本发明涉及多孔陶瓷膜技术领域，尤其涉及一种陶瓷膜基材料。
背景技术：
膜分离过程是含溶解的溶质或悬浮微粒的液态经过膜，其中溶剂和溶质小分子透过膜，溶质大分子和悬浮颗粒被膜截留。与有机膜相比，无机陶瓷膜是由金属氧化物或混合金属氧化物粉体经高温烧结而成的具有一定选择性分离性能的精密陶瓷材料，具有化学稳定性好，机械强度大，抗微生物能力强，耐高温，孔径分布窄，分离效率高等优点，可应用于气体分离、液体分离净化和膜反应器，在食品工业、制药和生物工程、化学和石油化工工业以及环境保护等领域均有广泛的应用。
国内对陶瓷膜的研究始于上世纪90年代后期，主要集中在氧化铝膜材料，并在污水处理方面开展了应用，取得了良好的效益。但是在工业废水方面，其废水往往存在排放量大、高温、高碱度、高酸度、含重金属等特点，对无机陶瓷膜的过滤性能提出了更高的要求，目前广泛使用的氧化铝膜材料，难以抵抗强酸、强碱环境，高温热稳定性能差，在上述苛刻环境条件下工作使用寿命将大大缩短，导致污水处理成本增加。此外，氧化铝膜材料亲水性能一般，导致污水处理效率低，在一定程度上也增加了治污成本。碳化硅化学稳定性极好，耐强酸、碱，可在ph值0-14的范围内使用，高温稳定性好，且亲水性能好，其性能特点使碳化硅陶瓷膜在污水处理方面具有天然的优势，是今后无机陶瓷膜发展的重要方向。
但是目前的碳化硅陶瓷膜大多是粗颗粒碳化硅及粘结剂涂覆在陶瓷膜支撑体上再烧结而成，其孔隙为颗粒堆积间隙形成，存在孔径分布不均匀，导致过滤精度差，且陶瓷膜孔隙与支撑体孔隙不贯通，导致孔隙率低，处理效率低，将这极大地限制了陶瓷膜在分离精度和处理效率要求高的许多领域的应用。另外，膜组件在安装和工作时经常受到来自泵压马达的振动所产生的机械和热应力，同时还有膜分离过程中会反复受到脉冲式气、水等冲击或反冲洗，由于陶瓷支撑体是采用多孔陶瓷基材料制成，这些陶瓷材料的脆性大，在遭受高的机械应力时容易破碎和裂开，这也大大限制了它的工业推广应用。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种孔径分布均匀且贯通从而分离精度高，韧性好、强度高、耐高温、耐酸碱的陶瓷膜基材料。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种陶瓷膜基材料，所述陶瓷膜基材料的内层为纯碳层，内层的平均孔径为300μm～500μm，外层为c和sic组成的复合层，外层的平均孔径为10μm～20μm；所述陶瓷膜基材料的内层和外层的孔隙贯通。
优选地，上述的陶瓷膜基材料通过以下方法制备：
(1)采用平均孔径为300μm～500μm的泡沫沥青为原料，根据所需形状制备陶瓷膜基体，浸入处于热处理炉中的熔融si中，炉内保持惰性气氛，浸入时间为30min～60min；
(2)将陶瓷膜基体从熔融si中取出，炉内再升温150℃～250℃，保持惰性气氛，保温2h～4h后随炉冷却至室温，得到陶瓷膜基材料。
优选地，步骤(1)中，所述陶瓷膜预基体为多通道管、单通道管或平板状。
优选地，步骤(1)中，将热处理炉以15℃/min～20℃/min的升温速率升至1450℃～1550℃，使晶体硅熔化形成熔融si。
优选地，步骤(1)中惰性气氛为氩气。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
本发明的陶瓷膜基材料，陶瓷膜基体选择泡沫沥青，通过高温浸渗熔融硅中，使熔融硅与泡沫沥青表面和近表面的碳发生原位反应，在泡沫沥青的表面和近表面原位生成一层碳化硅陶瓷层，由于碳化硅陶瓷层为原位生成，保持了整个陶瓷膜骨架的完整性和连续性的同时也保证了孔隙的贯通性，孔隙率提高从而提高了处理效率。所得的孔隙大小均匀且分布均匀，结构缺陷较少，分离精度大大提高。而且可通过泡沫沥青本身的孔径及反应条件来调控最终碳化硅陶瓷层的孔径大小，泡沫沥青中心部分未反应的c层起着增韧、防止材料脆性破坏的作用，抗冲击性能大大提高，大大拓展了其工业应用范围，如可用于各类膜反应器中或恶劣机械应用环境中等。
具体实施方式
以下结合具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
实施例1：
一种陶瓷膜基材料，该陶瓷膜基材料的内层为纯碳层，内层的平均孔径为300μm，外层为c和sic组成的复合层，外层的平均孔径为15μm；该陶瓷膜基材料的内层和外层的孔隙贯通。
本实施的陶瓷膜基材料的制备方法，包括以下步骤：
(1.1)采用平均孔径为300μm的泡沫沥青为原料，根据所需形状制备平板状陶瓷膜基体。将单晶硅放入热处理炉中，在氩气气氛下，以15℃/min的升温速率升至1500℃，使晶体硅熔化形成熔融si，然后将平板状陶瓷膜基体浸入熔融si中，炉内保持氩气气氛，保温60min。
(1.2)将平板状陶瓷膜基体从熔融si中取出，炉内再升温至1700℃，保持氩气气氛，保温4h后随炉冷却至室温，得到陶瓷膜基材料，采用气体压泡法测试陶瓷膜基材料表面c和sic组成的复合层的孔径，结果表面平均孔径为15μm。
实施例2：
一种陶瓷膜基材料，该陶瓷膜基材料的内层为纯碳层，内层的平均孔径为300μm，外层为c和sic组成的复合层，外层的平均孔径为16μm；该陶瓷膜基材料的内层和外层的孔隙贯通。
本实施的陶瓷膜基材料的制备方法，包括以下步骤：
(1.1)采用平均孔径为300μm的泡沫沥青为原料，根据所需形状制备多通道管陶瓷膜基体。将单晶硅放入热处理炉中，在氩气气氛下，以15℃/min的升温速率升至1500℃，使晶体硅熔化形成熔融si，然后将多通道管陶瓷膜基体浸入熔融si中，炉内保持氩气气氛，保温60min。
(1.2)将多通道管陶瓷膜基体从熔融si中取出，炉内再升温至1750℃，保持氩气气氛，保温4h后随炉冷却至室温，得到陶瓷膜基材料，采用气体压泡法测试陶瓷膜基材料表面c和sic组成的复合层的孔径，结果表面平均孔径为16μm。
实施例3：
一种陶瓷膜基材料，该陶瓷膜基材料的内层为纯碳层，内层的平均孔径为300μm，外层为c和sic组成的复合层，外层的平均孔径为20μm；该陶瓷膜基材料的内层和外层的孔隙贯通。
本实施的陶瓷膜基材料的制备方法，包括以下步骤：
(1.1)采用平均孔径为300μm的泡沫沥青为原料，根据所需形状制备多通道管陶瓷膜基体。将单晶硅放入热处理炉中，在氩气气氛下，以15℃/min的升温速率升至1500℃，使晶体硅熔化形成熔融si，然后将多通道管陶瓷膜基体浸入熔融si中，炉内保持氩气气氛，保温60min。
(1.2)将多通道管陶瓷膜基体从熔融si中取出，炉内再升温至1650℃，保持氩气气氛，保温2h后随炉冷却至室温，得到陶瓷膜基材料，采用气体压泡法测试陶瓷膜基材料表面c和sic组成的复合层的孔径，结果表面平均孔径为20μm。
最后有必要在此说明的是：以上实施例只用于对本发明的技术方案作进一步详细地说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。最后有必要在此说明的是：以上实施例只用于对本发明的技术方案作进一步详细地说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。