专利名称：表面改性的碳纳米管的图案膜的形成方法
技术领域：
本发明涉及通过照相平板工艺(photolitho graphy process)，使用表面上具有双键官能团的改性碳纳米管(modified carbon nanotube)，形成碳纳米管的图案膜(patterned film)的方法。更具体地，本发明涉及通过引入含双键的、可通过自由基聚合进入碳纳米管的表面官能团改性碳纳米管；用通过将表面-改性的碳纳米管与光引发剂一起分散在有机溶剂内而制备的液体涂料组合物(liquid coating concposition)涂布基质；通过光掩模将该膜暴露于UV光下，以引发在碳纳米管表面上的双键的光-聚合；和显影该膜，形成碳纳米管的负片图案(negative pattern)的方法。
背景技术：
自从1991年在日本的Maijo Unversity的研究电子-显微观测的Dr.Iijima发现碳纳米管以来，已深入地对碳纳米管进行了许多研究。典型地，碳纳米管是具有内径为1-20nm的中空圆柱形结构的石墨片材。
在已知具有独特结构的石墨中，碳原子间的共价键以不同寻常的方式排列，以致于石墨具有坚固的平面六边形片材形状。片材的上部和下部区域填充有分散的自由电子(dispersed free electrons)，这些电子保持它们的运动平行于片材。为了形成碳纳米管，使石墨片材螺旋弯曲，在该结构体中，在不同位置处形成边缘键(edge bonds)。一般地，认为碳纳米管的各种电性能是它的结构和直径的函数(Phys.Rev.(1992)B461804和Phys.Rev.Lett.(1992)681579)。因此，改变碳纳米管的螺旋形状或手性导致自由电子运动的变化，根据自由电子的运动，碳纳米管显示出从金属材料到半导体的导电性。作为半导体，自由电子要克服的阻挡层电压(barrier vottage)的范围随管的直径而变化，在最小直径的情况下，电压可低至1eV。换句话说，碳纳米管可能具有各种电性能，包括绝缘体的性能到半导体或金属的性能，这取决于其结构和直径。除此之外，碳纳米管不仅显示出机械耐用性和化学稳定性，而且它们具有中空的圆柱形结构，该结构直径小长度长。由于具有所有这些特征，所以碳纳米管的可能应用领域变得更宽，这些领域包括平板显示器(FPD)、晶体管(transistor)、储能材料和纳米尺寸的电子器件。
最近中国北京大学的Zhongfan Liu报道了在金基质上排列碳纳米管，其中用硫改性碳纳米管的每一端(Langmuir(2000)163569)的方法。美国RiceUniversity的Smalley报道了另一方法，该方法包括下述步骤；在硅基质(silicone substrate)上形成自组装的三甲基甲硅烷基单层；使用电子束压花该单层；将胺基连接到该花纹上；使碳纳米管与胺基相连(Chemical PhysicsLetters(1999)303125)。然而，认为该方法并不很好，因为自组装的三甲基甲硅烷基单层非常不稳定并对环境变化敏感。
发明概述本发明的特征在于通过用含双键的官能团化学改性(chemically modify)碳纳米管表面并光固化(photocure)表面-改性的碳纳米管，形成碳纳米管的图案膜的方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种碳纳米管的负片图案形成方法，其中该方法包括下述步骤(a)通过将含双键的官能团引入到碳纳米管的表面以提供表面改性的碳纳米管；(b)将表面-改性的碳纳米管与光引发剂一起分散在有机溶剂内，获得液体涂料组合物；(c)将该液体涂料组合物涂敷到基质上并通过预烘烤(prebake)蒸发有机溶剂，以在基质上提供涂布膜；(d)通过具有所需图案的光掩模(photomask)，将该涂布膜暴露于UV光下，以引发在涂布膜的曝光区域内碳纳米管的光-聚合；和(e)用有机显影剂显影该涂布膜，除去涂布膜的未曝光区域，并提供碳纳米管的负片图案。
根据以下描述的发明，可成功地实现本发明的所有和上述特征以及其它特征。
发明详述作为大量努力的结果，本发明者通过使用带有含双键官能团的改性碳纳米管，在光引发剂存在下通过UV照射引发该官能团交联，提供了碳纳米管的不溶单层或图案，从而完成了本发明。
以下提供本发明的详细说明。
在本发明中使用的含双键的化合物具有分子式1或分子式2的结构分子式1 (其中R1是H或CH3；X是Cl、NH2或OH)；和分子式2 (其中R1是H或CH3；R2是C1-C6亚烷基；X是Cl、NH2或OH)。
为了用这些含双键的化合物改性碳纳米管的表面，碳纳米管的表面在改性之前应当经历羧化。可通过本领域公知的任何常规方法，以及例如可根据下述方法实现羧化首先，在用硝酸∶硫酸＝7∶3(v/v)的混合酸溶液填充的振荡器(sonicator)内回流碳纳米管24小时。然后，通过0.2微米的聚碳酸酯过滤器过滤该淤浆，回收残留的固体物质，并在90℃下再次在硝酸中回流45小时，接着在12000rpm下离心。在离心完之后，回收上清液，并通过0.1微米聚碳酸酯过滤器过滤。回收残留的固体物质，并完全干燥，得到干燥的碳纳米管。将干燥的碳纳米管分散在蒸馏水或二甲基甲酰胺(DMF)中，通过0.1微米聚碳酸酯过滤器过滤分散液，选择超过一定尺寸的碳纳米管。
根据本发明，然后将羧化的碳纳米管加入到有机溶剂中，所述有机溶剂例如DMF、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单乙醚和2-甲氧基乙醇，并通过超声处理均匀分散在有机溶剂内。随后，向碳纳米管的分散液中加入溶解在有机溶剂内的某种催化剂，并充分搅拌该反应混合物。此刻，考虑到分子式1或分子式2的含双键的化合物的类型，合适地选择催化剂。例如，在使用其中X＝Cl的化合物情况下，可使用碱性催化剂，优选三乙胺(TEA)。在保持搅拌的同时，向反应混合物中缓慢地逐滴加入溶解在有机溶剂内的含双键的化合物，该有机溶剂与在分散液中所使用的相同，然后在室温下持续反应7-10小时，优选24小时。若反应放热，则要求例如通过冰浴冷却反应混合物。在反应完成之后，将蒸馏水加入到反应混合物中，得到一些沉淀。通过0.2微米的聚碳酸酯过滤器过滤，回收沉淀，并用水和二乙醚洗涤数次，以便除去未反应的含双键的化合物，接着在室温下真空干燥。结果获得表面用含双键的官能团改性的碳纳米管。通过拉曼光谱可容易地鉴定中在碳纳米管表面上含双键官能团的存在。
对可在本发明中使用的碳纳米管没有限制，包括所有的可商购碳纳米管。优选，所使用的碳纳米管是选自通过电弧放电法(arc discharge method)、激光烧蚀法(laser ablation method)、高温灯丝等离子化学气相沉积法(hightemperature filament plasma chemical vapor deposition method)、微波等离子化学气相沉积法(microwave plasma chemical vapor deposition method)、热化学气相沉积法(thermochemical vapor deposition method)和热分解法(thermaldecomposition method)生产的碳纳米管。商业碳纳米管常混杂含碳的副产物，如无定形碳和富勒烯(C60)以及管生长所必需的过渡金属催化剂，因此它们应当经历某种纯化工艺。在本发明中，可使用纯化碳纳米管的任何常规方法，以下例举它们中的一种方法。首先，在100℃下，在蒸馏水中回流碳纳米管8-24小时，优选12小时，然后通过过滤回收。完全干燥回收的碳纳米管，并用甲苯洗涤，以便除去含碳的副产物。在470℃下加热所得炭黑(soot)20-30分钟，优选20分钟，接着用6M盐酸洗涤，以便除去金属杂质。结果，获得纯的碳纳米管。可使用其它纯化方法，只要它们不妨碍本发明的目的即可。
在本发明中，在表面改性的碳纳米管的光聚合中所使用的光引发剂可分为乙酰苯-基光引发剂(acetophenone-based photoinitiator)、苯偶姻(benzoin)-基光引发剂、二苯酮(benzophenone)-基光引发剂和噻吨酮(thioxantone)-基光引发剂。乙酰苯-基光引发剂可例举，但不限于4-苯氧基二氯乙酰苯、4-叔丁基二氯乙酰苯、4-叔丁基三氯乙酰苯、二乙氧基乙酰苯、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基-1-丙酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基-1-丙酮、4-(2-羟基乙氧基)-苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基苯酮和2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-1-丙烷。苯偶姻-基光引发剂可例举，但不限于苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚和苄基二甲醛缩苯乙酮(benzyl dimethyl betal)。二苯酮-基光引发剂可例举，但不限于二苯酮、苯甲酰基苯甲酸、苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯酮、羟基二苯酮、4-苯甲酰基-4′-甲基联(二)苯硫醚(sulphide)和3，3′-二甲基-4-甲氧基二苯酮。噻吨酮-基光引发剂可例举，但不限于噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮和2，4-二异丙基噻吨酮。
除了上述光引发剂之外，也可在本发明中使用特殊等级的光引发剂(special grade photoinitiator)，如1-苯基-1，2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、2，4，6-三甲基苯甲酰基联苯基氧化膦、甲基苯基乙醛酸酯(methyl phenylglyoxylate)、偶苯酰、9，10-菲醌、樟脑醌、二苯并环庚酮(dibenzosuberone)、2-乙基蒽醌、4，4′-二乙基间苯二苯酮(isophthalophenone)和3，3′，4，4′-四(叔丁基过氧羰基)二苯酮以及分子式3-6所述的可共聚光引发剂分子式3 (其中R＝丙烯酰基)；分子式4 分子式5 分子式6 在使用这种可共聚的光引发剂的情况下，在通过曝光引发光聚合的过程中，使它与表面-改性的碳纳米管共聚。
任选地，共-光引发剂可与光引发剂一起使用。共-光引发剂的实例毫无限制地包括，三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、4，4`-二甲基氨基二苯酮、4，4`-二乙基氨基二苯酮、2-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、2-正丁氧基乙基-4-二甲基氨基苯甲酸酯、4-二甲基氨基异戊基苯甲酸酯、4-二甲基氨基-2-乙基己基苯甲酸酯和Eosin Y。
根据本发明，将如上所述地表面用含双键的官能团改性的碳纳米管与一种或多种光引发剂和任选地一种或多种共-光引发剂一起分散在有机溶剂内，得到液体涂料组合物。若考虑到混合和成膜特征，则有机溶剂优选选自DMF、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单乙醚和2-甲氧基乙醇及其混合物。碳纳米管在液体涂料组合物内的所得浓度范围优选3-95wt％，光引发剂的用量为0.5-25重量份，相对于每100重量份碳纳米管。当使用共-光引发剂时，其用量范围为0.5-15重量份，相对于每100重量份光引发剂。
然后将液体涂料组合物均匀涂敷到基质表面上。对基质的材料没有特别限制，根据目的可使用玻璃基质(glass substrate)、硅基质(silicone substrate)或塑料基质(plastic substrate)。可通过本领域公知的任何常规涂布方法，实现液体涂料组合物的涂敷。在本发明中有用的涂布方法的非限制性实例包括旋涂、浸涂、喷涂、流涂和筛网印刷，同时鉴于方便和膜的均匀度，优选旋涂。对于旋涂，取决于涂料组合物的粘度和所需的膜厚，将旋涂速率确定为500至2500rpm。
在完成液体涂料组合物涂敷到基质上之后，在80-120℃，优选在100℃下进行预烘烤1-2分钟，蒸发溶剂，从而使得在基质上沉积涂布膜。接着，通过具有所需图案的光掩模，将涂布膜暴露于UV光下。曝光剂量优选控制到100-800mJ/cm2。一旦曝光，通过光引发剂在曝光区域产生的自由基引发连接到碳纳米管表面上的含双键官能团的光聚合，从而导致碳纳米管的交联。因此，涂布膜的曝光区域变得不溶，所以在随后的显影工艺中，由于曝光与未曝光区域之间的溶解速率差别，曝光区域的溶解速率开始显著慢于未曝光区域，在显影工艺之后，仅曝光区域保留在基质上，从而得到所需的图案。
在本发明中，对显影剂没有特别限制，可采用照相平板领域中常用的任何有机溶剂，但优选DMF、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单乙醚和2-甲氧基乙醇。
在本发明中，表面改性的碳纳米管可与含有双键的其它可共聚单体或低聚物(oligomer)结合使用，以改进涂布膜的均匀度和进一步提供单体或低聚物特殊的官能度。可共聚单体的优选实例毫无限制地包括甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸烯丙酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸丁氧基乙酯、丙烯酸2-氰乙酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸二环戊烯酯、丙烯酸N，N-二乙基氨基乙酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸2-乙基己酯、甘油甲基丙烯酸酯、缩水甘油基甲基丙烯酸酯、丙烯酸十七氟癸酯、丙烯酸2-羟基乙酯、2-羟基-3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲基氯化铵、丙烯酸2-羟丙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基三甘醇丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸八氟戊酯、丙烯酸苯氧基羟丙酯、甲基丙烯酸苯氧酯、磷酸甲基丙烯酸酯、邻苯二甲酸丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯、丙烯酸硬脂醇酯、丙烯酸四氟丙酯、丙烯酸三氟乙酯、醋酸乙烯酯、N-乙烯基己内酰胺、N-乙烯基-2-吡咯烷酮和丙烯酰胺。可共聚的低聚物的优选实例毫无限制地包括环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯和聚丁二烯丙烯酸酯。将这种可共聚单体或低聚物加入到含表面改性的碳纳米管的液体涂料组合物中，其中碳纳米管对单体或低聚物的重量比(即碳纳米管的重量单体或低聚物的重量)范围是5∶95-99∶1，优选10∶90-95∶5。
此外，可将不具有任何双键的聚合物或低聚物加入到液体涂料组合物中作为涂料粘合剂(coating binder)，以增加涂布膜的厚度或均匀度。对涂料粘合剂的类型或用量没有特别限制，可根据聚合物涂料的常见实践来确定。
参考下述实施例，可更容易地理解本发明。应当理解无论如何不打算用下述实施例限制本发明的范围。
生产实施例1碳纳米管的纯化在配有回流管的500ml烧瓶中，在100℃下用50ml蒸馏水回流100mg碳纳米管(ILJIN CNT AP-Grade，Iljin Nanotech Co.，Ltd.，韩国)12小时，然后过滤。在60℃下干燥过滤回收的碳纳米管12小时，并用甲苯洗涤，以便除去残留的富勒烯。然后，收集其余的炭黑，并在约470℃的温度下，在加热炉中加热20分钟，接着用大量6M盐酸溶液洗涤，得到不含金属杂质的纯碳纳米管。
生产实施例2用羧基表面改性碳纳米管(羧化)在用硝酸∶硫酸＝7∶3(v/v)的混合酸溶液填充的振荡器内，回流生产实施例1获得的纯碳纳米管24小时。通过0.2微米的聚碳酸酯过滤器过滤回收之后，在90℃下，再次在硝酸中回流该碳纳米管45小时。随后，在12000rpm下离心淤浆，通过0.1微米的聚碳酸酯过滤器过滤所得上清液。在60℃下干燥过滤回收的碳纳米管12小时，并在DMF中分散，接着通过用于尺寸分类(size sorting)的0.1微米的聚碳酸酯过滤器过滤。
生产实施例3用含双键的官能团(1)改性碳纳米管的表面将0.03g生产实施例2获得的羧化碳纳米管加入到20mlDMF中，并通过超声处理均匀分散1小时。向该分散液中加入10mlTEA和20mlDMF的溶液，搅拌所得分散液1小时。在将分散液放置在冷却反应热的冰浴中之后，在搅拌下，在2小时内将与100mlDMF混合的5ml丙烯酰氯缓慢地逐滴加入到分散液内，并在室温下使混合物反应24小时。在反应完成时刻，将反应混合物加入到300ml蒸馏水中，通过0.2微米的聚碳酸酯过滤器过滤回收所得固体。分别用水和二乙醚反复洗涤所得固体3次，以便洗掉未反应的丙烯酰氯。在室温下真空干燥洗涤过的固体，得到0.02g丙烯酰化的碳纳米管。通过拉曼光谱检测碳纳米管表面上丙烯酰基的存在。
生产实施例4用含双键的官能团(2)改性碳纳米管的表面将0.03g生产实施例2获得的羧化碳纳米管加入到20mlDMF中，并通过超声处理均匀分散1小时。向该分散液中加入12mlTEA和20mlDMF的溶液，搅拌所得分散液1小时。在将分散液放置在冷却反应热的冰浴中之后，在搅拌下，在2小时内将与100mlDMF混合的8ml乙烯基苄氯缓慢地逐滴加入到分散液内，并在室温下使混合物反应24小时。在反应完成时刻，将反应混合物加入到400ml蒸馏水中，通过0.2微米的聚碳酸酯过滤器过滤回收所得固体。分别用水和二乙醚反复洗涤所得固体3次，以便洗掉未反应的乙烯基苄基氯化物。在室温下真空干燥洗涤过的固体，得到0.015g乙烯基苄基化的碳纳米管。通过拉曼光谱检测碳纳米管表面上乙烯基苄基的存在。
实施例1使用表面改性的碳纳米管形成负片图案(1)使用由生产实施例3获得的丙烯酰化碳纳米管，制备具有下述组成的液体涂料组合物
在搅拌1小时，使各成分混合之后，通过在500rpm下旋涂，将液体涂料组合物涂敷到硅晶片上，接着在100℃下干燥1分钟，蒸发溶剂。用所需图案的光掩模遮掩所得涂布膜，然后以500mJ/cm2的曝光剂量，将它曝光于UV光下。随后，用DMF显影曝光膜20秒，得到丙烯酰化碳纳米管的负片图案。
实施例2使用表面改性的碳纳米管形成负片图案(2)使用由生产实施例3获得的丙烯酰化碳纳米管，制备具有下述组成的液体涂料组合物
在搅拌1小时，使各成分混合之后，通过在500rpm下旋涂，将液体涂料组合物涂敷到硅晶片上，接着在100℃下干燥1分钟，蒸发溶剂。用所需图案的光掩模遮掩所得涂布膜，然后以350mJ/cm2的曝光剂量，将它曝光于UV光下。随后，用DMF显影曝光膜20秒，得到丙烯酰化碳纳米管的负片图案。
实施例3使用表面改性的碳纳米管形成负片图案(3)使用由生产实施例4获得的还是乙烯基苄基化碳纳米管，制备具有下述组成的液体涂料组合物
在搅拌1小时，使各成分混合之后，通过在500rpm下旋涂，将液体涂料组合物涂敷到硅晶片上，接着在100℃下干燥1分钟，蒸发溶剂。用所需图案的光掩模遮掩所得涂布膜，然后以400mJ/cm2的曝光剂量，将它曝光于UV光下。随后，用DMF显影曝光膜20秒，得到乙烯基苄基化碳纳米管的负片图案。
实施例4使用表面改性的碳纳米管形成负片图案(4)使用由生产实施例3获得的丙烯酰化碳纳米管，制备具有下述组成的液体涂料组合物
在搅拌1小时，使各成分混合之后，通过在800rpm下旋涂，将液体涂料组合物涂敷到硅晶片上，接着在100℃下干燥1分钟，蒸发溶剂。用所需图案的光掩模遮掩所得涂布膜，然后以600mJ/cm2的曝光剂量，将它曝光于UV光下。随后，用DMF显影曝光膜30秒，得到丙烯酰化碳纳米管的负片图案。
实施例5使用表面改性的碳纳米管形成负片图案(5)使用由生产实施例3获得的丙烯酰化碳纳米管，制备具有下述组成的液体涂料组合物
在搅拌1小时，使各成分混合之后，通过在800rpm下旋涂，将液体涂料组合物涂敷到硅晶片上，接着在100℃下干燥1分钟，蒸发溶剂。用所需图案的光掩模遮掩所得涂布膜，然后以600mJ/cm2的曝光剂量，将它曝光于UV光下。随后，用DMF显影曝光膜30秒，得到丙烯酰化碳纳米管的负片图案。
如上所述，通过本发明，使用常规的照相平板工艺，可容易地在各种基质表面上制造碳纳米管的所需图案。
本领域的任何技术人员可容易地作出本发明的简单改性和变化，应当理解所有这种改性和变化包括在本发明的范围内。
权利要求
1.一种形成碳纳米管的负片图案的方法，其中该方法包括下述步骤(a)通过将含双键的官能团引入到碳纳米管的表面以提供表面改性的碳纳米管；(b)将表面-改性的碳纳米管与光引发剂一起分散在有机溶剂内，以得到液体涂料组合物；(c)将该液体涂料组合物涂敷到基质上并通过预烘烤蒸发有机溶剂，以在基质上提供涂布膜；(d)通过具有所需图案的光掩模，将该涂布膜暴露于UV光下，以引发在涂布膜的曝光区域内碳纳米管的光-聚合；和(e)用有机显影剂显影该涂布膜，以除去涂布膜的未曝光区域并得到碳纳米管的负片图案。
2.权利要求1的方法，其中由具有分子式1或分子式2结构的化合物引入含双键的官能团分子式1 (其中R1是H或CH3；X是Cl、NH2或OH)；和分子式2 (其中R1是H或CH3；R2是C1-C6亚烷基；X是Cl、NH2或OH)。
3.权利要求1的方法，其中碳纳米管是通过电弧放电法、激光烧蚀法、高温灯丝等离子化学气相沉积法、微波等离子化学气相沉积法、热化学气相沉积法或热分解法生产的。
4.权利要求1的方法，其中光引发剂选自乙酰苯-基光引发剂、苯偶姻-基光引发剂、二苯酮-基光引发剂、噻吨酮-基光引发剂、特殊等级的光引发剂和可共聚的光引发剂。
5.权利要求4的方法，其中特殊等级的光引发剂选自1-苯基-1，2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、2，4，6-三甲基苯甲酰基联苯基氧化膦、甲基苯基乙醛酸酯、偶苯酰、9，10-菲醌、樟脑醌、二苯并环庚酮、2-乙基蒽醌、4，4`-二乙基间苯二苯酮和3，3`，4，4`-四(叔丁基过氧羰基)二苯酮。
6.权利要求4的方法，其中可共聚的光引发剂选自分子式3-6的化合物分子式3 (其中R＝丙烯酰基)；分子式4 分子式5 分子式6
7.权利要求1的方法，其中基质是玻璃基质、硅基质或塑料基质。
8.权利要求1的方法，其中液体涂料组合物进一步包括共-光引发剂。
9.权利要求8的方法，其中共-光引发剂选自三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、4，4′-二甲基氨基二苯酮、4，4′-二乙基氨基二苯酮、2-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、2-正丁氧基乙基-4-二甲基氨基苯甲酸酯、4-二甲基氨基异戊基苯甲酸酯、4-二甲基氨基-2-乙基己基苯甲酸酯和Eosin Y。
10.权利要求1的方法，其中液体涂料组合物进一步包括用于碳纳米管的含双键的可共聚的单体或低聚物，以在光-聚合步骤(d)过程中与单体或低聚物共聚。
11.权利要求1的方法，其中液体涂料组合物进一步包括不具有任何双键的聚合物或低聚物作为涂料粘合剂。
全文摘要
本发明公开了通过改性碳纳米管的表面，以便具有能参与自由基聚合的含双键的官能团；用液体涂料组合物涂布基质，而所述涂料组合物是通过将表面改性的碳纳米管与光引发剂一起分散在有机溶剂内制备的；通过光掩模，将该膜暴露于UV光下，以引发碳纳米管的自由基聚合；使该膜显影，从而形成碳纳米管的负片图案的方法。通过本发明，可根据常规的照相平板工艺，容易地在各种基质表面上制造碳纳米管的所需图案。
文档编号B82Y40/00GK1502555SQ200310118169
公开日2004年6月9日 申请日期2003年11月6日 优先权日2002年11月19日
发明者朴钟辰, 李在俊, 郑明燮 申请人:三星电子株式会社