合成石英玻璃基板用的抛光剂及其制备方法、以及合成石英玻璃基板的抛光方法与流程

本发明涉及一种合成石英玻璃基板用的抛光剂及其制备方法、以及使用了该抛光剂的合成石英玻璃基板的抛光方法。

背景技术：

近年来，出于利用光刻的图案的微细化，更加严格地要求合成石英玻璃基板的缺陷密度及缺陷尺寸、面粗糙度、平坦度等品质。其中，随着集成电路的高精细化、磁介质的高容量化，要求进一步提升基板上的缺陷的品质。

从上述角度出发，对于合成石英玻璃基板用抛光剂，为了提高抛光后的石英玻璃基板的品质，强烈要求抛光后的石英玻璃基板的表面粗糙度小且抛光后的石英玻璃基板表面上的划痕等表面缺陷少。

以往，作为用于抛光合成石英玻璃的抛光剂，普遍研究了二氧化硅类的抛光剂。二氧化硅类的浆料通过以下方式进行制备：利用四氯化硅的热分解使二氧化硅颗粒进行颗粒生长，并利用不包含钠等碱金属的碱溶液进行ph调节。例如，专利文献1中记载了在中性附近使用高纯度的胶态二氧化硅能够减少缺陷。然而，若考虑到胶态二氧化硅的等电点，则胶态二氧化硅在中性附近并不稳定，抛光过程中，胶态二氧化硅磨粒的粒度分布发生变动，存在可能无法稳定使用的技术问题，难以循环及重复使用抛光剂，且由于以恒定流方式进行使用，因此存在经济方面不优选的技术问题。此外，专利文献2中记载了通过使用含有平均一次粒径为60nm以下的胶态二氧化硅与酸的抛光剂，能够减少缺陷。然而，这些抛光剂并不足以满足现存的要求，需进行改良。

另一方面，二氧化铈(ceo2)颗粒作为强氧化剂已为人所知，由于其具有化学上的活泼性，因此与胶态二氧化硅相比，对提高玻璃等无机绝缘体的抛光速度而言是有效的(专利文献3、4)。

然而，通常的二氧化铈类抛光剂使用干式二氧化铈颗粒，干式二氧化铈颗粒具有无定形的晶形，将其应用于抛光剂时，与球形的胶态二氧化硅相比，存在容易在石英玻璃基板表面产生划痕等缺陷的技术问题。此外，与胶态二氧化硅相比，二氧化铈类抛光剂还存在分散稳定性差，颗粒容易沉降的技术问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-98278号公报

专利文献2：日本特开2007-213020号公报

专利文献3：日本专利第5862578号公报

专利文献4：国际公开第wo2014/208414号手册

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题

将为多面体晶形的湿式二氧化铈颗粒用作合成石英玻璃基板的二氧化铈类抛光剂以代替干式二氧化铈颗粒时，虽然划痕等缺陷与干式二氧化铈颗粒相比有所降低，但是尚未减少到满足要求的程度。此外，湿式二氧化铈颗粒的硬度比胶态二氧化硅硬，这也是容易产生缺陷的原因。

本发明是鉴于上述的技术问题而完成的，其目的在于提供一种能够充分减少因抛光导致的合成石英玻璃基板表面的缺陷的产生且不会降低抛光速度的合成石英玻璃基板用的抛光剂及其制备方法。此外，其目的在于提供一种具有高抛光速度、能够充分减少因抛光导致的缺陷的产生的合成石英玻璃基板的抛光方法。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，本发明提供一种合成石英玻璃基板用的抛光剂，其为包含抛光颗粒及水的合成石英玻璃基板用的抛光剂，其特征在于，所述抛光颗粒为铈与钇的复合氧化物颗粒，所述抛光颗粒中所含有的所述铈的含有率为71mol％以上79mol％以下。

若为含有这种抛光颗粒的抛光剂，则为具有高抛光速度且同时能够充分减少因抛光导致的合成石英玻璃基板表面的缺陷的产生的合成石英玻璃基板用的抛光剂。

此外，优选：所述抛光颗粒为未进行烧成处理的颗粒。

这种未进行烧成处理的抛光颗粒可避免上述的干式二氧化铈颗粒的问题。

进一步，优选：所述抛光颗粒中所含有的所述铈的含量为73mol％以上76mol％以下。

若为含有这种抛光颗粒的抛光剂，则特别适合用作具有高抛光速度且同时能够充分减少因抛光导致的缺陷的产生的合成石英玻璃基板用的抛光剂。

此外，本发明提供一种合成石英玻璃基板用的抛光剂的制备方法，其为上述合成石英玻璃基板用的抛光剂的制备方法，其特征在于，利用稀土盐与过量的碱化合物的湿式沉淀法来制备所述抛光颗粒。

如此，能够制备粒径均匀的颗粒，通过使用以此方式所制备的抛光剂，能够充分减少因抛光导致的缺陷的产生。

此时，优选：所述稀土盐为稀土类的硝酸盐，所述碱化合物为尿素或尿素类的化合物。

如此，可效率良好地使抛光颗粒析出。

进一步，本发明提供一种合成石英玻璃基板的抛光方法，其具有粗抛光工序与该粗抛光工序后的最终抛光工序，所述合成石英玻璃基板的抛光方法的特征在于，在所述最终抛光工序中，使用上述的本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂进行最终抛光。

若为这样的使用了本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂的抛光方法，则能够提高抛光速度，且能够抑制因抛光导致的缺陷的产生。其结果，能够效率良好地得到缺陷大幅减少的合成石英玻璃基板。

发明效果

如上所述，若为本发明，则在合成石英玻璃基板的最终抛光等中，可以充分抑制合成石英玻璃基板的表面的缺陷产生且不会降低抛光速度。其结果，能够提高制备合成石英玻璃基板时的生产率及成品率。此外，通过使用本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂，可进行半导体器件的高精细化。

附图说明

图1为表示可用于本发明的合成石英玻璃基板的抛光方法的抛光装置的一个实例的示意图。

具体实施方式

如上所述，谋求开发一种能够充分减少因抛光导致的合成石英玻璃基板表面的缺陷的产生且不会降低抛光速度的合成石英玻璃基板用的抛光剂。

本申请的发明人对上述技术问题反复进行了深入研究，结果发现将抛光颗粒适用于合成石英玻璃基板用的抛光剂的结果为，能够以高抛光速度且低缺陷对合成石英玻璃基板进行抛光，从而完成了本发明，所述抛光颗粒为铈与钇的复合氧化物颗粒，其是以使抛光颗粒中所含有的铈的含有率在71mol％以上79mol％以下的范围内的方式制备而成的。

即，本发明为一种合成石英玻璃基板用的抛光剂，其为包含抛光颗粒及水的合成石英玻璃基板用的抛光剂，其特征在于，所述抛光颗粒为铈与钇的复合氧化物颗粒，所述抛光颗粒中所含有的所述铈的含有率为71mol％以上79mol％以下。

以下，对本发明的实施方式进行说明，但本发明并不限定于此。

如上所述，本发明的石英玻璃基板用的抛光剂(以下，也简称为“抛光剂”)包含抛光颗粒及水，抛光颗粒为铈与钇的复合氧化物颗粒，抛光颗粒中所含有的铈的含量为71mol％以上79mol％以下。此外，该抛光颗粒可利用以铈盐为代表的稀土盐与过量的碱化合物的湿式沉淀法来制备。

通过将这种抛光颗粒用作本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂的抛光颗粒，可以抑制因抛光导致的伤痕等缺陷的产生且不会降低抛光速度。

以下，对各成分及可任意添加的成分、以及利用本发明的抛光剂的合成石英玻璃基板的抛光进行更详细的说明。

通常，在合成石英玻璃基板的最终抛光中使用二氧化硅颗粒。这是由于，二氧化硅颗粒的形状为球形且表面光滑，因为这一点，可得到低缺陷且高平滑的表面。然而，二氧化硅颗粒与二氧化铈类颗粒不同，其与玻璃的反应性低，因此抛光速度慢，难以说其为具有抛光能力的抛光磨粒。

虽然通过使用对玻璃的反应性高的二氧化铈类颗粒可提高抛光能力，但与二氧化硅颗粒相比，易于产生因抛光导致的划痕等缺陷。这是由于，二氧化铈类颗粒的形状与二氧化硅类颗粒相比为无定形，同时原因还在于，二氧化铈类颗粒的硬度比二氧化硅类颗粒硬。

因此，通过使用利用以铈盐为代表的稀土盐与过量的碱化合物的湿式沉淀法而制备的颗粒作为抛光颗粒，可以减少因抛光导致的缺陷的产生且不会降低抛光速度。

本发明的抛光颗粒的平均一次粒径优选为100nm～500nm，进一步优选为100nm～400nm，特别优选为100nm～300nm。

若抛光颗粒的平均一次粒径为100nm以上，则充分满足石英玻璃的抛光能力。此外，若平均一次粒径为500nm以下，则不会产生因抛光导致的划痕等缺陷。

作为本发明的抛光颗粒中的组成，通过使铈的含有率(含量)为71mol％以上79mol％以下，进一步优选为73mol％以上76mol％以下的范围，可制成抛光性能优异的抛光颗粒。

若抛光颗粒中所含有的铈的含有率小于71mol％，则由于铈的含有率低，会因此产生抛光性能降低的问题。此外，若抛光颗粒中所含有的铈的含有率大于79mol％，则所制备的抛光颗粒的粒径变大，会发生易于产生因抛光导致的缺陷的问题。

此处，“mol％”是指将铈与钇的合计设为100％时的铈的值。

颗粒中的稀土元素的含量可通过元素分析来测定，例如可通过icp发射光谱等离子体装置(icp-aes)进行元素分析。

本发明所使用的抛光颗粒优选为利用湿式沉淀法而制备的颗粒，所述湿式沉淀法中，对在水中溶解有以铈盐为代表的稀土盐的溶液、与在水中溶解有过量的碱化合物的碱性溶液进行混合及加热处理。

作为抛光颗粒的制备方法，首先，将作为前体的硝酸铈作为稀土盐与超纯水混合而制备铈溶液。同样地，将作为稀土盐的硝酸钇与超纯水混合而制备钇溶液，并以使铈含量成为71mol％以上79mol％以下的范围的方式与铈溶液混合，从而制备铈钇混合溶液。

接着，制备碱性溶液。作为碱性溶液的碱化合物，能够使用尿素或尿素类的化合物，将其与超纯水混合并调节为适宜的浓度而进行使用。此处，作为尿素类化合物，也可使用二甲基乙酰脲、苯磺酰脲、三甲基脲、四乙基脲、四甲基脲、三苯基脲、四苯基脲等。

作为铈的含量被调节为71mol％以上79mol％以下的铈钇混合溶液中的离子浓度，可以设为0.01mol·dm^-3～0.1mol·dm^-3的范围。此外，虽然对铈钇混合溶液混合过量的碱性溶液(碱化合物)，但作为碱性溶液中的离子浓度，优选设为铈钇混合溶液的离子浓度的20～50倍的浓度。

通过将混合溶液的离子浓度及碱性溶液的离子浓度设定在上述范围内，可制备粒径均匀的颗粒。

接着，将所制备的铈溶液、钇溶液、碱性溶液以规定的混合比率转移至反应容器，然后进行搅拌，并以规定的温度进行热处理。此时的热处理温度为100℃以下，例如能够以80℃以上100℃以下的温度进行加热处理，热处理时间为1小时以上，例如可进行2小时～3小时。此外，从常温至热处理温度为止的升温速度可以为每分钟3℃～6℃，优选以每分钟4℃的速度进行升温。

将实施了热处理的混合溶液冷却至室温。经过这样的过程，可制备生成有平均一次粒径例如为500nm以下的铈与钇的复合氧化物颗粒的混合液。

如上所述，通过以适当的升温速度使铈溶液与钇溶液及碱性溶液的混合液升温，并以适当范围的热处理温度进行加热，从而以平均一次粒径为100nm～500nm的铈与钇的复合氧化物颗粒的形式制备本发明的抛光颗粒。

另外，本发明的抛光颗粒优选为未进行烧成处理的颗粒。通过以此方式不进行烧成处理，可避免上述的干式二氧化铈颗粒的问题。

而且，本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂的制备方法中，将如上所述的利用规定的稀土盐(稀土类的硝酸盐)与过量的碱化合物(尿素或尿素类的化合物)的湿式沉淀法而制备的抛光颗粒与水(尤其是纯水)混合，并适当添加下述添加剂、或者实施分散处理等，由此可制备本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂。

出于调节抛光特性的目的，本发明的抛光剂中能够含有添加剂。作为这样的添加剂，可包含能够将抛光颗粒的表面电位转换为负的阴离子表面活性剂或氨基酸。若使复合氧化物颗粒的表面电位为负，则其容易在抛光剂中分散，因此不易生成粒径大的二次颗粒，能够更进一步抑制抛光伤痕的产生。

作为为这种添加剂的阴离子表面活性剂，可列举出单烷基硫酸盐、烷基聚氧乙烯硫酸盐、烷基苯磺酸盐、单烷基磷酸盐、十二烷基硫酸盐、多元羧酸、聚丙烯酸盐、聚甲基丙烯酸盐等。作为氨基酸，例如可列举出精氨酸、赖氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、组氨酸、脯氨酸、酪氨酸、丝氨酸、色氨酸、苏氨酸、甘氨酸、丙氨酸、蛋氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、亮氨酸，缬氨酸、异亮氨酸等。

关于使用这些添加剂时的浓度，以1质量份的抛光颗粒为基准，优选以0.001质量份～0.05质量份的范围含有这些添加剂，更优选以0.005质量份～0.02质量份的范围含有这些添加剂。若相对于1质量份的抛光颗粒的含量为0.001质量份以上，则混合颗粒更加稳定地分散于抛光剂中，不易形成粒径大的凝聚颗粒。此外，若相对于1质量份的抛光颗粒的含量为0.05质量份以下，则添加剂不会阻碍抛光，能够防止抛光速度的降低。因此，若以上述范围含有添加剂，则能够进一步提高抛光剂的分散稳定性，并能够防止抛光速度的降低。

就抛光剂的保存稳定性及抛光速度优异的点而言，本发明的抛光剂的ph优选在3.0以上8.0以下的范围内。若ph为3.0以上，则抛光剂中的抛光颗粒稳定地分散。若ph为8.0以下，则可进一步提高抛光速度。此外，ph的优选范围的下限更优选为4.0以上，特别优选为6.0以上。此外，ph的优选范围的上限为8.0以下，更优选为7.0以下。此外，抛光剂的ph能够通过添加盐酸、硝酸、硫酸、磷酸等无机酸，甲酸、乙酸、柠檬酸、草酸等有机酸，氨、氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵(tmah)等来调节。

接着，对使用了本发明的抛光剂的合成石英玻璃基板的抛光方法进行说明。由于特别优选在粗抛光工序后的最终抛光工序中使用本发明的抛光剂，因此以在最终抛光工序中进行单面抛光的情况为例进行说明。然而，当然并不限定于此，本发明的抛光剂也可用于粗抛光。此外，本发明的抛光剂不仅能够用于单面抛光，还可用于双面抛光等。

可用于本发明的抛光方法的单面抛光装置例如如图1所示，可以为由贴附有抛光垫4的平台3、抛光剂供给机构5、抛光头2等构成的单面抛光装置10。此外，如图1所示，抛光头2能够保持作为抛光对象的合成石英玻璃基板w，且能够自转。此外，平台3也能够自转。作为抛光垫4，可使用无纺布、发泡聚氨酯、多孔树脂等。此外，由于在实施抛光期间，优选一直用抛光剂1覆盖抛光垫4的表面，因此优选通过在抛光剂供给机构5上设置泵等而连续地供给抛光剂1。在这样的单面抛光装置10中，利用抛光头2保持合成石英玻璃基板w，将本发明的抛光剂1由抛光剂供给机构5供给至抛光垫4上。并且，使平台3与抛光头2各自旋转，使合成石英玻璃基板w的表面与抛光垫4滑动接触，由此进行抛光。若为这样的使用了本发明的抛光剂的抛光方法，则能够提高抛光速度，且能够抑制因抛光导致的缺陷的产生。并且，由于通过本发明的抛光方法可得到缺陷大幅度减少的合成石英玻璃基板，因此能够适宜地使用于最终抛光。

特别是，利用本发明的抛光方法实施了最终抛光的合成石英玻璃基板能够用于与半导体相关的电子材料(特别是最前沿用途的半导体相关电子材料)，能够适宜地用作光掩模用、纳米印刷用、磁器件用。另外，例如能够通过以下工序准备精抛光前的合成石英玻璃基板。首先，将合成石英玻璃铸块成型，然后，将合成石英玻璃铸块退火，接着，将合成石英玻璃铸块切割成晶圆状。接着，对切割后的晶圆进行倒角，然后进行研磨，接下来，进行用于将晶圆的表面镜面化的抛光。然后，利用本发明的抛光方法对以此方式准备的合成石英玻璃基板实施最终抛光。

实施例

以下，使用实施例及比较例对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于此。

[实施例1]

以使铈的离子浓度成为71mol％、钇的离子浓度成为29mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液2.84g与1mol/l的硝酸钇溶液1.16g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

接着，用纯水600g稀释5mol/l的尿素溶液48g，从而制备尿素溶液，并与铈钇混合溶液混合从而制备1000g的反应溶液。

将制备的反应溶液装入可分离烧瓶，并将反应溶液于90℃加热搅拌2小时，使颗粒在反应溶液中析出。

利用离心分离机回收析出的颗粒并使其干燥，由此得到抛光颗粒。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈71mol％、钇29mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为280nm。

接着，将50g的抛光颗粒与纯水950g混合，边搅拌，边进行超声波分散处理，由此制备5％的抛光剂1000g。

接着，使用该抛光剂，利用本发明的合成石英玻璃基板的抛光方法，如图1所示的方式对合成石英玻璃基板(4英寸：100mm)w进行抛光。

具体而言，将抛光垫(软质麂皮绒制/filwel制造)4贴附于平台3，在可安装合成石英玻璃基板w的抛光头2上设置进行粗抛光后的合成石英玻璃基板w，以100gf/cm²的抛光荷载、平台3及抛光头2的50rpm的旋转速度，一边以每分钟100ml供给上述合成石英玻璃基板用的抛光剂，一边以对于去除粗抛光工序中产生的缺陷而言为充足量的方式进行1μm以上的抛光。抛光后，将合成石英玻璃基板w从抛光头2上取下，利用纯水清洗后，进一步进行超声波清洗，然后利用干燥器以80℃进行干燥。利用反射分光膜厚仪(sf-3otsukaelectronicsco.,ltd制造)，对抛光前后的合成石英玻璃基板w的厚度变化进行测定，由此算出抛光速度。此外，利用激光显微镜求出抛光后的合成石英玻璃基板w表面上所产生的100nm以上的缺陷的个数。其结果，抛光速度为1.0μm/hr，缺陷个数为1个。

[实施例2]

以使铈的离子浓度成为78mol％、钇的离子浓度成为22mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液3.12g与1mol/l的硝酸钇溶液0.88g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈79mol％、钇21mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为350nm。抛光速度为1.2μm/hr，缺陷个数为1个。

[实施例3]

以使铈的离子浓度成为73mol％、钇的离子浓度成为27mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液2.92g与1mol/l的硝酸钇溶液1.08g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈74mol％、钇26mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为300nm。抛光速度为1.1μm/hr，缺陷个数为0个。

[实施例4]

以使铈的离子浓度成为75mol％、钇的离子浓度成为25mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液3.00g与1mol/l的硝酸钇溶液1.00g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈76mol％、钇24mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为310nm。抛光速度为1.1μm/hr，缺陷个数为0个。

[比较例1]

以使铈的离子浓度成为100mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液8.00g，从而制备400g的铈溶液。然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。

利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为6500nm。抛光速度为2.5μm/hr，缺陷个数为50个。

[比较例2]

以使铈的离子浓度成为85mol％、钇的离子浓度成为15mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液3.40g与1mol/l的硝酸钇溶液0.60g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈85mol％、钇15mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为5000nm。抛光速度为2.4μm/hr，缺陷个数为48个。

[比较例3]

以使铈的离子浓度成为80mol％、钇的离子浓度成为20mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液3.20g与1mol/l的硝酸钇溶液0.80g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈80mol％、钇20mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为4800nm。抛光速度为2.4μm/hr，缺陷个数为45个。

[比较例4]

以使钇的离子浓度成为100mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸钇溶液8.00g，从而制备400g的钇溶液。然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。

利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为110nm。抛光速度为0.01μm/hr，缺陷个数为2个。

[比较例5]

以使铈的离子浓度成为50mol％、钇的离子浓度成为50mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液2.00g与1mol/l的硝酸钇溶液2.00g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈49mol％、钇51mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为140nm。抛光速度为0.06μm/hr，缺陷个数为2个。

[比较例6]

以使铈的离子浓度成为70mol％、钇的离子浓度成为30mol％的方式，用纯水稀释1mol/l的硝酸铈溶液2.80g与1mol/l的硝酸钇溶液1.20g，从而制备400g的铈钇混合溶液。

然后，以与实施例1相同的步骤制备抛光剂，进行合成石英玻璃基板w的抛光。得到的抛光颗粒的基于icp-aes元素分析的组成比为铈70mol％、钇30mol％。

此外，利用透射电子显微镜换算的平均一次粒径为180nm。抛光速度为0.21μm/hr，缺陷个数为2个。

将所述实施例1～4、比较例1～6的结果示于表1。另外，表中的数字为各实施例及比较例中进行了抛光的5片合成石英玻璃基板w的平均值。

[表1]

使用实施例1～4的抛光剂、即以使铈的比率为本发明的范围内的比率的方式制备的抛光颗粒，对合成石英玻璃基板w进行抛光时，可以将因抛光导致的缺陷的产生抑制得较少且不会降低抛光速度。

另一方面，铈的比率比规定的比率高的比较例1～3的抛光剂的粒径变大，抛光后的缺陷个数增加。此外，比较例4～6的使用了铈的比率比规定的比率低的抛光颗粒的抛光剂的粒径小，抛光速度降低。

如上所述，可知：通过利用本发明的合成石英玻璃基板用的抛光剂对合成石英玻璃基板进行抛光，可以对合成石英玻璃基板进行抛光并充分抑制抛光后的合成石英玻璃基板表面的缺陷产生且不会降低抛光速度。

另外，本发明并不限定于上述实施方案。上述实施方案为例示，具有与本发明的权利要求书中记载的技术构思实质相同的构成、发挥相同的作用效果的技术方案均包含在本发明的保护范围内。