具有高稳定性的能隙基准电流电路结构的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管和第二NPN三极管，第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极电阻Rc的阻值为集电极与基极间阻值Rcb的90至110倍，从而在电路基本结构及工艺条件不变的前提下，有效降低了NPN三极管的集电极电阻Rc，从而能够减小NPN三极管饱和压降的影响，进而保证能隙基准电流的稳定性，且本发明的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构简单，实现成本低廉，应用范围也较为广泛。
【专利说明】具有高稳定性的能隙基准电流电路结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路结构【技术领域】，特别涉及能隙基准电流电路结构【技术领域】，具体是指一种具有闻稳定性的能隙基准电流电路结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中的能隙基准电流产生电路的原理图，如图1所示，其推导过程如下:
【权利要求】
1.一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一 NPN三极管(Ql)和第二 NPN三极管(Q2)，所述的第一 NPN三极管(Ql)和第二 NPN三极管(Q2 )为相同的三极管元件，所述的第一 NPN三极管(Ql)的基极连接所述的第二 NPN三极管(Q2)的基极，所述的第一 NPN三极管(Ql)的基极还连接第一 NPN三极管(Ql)的集电极，所述的第一 NPN三极管(Ql)的集电极连接电源，所述的第一 NPN三极管(Ql)和第二NPN三极管(Q2)的发射极均接地，所述的第二 NPN三极管(Q2)的集电极为恒流源输出端，其特征在于，所述的第一 NPN三极管(Ql)和第二 NPN三极管(Q2)的集电极电阻(R。)的阻值为集电极与基极间阻值(Reb)的90至110倍。
2.根据权利要求1所述的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，其特征在于，所述的第一 NPN三极管(Ql)和第二 NPN三极管(Q2)的集电极电阻(R。)的阻值为集电极与基极间阻值(Reb)的101.25倍。
3.根据权利要求1或2所述的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，其特征在于，所述的第一 NPN三极管(Ql)和第二 NPN三极管(Q2)具有替代P型衬底的P型体层结构。
4.根据权利要求1?3中任一项所述的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，其特征在于，所述的电路还包括能隙电阻(R1)，所述的能隙电阻(Rl)连接于所述的第二 NPN三极管(Q2)的发射极与接地之间。
5.根据权利要求3所述的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，其特征在于，所述的能隙电阻(Rl)的阻值范围为1.7ΚΩ至2K Ω。
【文档编号】G05F3/26GK103699171SQ201210369275
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2012年9月27日 优先权日:2012年9月27日
【发明者】袁巍, 黄历朝, 刘冰, 张勤 申请人:无锡华润矽科微电子有限公司