技术总结
本发明涉及功率半导体器件中的电流测量。一种半导体器件（1），包括：第一负载端子（11）、第二负载端子（12）和耦合到第一负载端子（11）和第二负载端子（12）的半导体本体（10），其中，半导体本体（10）被配置成沿着第一负载端子（11）和第二负载端子（12）之间的负载电流路径传导负载电流。半导体器件（1）还包括：控制电极（131），与半导体本体（10）电绝缘并且被配置成控制负载电流路径的一部分；以及电浮动传感器电极（132），布置成与所述控制电极（131）相邻，其中，传感器电极（132）与半导体本体（10）和控制电极（131）中的每个电绝缘并且电容性耦合到负载电流路径。
技术研发人员：J.巴伦舍恩;M.比纳;A.毛德
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
文档号码：201611152008
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.06.27