电子陶瓷流延生带烘烤装置的制作方法

文档序号:13650806阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电子陶瓷流延生带烘烤装置,其特征在于:包括机头(1)、机尾(2)、机壳(3)、承载膜带(4)、加热基板(5)、陶瓷发热片(6)及温度控制器(8),所述的机壳(3)的两端分别设置机头(1)及机尾(2),所述的承载膜带(4)的上位段及下位段均从机壳(3)、机头(1)及机尾(2)内穿过,且上位段从机头(1)向机尾(2)移动,下位段从机尾(2)向机头(1)移动,所述的承载膜带(4)的上位段上承载电子陶瓷浆料,所述的机壳(3)的中部设置有加热基板(5),加热基板(5)设置在承载膜带(4)的上位段与下位段之间,加热基板(5)的两端分别与机头(1)及机尾(2)连接,所述的加热基板(5)上设置有多个陶瓷发热片(6)及多个隔热板(9),陶瓷发热片(6)及隔热板(9)沿加热基板(5)的长度方向交替紧密布置,多个陶瓷发热片(6)及多个隔热板(9)形成多个加热段,按照从机头(1)到机尾(2)的顺序多个加热段的加热温度逐渐升高,所述的机头(1)部位设置有温度控制器(8),温度控制器(8)通过控制线连接陶瓷发热片(6)。

2.根据权利要求1所述的电子陶瓷流延生带烘烤装置,其特征在于:所述的加热基板(5)上设置有十个陶瓷发热片(6),相邻的两个陶瓷发热片(6)之间设置隔热板(9),陶瓷发热片(6)及隔热板(9)形成十个加热段,十个加热段的加热温度依次设定为T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10,并且T1<T2<T3<T4<T5<T6<T7<T8<T9<T10;所述的T1为25℃~35℃;所述的T2为30℃ ~40℃;所述的T3为35℃~45℃;所述的T4为40℃~50℃;所述的T5为45℃~55℃;所述的 T6为50℃~60℃,所述的 T7为55℃~65℃,所述的 T8为60℃~70℃,所述的 T9为65℃~75℃,所述的 T10为70℃~80℃。

3.根据权利要求1所述的电子陶瓷流延生带烘烤装置,其特征在于:所述的隔热板(9)的侧壁上设置有红外反光涂层(10)。

4.根据权利要求1所述的电子陶瓷流延生带烘烤装置,其特征在于:所述的机壳(3)上设置有抽风机构(7),抽风机构(7)设置在靠近机尾(2)的位置。

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