一种样品架翻转装置的制作方法

本发明涉及一种样品架翻转装置，适用于对样品翻面处理。

背景技术：
半导体激光器具有体积小、能量效率高、寿命长、易于调制等优点，其应用范围覆盖了整个光电子学领域，成为当今光电子科学的核心技术。而半导体激光芯片是整个激光产业链的技术核心与源头，是带动整个产业发展的关键。在半导体器件工艺中，表面处理至关重要，决定了器件的性能以及寿命，也是产业发展的主要技术难点。激光半导体芯片表面态处理主要是针对半导体激光芯片表面态进行优化重整来提高光输出功率和使用寿命。激光表面态处理目的是去除表面沾污，饱和表面悬挂键等不稳定态，或更进一步包括表面改性以更好地符合器件的使用，如提高表面光损伤阈值等。目前激光芯片表面态的处理，主要涉及表面清洁、钝化和镀膜等。待处理的激光半导体芯片(样品)通常需要置于样品架安装固定，而样品架本身也是悬空设置，通过支撑结构固定，对样品进行处理的工艺单元(如加热单元、冷却单元等)通常位置固定，因此，当要求对样品的两面均作处理时，就需要样品架能够进行翻转并保持待处理表面与工艺单元的相对位置不变。

技术实现要素：
：本发明提出一种样品架翻转装置，能够保持样品架稳定并满足对样品的双面处理需求，提高工艺处理效率。本发明的方案如下：一种样品架翻转装置，样品架装载有待处理样品，样品架通过支撑机构悬空固定；所述样品架翻转装置还包括控制器和翻转执行机构，翻转执行机构和支撑机构分别位于样品架所在水平方向和竖直方向上，控制器用于控制支撑机构和翻转执行机构分别与样品架配合连接固定；所述样品架包括水平的固定框和位于固定框内的转动件，转动件上设置有用于装载待处理样品的贯通孔，转动件通过翻转轴与固定框安装连接；样品架位于处理工位时，所述支撑机构与固定框配合连接固定；需要翻转时，所述翻转执行机构的驱动端沿水平方向与样品架的翻转轴同轴连接固定，支撑机构与固定框脱开，使得翻转执行机构能够带动转动件及其装载的待处理芯片能够相对于固定框翻转运动。在以上方案的基础上，本发明还作了如下重要优化：上述固定框内可以设置平行的至少两个所述转动件。上述支撑机构配置有升降拖动机构，能够受控调节支撑机构在竖直方向上的位置。该升降拖动机构，既可以根据处理工艺需要，调节处理单元与样品待处理表面的距离，还可以在样品架翻转时提前让出翻转空间。例如，样品架需要翻转时，升降拖动机构带动支撑机构及其固定的样品架下移，翻转执行机构水平方向伸长与样品架的翻转轴配合连接，然后支撑机构与样品架脱开并回升，待翻转执行机构将样品架的转动件翻转后，支撑机构再次下移与样品架的固定框配合连接固定，翻转执行机构与样品架脱开后缩回，支撑机构以及样品架上升至所要求的位置。上述支撑机构的前端为卡爪结构用于锁紧样品架的固定框。上述支撑机构的主体为管型结构，控制和电气线路在管内走线。以上样品架翻转装置的方案中，样品架的设计均分为固定框和转动件；除此之外，还可以设计如下形式的无固定框的样品架，即样品架是一体件形式的转动件，需要翻转时，翻转执行机构水平方向伸长与样品架配合连接固定，支撑机构与样品架脱开，翻转执行机构沿水平方向继续伸长或回缩从而拖动样品架远离支撑机构的投影位置，待翻转执行机构驱动样品架翻转后，再拖动样品架回归原位重新与支撑机构连接固定。对于这样无固定框的样品架，支撑机构前端的卡爪结构即锁紧样品架(转动件)的外缘。本发明具有以下优点：1、可以使芯片在同一环境下快速进行双端面处理，而不影响其他功能部件的布局和使用；尤其对于半导体芯片的处理，避免了因转移环境带来污染的隐患。2、样品架可以实现较大面积，可容纳高达300个激光芯片，实现了激光芯片表面处理过程的批量化生产，对推动整个激光芯片产业的发展意义重大。3、本发明不限于半导体芯片的双面处理，可以推广到其他有此需求的样品处理。附图说明图1是本发明应用在半导体激光芯片表面处理设备的示意图。图2是图1中真空腔室内的结构示意图。图3是本发明中样品架的第一种实施例。图4是本发明中样品架的第二种实施例。图5、图6是本发明中样品架的第三种实施例。图7是本发明中翻转执行机构与样品架配合连接的示意图(仰视图)。附图标号说明：1-真空工艺腔室；2-真空泵连接口；3-样品架的翻转执行机构；4-靶材；5-靶材底座旋转装置；6-作业台支撑装置；7-样品架的支撑机构；8-作业台；9-样品架；901、911-样品架的固定框；902、912-样品架的转动件(转动框)；903、913-样品架的翻转轴；922-无固定边框转动件；10-观察窗；11-板阀；12-缓冲腔室，13-“套管”密封固定的位置；14-工艺气体气路；15-辅助气体气路；16-辅助气体混合腔；17-辅助气体出气孔；18-工艺气体混合腔；19-靶材遮盖装置；20-样品架支撑装置的升降机构；22-工艺气体出气孔；23-样品架支撑装置卡爪。具体实施方式以下结合附图，以半导体激光芯片表面处理设备方面的应用为例，详细介绍本发明的结构和效果。本实施例中，真空工艺腔室内部设置作业台，作业台通过作业台支撑装置与真空工艺腔室的顶部相连，作业台可置于溅射靶材的上方，也可以倒置结构。作业台内部装有加热单元、冷却单元和温度反馈单元，按照各不同工艺过程所规定的温度来调控样品温度。加热单元可采用但不局限于电加热或红外灯加热等方式，在每一层薄膜镀制后，均可按工艺选择是否进行退火处理和退火的条件，在真空工艺腔室内可选择性地在完成钝化膜镀制后或多层介质膜镀制后进行退火处理。偏压单元经由所述作业台支撑装置内部接入样品架。在样品表面进行物理清洁、化学刻蚀和镀制介质膜的工艺过程中启动偏压单元，按工艺要求设置不同的偏压值，以控制膜层的致密性等。样品架的支撑机构与作业台支撑装置为套管结构，作业台支撑装置与样品架的支撑机构的环形空间用于样品加热单元、温度检测反馈单元、偏压单元等的控制信号走线。样品架可以在垂直方向上升降，也可增设旋转台带动其在水平方向360度旋转。根据要求调整样品架的高度，能够对膜厚、均匀性等处理效果进行调正。样品架的翻转执行机构能够与样品架配合连接，在芯片一端的表面完成物理清洁、化学刻蚀、钝化膜镀制和介质膜镀制后，将样品进行翻转，对另一端表面进行表面处理过程。翻转方式可以视腔体设计的具体情况：方案一、样品架通过样品架支撑装置的升降机构下移，样品架翻转机构水平方向伸长与样品架连接固定，样品架支撑装置与样品架脱离上升一定高度，待翻转驱动机构将样品架翻转后，样品架支撑装置下降与样品架连接，翻转驱动机构与样品架脱离后缩回，样品架上升至所要求的位置进行后续工艺见图3；方案二，通过样品翻转驱动机构将样品架中间的局部样品进行翻转见图4。方案三，样品架设计为一体件形式的转动件，用翻转机构的水平方向的伸缩移出到较大的空间来实现翻转，然后再放回，与样品架的支撑机构重新连接固定，参见图5、图6。靶材的底座设有旋转装置，可以放置多个靶材，溅射靶可按照工艺需求和靶材的使用情况进行旋转切换或混合多靶材溅射。该半导体激光芯片表面处理设备的具体使用方法：1)确保连接真空工艺腔1和缓冲腔12之间的板阀11处于关闭状态；2)把待处理的半导体器件，如激光芯片放置于样品架9内；3)把样品架9放入缓冲室内的样品输送架上，对缓冲腔抽真空至10-5～-7Torr；4)打开板阀，把样品架9送入真空工艺腔并固定在作业台8上；5)关闭板阀11；6)开启工艺流程菜单，开始工艺流程(菜单允许合成清洁，刻蚀，钝化、镀膜，退火等各类工艺过程。也允许加载各类气体，如Ar,H2,N2，O2,刻蚀气体等，对处理的气压和处理电源功率，时间等可以程控)；a)清洁：启动加热单元将样品加热至所需温度，向真空工艺腔室通入气体，在偏压电源作用下产生稳定的等离子体，对样品表面进行清洁；b)刻蚀：调节加热温度，通入气体，开启偏压单元，在偏压电源作用下产生稳定的等离子体，通入腐蚀性气体对样品表面进行刻蚀；c)钝化：调节加热温度，通入惰性气体，在RF电源或偏压电源作用下产生稳定的等离子体，然后通入钝化反应气体进行钝化处理，反应结束后通过对钝化膜的加热和冷却处理完成退火过程；d)镀膜：调节加热温度，通入惰性气体，在RF电源作用下产生稳定的等离子体，等离子体轰击靶材进行镀膜，同时开启偏压电源，调节偏压值使膜层在不受损伤的前提下增加其致密性和附着力。7)完成单面工艺处理后，如需双面处理，可以翻转样品，对另一面进行工艺处理，处理的菜单可以完全不同另外一面。8)处理完成后，打开板阀，把样品移到缓冲腔；9)关闭板阀11，对缓冲腔室12放气至大气压；10)取出处理好的样品。该设备能够在一次真空环境下依次完成位于芯片两端的腔面的物理清洁、化学刻蚀、表面改性，腔面钝化膜镀制和介质膜镀制工艺，最大限度的处理掉腔面的表面态或界面态等非辐射复合中心，甚至改变表面能带结构，有效提高激光芯片的输出功率和COMD阈值，增加芯片寿命。