专利名称：半导体集成电路器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及RFID ( Radio Fr叫uency Identification:射频识别)系 统，尤其涉及提高ID标签安全的有效技术。
背景技术：
作为能通过无线通信进行数据交换的自动识别技术，RFID正在 得到广泛应用。RFID例如包括可存储信息的ID标签、进行该ID标 签中的信息读出或写入的读出器/写入器、以及进行该读出器/写入器 所读出的信息的管理等的主机等。在各ID标签上被分配有固有的ID信息，因此能够在物流等中， 通过在商品上贴附ID标签而使其流通，来有效地进行各商品的跟踪。但是，由于RFID通过非接触方式进行数据的读出/写入，因此， 被指出存在如下问题，即当人持有ID标签时，在本人不知道的情 况下而被第三者跟踪行动之类的安全方面的问题。作为ID标签的防止第三者取得信息的技术，公知有如下技术， 即例如错开天线和生成该ID标签的电源电压的整流电路的阻抗匹 配，或者特意增大整流电路的消耗电流等，由此缩短ID标签的通信 距离。作为这种ID标签的缩短通信距离的技术，例如有如下的技术 从外部通信装置利用指令数据变更通信响应设定值，改变影响到对应 的内部通信响应距离的参数，根据该参数变更通信响应距离的技术 (参照专利文献l);以及通过在天线和基准电位VSS之间连接电阻 等，来使阻抗匹配错开以缩短通信响应距离的技术(参照专利文献2 ) 等。[专利文献1]日本特开2006-185234号公寺艮[专利文献2]美国专利出版公开第2006/0145851号说明书 发明内容但是，在上述那样的利用RFID来缩短通信响应距离的技术中， 本发明人发现存在以下问题。通常，利用ID标签的加电(power up)顺序，使用从主机预先 设定在存储器等中的信息来更新缩短通信距离的设定，在被更新的时 刻电源功率降低，此时，在输入功率不充分大的情况下，将会导致ID 标签断电。但是，在已断电的时刻ID标签再次被充电，反复进行预定的加 电顺序。这种情况下，实现了通信距离的限制，但ID标签只在被电 波照射的情况下才反复通断。一般而言，半导体元件的阻抗因偏置的有无而存在不同，因此， 通过反复通断，来自ID标签的反射波的大小发生变动，有可能会像 对噪声进行反向散射 一样地进行工作。本发明的目的在于提供一种技术，该技术能不降低通信功率而实 现稳定的通信，并且限制ID标签的通信距离。本发明的上述目的和其他目的以及新的特征，通过本发明的叙述 和附图而得以明确。简单地说明在本申请公开的发明之中具有代表性的技术方案如下。本发明是一种半导体集成电路器件，其被用于将从读出器/写入器 接收到的电波转换成功率，并将信息返回到上述读出器/写入器的ID 标签，所述半导体集成电路器件的特征在于，包括整流电路，接收 从上述读出器/写入器输出的电波，对基于其电磁感应的功率基于其电 i兹感应的功率进行整流而生成一次电压；稳定电压电路，使上述整流 电路生成的一次电压稳定化而生成内部电源电压；指令解调电路，将施加在从上述读出器/写入器输出的电波上的指令解调成数字信号；指令解码部，对上述指令解调电路解调后的数字信号的指令进行解码；以及通信距离限制控制部，用于限制与上述读出器/写入器之间的通信 距离，其中，上述通信距离限制控制部，在设定了通信距离限制设定数 据时，不接收从上述指令解调电路输出的数字信号，其中，该通信距 离限制设定数据用于设定与上述读出器/写入器之间的通信距离限制。另外，本发明的半导体集成电路器件，上述通信距离限制控制部包括通信距离设定部，用于保存是否设定了通信距离限制设定数据 的信息，其中，该通信距离限制设定数据用来设定与上述读出器/写入 器之间的通信距离限制；功率强度监视器部，用于监视上述整流电路 生成的一次电压的功率，判断该功率是否在预先设定的任意的电场强 度以上；以及通信距离限制电路，进行控制以使得在由上述通信距离 设定部设定用来对通信距离限制进行设定的通信距离限制设定数据、 由上述功率强度监视器部判断为在任意的电场强度以下时，使上述指 令解调电路和上述指令解码部不导通，使从上述指令解调电路输出的 数字信号不输入到上述指令解码部。进而，本发明的半导体集成电路器件，上述通信距离限制控制部 包括通信距离设定部，用于保存是否设定了通信距离限制设定数据 的信息，其中，通信距离设定数据设定与上述读出器/写入器的通信距 离限制；功率强度监视器部，用于监视上述整流电路生成的一次电压 的功率，判断该功率是否在预先设定的任意的电场强度以上；以及通 信距离限制电路，在由上述通信距离设定部设定对通信距离限制进行 设定的通信距离限制设定数据、由上述功率强度监视器部判断为在任 意的电场强度以下时，关断输入到上述指令解调电路的来自上述读出 器/写入器的电波。本发明的半导体集成电路器件，上述功率强度监视器部使用稳定 电压电路生成内部电源电压时所钳位的钳位电流来对一次电压的功 率进行监视。本发明的半导体集成电路器件，上述功率强度监视器部对将钳位 电流转换成电压的钳位电压和比较用电压进行比较，将该比较结果作为判断结果输出。另外，简单表示本发明的其他技术方案的概要如下。 本发明的一种半导体集成电路器件，包括连接在外部天线上的整流电路、指令解调电路和反向散射电路，所述半导体集成电路器件的特征在于，包括稳定电压电路，使上述整流电路的电压稳定化而提供功率；功率强度监视器部，根据上述稳定电压电路的输出电路来检测电场强度；以及逻辑电路，接收来自上述指令解调电路的信号，进 行运算而输出到上述反向散射电路，其中，上述逻辑电路包括判断是 通常通信时还是距离限制时的状态管理部，在上述状态管理部判断为 是距离限制时、并且上述功率强度监视器部检测出在预定强度以下 时，断开从上述指令解调电路到指令解码部的信号路径。另外，本发明的半导体集成电路器件，上述逻辑电路包括由通信 距离限制电路构成的通信距离限制控制部，其中，该通信距离限制电 路在状态管理部判断为是通信距离限制时、由功率强度监视器部判断 为在任意的电场强度以下时，进行控制使得从指令解调电路输出的数 字信号不输入到上述指令解码部。本发明的半导体集成电路器件，上述功率强度监视器部对整流电 路生成的一次电压的功率进行监视，判断该功率是否在预先设定的任 意的电场强度以上。本发明的半导体集成电路器件，上述功率强度监视器部使用稳定 电压电路生成内部电源电压时所钳位的钳位电流来监视一 次电压的 功率。本发明的半导体集成电路器件，上述功率强度监视器部对将钳位 电流转换成电压的钳位电压和比较用电压进行比较，将该比较结果作 为判断结果输出。简单说明由本发明公开的发明之中具有代表性的技术方案所得 到的技术效果如下。(1 )由于监视钳位电流来进行通信距离限制，因此能不降低通 信效率而以稳定的工作进行通信距离的限制。(2) 另外，由于在设定了通信距离限制时限制指令的输入，因此能防止反复通断半导体集成电路器件，能防止噪声散逸。(3) 根据上述(1)、 (2)，能实现一种高可靠性的RFID系统。
图1是本发明实施方式1的半导体集成电路器件的框图。图2是表示设置在图1的半导体集成电路器件上的稳定电压电路 和功率强度监视器部的结构例的说明图。图3是表示设置在图1的半导体集成电路器件上的通信距离限制 控制部的工作的 一 例的流程图。图4是表示设置在本发明实施方式2的半导体集成电路器件上的 稳定电压电路和功率强度监视器部的结构例的说明图。图5是表示设置在本发明的其他实施方式的半导体集成电路器件 上的稳定电压电路和功率强度监视器部的结构例的说明图。
具体实施方式
下面，根据附图详细说明本发明的实施方式。在用于说明实施方 式的全部附图中，相同的部件原则上标以相同的符号而省略其反复的 说明。[实施方式1]图1是本发明实施方式1的半导体集成电路器件的框图，图2是 表示设置在图1的半导体集成电路器件上的稳定电压电路和功率强度 监视器部的结构例的说明图，图3是表示设置在图1的半导体集成电 路器件上的通信距离限制控制部的工作的一例的流程图。在本实施方式1中，半导体集成电路器件1被用于例如作为自动 识别技术的一种的RFID系统的ID标签中。如图1所示，半导体集 成电路器件1包括整流电路2、稳定电压电路3、指令解调电路4、反 向散射电路5、随机数产生电路6、逻辑电路7和通信距离限刺控制 部8。整流电路2通过与半导体集成电路器件连接的天线接收从进行信息的读出和写入的读出器/写入器输出的电波，对由电磁感应产生的功率进行整流并作为一次电压VCC输出。稳定电压电路3稳定从整流电路2输出的一次电压VCC，并作为 成为工作功率的内部电源电压VDD,分别提供给指令解调电路4、反 向散射电路5、随机数产生电路6、逻辑电路7和通信电路限制控制 部8。指令解调电路4例如用ASK ( Amplitude Shift Keying:移幅键控) 调制对附加在从进行信息的读出和写入的读出器/写入器传送来的载 波信号上的各种指令进行解调，转换成数字信号，将其输出到逻辑电 路7。反向散射(back scatter)电路5使设置在半导体集成电路器件1 上的天线端子阻抗根据数据而变化，由此调制反射波(反向散射)。 随机数产生电路6产生RFID集中控制中使用的随机数，将其输出到 逻辑电路7。逻辑电路7包括指令解码部9、状态管理部10、工作控制部11、 响应部12以及存储器13。指令解码部9对指令解调部4进行了解调 的指令进行解码，输出到工作控制部ll。成为通信距离设定部的状态管理部10例如由寄存器构成，与读 出器/写入器通信时的通信距离限制的有无的设定数据通过工作控制 部11设定。该设定数据利用读出器/写入器设定。工作控制部11根据 从指令解码部9输出的指令，执行对存储器13的信息读出/写入中的 工作控制，进行信息的读出/写入。响应部12/人工作控制部11接收响应的有无、响应种类、响应参 数的指示，根据响应数据的传送速度使反向散射电路5工作。存卡者器 13 例如由 EEPROM (Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory:电可擦写可编程只读存储器)等非 易失性半导体存储器构成，存储来自读出器/写入器的各种信息。通信距离限制控制部8包括功率强度控制部14、逻辑和电路15和开关部16。功率强度监视器部14监视一次电压VCC的功率，判断其功率是 否在预先设定的任意的电场强度以上，将判断结果作为控制信号输 出。构成通信距离限制电路的逻辑和电路15的一个输入部上，以接 收功率强度监视器部14的判断结果的方式进行连接。在该逻辑和电 路15的另一输入部上，以接收状态管理部10的通信显示的设定数据 的寄存器值的方式进行连接。逻辑和电路15的输出部上连接有构成通信距离限制电路的开关 部16的控制端子。在该开关部16的一个连接部上连接有指令解调电 路4的输出部，在该开关部16的另一连接部上连接有指令解码部9 的输入部。开关部16例如在从逻辑和电路15输出的信号为Lo信号时接通 (ON),在从逻辑和电路15输出的信号为Hi信号时断开(非导通)。 图2是表示稳定电压电路3和功率强度监视器部14的构成例的 说明图。稳定电压电路3由二极管17~19构成，功率强度监视器部14包 括恒流源20、晶体管21以及反相器22、 23。二极管17的阳极上连接有整流电路2的输出部，该二极管17的 阴极上连接有二极管18的阳极。二极管18的阴极上连接有二极管19 的阳极，该二极管19的阴极上连接有基准电位VSS。利用构成稳定电压电路3的串联连接的这些二极管17 19，从整 流电路2输出的一次电压VCC被钳位而进行稳定化，从而输出内部 电源电压VDD。另外，在功率强度监视器部14,晶体管21例如由N沟道MOS (Metal Oxide Semiconductor:金属氧化物半导体)构成。在该半导体21的一个连接部上连接有恒流源20,在该晶体管21 的另 一连接部上连接有基准电位VSS。晶体管的栅极上连接有串联连 接的二极管18和二极管19的连接部。在晶体管21的一个连接部上连接有反相器22的输入部，在该反 相器22的输出部上连接有反相器23的输入部。进行连接使得从该反 相器23输出的信号成为功率强度监视器部14的判断结果，并输入到 逻辑和电路15的一个输入部。接着，用图3的流程图说明本实施方式的通信距离限制控制部8 的工作。首先，半导体集成电路器件1接近读出器/写入器，当来自稳定电 压电路3的内部电源电压VDD成为可进行工作的电压电平时(步骤 S101),工作控制部11从存储器13中读出半导体集成电路器件1的 初始状态(步骤S102)。此时，工作控制部11判断是否设定了缩短通信距离的通信距离限 制(步骤S103)，将通信距离限制的有无设定在状态管理部10。工作 控制部11例如在设定了通信距离限制的情况下将"1" (Hi信号)设 定在状态管理部10，在没有通信距离限制的情况，即、通常通信时的 情况下，将"0" (Lo信号)设定在状态管理部10。在步骤S103的处理中，在没有设定通信距离限制的情况下，在 逻辑和电路15的另一输入部上输入了设定在状态管理部10中的Lo 信号，因此无论功率强度监视器部14的判断结果的信号状态如何， 从逻辑和电路15的输出都为Lo信号。当从逻辑和电路15输出Lo信号时，开关部16接通，由指令解 调电路4进行了解调的各种指令等被输入到指令解码部9 (步骤 S104)，半导体集成电路器件1进行指令工作(步骤S105)。由此，不限制通信距离而进行半导体集成电路器件和读出器/写入 器的通信。另一方面，在步骤S103,在设定了通信距离限制的情况下，功率 强度监视器部14判断从整流电路2输出的功率是否在预先设定的任 意的电场强度以上(步骤S106)，将该判断结果作为控制信号输出。当半导体集成电路器件1和读出器/写入器的距离接近，从整流电 路2输出的功率在预先设定的任意的电场强度以上时，从整流电路2输出的一次电压VCC的电压电平也增高，由稳定电压电路3所钳位 的电压也增高。与此伴随，晶体管21导通，从反相器23输出的判断结果成为Lo 信号。在判断信号为Lo信号时，逻辑和电路15的输出成为Lo信号 使得开关部16接通，执行步骤S104、 S105的处理。另外，在半导体集成电路器件1和读出器/写入器的距离较远，从 整流电路2输出的功率弱于预先设定的任意的电场强度时，从整流电 路2输出的一次电压VCC的电压电平也随之降低，因此，由稳定电 压电路3所钳位的电压也降低，晶体管21截止，从反相器23输出的 判断信号成为Hi信号。另外，功率强度监视器部14所判断的任意的电场强度能通过使 恒流源20的电流值可变而自由改变。这是由于通过使恒流源20的电 流值可变而使晶体管21的阈值电压值发生改变的缘故。在判断信号为Hi信号时，逻辑和电路15的输出成为Hi信号， 因此开关部16断开，即使指令解调电路4对各种指令等进行解调也 不会输入到指令解码部9，从而半导体集成电路器件1不进行工作。这样，在半导体集成电路器件1上没有设定通信距离限制时，如 果该半导体集成电路1和读出器/写入器没有接近到任意距离，则能限 制通信距离使得半导体集成电路器件1不进行工作。另外，在通信距离限制时即使半导体集成电路器件1进行了工作 时，也能使该半导体集成电路器件1的工作稳定。由此，根据本实施方式，通信距离限制控制部8能对稳定电压电 路3监视钳位电流而限制通信距离，因此能不降低通信效率而以稳定 的工作来进行通信距离的限制。[实施方式2]图4是表示本发明实施方式2的设置在半导体集成电路器件上的 稳定电压电路和功率强度监视器部的结构例的说明图。在实施方式2中，半导体集成电路器件1 (图1 )与上述实施方 式l相同，包括整流电路2、稳定电压电路3、指令解调电路4、反向散射电路5、随机数产生电路6、逻辑电路7以及通信距离限制控制 部8,与上述实施方式1不同的是稳定电压电路3和功率强度监视器 部14的结构。图4是表示稳定电压电路3和功率强度监视器部14的结构例的 框图。稳定电压电路3包括电阻24 27、转换器28、基准电源部29以 及晶体管30。另外，功率强度监视器部14包括转换器31、基准电源 部32以及反相器33。电阻24的一个连接部上连接有整流电路2的输出部，该电阻24 的另一连接部上连接有电阻25的一个连接部。另外，从该电阻24的 另一连接部输出内部电源电压VDD。电阻25的另 一连接部上连接有电阻26的一个连接部和转换器28 的正(+ )侧输入部。基准电源部29生成输入到转换器28的负(-) 侧输入部的成为比较用电压的基准电压VREF1。转换器28的输出部上连接有例如由N沟道MOS构成的晶体管 30的栅极，在该晶体管30的一个连接部上连接有电阻24的另一连接 部，该晶体管30和电阻24的连接部成为稳定电压电路3的输出部， 其输出内部电源电压VDD。另外，在晶体管的另一连接部上连接有电阻27的一个连接部。 在该电阻27的另一连接部上连接有基准电位VSS。转换器28对由电阻24、 25和电阻26进行分压后得到的一次电 压VCC和基准电源部29的基准电压VREF1进行比较，并输出该比 较结果。当分压后的一次电压VCC大于基准电压VREF1时，转换器 28输出使晶体管30导通的信号。而且，通过使晶体管30导通，使一 次电压VCC的电流经由电阻27而钳位，输出稳定后的内部电源电压 VDD。在晶体管30和电阻27的连接部上连接有转换器31的正(+ )侧 输入部，在该转换器28的负(一)侧输入部上连接以使得接收由基 准电源部32所生成的成为比较用电压的基准电压VREF2。在该转换器31的输出部上连接有转换器33的输入部。而且，进行连接使得从转换器33的输出部输出的信号成为功率 强度监视器部14的判断结果，并输入到逻辑电路15的一个输入部。接着，说明本实施方式中的功率强度监视器部14的工作。由稳定电压电路3进行了钳位的电流通过阻抗27转换成电压。 转换器31比较由电阻27进行了转换的电压和基准电源部32的基准 电压VREF2的电压电平，例如，在基准电压VREF2的电压电平较低 的情况下，即，在半导体集成电路器件1和读出器/写入器的距离足够 近时，作为功率强度监视器部14的判断结果输出Lo信号。另外，在基准电压VREF2的电压电平较高的情况下，即半导体 集成电路器件1和读出器/写入器离开某种程度时，作为功率强度监视 器部14的判断结果输出Hi信号。而且，从功率强度监视器部14输 出的判断结果被输入到逻辑电路15的一个输入部。对于其他的通信距离限制控制部8的工作，由于与实施方式l(图 3)相同，因此省略说明。由此，在本实施方式2中，通信距离限制控制部8也能对稳定电 压电路3监视钳位电流而进行通信距离限制，因此能不降低通信效率 而以稳定的工作显示通信距离。明不限定于上述实施方式，无需赘言在不脱离本发明的主旨的范围内 可以进行各种变更。例如，也可以是组合上述实施方式1的图2中的功率强度监视器 部14和上述实施方式2的图4中的稳定电压电路3的结构。这种情况下，如图5所示，稳定电压电路3由电阻24~26、转换 器28、基准电源部29和晶体管30构成，而不需要将由晶体管30进 行了钳位的电流转换成电压的电阻27。另外，对于稳定电压电路3 中的其他连接结构，与图4相同。进而，对于功率强度监视器部14，由恒流源20、晶体管21以及 反相器22、 23构成，与图2不同之处在于，连接成转换器28的判断15结果被输入到晶体管21的栅极。对于其他的通信距离限制控制部8 中的连接关系与图2相同。另外，在上述实施方式中为开关16 (图1 )连接在指令解调电路 4和指令解码部9之间的结构，开关16例如也可以连接在天线和指令 解调电路4之间。并且，在上述实施方式中，记载了通信距离限制控制部8与逻辑 电路7分开设置的结构，但也可以将通信距离限制控制部8设置在逻 辑电^各7内。[工业可利用性]本发明适用于限制与读出器/写入器之间的通信距离时的ID标签 的稳定化的通信技术。
权利要求
1.一种半导体集成电路器件，其被用于将从读出器/写入器接收到的电波转换成功率，并将信息返回到上述读出器/写入器的ID标签，所述半导体集成电路器件的特征在于，包括整流电路，接收从上述读出器/写入器输出的电波，并对基于其电磁感应的功率进行整流来生成一次电压；稳定电压电路，使上述整流电路生成的一次电压稳定化来生成内部电源电压；指令解调电路，将施加在从上述读出器/写入器输出的电波上的指令解调成数字信号；指令解码部，对上述指令解调电路解调后的数字信号的指令进行解码；以及通信距离限制控制部，用于限制与上述读出器/写入器的通信距离，上述通信距离限制控制部在设定了通信距离限制设定数据时，不接收从上述指令解调电路输出的数字信号，其中，该通信距离限制设定数据用于设定与上述读出器/写入器的通信距离限制。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述通信距离限制控制部包括通信距离设定部，用于保存是否设定了通信距离限制设定数据的 信息，其中，该通信距离限制设定数据用来设定与上述读出器/写入器 之间的通信距离限制；功率强度监视器部，用于监视上述整流电路生成的 一 次电压的功 率，并判断该功率是否在预先设定的任意的电场强度以上；以及通信距离限制电路，在由上述通信距离设定部设定了用于对通信 距离限制进行设定的通信距离限制设定数据，并由上述功率强度监视 器部判断为在任意的电场强度以下时，进行控制以使上述指令解调电 路与上述指令解码部不导通，并使从上述指令解调电路输出的数字信号不输入上述指令解码部。
3. 根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于 上述通信距离限制控制部包括通信距离设定部，用于保存是否设定了通信距离限制设定数据的 信息，其中通信距离设定数据用于设定与上述读出器/写入器的通信距 离限制；功率强度监视器部，用于监视上述整流电路生成的 一次电压的功 率，并判断该功率是否在预先设定的任意的电场强度以上；以及通信距离限制电路，在由上述通信距离设定部设定了用于对通信 距离限制进行设定的通信距离限制设定数据，并由上述功率强度监视 器部判断为在任意的电场强度以下时，关断输入到上述指令解调电路 的来自上述读出器/写入器的电波。
4. 根据权利要求2或3所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述功率强度监视器部使用上述稳定电压电路生成内部电源电 压时被钳位的钳位电流来对 一 次电压的功率进行监视。
5. 根据权利要求2或3所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述功率强度监视器部对将钳位电流转换成电压的钳位电压和 比较用电压进行比较，并将该比较结果作为判断结果输出。
6. —种半导体集成电路器件，包括连接在外部天线上的整流电 路、指令解调电路和反向散射电路，所述半导体集成电路器件的特征 在于，包括稳定电压电路，使上述整流电路的电压稳定化而提供功率； 功率强度监视器部，根据上述稳定电压电路的输出电路来检测电 场强度；以及逻辑电路，接收来自上述指令解调电路的信号，进行运算后输出 到上述反向散射电路，其中，上述逻辑电路包括判断是通常通信时还是距离限制时的状态管理部，在上述状态管理部判断为是距离限制时，并且上述功率强度监视 器部检测出在预定强度以下时，断开从上述指令解调电路到指令解码 部的信号路径。
7. 根据权利要求6所述的半导体集成电路器件，其特征在于 上述逻辑电路包括由通信距离限制电路构成的通信距离限制控制部，其中，该通信距离限制电路在上述状态管理部判断为是通信距 离限制时，并由上述功率强度监视器部判断为在任意的电场强度以下 时，进行控制以使上述指令解调电路与上述指令解码部不导通，并使 从上述指令解调电路输出的数字信号不输入上述指令解码部。
8. 根据权利要求6或7所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述功率强度监视器部对上述整流电路生成的一次电压的功率 进行监视，并判断该功率是否在预先设定的任意的电场强度以上。
9. 根据权利要求8所述的半导体集成电路器件，其特征在于 上述功率强度监视器部使用上述稳定电压电路生成内部电源电压时被钳位的钳位电流来监视一 次电压的功率。
10. 根据权利要求8所述的半导体集成电路器件，其特征在于 上述功率强度监视器部对将钳位电流转换成电压的钳位电压和比较用电压进行比较，并将该比较结果作为判断结果输出。
全文摘要
一种半导体集成电路器件，不降低通信效率而实现稳定的通信，并且限制ID标签的通信距离。在半导体集成电路器件(1)工作时，工作通信部(11)在状态管理部(10)设定缩短通信距离的通信距离限制的有无。没有通信距离限制时，从逻辑和电路(15)输出Lo信号，开关部(16)接通，从指令解调电路(4)向指令解码部(9)输入经过了解调的指令。在设定了通信距离限制时，功率强度监视器部(14)判断整流电路(2)的功率是否在所设定的电场强度以上，在小于所设定的电场强度时，逻辑和电路的输出成为Hi信号而使开关部断开，指令解调电路进行了解调的各种指令不会被输入到指令解码部，从而半导体集成电路器件不进行工作。
文档编号G06K19/07GK101276396SQ20081008117
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月18日 优先权日2007年3月30日
发明者塚本隆幸, 远藤武文 申请人:株式会社瑞萨科技