)配合物及其制备方法和应用

文档序号:9299515阅读:829来源:国知局
)配合物及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及过渡金属配合物材料领域,具体涉及[Ag(C12H10N 4)] · (ClO4)配合物及 其制备方法和应用。
【背景技术】
[0002] 近年来,在水(溶剂)热条件下,构筑具有新颖结构的功能配位聚合物得到了蓬勃 的发展,特别是三唑和吡啶类有机配体由于结构的多样性,可构筑具有独特新颖拓扑学结 构、几何造型、性质的超分子框架,在生物无机和生物有机化学等方面得到广泛的应用。三 唑配体的配位性质与配体中连接三唑基的有机基团有关,配体柔性的可变性导致其结构的 多样化,通过改变自身的构型满足金属离子的配位要求可以得到多样的晶体结构。在三唑 类配体中苯并三唑与金属之间的桥联形式多样,同时还具有丰富的多齿配位模式和潜在的 荧光发射行为。

【发明内容】

[0003] 为解决上述问题,本发明提供了 一种苯并三唑配体与Ag⑴组装的 [Ag(C12HwN4)] · (ClO4)配合物及其制备方法和应用,其合成方法简单,操作方便,且具有稳 定性好,产率高和可重现性好等优点。
[0004] 为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
[0005] -种苯并三唑配体与Ag (I)组装的[Ag(C12H10N4)] · (ClO4)配合物,所述配合物的 化学式为[Ag(C12H10N 4)] · (ClO4),三斜晶系,为一维直线型链结构,P-I空间群,晶胞参数 8=9.1393(3) A, b=9. 4459(6) A, c=10. 0234(14) A, 〇 = 63. 21 (3), β = 65.45(3),γ =74. 16(3),V = 698. 64(25) A3;晶体为无色,Ag(I)中心以近似线型的二 配位方式与两个Ll配体相连,N3-Agl-N4的键角169. 97° ;Ag-N键的键长介于2. 113(3) 到2. 135(3) A之间;高氯酸根负离子与Ag(I)中心有较强的作用,Ag-02之间的距离为 2.965(7) A,通过双齿配体Ll两端N原子的连接,Ag(I)中心与两个N原子的夹角为 169.97°,相邻的两个Ag离子之间的距离为10.38 A,配体2-(3-甲基吡啶)苯并三唑 (LI)中骨架吡啶环和苯并三唑环间夹角为34. 85° ;L1结构如下:
[0006]
[0007] 为解决上述问题,本发明还提供了上述[Ag(C12HwN 4)] · (ClO4)的制备方法,步骤如 下:
[0008] 将配体LU高氯酸银按摩尔比I : 1混合后,室温下搅拌30分钟,静置二周后,即 得。
[0009] 本发明具有以下有益效果:
[0010] 其合成方法简单,操作方便,且具有稳定性好,产率高和可重现性好等优点;所得 配合物可以作为荧光材料在材料科学领域得到开发应用,为进一步开发荧光材料提供了理 论基础。
【附图说明】
[0011] 图1为本发明实施例中[Ag(C12HwN4)] · (ClO4)配合物中Ag⑴配位环境图;
[0012] 图2为本发明实施例中[Ag(C12HwN4)] · (ClO4)配合物的一维直线型链结构图;
[0013] 图3是本发明实施例中配体Ll和[Ag(C12HwN 4)] · (ClO4)配合物的荧光图谱;
[0014] 图4是本发明实施例中[Ag(C12H10N4)] · (ClO4)配合物的热重分析图。
【具体实施方式】
[0015] 为了使本发明的目的及优点更加清楚明白,以下结合实施例对本发明进行进一步 详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发 明。
[0016] 实施例
[0017] 将 5mL 高氯酸银(0· 021g,0.1 Ommol)与 5mL 配体 L1(0. 021g,0.1 Ommol)加入 IOml的甲醇中,室温下搅拌30分钟,静置二周后,在溶液底部长出无色的块状晶体,即为 [Ag(C12H 10N4)] · (ClO4)配合物。
[0018] 取制得的[Ag(C12H10N4)] · (ClO4)配合物进一步表征如下:
[0019] (1)配合物的晶体结构测定
[0020] 将所得配合物晶体包胶后直接粘在玻璃丝上进行单晶衍射测试,在Siemens SMART (XD和Mercury衍射仪上进行数据收集;采用通过石墨单色器单色化得Mo-Ka射线, 扫描方式为ω,在173 (2) K或293 (2) K收集数据。衍射强度经SAINT还原后,使用SADABS 进行吸收校正。所有配合物的结构均使用SHELXTL软件包处理得到。配合物的晶体数据经 过校正并判断出正确的空间群后,用直接法确定重原子的位置,再结合差傅立叶合成定出 其它的非氢原子。所有的配合物加氢均由几何加氢得到。非氢原子进行多轮全矩阵最小二 乘修正至完全收敛,结构图用ASP或Diomand 2. Ic程序绘制。晶体学参数、收集条件等分
[0024] (2)配合物的红外表征
[0025] 配合物主要的红外吸收谱峰(KBr,cm1) :3568(m),1614(m),1498(w),1459(w), 1384 (s),1312 (m),1224 (m),1166 (m),1120 (w),781 (w),764 (w),743 (m),725 (w),626 (w), 563(w),483(w),433 (w)。
[0026] (3)配合物的固体荧光性能研究
[0027] 将富集处理后的配合物晶体样品进行固体荧光的测试,为了清晰配体和金属离子 对其所生成配合物的影响,在室温下,测试了配体Ll和它的Ag(I)配合物的荧光性能。图 2显示独立的配体在400nm左右表现了较强的焚光(λ ex= 340nm,λ em= 402nm),而在和 Ag(I)配位之后,整体红移至约420nm附近(λΜ= 420nm)。配合物I的发光机理可能是配 体到金属荷移引起的荧光发射,发光位置的红色来自特殊作用堆积作用)或者配体 的去质子作用。图中可以看出这两种配合物具有稳定的荧光性能,可以作为荧光材料在材 料科学领域得到应用。(仪器型号:英国Edinburgh仪器公司的FLS920荧光光谱仪)。
[0028] 由上述表征结果可以看到,本发明的配合物晶体属于三斜晶系,P-I空间群, 晶胞参数:a=9. 1393(3) A, b=9.4459(6) A, c = 10. 0234(14) A,〇 = 63.21(3),β = 65.45(3),γ =74. 16 (3),V = 698. 64(25) A3;晶体为无色,Ag(I)中 心以近似线型的二配位方式与两个LI配体相连,N3-Agl-N4的键角169. 97°。Ag-N键的 键长介于2. 113(3)到2. 135(3) A之间。高氯酸根负离子与Ag(I)中心有较强的作用, Ag-02之间的距离为2. 965 (7) A。通过双齿配体Ll两端N原子的连接,而且Ag(I)中心 与两个N原子的夹角为169. 97°,[Ag(C12HwN4)] · (ClO4)最终不断扩展成为一个直线型链 结构,其中相邻的Ag…Ag之间的距离为10. 38 A,配体Ll中骨架吡啶环和苯并三唑环间 夹角为34. 85°
[0029] 以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人 员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种苯并三唑配体与Ag(l)组装的[Ag(C12H1QN4)] ? (C104)配合物,其特征在于, 所述配合物的化学式为[Ag(C12H1(]N4)] ? (C104),三斜晶系,为一维直线型链结构,P-1空间 群,晶胞参数a=9.1393(3)A,b=9.4459(6)A,c= 10.0234(14)A, a= 63.21(3),0 = 65.45(3),y= 74. 16(3),V= 698. 64 (25)A3;晶体为无色,Ag(1)中心以 二配位方式与两个LI配体相连,N3-Agl-N4的键角169. 97° ;Ag-N键的键长介于2. 113(3) 到2.135(3)A之间,Ag-02之间的距离为2. 965(7)A,通过双齿配体L1两端N原子 的连接,Ag(l)中心与两个N原子的夹角为169.97°,相邻的两个Ag离子之间的距离为 10. 38A,配体L1中骨架吡啶环和苯并三挫环间夹角为34.85° ;L1为2-(3_甲基吡啶) 苯并三唑,结构如下:〇2. -种苯并三唑配体与Ag⑴组装的[Ag(C12H1(]N4)] *((:104)配合物的制备方法,其特 征在于,包括如下步骤:将配体2-(3_甲基吡啶)苯并三唑、高氯酸银按摩尔比1 : 1混合 后,室温下搅拌30分钟,静置二周后,即得。3. 如权利要求1所述的苯并三唑配体与Ag⑴组装的Ag(C12H1(]N4) ] ? (C104)配合物的 应用,其特征在于,作为荧光材料使用。
【专利摘要】本发明公开了一种苯并三唑配体与Ag(I)组装的[Ag(C12H10N4)]·(ClO4)配合物及其制备方法及应用,所述配合物的化学式为[Ag(C12H10N4)]·(ClO4),为三斜晶系,为一维直线型链结构,P-1空间群。本发明的合成方法简单,操作方便,且具有稳定性好,产率高和可重现性好等优点;所得配合物可以作为荧光材料在材料科学领域得到开发应用,为进一步开发荧光材料提供了理论基础。
【IPC分类】C07F1/10, C09K11/06
【公开号】CN105017290
【申请号】CN201510469364
【发明人】弓亚琼, 常新红, 王晓宁, 米陶清
【申请人】中北大学
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年7月30日
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