护层13上形成彼此绝缘的连接电极15和像素电极14，从而形成如图3e所示的结构。这样，连接电极15通过第四过孔4’连接触控电极12，然后通过第二过孔2’连接公共电极10。也就是说，采用连接电极15将触控电极12和公共电极10电连接在一起，从而使得公共电极10通过连接电极15将公共电压信号传输至触控电极12。另外，像素电极14依次通过第五过孔5’、第三过孔3’和第一过孔I’连接薄膜晶体管的数据线金属层8，从而使得数据线金属层8将数据信号传输至像素电极14。
[0049]应用本实施例所述的触控显示装置，利用同一次光刻工艺形成五个过孔(平坦层9上的第一过孔1’、界面层11上的第二过孔2’和第三过孔3’、以及保护层13上的第四过孔4’和第五过孔5’)，使得连接电极15首先通过第四过孔4’连接触控电极12，然后通过第二过孔2’连接公共电极10，同时使得像素电极14依次通过第五过孔5’、第三过孔3’和第一过孔I’连接薄膜晶体管的数据线金属层8。与现有技术相比，制备本实施例的触控显示装置时，用于使连接电极15连接触控电极12和公共电极10的第四过孔4’和第二过孔2’的形成，以及用于连接像素电极14和薄膜晶体管的数据线金属层8的第五过孔5’、第三过孔3’和第一过孔I’的形成仅需要一次光刻工艺就能完成。因此，本发明的触控显示装置的制备工艺简单，工艺误差小，生产周期短，生产成本低；触控显示装置的结构的改进带来了广品生广效率的大幅提尚。
[0050]在本发明一优选的实施例中，连接电极15和像素电极14同层设置。具体地，形成同层设置的连接电极15和像素电极14的方法为:首先在保护层13上依次沉积一层导电电极材料和一层光刻胶。其次，对光刻胶进行曝光和显影，以去掉对应要形成的连接电极15和像素电极14之间区域的光刻胶。第三，利用刻蚀工艺去掉暴露在光刻胶之外的导电电极材料。第四，利用灰化工艺去掉剩余的光刻胶，从而形成彼此不连接的、且同层设置的连接电极15和像素电极14。
[0051]在本实施例中，采用同一次光刻工作形成同层设置的连接电极15和像素电极14，有利于进一步简化触控显示装置的制备工艺，进一步提高了生产效率。
[0052]在本发明一优选的实施例中，参照图1，触控显示装置还包括基材1，薄膜晶体管位于基材I上。特别地，薄膜晶体管优选为低温多晶硅薄膜晶体管。薄膜晶体管具体包括N型金属氧化半导体、栅极绝缘层5、扫描线金属层6、层间绝缘层7和数据线金属层8。其中，N型金属氧化半导体位于基材I上。栅极绝缘层5位于N型金属氧化半导体上。扫描线金属层6位于栅极绝缘层5上。层间绝缘层7位于扫描线金属层6上。数据线金属层8位于层间绝缘层7上。
[0053]具体地，基材I可以是玻璃。在基材I上依次形成非晶硅层2和用于覆盖非晶硅层2的阻隔层3。N型金属氧化半导体的N通道层4位于阻隔层3上。N通道层4的两外侧端，分别具有N+型层41以及N-型层42。N+型层41位于N通道层4的最外侧端，N-型层42邻接于N+型层41。N通道层4的内部，是N通道层4的多晶硅层43 (Poly)。扫描线金属层6位于栅极绝缘层5 (Gate Insulat1n Layer, GI)上，用于与N通道层4绝缘。层间绝缘层7 (Inter-Level Dielectric，ILD)位于扫描线金属层6和栅极绝缘层5上。扫描线金属层6通过穿越开设于层间绝缘层7上的通孔和开设于栅极绝缘层5上的通孔与N+型层41连接。平坦层9位于数据线金属层8上。
[0054]本发明实施例还提供了一种制备工艺简单的电子设备。该电子设备包括上述实施例中所述的触控显示装置。特别地，电子设备可以为:液晶显示面板、电子纸、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何触控显示功能的产品或部件。
[0055]本发明实施例还提供了一种用于制备上述触控显示装置的方法。如图4所示，是本实施例用于制备触控显示装置的方法的流程示意图。本实施例涉及的制备方法，主要包括以下步骤:
[0056]步骤101:提供薄膜晶体管。
[0057]步骤102:依次在薄膜晶体管上形成平坦层9、公共电极10、界面层11、触控电极12和保护层13。
[0058]步骤103:利用同一次光刻工艺，在平坦层9上形成第一过孔I ’，在界面层11上形成第二过孔2’和与第一过孔I’相连通的第三过孔3’，并在保护层13上形成与第二过孔2’相连通的第四过孔4’和与第三过孔3’相连通的第五过孔5’。
[0059]步骤104:在保护层13上形成连接电极15和像素电极14，使得连接电极15通过第二过孔2’连接触控电极12，还通过第一过孔I’连接公共电极10 ;并使得像素电极14依次通过第五过孔5’、第三过孔3’和第一过孔I’与薄膜晶体管的数据线金属层8电连接。
[0060]在本实施例中，在保护层13上形成连接电极15和像素电极14，并使得连接电极15和像素电极14同层设置。
[0061]在本实施例中，上述用于制备触控显示装置的方法还包括:第一，提供基材I。第二，在基材I上薄膜晶体管。薄膜晶体管优选为低温多晶硅薄膜晶体管。
[0062]如图5所示，是本发明实施例中在基材上形成薄膜晶体管的方法的流程示意图。本实施例所述的在基材I上形成薄膜晶体管的方法，主要包括以下步骤:
[0063]步骤201:在基材I上形成N型金属氧化半导体。
[0064]步骤202:在N型金属氧化半导体上形成栅极绝缘层5。
[0065]步骤203:在栅极绝缘层5上形成扫描线金属层6。
[0066]步骤204:在扫描线金属层6上形成层间绝缘层7。
[0067]步骤205:在层间绝缘层7上形成数据线金属层8。
[0068]上述各步骤的具体细化，可参见上面结合图1至图3e对本发明触控显示装置的说明，在此不再详细赘述。
[0069]可见，应用本实施例所述的用于制备触控显示装置的方法，利用同一次光刻工艺形成五个过孔(平坦层9上的第一过孔1’、界面层11上的第二过孔2’和第三过孔3’、以及保护层13上的第四过孔4’和第五过孔5’)，使得连接电极15首先通过第四过孔4’连接触控电极12，然后通过第二过孔2’连接公共电极10，同时使得像素电极14依次通过第五过孔5’、第三过孔3’和第一过孔I’连接薄膜晶体管的数据线金属层8。与现有技术相比，应用本实施例所述方法制备触控显示装置时，用于使连接电极15连接触控电极12和公共电极10的第四过孔4’和第二过孔2’的形成，以及用于连接像素电极14和薄膜晶体管的数据线金属层8的第五过孔5’、第三过孔3’和第一过孔I’的形成仅需要一次光刻工艺就能完成。因此，本实施例所述的制备方法工艺简单，工艺误差小，生产周期短，提高了触控显示装置生产效率的同时降低了生产成本。
[0070]虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种触控显示装置，其特征在于，包括薄膜晶体管，以及依次形成于所述薄膜晶体管上的平坦层、公共电极、界面层、触控电极、保护层、连接电极和像素电极； 所述平坦层上开设有第一过孔，所述界面层上开设有第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔，所述保护层上开设有与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔；所有过孔通过同一次光刻工艺形成； 所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极，并通过所述第二过孔连接所述公共电极； 所述像素电极依次通过所述第五过孔、所述第三过孔和所述第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。2.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述连接电极和所述像素电极同层设置。3.根据权利要求1或2所述的触控显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。4.根据权利要求3所述的触控显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括: N型金属氧化半导体； 位于所述N型金属氧化半导体上的栅极绝缘层； 位于所述栅极绝缘层上的扫描线金属层； 位于所述扫描线金属层上的层间绝缘层；以及 所述数据线金属层，其位于所述层间绝缘层上。5.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的触控显示装置。6.一种用于制备触控显示装置的方法，其特征在于，包括: 提供薄膜晶体管； 依次在所述薄膜晶体管上形成平坦层、公共电极、界面层、触控电极和保护层； 利用同一次光刻工艺，在所述平坦层上形成第一过孔，在所述界面层上形成第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔，并在所述保护层上形成与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔； 在所述保护层上形成连接电极和像素电极，使得所述连接电极通过所述第二过孔连接所述触控电极，还通过所述第一过孔连接所述公共电极；并使得所述像素电极依次通过所述第五过孔、第三过孔和第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述保护层上形成所述连接电极和所述像素电极，并使得所述连接电极和所述像素电极同层设置。8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括形成所述薄膜晶体管的方法，包括: 提供N型金属氧化半导体； 在所述N型金属氧化半导体上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成扫描线金属层； 在所述扫描线金属层上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成所述数据线金属层。
【专利摘要】本发明公开了一种触控显示装置及其制备方法、电子设备。制备触控显示装置时，用于使连接电极连接触控电极和公共电极的过孔的形成，以及用于连接像素电极和数据线金属层的过孔的形成仅需一次光刻工艺就能完成。本发明的触控显示装置的制备工艺简单，工艺误差小，生产周期短，生产成本低；大幅提高了生产效率。
【IPC分类】G06F3/041, H01L21/768
【公开号】CN104915052
【申请号】CN201510201023
【发明人】陈归, 薛景峰
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年4月24日