专利名称：导电薄膜的制备方法及其产品的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种导电薄膜技术，尤其涉及一种导电薄膜的制备方法及其产品。
背景技术：
随着触控屏幕等应用的市场渗透率逐渐提升，开始大量应用于手机及计算机屏幕，透明导电薄膜的需求也开始进入爆炸性的增长。现有使用最多的导电薄膜是以ITO导电玻璃为主的ITO导电薄膜，近来产品的应用逐渐开始出现可挠曲性及弯折的需求，此时以玻璃材料为基底的ITO导电薄膜便无法适用。现有的导电薄膜的制备方法是于PET或PI高分子薄膜上涂布金属导电墨水 (Conductive Ink)，成膜后的导电薄膜不但拥有绝佳的导电率而且也满足可绕屈及可弯折的需求。然而，上述金属导电墨水所使用的金属材料皆是有色非透明的，涂布后将会影响导电薄膜的透光度。此外，金属材料价钱昂贵，在相同涂布面积下，现有的导电薄膜的制备方法在维持导电薄膜良好的导电度情况下并不能有效减少金属材料的使用量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可降低生产成本及提高透光度的导电薄膜的制备方法及其产品。为实现上述目的，本发明所提供导电薄膜的制备方法包括如下步骤A)按莫尔份量1 1 1比例取正硅酸乙酯、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物，得到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合，并均勻搅拌12h以上，得到半成品涂料；C)将占总质量3 50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均勻搅拌，得到涂料成品；D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于温度为70 250°C的条件下加热5 60min，从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。本发明一种导电薄膜，采用上述所提供之导电薄膜的制备方法制成。如上所述，本发明导电薄膜的制备方法所制得的导电薄膜由于具有连续性孔洞， 能够在维持导电度的情况下，提高透光度，同时在相同涂布面积下，也能降低导电材料的使用量，达到降低生产成本的目的。
具体实施例方式为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式详予说明。
3
本发明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤A)按莫尔份量1 1 1比例取正硅酸乙酯、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物，得到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合，并均勻搅拌12h以上，得到半成品涂料；C)将占总质量3 50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均勻搅拌，得到涂料成品；其中，导电材料粒径不大于ΙΟΟΟμπι，导电材料为银、铜、奈米碳管、石墨、导电碳黑、 导电金属氧化物、导电高分子中的一种或多种；D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于温度为70 250°C的条件下加热5 60min，从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜；其中，孔洞大小范围为 100-5000 μ m,涂布方式可为旋转涂布、浸泡涂布或喷雾涂布，成膜基材为塑料基材或玻璃基材，塑料基材的材料为PC、ABS、PMMA, PPO、PET、PA、SEBS, TPU, PVC及PI中的一种。本发明一种导电薄膜，采用上述所提供之导电薄膜的制备方法制成。以下给出本发明的导电薄膜的制备方法的两种实施例。实施例一，其步骤如下A)首先按莫尔份量1 1 1比例分别取反应物正硅酸乙酯0. Imol (20. 83g)、 3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷0. Imol (24. 84g)、乙烯基三乙氧基硅烷 0. Imol (19. 03g)，得到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反应物与作为溶剂的水0.6mol(10.8g)及99%酒精 0. 6mol(27. 6g)混合，并于室温下均勻搅拌Mh，得到半成品涂料；C)将占总质量30%的粒径大小为50 200nm的导电银粒子加入到半成品涂料中均勻搅拌，得到涂料成品；D)将步骤C)的涂料以浸泡涂布方式涂布于PC基材表面，于温度为120°C的条件下加热lOmin，在PC基材表面形成孔洞大小范围为500 2000 μ m的连续性孔洞导电薄膜。实施例二，其步骤如下A)首先按莫尔份量1 1 1比例分别取反应物正硅酸乙酯0. Imol 83)、 3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷0. Imol (24. 84g),乙烯基三甲氧基硅烷 0. Imol (14. 82g)，得到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反应物与作为溶剂的水0.6mol(10.8g)及99%酒精 0. 6mol(27. 6g)混合，并于室温下均勻搅拌Mh，得到半成品涂料；C)将占总质量20%的粒径大小为100 300nm的导电铜粒子加入到半成品涂料中均勻搅拌，得到涂料成品；D)将步骤C)的涂料以浸泡涂布方式涂布于PC基材表面，于温度为120°C的条件下加热lOmin，在PC基材表面形成孔洞大小范围为1500 3000 μ m的连续性孔洞导电薄膜。如上所述，本发明导电薄膜的制备方法制得的导电薄膜由于具有连续性孔洞，能够在维持导电度的情况下，提高透光度，同时在相同涂布面积下，也能降低导电材料的使用量，达到降低生产成本的目的。
权利要求
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤A)按莫尔份量1 1 1比例取正硅酸乙酯、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、 乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物，得到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合，并均勻搅拌12h以上，得到半成品涂料；C)将占总质量3 50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均勻搅拌，得到涂料成Pm ；D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于温度为70 250°C的条件下加热5 60min，从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。
2.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤B)中的搅拌时间是 24h。
3.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤C)中的导电材料为银、铜、奈米碳管、石墨、导电碳黑、导电金属氧化物、导电高分子中的一种或多种。
4.如权利要求1或3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤C)中的导电材料粒径不大于1000 μ m。
5.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤D)中的涂布方式可为旋转涂布、浸泡涂布或喷雾涂布。
6.如权利要求1或5所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤D)中的孔洞大小范围为100-5000 μ m。
7.一种导电薄膜，其特征在于采用如权利要求1 6任一项所述的导电薄膜的制备方法所制成。
全文摘要
本发明公开了一种导电薄膜的制备方法及其产品。该导电薄膜的制备方法包括以下步骤A)按莫尔份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物，得到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合，并均匀搅拌12h以上，得到半成品涂料；C)将占总质量3～50％的导电材料加入到半成品涂料中进行均匀搅拌，得到涂料成品；D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于温度为70～250℃的条件下加热5～60min，从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。本发明通过导电薄膜的制备方法制备导电薄膜，可降低产品生产成本及提高透光度。
文档编号G06F3/041GK102194541SQ20101012467
公开日2011年9月21日 申请日期2010年3月6日 优先权日2010年3月6日
发明者黄志豪 申请人:富港电子(东莞)有限公司, 正崴精密工业股份有限公司