专利名称：一种有机电致发光器件的检测装置及检测方法
技术领域：
本发明涉及一种检测装置及检测方法，尤其涉及一种有机电致发光器件的检测装置及 检测方法。
背景技术：
有机电致发光显示器(OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜 色丰富等一系列的优点，具有广阔的应用前景。
目前OLED器件分光源及点阵两种，其中光源为全屏点亮型，相当于全屏为一个单像 素；而点阵型主要应用于显示屏，由多组像素组成。
在OLED的制备过程中，环境中的尘埃和蒸镀过程中的杂质会进入发光区，由于尘埃 的存在，电极之间会出现短路现象，进而出现不亮点及列连现象，使得产品成为坏品；一 些较小的尘埃即使不能产生短路，也会存在漏电现象，在长期工作后也会成为不亮点。为 了保证屏体的质量，OLED显示屏的制程完成后，需要对每片显示屏进行检测程序、老化 程序。
由于OLED显示屏是电流驱动性的显示器件，检测屏体的方法通常是观察显示屏的显 示效果来检测，即由扫描方式，观察每个通过电流的区域是否发光来判断是否存在缺陷。 然而有些缺陷只有在工作一段时间后才能表现出来，对这类缺陷的检测更加困难，常常需 要在老化程序和预烧程序完成后才能进行，此时检测出的缺陷会导致整片显示屏报废。
另一种检测方式是通过检测电流信号来判断缺陷是否存在，如中国专利CN1275074号 公开了一种由通过预定大小的电流来检测OLED显示屏的方^^。该检测方式也需要显示屏 进行工作，因而会消耗大量的能耗。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够简单有效判断屏体优良，同时检测缺陷像素的有机电致 发光器件的检测装置。
本发明的另一 目的在于提供一种使用上述检测装置对有机电致发光器件进行检测的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的其特征在于，本发明之检测装置包括电 容数据采集单元，数据存储单元，数据比较单元及输出单元，所述电容数据采集单元及数 据存储单元的输出分别连接数据比较单元的输入端，数据比较单元的输出端与输出单元连接。
所述检测装置还包括扫描单元。 所述检测装置还包括输入单元。
所述数据存储单元所存数据为有机电致发光器件的电容标准值。
所述电容标准值包括屏体电容标准值，列电容标准值，行电容标准值及像素电容标准值。 本发明的另一目的是通过以下技术方案予以实现的采用本发明之检测装置对有机电致 发光器件进行检测的步骤包括
1、 利用电容数据采集单元检测有机电致发光器件电容值；
2、 将检测到的数据与数据存储单元中的有机电致发光器件的电容标准值进行比较，并 通过输出单元输出比较结果。
本发明的另一目的还可通过以下技术方案予以实现采用本发明之检测装置对有机电致 发光器件进行检测的步骤包括
1、 利用电容数据采集单元检测有机电致发光器件屏体电容值；
2、 将检测到的数据与数据存储单元中的有机电致发光器件的电容标准值进行比较，并 通过输出单元输出比较结果；
3、 根据比较结果进行是否存在缺陷判断，无缺陷进入老化程序，有缺陷进行像素检测。 所述检测方法还可在步骤3之后对有缺陷的，记录缺陷像素位置，进行修复。 本发明基于的原理有机电致发光器件包含第一电极、有机材料层以及与所述第一电极
相对的第二电极，该结构与平行板电容器非常相近。相同结构的有机电致发光器件具有一 定的电容量，且电容量满足平行板电容计算公式，即C^e eoS/d，其中，C表示电容，e 是介电常数，eo是真空介电常数，S是象素面积，d是两电极间的面间距。若器件结构中 存在缺陷，例如附着在第一电极表面的尘埃颗粒或有机材料中的杂质等，都会造成介电常 数的变化，进而导致有机电致发光器件电容量的变化。本发明利用有机电致发光器件具有一电容标准值的特性，对其进行电容检测，将检测结 果与电容标准值比较，与电容标准值吻合即为无缺陷像素；与电容标准值相比大于或小于 该值，即为需要修复的存在缺陷的像素。本发明之检测装置及采用该装置对像素进行检测 的方法，简单而有效，并且检测时无需器件工作，减小能耗。
图1为本发明实施例的检测装置结构框图2为采用本发明之检测装置对有机电致发光器件进行检测流程图。
具体实施例方式
以下结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
参照图1、 2。本发明之有机电致发光器件检测装置包括电容数据采集单元1，数据存储 单元2，数据比较单元3及输出单元4。其中，电容数据采集单元l可为电容测量仪，数据存 储单元2为一数据存储器，将电容标准值写入数据存储器中；数据比较单元3为一比较器， 数据存储器的输出为比较器的一端输入，电容测量仪的输出为其另一端输入，在比较器中对 两个数据进行比较，根据比较器的输出结果显示到输出单元4，即可实时显示检测结果。
对有机电致发光显示屏进行检测过程如下将有机电致发光器件全行并联、全列并联， 使电容测量仪的阳极连接并联列，阴极连接并联行，检测整个屏体的电容值，若符合数据 存储器中的电容标准值则直接进入老化程序，若不符合数据存储器中的电容标准值则进行 全行并联，电容测量仪的阴极连接并联行，阳极对列引线进行扫描，对每一列的电容与数
据存储器中存储的列电容标准值对比，记录不符合数据存储单元中电容标准值的列位置Ym;
将电容测量仪的阳极连接不符合数据存储单元中电容标准值的列引线，阴极对行进行扫描， 对该列每一像素的电容与数据存储器中存储的像素电容标准值对比，记录不符合数据存储
器中电容标准值的行位置Xn;由Ym、 Xn确定缺陷像素位置，之后进入修复和老化程序。
同理，在检测完整个屏体之后，如不符合数据存储器中的电容标准值，需要确定缺陷像 素位置时，也可进行全列并联，电容测量仪的阳极连接并联列，阴极对行引线进行扫描， 对每一行的电容与数据存储器中存储的行电容标准值对比，记录不符合数据存储单元中电 容标准值的行位置Xn;将电容测量仪的阴极连接不符合数据存储单元中列电容标准值的行 引线，阳极对列进行扫描，对该行每一像素的电容与数据存储器中存储的像素电容标准值对比，记录不符合数据存储器中电容标准值的列位置Ym; SYm、 Xn确定缺陷像素位置'
之后进入修复和老化程序。 实施例1
本实施例之检测对象为0.3cmX0.3cm的绿色实验片，器件结构为阳极(ITO) / (空穴 注入层)HIL/ (空穴传输层)HTL/ (发光层)EML/ (电子传输层)ETL/ (阴极)LiF/Al，本 实施例所述实验片整片屏体为一个像素点。
将电容测量仪的阳极连接实验片的阳极，阴极连接实验片的阴极，检测整个屏体的电容 值5.06nF，符合数据存储器中的电容标准值范围4.50nF 6.50nF，电流测试结果也表明实验 片无缺陷。
实施例2
本实施例之检测对象为0.3cmX0.3cm的绿色实验片。
将电容测量仪的阳极连接实验片的阳极，阴极连接实验片的阴极，检测整个屏体的电容 值为4.00nF，不符合数据存储器中的电容标准值范围4.50nF 6.50nF，测试时发光区亮度低， 在放大镜中发现显示区有杂质，进入修复程序后，将缺陷修复，重复前述测试过程，测得实 验片的电容值为4.64nF，符合数据存储器中的电容标准值范围4.50nF 6.50nF，此时发光区 工作正常。
实施例3
本实施例之检测对象为0.3cmX0.3cm的绿色实验片。
将电容测量仪的阳极连接实验片的阳极，阴极连接实验片的阴极，检测整个屏体的电容 值190nF，远远超出数据存储器中的电容标准值范围4.50nF 6.50nF，并且很不稳定，此实 验片有明显的短路点，不可修复，属报废品。
实施例4
本实施例之检测对象为发光区面积4.5cmX4.5cm的光源，本实施例所述光源整片屏体为 一个像素点。
将电容测量仪的阳极连接光源的阳极，阴极连接光源的阴极，检测整个屏体的电容值为 190nF，符合数据存储器中的电容标准值范围120nF 260nF，直接进入老化程序。 实施例5本实施例之检测对象为发光区面积4.5cmX4.5cm的光源。
将电容测量仪的阳极连接光源的阳极，阴极连接光源的阴极，检测屏体的电容值为 6L7nF，不符合数据存储器中的电容标准值范围120nF 260nF，发光区亮度低，且闪烁，显 微镜下观察，显示区有杂质，进入修复程序，修复后，重复前述测试过程，测得光源的电容 值为132nF，符合数据存储器中的电容标准值范围120nF 260nF，可正常工作。
实施例6
本实施例之检测对象为128X64的点阵屏。
将待检测的128X64的点阵屏全行并联、全列并联，使电容测量仪的阳极连接并联列， 阴极连接并联行，检测整个屏体的电容值为900nF，符合数据存储器中的电容标准值范围 800nF 1200nF，直接进入老化程序。
实施例7
本实施例之检测对象为128X64的点阵屏。
将待检测的128X64的点阵屏全行并联、全列并联，使电容测量仪的阳极连接并联列， 阴极连接并联行，检测整个屏体的电容值为235nF，不符合数据存储器中的电标准容值范围 750nF 1300nF，则进行全行并联，电容测量仪的阴极连接并联行，阳极对列引线进行扫描， 对每一列的电容与数据存储器中存储的列电容标准值对比，当扫描到第17列时，测得该列电 容值为0.55nF，不符合数据存储器中的列电容标准值范围60.0nF 100nF，记录不符合数据 存储器中列电容标准值的列位置Yn，将电容测量仪的阳极连接第17列的列引线，阴极对行 进行扫描，扫描该列，对该列每一像素的电容与数据存储器中存储的像素电容标准值对比， 当扫描到第52行时，测得第17列、第52行该点像素电容值为0.33nF,不符合数据存储器中 的像素电容标准值范围2.00nF 4.00nF，继续扫描，直至扫描完64行，未发现不符合数据存 储器中像素电容标准值的像素，记录不符合数据存储器中像素电容标准值的行位置X52;由 Y17、 乂52确定缺陷像素位置。继续并联所有行，从第18列开始扫描，直至扫描完128列，未 发现不符合数据存储器中列电容标准值的列，之后进入修复和老化程序。虽然以上描述了本发明的最佳实施例，但本发明的技术范围并不局限于上述讨论的范围。 上述提供的实施例只是仅仅用于进一步在发明内容的基础上解释本发明。应该理解的是，本 领域的技术人员可以对上述过程做出多种改进，但是所有的这类改进也都属于本发明的范围 内。
权利要求
1.一种有机电致发光器件的检测装置，其特征在于，包括电容数据采集单元，数据存储单元，数据比较单元及输出单元，所述电容数据采集单元及数据存储单元的输出分别连接数据比较单元的输入端，数据比较单元的输出端与输出单元连接。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的检测装置，其特征在于，所述检测装 置还包括扫描单元及输入单元。
3. 根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件的检测装置，其特征在于，所述数 据存储单元所存数据为有机电致发光器件的电容标准值。
4. 根据权利要求3所述的有机电致发光器件的检测装置，其特征在于，所述电容标 准值包括屏体电容标准值，列电容标准值，行电容标准值及像素电容标准值。
5. —种采用如权利要求1 4所述的有机电致发光器件的检测装置对有机电致发光 器件进行检测的方法，其步骤包括A、利用电容数据釆集单元检测有机电致发光器件电容 值；B、将检测到的数据与数据存储单元中的有机电致发光器件的电容标准值进行比较，并 通过输出单元输出比较结果。
6. —种釆用如权利要求1 4所述的有机电致发光器件的检测装置对有机电致发光 器件进行检测的方法，其步骤包括A、利用电容数据采集单元检测有机电致发光器件屏体 电容值；B、将检测到的数据与数据存储单元中的有机电致发光器件的电容标准值进行比较， 并通过输出单元输出比较结果；C、根据比较结果进行是否存在缺陷判断，无缺陷进入下一 步程序，有缺陷进行像素检测。
7. 根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述步骤C后还进行D、记录缺 陷像素位置，进行修复。
全文摘要
本发明公开了一种有机电致发光器件的检测装置及检测方法，其包括分别连接数据比较单元输入端的电容数据采集单元、数据存储单元，及数据比较单元、输出单元。检测的步骤包括A.利用电容数据采集单元检测有机电致发光器件电容值；B.将检测的数据与数据存储单元中的有机电致发光器件的电容标准值进行比较，通过输出单元输出比较结果。本发明利用有机电致发光器件具有一电容标准值的特性，对其进行电容检测，将检测结果与电容标准值比较，与电容标准值吻合即为无缺陷像素；与电容标准值相比大于或小于该值，即为需要修复的存在缺陷的像素。本发明之检测装置及采用该装置对像素进行检测的方法，简单而有效，并且检测时无需器件工作，减小能耗。
文档编号G01R31/26GK101295005SQ200710022108
公开日2008年10月29日 申请日期2007年4月28日 优先权日2007年4月28日
发明者嵩 刘, 勇 邱, 高裕弟 申请人:昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司