技术特征：
技术总结
本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。
技术研发人员：周前能;彭志强;李红娟;范霆铠;郭涛
受保护的技术使用者：重庆邮电大学
技术研发日：2018.09.13
技术公布日：2019.01.22