一种含三芳基硼骨架的化合物及其制备方法和应用与流程

技术特征：

1.一种含三芳基硼骨架的化合物，其结构如式(I)所示，

其中，R₁、R₂可以相同或不同，为任选的给电子的苯环取代基。

2.如权利要求1所述的化合物，所述的给电子的苯环取代基为

3.权利要求1或2所述的化合物的制备方法，包括以下步骤：

a)将二芳基硼酸甲酯即化合物1溶于溶剂中，加4-溴三苯胺，反应得到化合物2；

b)将化合物2溶于溶剂中，加入三氯氧磷，反应得到化合物3；

c)将化合物3加入溶剂中，再加入水合肼，反应得到式(I)所示的化合物即化合物I。

4.如权利要求3所述的制备方法，步骤a)的溶剂为乙醚或四氢呋喃；步骤b)的溶剂为二甲基甲酰胺；步骤c)的溶剂为乙腈。

5.权利要求1或2所述的化合物在检测量银离子浓度中的用途。

6.一种银离子浓度-荧光器件，包括分散于介质中的化合物I。

7.如权利要求6所述的银离子浓度-荧光器件，所述的介质为有机溶剂二氯甲烷、乙醚、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、乙酸乙酯、乙腈、DMSO、DMF、甲醇、乙醇、乙二醇、二乙二醇二甲醚中的一种或两种以上；或为固态交联水凝胶中的网状聚十六烷基吡咯烷酮水凝胶高分子。

8.权利要求6或7所述的银离子浓度-荧光器件的制备方法，包括：将化合物I分散于有机溶剂或固态高分子中，再制作成器件。

9.一种使用如权利要求6或7所述的银离子浓度-荧光器件检测温度的方法，包括如下步骤：

(1)绘制标准曲线；将银离子浓度-荧光器件测量不同银离子浓度溶液的荧光光谱，选取两个特定波长，并将各温度下这两个波长的荧光强度比对温度作图，拟合得到荧光强度比例和温度的关系图；

(2)将器件放置于需要测量银离子浓度的环境，测量两个选定波长的荧光强度，再将其比例放入标准曲线，即可得到此处的银离子浓度。