的 荧光粉,此尺寸适合将其制作成增效转光装置,这种装置是 在聚合物薄膜内部均匀填充荧光粉颗粒制作而成。选用聚合 度为100 500,分子品质为5000 10000的环氧树脂或有机 硅树脂作为聚合薄膜的材料。聚合物分子质量过大会使其无 法承受发光二极管工作时发热的影响。荧光粉颗粒在增效转 光结构中的填充重量比1 75%,最适宜重量比为15 25%, 此时这种增效转光粉在异质结的所有发光面形成厚度均匀 的覆盖层,该层的几何厚度在50 200um之间,随片状荧 光粉颗粒度的变化而变化。增效转光层的厚度一般在80 120tim。
本发明的试验过程中设计了多种制作白光发光二极管的方案。其技术参数如下发光强度I》100cd,发光效率il 》35 1rn/w。与传统石榴石荧光粉相比,这种新型的荧光粉由 于发光光谱更宽而具有更高的颜色指数R》75,从而被应用 于营造舒适的专业照明的发光二极管中。
综上所述,本发明的白光二极管、增效转光粉、荧 光粉及荧光粉的制备方法,其应用了能辐射多种颜色光,包 括白光的氮化物异质结,其显着特点是呈现出强烈的黄色和 黄橙色,具有很高的量子发光率和持久的发光时间,因此, 确可改善现有白光二极管及其荧光粉制作方法的缺
,点o
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并 非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离 本发明之精神和范围内,当可作少许之更动与润饰, 因此本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所 界定者为准。
权利要求
1. 一种荧光粉,用于白光二极管中,其是由元素周期表中第II,III主族元素的氧化物为基体,用电子d层与f层发生跃迁的元素作启动剂,且该荧光粉的基体由钡和钇的同类铝酸盐的固体溶液构成,其化学式为Bax(Y1-y-zGdyCez)3Al5+2xO12+4x,其中x=0.01~10,y=0~1,z=0.005~0.1;当该基体被一短波辐射激发时,该元素之离子会辐射出绿橙色光,与一氮化铟镓半导体异质结发出的短波辐射相混合后形成白光。
2. 如权利要求l所述的荧光粉,其中于该化合物中 所加入f元素与d元素分别为Ce,或Pr,或Eu,或Dy,或Tb, 或Sm,或Mn,或Ti,或Fe,它们具有+2 +4间不同的氧化程 度0
3. 如权利要求l所述的荧光粉,其中该短波辐射具 有入《500nm的波长;而该绿橙色光具有人二530 610nm的波 长。
4. 如权利要求l所述的荧光粉,其中化学计量参数 x《l,此时可以用Gd+3取代部分Y+3,荧光粉的辐射峰值会向长 波方向移动,从入二558nm处移至入《570nm波段,发光色品坐 标之和E(x+y)X). 80。
5. 如权利要求1所述的荧光粉,其中当用Sr+2与Ca+2 取代阳离子晶格中的部分Ba+2时,被Eu+2,和/或Sm+2,和/或 Mn+2启动发生的辐射具有窄频带特征,峰值半宽A入二100 130nm,在入二505 585nm波段发光。
6. 如权利要求l所述的荧光粉,其中可以得到颗 粒大小约1 10 u m,此尺寸适合将其制作成增效转光装置。
7. —种用于氮化物半导体异质结的增效转光粉,其是 由聚合物基体和荧光粉构成,其结构基础是聚合度为100 500,分子质量大于5000个标准碳单位的环氧树脂或有机硅 树脂,并在其中填充重量比1 75%的荧光粉,从而在异质结的发光面上形成一层厚度均匀的聚合物层,该层可将短波 异质结的原始辐射转化成比色温度在6000 3200K之间的白光。
8. —种白光发光二极管,其是由一 InGaN半导体异质 结及一增效转光粉所构成,其中该增效转光粉系由聚合物基 体和荧光粉构成,其结构基础是聚合度为100 500,分子质 量大于5000个标准碳单位的环氧树脂或有机硅树脂,并在 其中填充重量比1 75%的荧光粉,从而在异质结的发光面 上形成一层厚度均匀的聚合物层,该层可将短波异质结的原 始辐射转化成比色温度在6000 3200K之间的白光,其发光 色度为Ra》75。
全文摘要
本发明涉及一种白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法,其中应用了能辐射多种颜色光,包括白光的氮化物异质结。本发明提出了化学式为Ba<sub>x</sub>(Y<sub>1-y-z</sub>Gd<sub>y</sub>Ce<sub>z</sub>)<sub>3</sub>Al<sub>5+2x</sub>O<sub>12+4x</sub>的固体溶液形态的新型荧光材料,其中x=0.01~10,y=0~1,z=0.005~0.1。其显著特点是呈现出强烈的黄色和黄橙色,具有很高的量子发光率和持久的发光时间。在这种新型荧光粉的基础上本发明进一步研发出对波长λ=400~500nm的蓝光异质结辐射发生作用的增效转光装置。
文档编号C08L83/00GK101503622SQ200910119578
公开日2009年8月12日 申请日期2009年3月17日 优先权日2009年3月17日
发明者索幸纳姆, 罗维鸿, 蔡绮睿 申请人:罗维鸿
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