技术总结
本发明涉及一种高荧光性CdTe量子点的快速合成，首先通过水热法制备了巯基丙酸(MPA)修饰的CdTe QDs，巯基丙酸的加入不仅使得CdTe QDs带负电荷，而且使量子点表面带有S‑H。同时，利用荧光光谱(PL)、紫外可见吸收光谱(UV‑vis)、傅里叶红外光谱(FT‑IR)和X‑射线衍射光谱(XRD)对其进行表征。通过优化CdTe QDs纳米晶在水溶液中生长的控制因素(包括pH值、反应温度和反应物比例等)，得到了具有较好荧光性能的CdTe QDs。
技术研发人员：张纪梅;朱海彬;米超;张丽萍;彭瑞芬;程亚龙;李夫荣;聂开宇
受保护的技术使用者：天津工业大学
文档号码：201710199479
技术研发日：2017.03.27
技术公布日：2017.06.20