半导体密封用树脂组合物、半导体装置和结构体的制作方法

本发明涉及一种半导体密封用树脂组合物、半导体装置和结构体。

背景技术：

半导体装置例如通过使用密封用树脂组合物将搭载在基板上的半导体元件密封成型而形成。作为关于密封这种半导体装置的树脂组合物的技术，已知使密封用树脂组合物中包含方英石的技术(参考专利文献1、2)。

即，专利文献1中，为了赋予作为固化后的密封树脂的导热性和低吸水性的目的，并且，专利文献2中，为了赋予作为固化后的密封树脂的耐痕迹性或耐湿特性的目的，在树脂组合物中配合方英石。

专利文献1、2中，作为将方英石应用于密封用树脂组合物的理由，可以如下考虑。即，方英石因其特异的结晶结构，尤其在加热时发挥显著的膨胀特性。因此，可以认为在热固化时，该方英石显著地膨胀，使固化物具有刚性，可以实现上述特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-302506号公报

专利文献2：日本特开2013-112710号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

然而，本发明的发明人深入研究，其结果得知以下情况。

即，近年来，半导体装置的薄型化的要求逐渐提高，但在对这种薄型的半导体装置应用如上述专利文献1、2所记载的包含方英石的密封用树脂组合物时，有密封树脂过度带有刚性而加热时的线膨胀系数变低的倾向。结果得知，产生与基板的热膨胀系数的差，作为半导体装置整体有可能产生翘曲。

因此，本发明的课题在于提供一种半导体密封用树脂组合物，其即便包含方英石，也可以抑制作为所获得的半导体装置的翘曲。

用于解决课题的方法

根据本发明，提供一种半导体密封用树脂组合物，其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂和(C)无机填充材料，其中，上述(C)无机填充材料包含方英石，以175℃、3分钟对上述半导体密封用树脂组合物进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂为70ppm/K以上200ppm/K以下，上述固化物的玻璃化转变温度为100℃以上260℃以下。

并且，根据本发明，提供一种半导体装置，其具备：基材；半导体元件，其搭载于上述基材的一表面上；和密封树脂，其由上述半导体密封用树脂组合物的固化物构成且将上述半导体元件和上述基材中的上述一表面密封。

并且，根据本发明，提供一种结构体，其具备：基材；多个半导体元件，其搭载在上述基材的一表面上；和密封树脂，其由上述半导体密封用树脂组合物的固化物构成且将上述半导体元件和上述基材中的上述一表面密封。

发明效果

根据本发明的半导体密封用树脂组合物，能够抑制作为所获得的半导体装置的翘曲。

附图说明

上述目的及其他目的、特征和优点通过以下所述的优选的实施方式、及其所附带的以下附图而变得进一步明确。

图1为表示半导体装置的一例的剖视图。

图2为表示结构体的一例的剖视图。

具体实施方式

以下，使用适当附图对实施方式进行说明。另外，所有附图中，对相同构成要件附加相同符号，并适当省略说明。

[半导体密封用树脂组合物]

首先，对半导体密封用树脂组合物进行说明。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物用于形成将搭载在基材上的半导体元件密封的密封树脂。使用半导体密封用树脂组合物的密封成型并无特别限定，例如可以通过转移成型法或压缩成型法而进行。基材是例如内插板(interposer)等有机基板。并且，半导体元件通过引线接合或倒装芯片连接等与基材电连接。

作为通过使用半导体密封用树脂组合物的密封成型将半导体元件密封而获得的半导体装置，并无特别限定，例如可以列举：QFP(Quad Flat Package：四方扁平封装)、SOP(Small Outline Package：小外形封装)、BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)、CSP(Chip Size Package：芯片规模封装)、QFN(Quad Flat Non-leaded Package：方形扁平无引脚封装)、SON(Small Outline Non-leaded Package：超小型无引脚封装)、LF-BGA(Lead Flame BGA：引线框架BGA)。并且，关于BGA或CSP，也可以为半导体元件的上表面从密封树脂露出的暴露(exposed)型的封装。并且，本实施方式所涉及的半导体密封用树脂组合物也与通过近年来大量应用于它们的封装的成型的MAP(Mold Array Package：模塑阵列封装)成型而形成的结构体有关。此时，通过使用半导体密封用树脂组合物将搭载在基材上的多个半导体元件一并密封，而获得上述结构体。另外，抑制本实施方式中半导体装置的翘曲的效果，在BGA或CSP中，在密封树脂厚度薄于基板厚度的类型的BGA或CSP、半导体元件的上表面从密封树脂露出的暴露型的BGA或CSP等的抑制密封树脂因基板的膨胀收缩而导致变形的力未充分达到的封装中，也尤其显著。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物例如可以用作模具底部填充(mold underfill)材料。模具底部填充材料为一并进行配置在基板上的半导体元件的密封和基板与半导体元件之间的间隙的填充的材料。由此，能够实现减少制造半导体装置的工时。并且，本实施方式所涉及的半导体密封用树脂组合物也可以填充在基板与半导体元件之间，故也可以更有效地抑制半导体装置的翘曲。

本实施方式中，作为使用半导体密封用树脂组合物所形成的半导体装置的一例，可以列举在有机基板的一表面上搭载半导体元件的半导体封装。此时，有机基板中的上述一表面和半导体元件被半导体密封用树脂组合物密封。即，成为单面密封型的封装。并且，在有机基板的与上述一表面相反的另一表面，例如形成多个焊球作为外部连接端子。另外，这种半导体封装中，半导体元件的上表面可以由密封树脂密封，也可以从密封树脂露出。

这种半导体封装中，例如将密封树脂的厚度优选设为0.4mm以下，更优选设为0.3mm以下。由此，能够实现半导体封装的薄型化。并且，即便为这种薄型的半导体封装，通过使用本实施方式所涉及的半导体密封用树脂组合物，也可以抑制封装翘曲的产生。在此，密封树脂的厚度是指有机基板的上述一表面的法线方向上将上述一表面作为基准的密封树脂的厚度。并且，本实施方式中，例如可以将密封树脂的厚度设为有机基板的厚度以下。由此，可以更有效地薄型化半导体封装。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物例如为粉粒体或锭(Tablet)状。由此，可以使用转移成型法或压缩成型法等进行密封成型。半导体密封用树脂组合物为粉粒体是指为粉末状或颗粒状的任一种的情况。并且，半导体密封用树脂组合物为锭状是指使半导体密封用树脂组合物的粉碎物成型为锭形状的情况。在此，半导体密封用树脂组合物可以设为例如经B阶段的锭状。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物具备以下特性。

即，将本实施方式的半导体密封用树脂组合物以175℃、3分钟进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂为70ppm/K以上200ppm/K以下。

如上所述，近来尤其关于薄型的半导体装置，对抑制翘曲产生的要求逐渐提高。并且，从扩大半导体装置的应用范围的观点考虑，抑制加热时的翘曲的要求也高。

对这种要求，本发明的发明人深入研究的结果发现：关于半导体密封用树脂组合物的固化物，通过将上述线膨胀系数α₂调整为上述特定的范围，能够缓和与搭载半导体元件的基板的热膨胀系数的差，抑制作为半导体装置整体的翘曲。

另外，作为该固化物的线膨胀系数α₂的下限值，更优选为75ppm/K以上。并且，作为上限值更优选为180ppm/K以下，尤其优选为150ppm/K以下。

通过设定这种数值范围，更难产生翘曲。

并且，作为通过将本实施方式的半导体密封用树脂组合物以175℃、3分钟进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物的玻璃化转变温度的下限值，为100℃以上，优选为110℃以上，更优选为115℃以上，进一步优选为120℃以上，尤其优选为125℃以上。通过将玻璃化转变温度设为上述温度以上，即便在加热时也可以将半导体元件稳定地密封。

并且，本实施方式的该固化物的玻璃化转变温度的上限值为260℃以下，并且，也可以设为240℃以下。

另外，关于下述固化物的线膨胀系数α₁、α₂和玻璃化转变温度，例如可以使用热机械分析装置(精工电子工业株式会社制造、TMA100)，在测定温度范围0℃～320℃、升温速度5℃/分钟的条件下进行测定。

并且，作为本实施方式的半导体密封用树脂组合物，优选具备以下特性。

即，关于半导体密封用树脂组合物，例如通过以175℃、3分钟进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在玻璃化转变温度以下时的线膨胀系数α₁优选为10ppm/K以上40ppm/K以下，更优选为15ppm/K以上30ppm/K以下。由此，也可以在相对低温条件下抑制由基板与密封树脂的线膨胀系数的差引起的半导体封装的翘曲的产生。

并且，通过将本实施方式的半导体密封用树脂组合物以175℃、3分钟进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在260℃时的弯曲弹性模量E₍₂₆₀₎优选为100MPa以上。通过将在260℃时的弯曲弹性模量E₍₂₆₀₎设为该数值以上，能够稳定地控制半导体装置的翘曲。

另外，在260℃时的弯曲弹性模量E₍₂₆₀₎的上限值并无特别限制，但例如为1GPa以下，优选为800MPa以下，更优选为600MPa以下。通过设为这种数值以下，能够赋予作为密封树脂的适度的柔软性，能够有效地缓和来自外部的应力或热应力，提高回焊时的耐焊可靠性等。

并且，本实施方式的半导体密封用树脂组合物例如以175℃、3分钟进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎优选为1.0GPa以上，更优选为3.0GPa以上，尤其优选为5.0GPa以上。通过将在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎设为上述下限值以上，可以更有效地抑制室温下的半导体装置的翘曲。

另一方面，固化物在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎并无特别限定，但优选为40GPa以下，更优选为30GPa以下，尤其优选为20GPa以下。通过将固化物在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎设为上述上限值以下，可以有效地缓和来自外部的应力，实现半导体装置的可靠性的提高。

另外，在260℃和25℃时的弯曲弹性模量的测定可以依据JIS K6911而进行。

并且，本实施方式的半导体密封用树脂组合物以175℃、3分钟进行热处理时的收缩率S₁优选为0.5％以上，并且，更优选设为0.6％以上。并且，作为该收缩率S₁的上限值，优选为2.0％以下，更优选为1.5％以下。

通过这种方式将半导体密封用树脂组合物的成型时的收缩率设为特定的范围，可以取得有机基板等基材的收缩量与树脂组合物的固化时的收缩量的匹配，稳定为半导体封装的翘曲被抑制的形状。

上述收缩率S₁例如可以如下进行测定。首先，使用转移成型机，在模具温度175℃、成型压力9.8MPa、固化时间3分钟的条件下将半导体密封用树脂组合物在模腔内注入成型，制作圆盘状的试验片。接着，将该试验片冷却至25℃。在此，根据在175℃时的模腔的内径尺寸和在25℃时的试验片的外径尺寸，如下计算出收缩率S₁(％)。

S₁＝{(在175℃时的模腔的内径尺寸)-(在25℃时的试验片的外径尺寸)}/(在175℃时的模腔的内径尺寸)×100

接着，对本实施方式的半导体密封用树脂组合物的组成进行说明。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)固化剂和(C)无机填充材料，(C)无机填充材料包含方英石。

[(A)环氧树脂]

作为本实施方式的(A)环氧树脂，可以使用在1个分子内具有2个以上环氧基的全部单体、低聚物、聚合物，其分子量或分子结构并无特别限定。本实施方式中，作为(A)环氧树脂，尤其优选为采用非卤化环氧树脂。

本实施方式中，(A)环氧树脂为包含选自例如联苯型环氧树脂；双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、四甲基双酚F型环氧树脂等双酚型环氧树脂；茋型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；三苯酚甲烷型环氧树脂、烷基改性三苯酚甲烷型环氧树脂等多官能环氧树脂；具有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂等苯酚芳烷基型环氧树脂；二羟基萘型环氧树脂、使二羟基萘的二聚物缩水甘油醚化而获得的环氧树脂等萘酚型环氧树脂；三缩水甘油基异氰尿酸酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰尿酸酯等含三嗪核的环氧树脂；二环戊二烯改性酚型环氧树脂等桥环状烃化合物改性酚型环氧树脂的一种或两种以上的环氧树脂。

它们当中，从提高耐湿可靠性和成型性的平衡的观点考虑，更优选含有双酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂和三苯酚甲烷型环氧树脂中的至少一种。并且，从抑制半导体装置的翘曲的观点考虑，尤其优选含有苯酚芳烷基型环氧树脂和酚醛清漆型环氧树脂中的至少一种。为了进一步提高流动性，尤其优选联苯型环氧树脂，为了控制高温的弹性模量，尤其优选为苯酚芳烷基型环氧树脂。

作为(A)环氧树脂，例如可以使用含有选自由下述式(1)所表示的环氧树脂、下述式(2)所表示的环氧树脂、下述式(3)所表示的环氧树脂、下述式(4)所表示的环氧树脂和下述式(5)所表示的环氧树脂中的至少一种的环氧树脂。它们当中，可以列举包含选自下述式(1)所表示的环氧树脂和下述式(4)所表示的环氧树脂中的一种以上作为更优选方式之一。

(式(1)中，Ar¹表示亚苯基或亚萘基，Ar¹为亚萘基时，缩水甘油醚基可以键合于α位、β位的任意位。Ar²表示亚苯基、亚联苯基或亚萘基中的任意一个基团。R_a和R_b分别独立地表示碳原子数1～10的烃基。g为0～5的整数，h为0～8的整数。n³表示聚合度，其平均值为1～3。)

(式(2)中，存在多个的R_c分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基。n⁵表示聚合度，其平均值为0～4。)

(式(3)中，存在多个的R_d和R_e分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基。n⁶表示聚合度，其平均值为0～4。)

(式(4)中，存在多个的R_f分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基。n⁷表示聚合度，其平均值为0～4。)

(式(5)中，存在多个的R_g分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基。n⁸表示聚合度，其平均值为0～4。)

关于本实施方式的半导体密封用树脂组合物中的(A)环氧树脂的含量，相对于树脂组合物整体，优选为8重量％以上，更优选为10重量％以上，尤其优选设为15重量％以上。通过将(A)环氧树脂的含量设为上述下限值以上，能够提高密封用树脂组合物的流动性，而实现成型性的进一步提高。

另一方面，关于半导体密封用树脂组合物中的(A)环氧树脂的含量，相对于树脂组合物整体，优选为50重量％以下，更优选为40重量％以下。通过将(A)环氧树脂的含量设为上述上限值以下，对于具备使用密封用树脂组合物所形成的密封树脂的半导体装置，能够提高耐湿可靠性和耐回焊性。

[(B)固化剂]

本实施方式的(B)固化剂若为通常用于半导体密封用树脂组合物的固化剂，则并无特别限制，例如可以列举：酚系固化剂、胺系固化剂、酸酐系固化剂、硫醇系固化剂。它们当中，从耐燃性、耐湿性、电特性、固化性、保存稳定性等的平衡方面考虑，优选为酚系固化剂。

＜酚系固化剂＞

作为酚系固化剂，若为通常用于半导体密封用树脂组合物的固化剂，则并无特别限制，例如可以列举：以苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂为代表的使苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚、α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等酚类与甲醛或酮类在酸性催化剂下缩合或共缩合而获得的酚醛清漆树脂、由上述酚类与二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯合成的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、具有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂等苯酚芳烷基树脂、具有三苯酚甲烷骨架的酚醛树脂等，它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。

＜胺系固化剂＞

作为胺系固化剂，可以列举：二亚乙基三胺(DETA)或三亚乙基四胺(TETA)和间苯二甲胺(MXDA)等脂肪族多胺、二氨基二苯甲烷(DDM)、间苯二胺(MPDA)和二氨基二苯砜(DDS)等芳香族多胺、以及包括双氰胺(DICY)、有机酸二酰肼等的多胺化合物等，它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。

＜酸酐系固化剂＞

作为酸酐系固化剂，可以列举：六氢邻苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(MTHPA)和马来酸酐等脂环族酸酐、偏苯三酸酐(TMA)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二苯甲酮四羧酸(BTDA)、邻苯二甲酸酐等芳香族酸酐等，它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。

＜硫醇系固化剂＞

作为硫醇系固化剂，可以列举：三羟甲基丙烷三(3-巯基丁酸酯)、三羟甲基乙烷三(3-巯基丁酸酯)等，它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。

＜其他固化剂＞

作为其他固化剂，可以列举：异氰酸酯预聚物、封端异氰酸酯等异氰酸酯化合物、含羧酸的聚酯树脂等有机酸类等，它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。

并且，也可以将上述中不同系的固化剂的两种以上组合使用。

(B)固化剂为酚系固化剂时，(A)环氧树脂与(B)固化剂的当量比、即环氧树脂中的环氧基摩尔数/酚系固化剂中的酚性羟基摩尔数的比并无特别限制，为了获得成型性和耐回焊性优异的环氧树脂组合物，优选为0.5以上2以下的范围，更优选为0.6以上1.8以下的范围，最优选为0.8以上1.5以下的范围。

[(C)无机填充材料]

本实施方式的半导体密封用树脂组合物含有(C)无机填充材料，该(C)无机填充材料的至少一部分中包含方英石。

关于可以用于本实施方式的方英石，形状并无特别限制，可以使用球状的方英石、破碎状的方英石中的任意种。

其中，优选使用平均粒径为20μm以下的方英石，更优选使用平均粒径为15μm以下的方英石。

通过使用这种粒径的方英石，可以使方英石均匀地分散在树脂组合物整体，可以有效地赋予作为树脂固化物的导热性、耐吸湿性。

另外，本说明书中，“平均粒径”是指体积50％平均粒径(D₅₀)，例如，可以使用(株)岛津制作所制造的激光衍射散射式粒度分布计SALD-7000进行测定。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物中的方英石的含量，相对于树脂组合物整体，优选为5重量％以上，更优选为10重量％以上，尤其优选设为12重量％以上。通过将方英石的含量设为上述下限值以上，可以进一步提高具备使用树脂组合物而形成的密封树脂的半导体装置的耐热性、耐吸湿性。

另一方面，关于半导体密封用树脂组合物中的方英石的含量，相对于树脂组合物整体，优选为60重量％以下，更优选为50重量％以下。通过将方英石的含量设为上述上限值以下，可以确保密封用树脂组合物的高流动性。

并且，本实施方式中，作为(C)无机填充材料的构成材料，可以并用方英石以外的其他无机填充材料。可以并用的无机填充材料的种类并无特别限定，例如可以列举：熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、微粉二氧化硅等二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌等，可以使用它们当中任意一种以上。它们当中，从通用性优异的观点考虑，更优选使用二氧化硅。并且，作为(C)无机填充材料，包含氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌等可赋予难燃性的成分也可以称为优选方式。

并用二氧化硅作为(C)无机填充材料时，例如可以将不同平均粒径(D₅₀)的球状二氧化硅并用两种以上。由此，可以使固化物的线膨胀系数α₁、α₂、在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎、在260℃时的弯曲弹性模量E₍₂₆₀₎、收缩率S₁等的调整进一步容易。因此，也可以有助于抑制半导体装置的翘曲。

并且，本实施方式中，作为二氧化硅，从提高半导体密封用树脂组合物的填充性的观点、和抑制半导体装置的翘曲的观点考虑，可以列举包含平均粒径1μm以下的微粉二氧化硅作为优选方式之一。

(C)无机填充剂整体的含量相对于树脂组合物整体，优选为30重量％以上，更优选为45重量％以上，尤其优选为50重量％以上。通过将(C)无机填充材料的含量设为上述下限值以上，可以提高使用半导体密封用树脂组合物而形成的密封树脂的低吸湿性和低热膨胀性，能够更有效地提高耐湿可靠性和耐回焊性。另一方面，(C)无机填充材料的含量相对于树脂组合物整体，优选为88重量％以下，更优选设为85重量％以下，尤其优选设为82重量％以下。通过将(C)无机填充材料的含量设为上述上限值以下，可以抑制半导体密封用树脂组合物的流动性的降低所伴随的成型性的降低、以及起因于高粘度化的接合线(bondingwire)偏移等。另外，关于(C)无机填充材料的上述上限值，并不限定于上述，可以根据有机基板的线膨胀系数等物性或厚度等而适当选择。从这种观点考虑，(C)无机填充材料的含量根据有机基板的种类可以设为80重量％以下，或可以设为70重量％以下。

并且，通过将(C)无机填充材料整体的含量控制在这种范围，更容易将固化物的线膨胀系数α₁、α₂、在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎、和在260℃时的弯曲弹性模量E₍₂₆₀₎、收缩率S₁等物性值设为所需的范围。因此，也可以有助于抑制半导体装置的翘曲。

[(D)固化促进剂]

本实施方式的半导体密封用树脂组合物还可以包含例如(D)固化促进剂。(D)固化促进剂只要是促进(A)环氧树脂与(B)固化剂的交联反应的固化促进剂即可，可以使用用于通常的半导体密封用树脂组合物的固化促进剂。

本实施方式中，关于(D)固化促进剂，例如可以包含选自有机膦、四取代鏻化合物、磷酸甜菜碱(phosphobetaine)化合物、膦化合物与醌化合物的加合物、鏻化合物与硅烷化合物的加合物等含磷原子化合物；1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯-7、苄基二甲基胺、2-甲基咪唑等所例示的脒或叔胺、上述脒或胺的季盐等含氮原子化合物中的一种或两种以上。它们当中，从提高固化性的观点考虑，更优选包含含磷原子化合物。并且，从提高成型性与固化性的平衡的观点考虑，更优选包含四取代鏻化合物、磷酸甜菜碱化合物、膦化合物与醌化合物的加合物、鏻化合物与硅烷化合物的加合物等具有潜伏性的化合物。

作为可以用于本实施方式的半导体密封用树脂组合物的有机膦，例如可以列举：乙基膦、苯基膦等伯膦；二甲基膦、二苯基膦等仲膦；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三苯基膦等叔膦。

作为可以用于本实施方式的半导体密封用树脂组合物的四取代鏻化合物，例如可以列举下述通式(6)所表示的化合物等。

(上述通式(6)中，P表示磷原子。R⁴、R⁵、R⁶和R⁷表示芳香族基团或烷基。A表示在芳香环上具有至少一个选自羟基、羧基、硫醇基中的任一官能团的芳香族有机酸的阴离子。AH表示在芳香环上具有至少一个选自羟基、羧基、硫醇基中的任一官能团的芳香族有机酸。x、y为1～3的数，z为0～3的数，且x＝y。)

通式(6)所表示的化合物例如可以通过如下方式获得，但并不限定于此。首先，使四取代鏻卤化物、芳香族有机酸和碱混合到有机溶剂中，均匀地混合，使该溶液体系内产生芳香族有机酸阴离子。接着，若添加水，即可使通式(6)所表示的化合物沉淀。在通式(6)所表示的化合物中，优选与磷原子键合的R⁴、R⁵、R⁶和R⁷为苯基，且AH为在芳香环上具有羟基的化合物、即酚类，且A为该酚类的阴离子。作为上述酚类，例示有苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚等单环式酚类、萘酚、二羟基萘、蒽二酚等缩合多环式酚类、双酚A、双酚F、双酚S等双酚类、苯基苯酚、联苯酚等多环式酚类等。

作为可以用于本实施方式的半导体密封用树脂组合物的磷酸甜菜碱化合物，例如可以列举下述通式(7)所表示的化合物等。

(上述通式(7)中，P表示磷原子。R⁸表示碳原子数1～3的烷基，R⁹表示羟基。f为0～5的数，g为0～3的数。)

通式(7)所表示的化合物，例如可以如下获得。经过如下工序而得到：首先，使作为叔膦的三芳香族取代膦与重氮鎓盐接触，使三芳香族取代膦与重氮鎓盐所具有的重氮鎓基进行取代。但并不限定于此。

作为可以用于本实施方式的半导体密封用树脂组合物的膦化合物与醌化合物的加合物，例如可以列举下述通式(8)所表示的化合物等。

(在上述通式(8)中，P表示磷原子。R¹⁰、R¹¹和R¹²表示碳原子数1～12的烷基或碳原子数6～12的芳基，彼此可以相同也可以不同。R¹³、R¹⁴和R¹⁵表示氢原子或碳原子数1～12的烃基，彼此可以相同也可以不同，R¹⁴与R¹⁵也可以键合而成为环状结构。)

作为用于膦化合物与醌化合物的加合物的膦化合物，例如优选为三苯基膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三萘基膦、三(苄基)膦等在芳香环上无取代或存在烷基、烷氧基等取代基的膦化合物，作为烷基、烷氧基等取代基，可以列举具有碳原子数1～6的取代基。从容易获得的观点考虑，优选为三苯基膦。

并且，作为用于膦化合物与醌化合物的加合物的醌化合物，可以列举苯醌、蒽醌类，其中，从保存稳定性方面考虑，优选为对苯醌。

作为膦化合物与醌化合物的加合物的制造方法，可以通过使有机叔膦和苯醌类在可溶解两者的溶剂中接触、混合而获得加合物。作为溶剂，优选为丙酮、甲基乙基酮等酮类且对加合物的溶解性较低的溶剂。但并不限定于此。

通式(8)所表示的化合物中，从降低密封用树脂组合物的固化物的热时弹性模量方面考虑，优选为与磷原子键合的R¹⁰、R¹¹和R¹²为苯基，且R¹³、R¹⁴和R¹⁵为氢原子的化合物，即，使1,4-苯醌与三苯基膦加合而获得的化合物。

作为可以用于本实施方式的半导体密封用树脂组合物的鏻化合物与硅烷化合物的加合物，例如可以列举下述通式(9)所表示的化合物等。

(上述通式(9)中，P表示磷原子，Si表示硅原子。R¹⁶、R¹⁷、R¹⁸和R¹⁹分别表示具有芳香环或杂环的有机基团、或者脂肪族基团，彼此可以相同也可以不同。式中R²⁰为与基团Y²和Y³键合的有机基团。式中R²¹为与基团Y⁴和Y⁵键合的有机基团。Y²和Y³表示给质子基团释放出质子而成的基团，同一分子内的基团Y²和Y³与硅原子键合而形成螯合结构。Y⁴和Y⁵表示给质子基团释放出质子而成的基团，同一分子内的基团Y⁴和Y⁵与硅原子键合而形成螯合结构。R²⁰和R²¹彼此可以相同也可以不同，Y²、Y³、Y⁴和Y⁵彼此可以相同也可以不同。Z¹为具有芳香环或杂环的有机基团、或者脂肪族基团。)

通式(9)中，作为R¹⁶、R¹⁷、R¹⁸和R¹⁹，例如可以列举：苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、萘基、羟基萘基、苄基、甲基、乙基、正丁基、正辛基和环己基等，它们当中，更优选为苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、羟基萘基等具有烷基、烷氧基、羟基等取代基的芳香族基团或无取代的芳香族基团。

并且，通式(9)中，R²⁰为与Y²和Y³键合的有机基团。同样地，R²¹为与基团Y⁴和Y⁵键合的有机基团。Y²和Y³为给质子基团释放出质子而成的基团，同一分子内的基团Y²和Y³与硅原子键合而形成螯合结构。同样地，Y⁴和Y⁵为给质子基团释放出质子而成的基团，同一分子内的基团Y⁴和Y⁵与硅原子键合而形成螯合结构。基团R²⁰和R²¹彼此可以相同也可以不同，基团Y²、Y³、Y⁴和Y⁵彼此可以相同也可以不同。这种通式(9)中的-Y²-R²⁰-Y³-和Y⁴-R²¹-Y⁵-所表示的基团为由给质子体释放出两个质子而成的基团构成的基团，作为给质子体，优选为在分子内具有至少两个羧基或羟基的有机酸，进一步优选为构成芳香环的相邻的碳上具有至少两个羧基或羟基的芳香族化合物，更优选为构成芳香环的相邻的碳上具有至少两个羟基的芳香族化合物，例如可以列举：邻苯二酚、邻苯三酚、1,2-二羟基萘、2,3-二羟基萘、2,2'-联苯酚、1,1'-联-2-萘酚、水杨酸、1-羟基-2-萘甲酸、3-羟基-2-萘甲酸、氯冉酸、单宁酸、2-羟基苄基醇、1,2-环己二醇、1,2-丙二醇和甘油等，它们当中，更优选为邻苯二酚、1,2-二羟基萘、2,3-二羟基萘。

并且，通式(9)中的Z¹表示具有芳香环或杂环的有机基团或脂肪族基团，作为它们的具体例，可以列举：甲基、乙基、丙基、丁基、己基和辛基等脂肪族烃基；或苯基、苄基、萘基和联苯基等芳香族烃基；缩水甘油氧基丙基、巯丙基、氨基丙基等缩水甘油氧基；具有巯基、氨基的烷基和乙烯基等反应性取代基等，它们当中，从热稳定性方面考虑，更优选为甲基、乙基、苯基、萘基和联苯基。

作为鏻化合物与硅烷化合物的加合物的制造方法，在已加入甲醇的烧瓶中添加苯基三甲氧基硅烷等硅烷化合物、2,3-二羟基萘等给质子体，进行溶解，接着在室温搅拌下滴加甲醇钠-甲醇溶液。若进一步在室温搅拌下滴加使预先准备的四苯基溴化鏻等四取代鏻卤化物溶解在甲醇中而得到的溶液，则析出结晶。若将析出的结晶过滤、水洗、真空干燥，则可以获得鏻化合物与硅烷化合物的加合物。但并不限定于此。

本实施方式中，(D)固化促进剂的含量相对于半导体密封用树脂组合物整体，优选为0.05重量％以上，更优选为0.15重量％以上，尤其优选为0.25重量％以上。通过将(D)固化促进剂的含量设为上述下限值以上，可以有效地提高密封成型时的固化性。

另一方面，(D)固化促进剂的含量相对于半导体密封用树脂组合物整体，优选为2.0重量％以下，更优选为1.5重量％以下。通过将(D)固化促进剂的含量设为上述上限值以下，可以实现密封成型时的流动性的提高。

[(E)偶联剂]

本实施方式的半导体密封用树脂组合物，例如可以包含(E)偶联剂。作为(E)偶联剂，例如可以使用环氧硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷、乙烯基硅烷、甲基丙烯酰基硅烷等各种硅烷系化合物、钛系化合物、铝螯合物类、铝/锆系化合物等公知的偶联剂。若例示它们，则可以列举：乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-[双(β-羟基乙基)]氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(β-氨基乙基)氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基甲硅烷基异丙基)乙二胺、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、N-β-(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙基胺的水解物等硅烷系偶联剂，异丙基三异硬脂酰基钛酸酯、异丙基三(二辛基焦磷酸酯)钛酸酯、异丙基三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸酯、四辛基双(二-十三烷基亚磷酸酯)钛酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)双(二-十三烷基)亚磷酸酯钛酸酯、双(二辛基焦磷酸酯)氧基乙酸酯钛酸酯、双(二辛基焦磷酸酯)亚乙基钛酸酯、异丙基三辛酰基钛酸酯、异丙基二甲基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸酯、异丙基三-十二烷基苯磺酰基钛酸酯、异丙基异硬脂酰基二丙烯酰基钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酯)钛酸酯、异丙基三异丙苯基苯基钛酸酯、四异丙基双(二辛基亚磷酸酯)钛酸酯等钛酸酯系偶联剂。它们可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。它们当中，更优选为环氧硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷或乙烯基硅烷的硅烷系化合物。并且，从更有效地提高填充性和成型性的观点考虑，尤其优选使用苯基氨基丙基三甲氧基硅烷所代表的仲氨基硅烷。

(E)偶联剂的含量相对于半导体密封用树脂组合物整体，优选为0.1重量％以上，更优选为0.15重量％以上。通过将(E)偶联剂的含量设为上述下限值以上，能够使(C)无机填充材料的分散性变得良好。另一方面，(E)偶联剂的含量相对于半导体密封用树脂组合物整体，优选为1重量％以下，更优选为0.5重量％以下。通过将(E)偶联剂的含量设为上述上限值以下，能够提高密封成型时的树脂组合物的流动性，能够实现填充性和成型性的提高。

[(F)其他成分]

在本实施方式的半导体密封用树脂组合物中，进一步根据需要也可以适当配合水滑石等离子捕捉剂；碳黑、铁红等着色剂；巴西棕榈蜡等天然蜡、褐煤酸酯蜡等合成蜡、硬脂酸锌等高级脂肪酸及其金属盐类或者石蜡等脱模剂；抗氧化剂等各种添加剂。

并且，本实施方式的密封用树脂组合物例如可以包含低应力剂。低应力剂例如可以包含选自硅油、硅橡胶、聚异戊二烯、1,2-聚丁二烯、1,4-聚丁二烯等聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯橡胶、丙烯腈-丁二烯橡胶、聚氯丁二烯、聚(氧丙烯)、聚(氧四亚甲基)二醇、聚烯烃二醇、聚-ε-己内酯等热塑性弹性体、聚硫橡胶和氟橡胶中的一种或两种以上。它们当中，从将弯曲弹性模量或收缩率控制在所需的范围而抑制所获得的半导体封装产生翘曲的观点考虑，可以选择包含硅橡胶、硅油和丙烯腈-丁二烯橡胶中的至少一个作为尤其优选的方式。

使用该低应力剂时，低应力剂整体的含量相对于半导体密封用树脂组合物整体，优选为0.05重量％以上，更优选为0.10重量％以上。另一方面，低应力剂的含量相对于半导体密封用树脂组合物整体，优选为1重量％以下，更优选为0.5重量％以下。通过将低应力剂的含量控制在这种范围，能够更可靠地抑制所获得的半导体封装的翘曲。

本实施方式的半导体密封用树脂组合物，例如可以使用：利用公知的手段将上述各成分混合，进一步利用辊、捏合机或挤出机等混炼机进行熔融混炼，在冷却后加以粉碎而成的物质；在粉碎后打锭成型为锭状而成的物质；或根据需要适当调整分散度或流动性等而成的物质等。

接着，对半导体装置100进行说明。

图1为表示半导体装置100的一例的剖视图。半导体装置100为具备基材10、搭载在基材10的一表面上的半导体元件20、以及将基材10中的上述一表面和半导体元件20密封的密封树脂30的半导体封装。即，半导体装置100为基材10中的与上述一表面相反的另一表面不被密封树脂30密封的单面密封型的半导体封装。密封树脂30由上述密封用树脂组合物的固化物构成。由此，能够抑制半导体装置100的翘曲。另外，密封树脂30例如通过使用转移成型法或压缩成型法等公知的方法将密封用树脂组合物密封成型而形成。并且，本实施方式中，半导体元件20的上表面可以如图1所示那样由密封树脂30密封，也可以从密封树脂30露出。

图1中，例示基材10为有机基板的情况。此时，在基材10中与搭载半导体元件20的表面相反侧的背面设置例如多个焊球12。并且，半导体元件20例如倒装芯片(Flip Chip)安装在基材10上。此时，半导体元件20例如通过多个凸点22与基板10电连接。另一方面，半导体元件20也可以通过接合线与基材10电连接。

另外，作为可以用于本实施方式的有机基板，可以采用现有公知的有机基板，例如可以设为玻璃环氧基板(包括玻璃纤维强化环氧树脂的基板)、BT基板(包括氰酸酯单体以及其低聚物和双马来酰亚胺的BT树脂使用基板)等。

并且，这种有机基板在玻璃化转变温度以下时的线膨胀系数α₁优选为10ppm/K以上，更优选为15ppm/K以上。并且，有机基板在玻璃化转变温度以下时的线膨胀系数α₁优选为60ppm/K以下，更优选为50ppm/K以下。

并且，这种有机基板在玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂优选为10ppm/K以上，更优选为15ppm/K以上。并且，有机基板在玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂优选为60ppm/K以下，更优选为50ppm/K以下。

图1所示的例中，半导体元件20倒装芯片(Flip Chip)安装在基材10上。本例中，半导体元件20与基材10之间的间隙例如由底部填充剂(underfill)32填充。作为该底部填充剂32，例如可以使用膜状或液状的底部填充剂材料。另一方面，也可以将上述半导体密封用树脂组合物用作模具底部填充剂材料。此时，将半导体元件20的密封和基材10与半导体元件20之间的间隙的填充一并进行。

本实施方式中，密封树脂30的厚度例如优选为0.4mm以下，更优选为0.3mm以下。并且，基材10的厚度优选为0.8mm以下，优选为0.4mm以下。由此，能够实现半导体封装的薄型化。并且，即便为这种薄型的半导体封装，也可以通过使用本实施方式涉及的半导体密封用树脂组合物形成密封树脂30，而抑制半导体装置100的翘曲。在此，密封树脂30的厚度是指基材10中的搭载半导体元件20的一表面的法线方向上将上述一表面作为基准的密封树脂30的厚度。并且，本实施方式中，例如可以将密封树脂30的厚度设为基材10的厚度以下。由此，能够使半导体装置100更有效地薄型化。

接着，对结构体102进行说明。

图2为表示结构体102的一例的剖视图。结构体102为通过MAP成型所形成的成型品。因此，通过对结构体102使每个半导体元件20单片化，而能够获得多个半导体封装。

结构体102具备基材10、多个半导体元件20和密封树脂30。多个半导体元件20在基材10的一表面上排列。图2中，例示各半导体元件20对基材10倒装芯片(Flip Chip)安装的情况。此时，各半导体元件20通过多个凸点22与基材10电连接。另一方面，各半导体元件20也可以通过接合线与基材10电连接。另外，基材10和半导体元件20可以使用与半导体装置100中所例示的基材和半导体元件相同的基材和半导体元件。

图2所示的例中，各半导体元件20与基材10之间的间隙例如由底部填充剂32填充。作为底部填充剂32，例如可以使用膜状或液状的底部填充剂材料。另一方面，也可以将上述半导体密封用树脂组合物用作模具底部填充剂材料。此时，半导体元件20的密封和基材10与半导体元件20之间的间隙的填充一并进行。

密封树脂30将多个半导体元件20和基材10中的上述一表面密封。此时，基材10中的与上述一表面相反的另一表面不由密封树脂30密封。并且，密封树脂30由上述半导体密封用树脂组合物的固化物构成。由此，可以抑制结构体102、或使结构体102单片化而获得的半导体封装的翘曲。密封树脂30例如通过使用转移成型法或压缩成型法等公知的方法将半导体密封用树脂组合物密封成型而形成。并且，本实施方式中，各半导体元件20的上表面可以如图2所示那样由密封树脂30密封，也可以从密封树脂30露出。

以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，也可以在不改变本发明的主旨的范围内改变其结构。

实施例

以下，使用实施例详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的记载任何限定。

对实施例1～9、比较例1～2中所使用的成分示于以下。

(密封用树脂组合物的制备)

首先，使用搅拌机将依照表1配合的各原材料在常温下混合后，以70～100℃进行辊混炼。接着，将所获得的混炼物冷却后，将其粉碎，获得密封用树脂组合物。表1中的各成分的详细内容如下。并且，表1中的单位为重量％。

(A)环氧树脂

环氧树脂1：具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(日本化药株式会社制造、NC-3000)

环氧树脂2：联苯型环氧树脂(三菱化学株式会社制造、YX4000)

环氧树脂3：甲酚酚醛清漆型环氧树脂(DIC株式会社制造、N-660)

(B)固化剂

固化剂1：具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂(日本化药株式会社制造、GPH-65)

固化剂2：含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂(明和化成株式会社制造、MEH-7800)

固化剂3：苯酚酚醛清漆树脂(住友电木株式会社制造、PR-HF-3)

(C)无机填充材料

无机填充材料1：方英石(Tokai Mineral Co.,Ltd制造、CR-1、平均粒径(D₅₀)5μm)

无机填充材料2：球状熔融二氧化硅(电气化学工业株式会社制造、商品名“FB560”、平均粒径(D₅₀)30μm)

无机填充材料3：球状熔融二氧化硅(微粉)(Admatechs Co.,Ltd制造、SO-C2、平均粒径(D₅₀)0.5μm)

无机填充材料4：球状熔融二氧化硅(Admatechs Co.,Ltd制造、SO-C5、平均粒径(D₅₀)1.6μm)

无机填充材料5：氢氧化铝(住友化学株式会社制造、CL-303、平均粒径(D₅₀)5.2μm)

另外，本实施例中的平均粒径是使用(株)岛津制作所制造的激光衍射散射式粒度分布计SALD-7000进行测定的。

(D)固化促进剂

固化促进剂1：下述式(13)所表示的化合物

[上述式(13)所表示的化合物的合成方法]

在带有搅拌装置的可分离式烧瓶中装入4,4'-双酚S37.5g(0.15摩尔)、甲醇100ml，在室温搅拌溶解，进一步一边搅拌一边添加预先在50ml的甲醇中溶解氢氧化钠4.0g(0.1摩尔)而成的溶液。接着，添加预先在150ml的甲醇中溶解四苯基溴化鏻41.9g(0.1摩尔)而成的溶液。继续搅拌一段时间，追加300ml的甲醇后，将烧瓶内的溶液一边滴加至大量水中一边进行搅拌，获得白色沉淀。将沉淀过滤、干燥，获得白色结晶的上述式(13)所表示的化合物。

固化促进剂2：使下述式(17)所表示的1,4-苯醌与三苯基膦加合而成的化合物

[上述式(17)所表示的化合物的合成方法]

在带有冷却管和搅拌装置的可分离式烧瓶中装入苯醌6.49g(0.060mol)、三苯基膦17.3g(0.066mol)和丙酮40ml，搅拌下在室温进行反应。利用丙酮将析出的结晶清洗后，进行过滤、干燥，获得暗绿色结晶的上述式(17)所表示的化合物。

固化促进剂3：三苯基膦

(E)偶联剂

偶联剂：苯基氨基丙基三甲氧基硅烷(Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造、CF4083)

(F)其他成分

脱模剂：褐煤酸酯蜡(WE-4(Clariant(Japan)K.K.制造))

离子捕捉剂：水滑石(DHT-4H(协和化学工业株式会社制造))

着色剂：碳黑(碳#5(三菱化学株式会社制造))

低应力剂1：硅油(Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造、FZ-3730)

低应力剂2：丙烯腈-丁二烯橡胶(宇部兴产株式会社制造、CTBN1008SP)

[评价项目]

(收缩率)

关于各实施例和各比较例，分别如下测定所获得的密封用树脂组合物的收缩率。首先，使用转移成型机，在模具温度175℃、成型压力9.8MPa、固化时间3分钟的条件下将密封用树脂组合物在模腔内注入成型，制作圆盘状的试验片。接着，将试验片冷却至25℃。在此，根据在175℃时的模腔的内径尺寸和在25℃时的试验片的外径尺寸，如下计算出收缩率S₁(％)。

S₁＝{(在175℃时的模腔的内径尺寸)-(在25℃时的试验片的外径尺寸)}/(在175℃时的模腔的内径尺寸)×100

将结果示于表1。

(玻璃化转变温度、线膨胀系数(α₁、α₂))

关于各实施例和各比较例，如下测定所获得的密封用树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度和线膨胀系数。首先，使用转移成型机以模具温度175℃、注入压力9.8MPa、固化时间3分钟的条件下将密封用树脂组合物注入成型，获得15mm×4mm×4mm的试验片。接着，将所获得的试验片以175℃、4小时进行后固化后，使用热机械分析装置(精工电子工业株式会社制造、TMA100)，在测定温度范围0℃～320℃、升温速度5℃/分钟的条件下进行测定。根据该测定结果，计算出玻璃化转变温度、玻璃化转变温度以下时的线膨胀系数(α₁)、玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数(α₂)。表1中，α₁和α₂的单位为ppm/K，玻璃化转变温度的单位为℃。将结果示于表1。

(弯曲弹性模量、弯曲强度)

关于各实施例和各比较例，如下测定所获得的密封用树脂组合物的固化物的弯曲弹性模量和弯曲强度。首先，使用转移成型机以模具温度175℃、注入压力9.8MPa、固化时间3分钟的条件下将密封用树脂组合物注入成型，获得宽度10mm×厚度4mm×长度80mm的试验片。接着，将所获得的试验片以175℃、4小时进行后固化。接着，依照JISK 6911测定试验片在25℃时的弯曲弹性模量E₍₂₅₎和在260℃时的弯曲弹性模量E₍₂₆₀₎。弯曲弹性模量的单位为MPa。将结果示于表1。

(翘曲抑制的评价)

关于各实施例和各比较例，如下进行翘曲抑制的评价。首先，使用MAP成型用转移成型机准备如下类型的封装(以下简称为PKG)。在已安装10×10×0.15mm的Si芯片的基板，使用以PKG尺寸成为14×14×0.48mm、基板厚度成为0.28mm、树脂厚度成为0.20mm的方式设计的PKG。另外，作为本评价中的基板，使用BT基板，该有机基板的玻璃化转变温度以下时的线膨胀系数α₁为15ppm/K，玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂为18ppm/K。

接着，测定PKG的翘曲。翘曲的测定是通过使用Shadow moire(akrometrix制造)，从25℃升温至260℃，并测定在25℃、260℃时的PKG翘曲而进行的。并且，关于25℃、260℃这俩条件，将PKG翘曲小于100μm设为○，100μm以上设为×，并进行翘曲抑制评价。将结果示于表1。

如表1所示，各实施例的半导体密封用树脂组合物在固化时显示相对高的线膨胀系数α₂的值。因此，即便在制造半导体封装时，也可以抑制翘曲。

本申请主张基于2014年9月24日提出的日本专利申请第2014-193942号的优先权，其公开的全部内容援用于本说明书中。