专利名称：多功能集成的纳米线阵列制备方法
技术领域：
本发明涉及一种纳米线阵列的制备工艺，尤其涉及一种多功能集成的纳米线阵列制备方法，属于材料的制备与功能化修饰领域。
背景技术：
随着科技的进步，以一维纳米线为代表的纳米材料在生物传感、化学传感、太阳电池、生物载药及靶向治疗等领域逐渐发挥着生力军的作用。通常一维纳米线在应用于上述领域时需要针对不同的应用需求进行表面修饰，以提高工作效率以及特异性。而在修饰方面，纳米线表面的多功能集成具有重要的科学研究价值和产业化应用前景，例如分别将发光材料和磁性材料集成于纳米线表面，一方面可以进行成像或靶向定位，另外还可以通过磁场诱导的方式实现目标分子的分离，同时藉由纳米线巨大的比表面积，有效地提高了工作效率。近来纳米线表面的多功能集成已成为本领域的研究热点和前沿发展方向之一。针对纳米线的多功能集成，目前科学界已有初步的探索，主要集中在合成多段纳米线方面，即单根纳米线由多段不同种类的材料构成，然后针对各段材料分别进行修饰，其工艺制备较为复杂，对材料的选择及其本身性质的要求较高。因此，如何发展出一种工艺简单，且对不同种类纳米线具有一定普适性的多功能集成方法，一直都是本领域的技术难题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种利用有机高分子及干法去胶工艺结合的多功能纳米线阵列制备方法，其工艺简单，对不同类型的纳米线阵列具有普适性，适用于基因药物载体、生物/化学传感以及复合材料等领域。为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案 一种多功能集成的纳米线阵列制备方法
利用有机高分子溶液覆盖纳米线阵列，并在真空环境下静置使有机高分子溶液均勻填充各纳米线之间的间隙，形成一整体结构；
其后，去除该整体结构局部表面上的有机高分子材料，使纳米线阵列上的至少一选定区域暴露在外，再在该至少一选定区域中的各纳米线表面修饰至少一种功能性材料；
而后，以有机溶剂去除该整体结构的其它局部表面的有机高分子材料，使纳米线阵列上的至少另一选定区域暴露在外，再在该至少另一选定区域中的各纳米线表面修饰至少另一种功能性材料，从而获得目标产物。该方法具体为
利用有机高分子溶液覆盖纳米线阵列，并在真空环境下静置使有机高分子溶液均勻填充各纳米线之间的间隙，形成一整体结构，继而利用勻胶方法处理该整体结构使其表面平整；
其后，以干法去胶工艺去除该整体结构局部表面上的有机高分子材料，使纳米线阵列上的一选定区域暴露在外，再在该选定区域中的各纳米线表面修饰至少一种功能性材料；而后，以有机溶剂去除该整体结构表面上的其余有机高分子材料，使纳米线阵列上的其余区域均暴露在外，再在该其余区域中的各纳米线表面修饰至少另一种功能性材料，从而获得目标产物。该方法包括如下步骤
a、首先将有机高分子溶液滴加至垂直纳米线形成的纳米线阵列表面，再于真空度为 10_2 IO4 Pa的真空环境中静置5min 30min，使有机高分子溶液逐渐扩散渗透入各纳米线之间；
b、在真空或大气环境中，利用勻胶方法处理覆盖在纳米线阵列上的有机高分子材料， 形成表面平整的有机高分子膜，其中勻胶速率为1000 4000转/分钟，持续时间30 90 秒；
C、使用干法去胶工艺去除部分有机高分子膜，使纳米线阵列表面的局部区域暴露在外，再以物理吸附或化学共价键结合的方式将功能性材料修饰到暴露在外的纳米线阵列表面上；
d、利用有机溶剂溶解去除有机高分子膜的残余部分，并以其它功能性材料修饰纳米线阵列表面的其余部分。所述纳米线阵列至少选自Si纳米线阵列、ZnO纳米线阵列、TW2纳米线阵列、In2O3 纳米线阵列和碳纳米管阵列中的任意一种；
所述有机高分子材料至少选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇和紫外光刻胶中的任意一种；
所述功能性材料至少选自纳米颗粒、有机小分子和生物大分子中的任意一种。所述纳米颗粒至少选自半导体纳米颗粒、金属纳米颗粒和磁性纳米颗粒中的任意一种；
所述有机小分子至少选自硅烷分子、羧酸分子和有机磷酸分子中的任意一种； 所述生物大分子至少选自核酸分子、蛋白质和细胞中的任意一种。所述纳米线阵列高度为100 nm 30 μ m，纳米线阵列衬底的直径为IOmm 150mmo所述有机高分子溶液的黏度为1 IO7 mPa · S。所述紫外光刻胶至少选自酚醛树脂型、聚异戊二烯型和聚乙烯树脂型光刻胶中的
任意一种。所述干法去胶工艺至少选自A等离子去胶、Ar等离子体去胶、离子束刻蚀工艺中的任意一种，通过控制干法去胶工艺的反应时间，可以实现在纳米线特定长度内进行修饰。所述有机溶剂至少选自甲苯、丙酮、己烷、氯仿、四氢呋喃中的任意一种。与现有技术相比，本发明的优点在于
(1)实现了在单根纳米线表面集成包括发光、磁性、生物标记以及表面改性等多功能；
(2)能够对纳米线阵列可控、高度重复且一致性进行多功能集成，制备过程不破坏纳米线的表面结构，且对不同类型的纳米线阵列具有普适性，可以很好地满足基因药物载体、生物/化学传感以及复合材料等领域的应用需求。
图1是本发明一较佳实施方式中初始纳米线阵列的结构示意图2是本发明一较佳实施方式中经真空静置和勻胶处理的纳米线阵列的结构示意图； 图3是本发明一较佳实施方式中利用去胶工艺获得的纳米线阵列的结构示意图； 图4是本发明本发明一较佳实施方式中修饰有一种功能团的纳米线阵列的结构示意
图5是本发明本发明一较佳实施方式中修饰有多种功能团的纳米线阵列的结构示意
图中各附图标记含义分别为1-纳米线衬底、2-纳米线阵列、3-有机高分子溶液、4、 4’ -修饰功能团。
具体实施例方式针对现有技术中的诸多缺陷，本案发明人特提出了一种制备多功能纳米线的方法，其工艺简单、可控性好，能够将各种不同功能的分子集成在单根纳米线表面以实现不同应用需求，且对不同种类的纳米线阵列具有普适性等优点。参阅图1-5，该方法可包含以下步骤
(1)纳米线阵列形貌如图1所示，首先使用移液的方法将有机高分子溶液滴加至纳米线阵列表面，然后将纳米线阵列置于真空干燥器内，抽真空后静置，其条件优选为真空环境的真空度为10_2 IO4帕，静置时间5min 30min，使有机高分子溶液逐渐扩散渗透入纳米线之间；
(2)利用勻胶方法处理步骤(1)获得的纳米线阵列，得到表面平整的有机高分子膜(如图2所示)，勻胶工艺可选在真空或大气环境中，其工艺条件优选为勻胶速率1000 4000 转/分钟，持续时间30 90秒；
(3)使用干法去胶工艺处理纳米线阵列，通过调节干法去胶工艺的反应时间可以去除部分有机高分子膜，同时暴露出部分纳米线阵列(如图3所示)；
(4)使用物理吸附或化学共价键结合等方式对暴露出的纳米线阵列进行功能化修饰与改性(如图4所示)；
(5)使用有机溶剂溶解残余有机高分子，并对剩余纳米线阵列实施进一步的修饰，从而获得修饰有不同功能基团的纳米线阵列(如图5所示)。该方法适用于包括Si、aiO、TiO2、In2O3及碳纳米管在内的任意一种纳米线阵列。前述纳米线阵列长度优选为100 nm 30 μ m。前述有机高分子溶液至少选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚乙烯醇(PVA)或紫外光刻胶，包括酚醛树脂型、聚异戊二烯型或聚乙烯树脂型光刻胶中的任意一种以上，黏度为1 IO7 mPa. S。前述干法去胶工艺至少选自A等离子去胶、Ar等离子体去胶、离子束刻蚀中的任
意一种。前述表面修饰可选用纳米颗粒，包括半导体纳米颗粒、金属纳米颗粒、磁性纳米颗粒，或有机小分子，如硅烷分子、羧酸分子、有机磷酸分子，或生物大分子，包括核酸分子、蛋白质、细胞中的任意一种以上。前述有机溶剂至少选自甲苯、丙酮、己烷、氯仿、四氢呋喃中的任意一种以上。
下面结合若干较佳实施例对本发明的技术方案作进一步描述，但不应以此限制本发明的保护范围
实施例1本实施例涉及半导体纳米颗粒与核酸分子在Si纳米线表面的集成，其工艺包括如下步骤
(1)Si纳米线的制备采用金属辅助腐蚀的方法使用的腐蚀液包含0.02mol/L AgNO3 及5 mol/L HF溶液，取直径150mm的η型(100)硅片置于腐蚀液中，常温反应10分钟后取出，HNO3及去离子水清洗后得到Si纳米线阵列，长度经扫描电子显微镜测量后为100 nm；
(2)取5mL黏度为1 mPa. s的PMMA滴加于硅片表面，置于真空干燥器内，抽取真空度至IO4 Pa,静置5min，使PMMA高分子均勻渗透入Si纳米线之间；
(3)在空气中使用勻胶机对Si片进行勻胶工艺，转速为4000转/分，时间60s，可以得到约150nm厚的PMMA膜；
(4)使用&等离子去胶机对Si片进行处理，去胶条件为300sccm O2,功率200W，处理 15分钟后去除75nm PMMA,因此暴露出25nm Si纳米线；
(5)将Si片置于直径为IOnm的半导体CdSe纳米颗粒溶液中，通过物理吸附的方法将 CdSe纳米颗粒修饰在Si纳米线表面；
(6)将上述Si片置于丙酮中，振荡15min，去除剩余PMMA膜，此时暴露出未修饰的Si 纳米线长度为75nm ；再依次使用3-氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛处理Si片，在Si纳米线表面引入活性醛基，最后将Si片置于3ng/mL末端修饰有氨基的DNA磷酸盐缓冲液中，常温4 小时反应后取出，去离子水洗净后获得半导体纳米颗粒与核酸分子集成的Si纳米线阵列。
实施例2本实施例涉及磁性纳米颗粒与蛋白质在ZnO纳米线阵列表面的集成，其工艺包括如下步骤
(1)ZnO纳米线的制备采用CVD方法首先按1 1摩尔比称取加0、C粉并充分混合均勻，放入石英管的一端作为反应源料；将直径IOmm的GaN (0001)衬底置于石英管另一端， 与原料的间距保持为IOcm;然后将石英管推入高温管式炉中，控制原料端温度为950°C， 50sccm O2和50sCCm Ar分别作为反应气和载气，反应1小时后得到SiO纳米线阵列，纳米线长度经扫描电子显微镜测量后为ΙΟμπι ；
(2)取500μ L黏度为10 mPa. s的聚酰亚胺(PI)滴加于ZnO纳米线阵列表面，置于真空干燥器内，抽取真空度至100 Pa，静置lOmin，使PI高分子均勻渗透入ZnO纳米线之间；
(3)在真空中使用勻胶机对ZnO片进行勻胶工艺，转速为2000转/分，时间90s，可以得到12 μ m厚的PI膜；
(4)使用Ar等离子去胶机对ZnO片进行处理，去胶条件为400sccm Ar,功率400W，处理10分钟后去除约3 μ m PI，因此暴露出1 μ m ZnO纳米线；
(5)将ZnO片置于直径为15nm的磁性狗304纳米颗粒溶液中，通过物理吸附的方法将 Fe3O4纳米颗粒修饰在ZnO纳米线表面；
(6)将上述ZnO片置于甲苯中，振荡15min，去除剩余PI膜，此时暴露出未修饰的Si纳米线长度为9 μ m ；再依次使用3-氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛处理ZnO片，在ZnO纳米线表面引入活性醛基，最后将ZnO片置于lOng/mL牛血清白蛋白(BSA)磷酸盐缓冲液中，常温 4小时反应后取出，去离子水洗净后获得磁性纳米颗粒与蛋白质集成的ZnO纳米线阵列。实施例3本实施例涉及金属纳米颗粒与细胞在Ti02纳米线阵列表面的集成，其工艺包括如下步骤
(1)TiO2纳米线的制备采用模版法首先将IOmL钛酸四丁酯加入50mL无水乙醇中， 冰浴条件下搅拌5min后再向其中缓慢加入包含ImL去离子水、0. 05mL盐酸与30mL乙醇的混合溶液，将直径20mm、平均孔径lOOnm、高度30 μ m的多孔氧化铝模版置入上述溶液中 30min，取出干燥后置于500°C马弗炉中煅烧4小时，使TW2纳米线晶化；煅烧结束后将模版置于盐酸中去除氧化铝以得到长度为30 μ m TiO2纳米线阵列；
(2)取500μ L黏度为IO7 mPa. s的聚乙烯醇(PVA)滴加于TiO2纳米线阵列表面，置于真空干燥器内，抽取真空度至10_2 Pa,静置30min，使PVA高分子均勻渗透入TW2纳米线之间；
(3)在真空中使用勻胶机对TW2片进行勻胶工艺，转速为1000转/分，时间30s，可以得到35 μ m厚的PVA膜；
(4)使用Ar等离子去胶机对TW2片进行处理，去胶条件为400sccm Ar,功率400W，处理30分钟后去除约15 μ m PVA,因此暴露出10 μ m TiO2纳米线；
(6)将TW2片置于直径为20nm的金属Au纳米颗粒溶液中，通过物理吸附的方法将Au 纳米颗粒修饰在T^2纳米线表面；
(7)将上述TW2片置于己烷中，振荡15min，去除剩余PVA膜，此时暴露出未修饰的TW2 纳米线长度为20 μ m;再依次使用3-氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛及叶酸受体处理TiO2片， 在TW2纳米线表面引入靶向叶酸受体，最后将TW2片置于浓度为3000个/mL MCF-7人乳腺癌细胞溶液中，37°孵育2小时后取出，磷酸盐缓冲液冲洗表面，获得金纳米颗粒与细胞集成的TW2纳米线阵列。 实施例4本实施例涉及金属纳米颗粒与有机硅烷分子在In2O3纳米线阵列表面的集成，其工艺包括如下步骤
(IMn2O3纳米线的制备采用模版法在液池内加入IOmL包含8. 5 mg/mL InCl3及 25 mg/mL Na3C6H5O7溶液作为反应液，多孔氧化铝模版作为衬底，衬底直径20mm，平均孔径lOOnm，高度15 μ m ；以该氧化铝模版为电化学工作电极、玻碳电极作为对电极、Ag/AgCl 作为参比电极，施加工作电压-IV，反应1小时并700°下煅烧12小时后可以得到长度为 15 μ m In2O3纳米线阵列；
(2)取500μ L黏度为IO6 mPa. s的酚醛树脂紫外光刻胶滴加In2O3纳米线阵列表面，置于真空干燥器内，抽取真空度至100 Pa,静置30min，使光刻胶高分子均勻渗透入M2O3纳米线之间；
(3)在真空中使用勻胶机对M2O3片进行勻胶工艺，转速为1000转/分，时间60s，可以得到15 μ m厚的光刻胶膜；
(4)使用离子束刻蚀机对M2O3片进行处理，去胶条件为能量300eV、束流80mA/cm2Ar 离子，处理30分钟后去除约3 μ m光刻胶，因此暴露出3 μ m In2O3纳米线；
(5)将In2O3片置于直径为20nm的金属Au纳米颗粒溶液中，通过物理吸附的方法将Au 纳米颗粒修饰在^2O3纳米线表面；
(6)将上述^i2O3片置于氯仿中，振荡15min，去除剩余光刻胶，此时暴露出未修饰的 ^i2O3纳米线长度为12 μ m;再将^i2O3纳米线阵列置于5% 3-氨丙基三乙氧基硅烷中反应 30分钟，反应结束后用去离子水冲洗干净，获得金纳米颗粒与有机硅烷分子集成的^2O3纳米线阵列。实施例5本实施例涉及磁性纳米颗粒与有机磷酸分子在ZnO纳米线阵列表面的集成，其工艺包括如下步骤
(1)ZnO纳米线的制备采用水热法首先在高压釜反应容器内加入IOmL等摩尔浓度 (20mmol/L)的SiNO3与六亚甲基四胺(HMT)混合溶液，放入直径为IOmm Si片作为衬底，将高压釜置于90°C烘箱内反应2小时后取出Si片，用去离子水清洗表面得到ZnO纳米线阵列，其长度经扫描电子显微镜测量后为5 μ m ；
(2)取100μ L黏度为106 mPa. s的聚异戊二烯紫外光刻胶滴加于ZnO纳米线阵列表面，置于真空干燥器内，抽取真空度至10_2 Pa，静置30min，使光刻胶高分子均勻渗透入ZnO 纳米线之间；
(3)在真空中使用勻胶机对ZnO片进行勻胶工艺，转速为4000转/分，时间60s，可以得到6 μm厚的光刻胶膜；
(4)使用Ar等离子去胶机对ZnO片进行处理，去胶条件为400sccm Ar,功率350W，处理20分钟后去除 3 μ m光刻胶，因此暴露出2 μ m ZnO纳米线；
(5)将ZnO片置于直径为15nm的磁性!^e3O4纳米颗粒溶液中，通过物理吸附的方法将 Fe3O4纳米颗粒修饰在ZnO纳米线表面；
(6)将上述ZnO片置于丙酮中，振荡15min，去除剩余光刻胶，此时暴露出未修饰的SiO 纳米线长度为3 μ m ；再将ZnO置于5mmol/L辛基磷酸甲醇溶液中，常温反应4小时后取出并用大量甲醇冲洗表面，此时可以获得磁性纳米颗粒与有机磷酸分子集成的ZnO纳米线阵列。实施例6本实施例涉及了半导体纳米颗粒与有机羧酸分子在碳纳米管阵列表面的集成，其工艺包括如下步骤
(1)碳纳米管阵列的制备采用CVD方法以直径15mmSi片作为衬底，溶解有二茂铁的二甲苯的溶液作为反应液；首先将Si衬底置于石英管式炉中加热至800°C，同时通入 IOOsccm Ar作为载气，然后在石英管载气入口处滴加反应液，30分钟后停止加热并降温至室温；最后再升温至550°C并保持30分钟，反应结束后取出生长有碳纳米管阵列的Si片， 碳纳米管长度经扫描电子显微镜测量后为6 μ m ；
(2)取100μ L黏度为106 mPa-s的聚乙烯树脂紫外光刻胶滴加于碳纳米管阵列表面， 置于真空干燥器内，抽取真空度至10_2 Pa，静置30min，使光刻胶高分子均勻渗透入碳纳米管之间；
(3)在真空中使用勻胶机对碳纳米管阵列进行勻胶工艺，转速为1000转/分，时间30s， 可以得到6μπι厚的光刻胶膜；
(4)使用Ar等离子去胶机对碳纳米管阵列进行处理，去胶条件为200sccm Ar，功率 200W，处理30分钟后去除约1 μ m光刻胶，因此暴露出1 μ m碳纳米管；
(5)将碳纳米管阵列置于直径为IOnm的半导体Cdk纳米颗粒溶液中，通过物理吸附的方法将CcKe纳米颗粒修饰在碳纳米管表面；
(6)将上述碳纳米管片置于四氢呋喃中，振荡15min，去除剩余光刻胶，此时暴露出未修饰的碳纳米管长度为5μπι;再将碳纳米管置入0. lmol/L羧基吡啶的乙醇溶液中，室温下充分振荡反应4小时，使吡啶分子通过π-π相互作用结合在碳纳米管表面，此时获得半导体纳米颗粒与有机羧酸分子集成的碳纳米管阵列。 上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，该方法为利用有机高分子溶液覆盖纳米线阵列，并在真空环境下静置使有机高分子溶液均勻填充各纳米线之间的间隙，形成一整体结构；其后，去除该整体结构局部表面上的有机高分子材料，使纳米线阵列上的至少一选定区域暴露在外，再在该至少一选定区域中的各纳米线表面修饰至少一种功能性材料；而后，以有机溶剂去除该整体结构的其它局部表面的有机高分子材料，使纳米线阵列上的至少另一选定区域暴露在外，再在该至少另一选定区域中的各纳米线表面修饰至少另一种功能性材料，从而获得目标产物。
2.根据权利要求1所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，该方法具体为利用有机高分子溶液覆盖纳米线阵列，并在真空环境下静置使有机高分子溶液均勻填充各纳米线之间的间隙，形成一整体结构，继而利用勻胶方法处理该整体结构使其表面平整；其后，以干法去胶工艺去除该整体结构局部表面上的有机高分子材料，使纳米线阵列上的一选定区域暴露在外，再在该选定区域中的各纳米线表面修饰至少一种功能性材料；而后，以有机溶剂去除该整体结构表面上的其余有机高分子材料，使纳米线阵列上的其余区域均暴露在外，再在该其余区域中的各纳米线表面修饰至少另一种功能性材料，从而获得目标产物。
3.根据权利要求2所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤a、首先将有机高分子溶液滴加至垂直纳米线形成的纳米线阵列表面，再于真空度为 10_2 IO4 Pa的真空环境中静置5min 30min，使有机高分子溶液逐渐扩散渗透入各纳米线之间；b、在真空或大气环境中，利用勻胶方法处理覆盖在纳米线阵列上的有机高分子材料， 形成表面平整的有机高分子膜，其中勻胶速率为1000 4000转/分钟，持续时间30 90 秒；C、使用干法去胶工艺去除部分有机高分子膜，使纳米线阵列表面的局部区域暴露在外，再以物理吸附或化学共价键结合的方式将功能性材料修饰到暴露在外的纳米线阵列表面上；d、利用有机溶剂溶解去除有机高分子膜的残余部分，并以其它功能性材料修饰纳米线阵列表面的其余部分。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于所述纳米线阵列至少选自Si纳米线阵列、ZnO纳米线阵列、TiO2纳米线阵列、In2O3纳米线阵列和碳纳米管阵列中的任意一种；所述有机高分子材料至少选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇和紫外光刻胶中的任意一种；所述功能性材料至少选自纳米颗粒、有机小分子和生物大分子中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于所述纳米颗粒至少选自半导体纳米颗粒、金属纳米颗粒和磁性纳米颗粒中的任意一种；所述有机小分子至少选自硅烷分子、羧酸分子和有机磷酸分子中的任意一种； 所述生物大分子至少选自核酸分子、蛋白质和细胞中的任意一种。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，所述纳米线阵列高度为100 nm 30 μ m，纳米线阵列衬底的直径为IOmm 150mm。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，所述有机高分子溶液的黏度为1 IO7 mPa · S。
8.根据权利要求4所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，所述紫外光刻胶至少选自酚醛树脂型、聚异戊二烯型和聚乙烯树脂型光刻胶中的任意一种。
9.根据权利要求2-3中任一项所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，所述干法去胶工艺至少选自O2等离子去胶、Ar等离子体去胶、离子束刻蚀工艺中的任意一种。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，所述有机溶剂至少选自甲苯、丙酮、己烷、氯仿、四氢呋喃中的任意一种。
全文摘要
本发明公开了一种多功能集成的纳米线阵列制备方法。该方法为首先在纳米线阵列表面覆盖一层有机高分子溶液，真空环境下静置使有机高分子均匀渗透入纳米线之间，继而利用匀胶的方法得到平整的表面；然后使用干法去胶工艺处理表面，暴露部分纳米线阵列并对这一部分纳米线进行表面修饰；继而利用有机溶剂去除剩余有机高分子并对因此暴露出的纳米线部分做进一步修饰。本发明能够在单根纳米线表面可控、可重复且一致地集成多种功能，如发光、磁性、生物标记等，制备工艺简单，对不同类型的纳米线阵列具有普适性，适用于基因药物载体、生物/化学传感以及复合材料等新材料领域。
文档编号B81C1/00GK102358615SQ20111034785
公开日2012年2月22日 申请日期2011年11月7日 优先权日2011年11月7日
发明者刘永萍, 卫芬芬, 孔涛, 张 杰, 张琦, 程国胜, 苏瑞巩, 黄荣 申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所