一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法与流程

文档序号：12779639阅读：328来源：国知局

本发明涉及一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法，并且具有很好的催化活性和光疗效果，具体涉及ZnO纳米阵列的制备方法。

背景技术：

近年来，环保问题日益突出。有毒和难降解的有机污染物的处理问题一直处于瓶颈状态。光催化氧化作为一项环境友好型技术，得到了人们的广泛关注，ZnO具有一定的光催化性能，在光催化氧化应用中表现出很强的优势。

众所周知，纳米氧化锌（zinc oxide，ZnO），是一种具有巨大应用潜力的半导体纳米材料，由于它的光催化效应被广泛应用与太阳能电池、污水处理、杀菌的理论研究和实际应用的报道与日俱增。氧化锌纳米阵列在环境保护、节能、生物传感器等方面有着广泛的应用。因此，如何制备出ZnO纳米阵列以及如何控制有序氧化锌纳米阵列的厚度，粒径，长度等以得到符合预期的氧化锌纳米管在环保方面有重大意义。

本发明方法克服了现有技术中ZnO排列难以控制，分布不均等缺陷。本发明可以有序的控制ZnO纳米阵列的厚度、粒径、长度等，以得到符合预期结果的ZnO。ZnO纳米阵列在环境保护、节能、生物传感器等方面有着广泛的应用。因此，本发明对ZnO纳米阵列的应用具有重大意义。

技术实现要素：

发明目的：本发明提供了一种新的ZnO纳米阵列的制备方法。

技术方案：针对目前现有技术中ZnO排列难以控制，分布不均等缺陷，本发明提供了一种可以有序控制ZnO纳米阵列的厚度、粒径、长度等，以得到符合预期结果的ZnO纳米阵列的方法。

1．一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法，由如下步骤制得：

（1）称取一定量的金试剂溶解到去离子水中配制成新鲜氯金酸溶液，浓度为0.1～1000mg/mL。称取一定量谷胱甘肽固体溶解到去离子水中配制成谷胱甘肽溶液，浓度为0.1～1000mg/mL，将谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金试剂溶液，让其与金离子充分反应。谷胱甘肽分子作为配体充分的与Au³⁺发生络合反应，从而形成稳定的络合物[Au(GSH)]³⁺，浓度为0.1～1000mg/mL。

（2）将电极浸入一定浓度的金络合物溶液，水浴恒温，在ITO上沉积金纳米簇。

（3）在ITO电极均匀沉积一层金纳米簇后，在一定浓度Zn²⁺溶液（浓度为0.1～5.0mol/L）中进行电镀，水浴加热30～100℃，电镀时间1～8h，制备得到ZnO纳米阵列。

本发明的优点是：本发明方法克服了现有技术中ZnO排列难以控制，分布不均等缺陷。本发明可以有序的控制ZnO纳米阵列的厚度、粒径、长度等，以得到符合预期的ZnO。ZnO纳米阵列在环境保护、节能、生物传感器等方面有着广泛的应用。因此，本发明对ZnO纳米阵列的应用具有重大意义。

附图说明

图1是本发明实施例1实验组SEM结果图；

图2是本发明实施例2实验组SEM结果图。

具体实施方式

实施例1

（1）称取0.1g的氯金酸固体溶解到1mL去离子水中配制成新鲜氯金酸溶液，浓度为100mg/mL。称取1g谷胱甘肽固体溶解到1mL去离子水中配制成谷胱甘肽溶液，浓度为1000mg/mL，将谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金试剂溶液，让其与金离子充分反应。谷胱甘肽分子作为配体充分的与Au³⁺发生络合反应，从而形成稳定的络合物[Au(GSH)]³⁺，浓度为50mg/mL。