专利名称：信息再现方法及信息记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于光盘的信息再现方法和信息记录介质。
背景技术：
虽然已知各种照射激光，把信息记录在薄膜上(记录膜)的原理，但是，利用着其中膜材料相变化(也称相转移、相变化)等，由于激光照射而原子排列变化。
通常，这些信息记录介质，由基板上的第一保护层、GeSbTe系等记录膜、上部保护层、反射层构成，通过光照射使记录膜非结晶化进行记录，由结晶化进行消除。最小标记尺寸，受点衍射极限限制。
因此，再现衍射极限以下的标记的方法，到目前为止已知有利用超解象或者磁区放大的方法。例如，特开平10-269627号公报(专利文献1)中使用GeSbTe膜等作为超解象再现层，通过激光热量、形成尺寸比点直径小的光学孔径，形成微小标记进行记录。而且，特开平6-295479号公报(专利文献2)、特开2004-087041号公报(专利文献3)是所谓MAMMOS(磁区放大磁-光系统)，已知有如下方法，通过在扩大再现层上进行磁转印形成记录磁区，来自再现光照射部的再现光照射，使上述记录磁区扩大到与再现光的口径完全一致为止。
专利文献1特开平10-269627号公报专利文献2特开平6-295479号公报专利文献3特开2004-087041号公报发明内容在上述利用超解象或者磁区扩大的再现方法中，可以再现衍射极限以下的标记，分别存在以下问题。
在利用超解象的专利文献1所述的方法中，由于光学口径形成为比点直径小，再现信号量减少，存在再现信号的SNR变低的问题。
专利文献2和3所述的磁区扩大再现(MAMMOS)，装置中需要磁铁，装置复杂，而且如同ROM一样，由于凸凹反射率变化不能读取信号，存在装置难以用于再现反射率信号和磁信号两者的问题。
本发明就是为了解决上述问题，其构成如下所述。即，具有记录层和再现层，根据记录层的记录标记，利用再现层的所定区域，扩大到比上述记录标记大的扩大再现的原理。这种扩大再现有以下3个种类。
(1)在记录层上，形成由核形成促进材料构成的记录标记。因此，在对应于该记录标记的区域内，再现层通过光束照射，由非晶体结晶变成晶体，形成扩大标记。扩大标记一形成，反射率就发生变化，这样进行信息再现。
利用图1和2说明该原理。图1，是表示信息再现(1)的原理图。首先，通过核形成促进材料，形成连接记录标记4和记录标记4的再现层5。记录标记4的点前进方向的大小，是最短标记的长度在衍射极限以下。如果达到结晶温度，由非晶体就变成晶体，再现层成为扩大标记7。如图2所示，在再现层接近核形成促进材料(记录标记)的情况下，与不接近核形成促进材料(记录标记)的情况比较，具有从低温开始发生结晶的特性。这样，如果点1在信息记录介质的记录标记4及再现层5上聚焦，把再现层5一加热到扩大再现温度11，非晶体状态的再现层，就以记录标记为中心结晶，形成在点内扩大的结晶区域(扩大标记)7，在衍射极限以上区域内发生反射率变化。在所述结晶区域(扩大标记)7内，检测出作为反射率变化的再现信号，由此可以再现衍射极限以下的记录标记。
(1)的方法的优点，是降低了扩大再现的温度。与(2)和(3)的方法相比，有降低扩大再现时激光功率的优点。扩大再现时，激光功率一降低，再现装置中就可以使用输出功率低的廉价激光器。
(2)在记录层上，形成由晶体材料构成的记录标记。因此，在对应于该记录标记的区域内，再现层通过光束照射，由非晶体结晶变成晶体，形成扩大标记。扩大标记一形成、反射率就发生变化，由此进行信息再现。
利用图11和12说明该原理。图11是表示信息再现(2)的原理图。首先，通过晶体材料形成记录标记104和接近记录标记104的再现层105。记录标记104的点前进方向的大小，是最短标记的长度在衍射极限以下。一达到结晶温度，再现层105就由非晶体变成晶体，成为扩大标记107。如图12所示，在再现层接近晶体(记录标记)的情况下，与不接近晶体(记录标记)情况相比，具有从低温开始发生结晶的特性。这样，如果点1在信息记录介质的记录标记104及再现层105上聚焦，把再现层105一加热到扩大再现温度111，非晶体状态的再现层，就以记录标记为中心结晶，形成在点内扩大的结晶区域(扩大标记)107，在衍射极限以上的区域内发生反射率变化。在所述结晶区域(扩大标记)107的反射率变化被作为再现信号检出，衍射极限以下的记录标记可以再现。
(2)的方法的优点，是由于记录标记是晶体，可以在记录膜上使用引起晶体和非晶体状态变化的相变化材料，由此，不仅可以用于ROM或者WO(一次写入式)，而且可以用于RAM(可变书写型)的扩大再现中。扩大再现时的激光功率可以比(3)低，因此再现装置中可以使用输出功率更低的廉价激光器。
(3)在记录层上，形成吸收率比非记录部大的记录标记。因此，在对应于该记录标记的区域内，再现层通过光束照射，由晶体状态融化(变成非晶体)，形成扩大标记。此时，对应于记录标记的、上述再现层的区域，由于热量从上述记录标记传递过来而熔化。扩大标记一形成，反射率就发生变化，由此进行信息再现。
利用图18和19说明该原理。图18是表示信息再现(3)的原理图。首先，形成吸收率大的记录标记174和再现层175。记录标记174的点前进方向的大小，是最短标记的长度在衍射极限以下。一达到熔化温度，再现层就由晶体进行熔化，即变成非晶体，成为扩大标记177。如图19所示，再现层175，在吸收率大的部分(记录标记)，相对吸收率小的部分(记录标记以外)温度变得较高，具有在再现功率低时开始发生非晶体化的特性。这样，如果点1，在信息记录介质的记录标记174及再现层175上聚焦，在再现层175上，一照射扩大再现功率181，晶体状态的再现层，就以记录标记为中心变成非晶体，形成在点内扩大的非晶体区域((扩大标记)177，在衍射极限以上区域内产生反射率变化。在所述非晶体化区域(扩大标记)177内的反射率变化作为再现信号被检出，衍射极限以下的记录标记的再现成为可能。
方法(3)有两个优点。一个是由于扩大再现的功率高，具有不易受环境温度影响的优点。另一个是由于点通过时，如果再现功率一没有照射在再现层上，再现层就结晶，在后面进行扩大再现之前不需要再现准备(结晶)过程。
根据本发明，能够再现装置简单、且记录标记在衍射极限以下的介质。
图1是本发明第1实施例的原理图；图2是本发明第1实施例的再现层的结晶特性；图3是本发明第1实施例的介质的截面图；图4是本发明第1实施例的介质制作工艺；图5是记录波形的简要图；图6是本发明的信息再现装置的简要图；图7是本发明的信息再现装置的点排列图；图8是本发明第1实施例的再现特性；图9是本发明第2实施例的介质截面图；图10是本发明第2实施例的介质制作工艺；图11是本发明第3实施例的原理图；图12是本发明第3实施例的再现层的结晶特性；图13是本发明第3实施例的介质截面图；图14是本发明第4实施例的介质截面图；图15是本发明第5实施例的介质截面图；图16是本发明第5实施例的介质制作工艺；图17是本发明第3实施例的再现特性；图18是本发明第6实施例的原理图；图19是本发明的第6实施例的再现层的反射率特性；图20是本发明第6实施例的介质截面图；图21是本发明第6实施例的再现特性；图22是本发明第7实施例的介质截面图；图23是本发明第8实施例的介质截面图；图24是本发明第9实施例的原理图；图25是本发明第9实施例的介质截面图；图26是本发明第10实施例的介质截面图；
图27是本发明第11实施例的介质截面图；图28是本发明第12实施例的原理图；图29是本发明第12实施例的介质截面图；图30是本发明第13实施例的介质截面图；图31是本发明第14实施例的介质截面图；图32是本发明第15实施例的介质截面图；图33是本发明第16实施例的介质截面图；图34是本发明第17实施例的介质截面图；图35是本发明第18实施例的介质截面图；图36是本发明第19实施例的介质截面图；图37是现有例子的信息记录介质的一个例子的截面图；图38是现有例子的信息记录介质的一个例子的截面图。
具体实施例方式
下面由实施例详细说明本发明。
实施例1实施例1，根据上述(1)由核形成材料构成的ROM记录标记，说明在再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图3是表示本发明第1实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。该介质是以如下方式制作的。
图4中表示介质制作工艺。首先，工序1，是在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，依次形成由Ag98Pd1Cu1构成的200nm厚的反射层6、由CrO3构成的20nm厚的保护层8、由Ge6Sb2Te9构成的10nm厚的反射层5、由Bi-Te-N构成的膜厚20nm的ROM记录标记形成材料31、由SiO2构成的厚度为20nm的ROM标记形成用保护层32。然后，通过旋转喷涂，形成用紫外线固化树脂形成的、厚度大约为0.1μm的ROM标记形成用基板33。
然后，在工序2中，是在具有激光34的信息记录装置中，通过与记录信息对应的记录脉冲，在ROM记录标记形成材料31上，进行局部加热处理。信息记录装置的波长为405nm，开口数值为0.85。因此，虽然光点直径(λ/NA)0.87为414nm，但是，控制记录功率和记录脉冲，只使点中央热量高的部分，照射ROM记录标记形成材料31。以线速度5m/s进行。其中，处理加热处理部35形成间隔，未处理部分36形成标记。
标记尺寸，从衍射极限以上的170nm、到衍射极限以下的40nm为止，一边变化尺寸、一边顺次记录。
然后，如工序3和4所示，在ROM记录标记形成材料31和ROM标记形成用保护层32之间，剥离上述信息记录介质，用碱溶液构成的侵蚀液浸泡1小时，进行侵蚀处理。通过该处理，只有加热处理部35被侵蚀除去。这样形成ROM记录标记24。
然后，如工序5所示，利用ZnS SiO2，通过溅射，形成30nm厚保护层3。间隔23，是在形成保护层3时，在记录标记24的间隙，层积保护层材料形成的。然后，通过旋转喷涂，利用紫外线固化树脂，形成厚度大约为0.1μm的基板2。
其中，在形成工序2的ROM记录标记时，虽然使用波长是405nm、开口数值为0.85的激光器，但是也可以使用波长更短的激光器或者开口数值更大的激光器进行记录，也可以变化线速度进行加热处理。
虽然ROM标记形成用基板、没有形成ROM标记形成用保护层，但是在ROM记录标记用形成材料表面，再进行加热处理也可以。在这种情况下，也可以使用激光照射之外的电子射线照射、进行加热或者局部电流加热的方法。
另外，这里，加热处理使加热处理部35成为间隔，未处理部36成为标记，但是处理成加热处理部成为标记也可以。在这种情况下，改变侵蚀液的浓度或者种类，只除去未处理部，因此能够形成与上述同样的ROM记录标记24。
(扩大再现的准备方法)如上所述，制作的盘再现层5进行如下所述的初期非晶体化。使上述信息记录介质盘，以5m/s线速度旋转，用5mW的触发脉冲(ゥインド)幅度为1/2以下的脉冲光照射再现层5，进行初期非晶体化。除了这样进行初期非晶体化之外，如图7(a)～(f)所示，扩大再现用点71的点前进方向的前后，任何一个方向上设计有扩大再现备用点72，在信息再现前或者信息再现后照射激光，也可以预先准备进行非晶体化扩大再现。除了这样的扩大再现用点之外，通过设计扩大再现备用点72，由于能够几乎在再现的同时进行非晶体化，不必为了再现准备、进行另外的激光照射。而且，如图7(b)、(c)、(d)、(f)所示，两侧的轨迹一准备有也能够进行照射激光点，则两侧轨迹也能够非晶体化，而具有降低两侧轨迹串扰的效果。如图7(c)、(d)所示，如果在点前进方向上一使用长点，则即使低功率也能够进行非晶化。
(信息再现方法和信息再现装置)图6是表示信息再现装置的方框图。
作为从头52一部分的激光光源53(是蓝光，波长为大约410nm)射出的光，通过准直透镜54，被准直变成大致平行光束55。光束55，通过物镜56，照射在光信息记录介质上，在信息记录介质上形成点51。然后，通过分光器57或者全息元件58等，被传导到伺服检测器59和信号检测器60。来自各个检测器的信号，进行加减运算处理，获得跟踪误差信号或者聚焦误差信号等伺服信号，输入到伺服电路。伺服电路，根据获得的跟踪误差信号和聚焦误差信号，控制物镜56的驱动装置61或者光头52整体的位置，使光点51的位置，位于目的记录/再现区域内。检测器60的加法信号，输入到信号再现方块62。输入信号，通过信号处理电路进行滤波处理、频率化等处理之后，进行数字化处理。数字化处理之后的数字信号，通过地址检测电路和检波电路处理。微处理器，根据地址检测电路检测出的地址信号，计算光点51在信息记录介质上的位置，通过位置自动控制装置使光点52和光点51位于目的记录单位区域(扇区)内。
在上位装置指示信息记录再现装置记录的情况下，微处理器接受来自上位装置的记录数据，存储在存储器中，同时控制自动位置控制装置，使光点51位于目的记录区域内。微处理器，根据来自信号再现方块62的地址信号，在确认光点51位于正常记录区域内之后，控制激光驱动器，将存储器内的数据记录在目的记录区域内。
利用与上述信息记录介质相对应的信息再现装置，进行信息记录和再现。下面，说明本信息再现装置的操作。而且，作为控制进行记录再现时的电动机的方法，采用每一个区域，进行记录再现变化的盘的旋转数的ZCAV(区域常数线性变化)方式。盘的线速度大约为5m/s。
在盘上记录信息时，采用1-7pp变频方式进行记录。来自记录装置外部的信息以8比特为1个单位，传输到调制器。以该调制方式，在记录介质上，记录对应于8比特信息的2T～9T的记录标记长度，进行信息记录。而且，在这里，T表示信息记录时的时钟中期，为17.1ns。
通过调制器变换的2T～9T数字信号，被传输到记录波形发生电路。上述记录波形发生的电路内，使2T～9T信号时序上，交互对应于“0”、“1”，在为“0”情况下，照射低功率水平的激光功率，在为“1”情况下照射高功率脉冲或者脉冲序列。
图5表示记录脉冲的一个例子。高功率脉冲的幅度，大约为2Tw/2～Tw/2，在形成3T以上的记录标记时，使用多个高功率水平(Pw)脉冲构成的脉冲序列，在上述脉冲序列与脉冲序列之间没有形成记录标记的部分，使用中间功率水平(Pe)、甚至更低的功率水平(Pb)。通过这些组合，构成记录脉冲。其中，高功率水平为5mW，中间功率水平为1mW，低功率水平为0.5mW。这里表示的脉冲只不过是一个例子，其他形式、水平的记录脉冲也可以。
这样，光盘上被低功率水平激光束照射的区域，不发生变化；被高功率水平脉冲序列照射的区域，被加热处理。
而且，在上述记录波形发生电路内，在发生用于形成标记部的一系列高功率脉冲序列时，对应于标记部的前后的空间长度，具有对应于多脉冲波形的前面脉冲宽度、与最后尾部的脉冲宽度变化方式的多脉冲波形表(适应型记录波形控制)，这样，能够极大排除在标记之间发生的、标记之间热干涉影响的多脉冲记录波形。
在本实施例中，本信息再现装置，虽然能够记录信息，但是一般在信息再现装置中，即使没有记录功能也能够扩大再现。而且，信息记录也可以使用本信息再现装置之外的装置进行。
(本发明的信息再现方法)
在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层结晶，发生反射率变化。本实施例的再现层，虽然从接近核形成促进物质的130℃开始结晶，但是在不接近核形成促进物质情况下，具有在200℃开始结晶的结晶特性，扩大再现温度高于130℃、低于200℃。
再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的ROM标记。Pf为0.3mW，边改变扩大再现功率(Pr1)，边调查记录标记的CNR，获得如图8所示的再现结果。与Pf相同，在0.3mW，检测不出来自标记的信号，比Pf高1.2mW时、CNR为40dB，比Pf高1.3mW时、CNR为45dB，最大得到51dB。再一提高功率进行扩大再现，就变成在3mW时为45dB，在3.2mW时为41dB。能够使聚焦、跟踪用再现功率，稳定在0.2mW到0.5mW范围内进行跟踪。
这样，就理解了得到良好的扩大再现特性的可见聚焦、跟踪用再现功率(Pf)，与扩大再现功率(Pr1)之间的关系为2×Pf≤Pr1。
(与以前的例子比较)下面，表1表示一边变化标记尺寸，一边与以前的例子比较，调查扩大再现的效果。扩大再现的效果用两个再现的差表示。
以前的例子不具有再现层，使用通过凸凹变化标记尺寸的ROM盘。所述以前的介质的结构如图37所示。
表1标记尺寸 以前的再现结果 发明的扩大再现结果扩大再现的效果(nm) (dB) (dB) (dB)1705554 -11505554 -11305354 11201054 44100没有检出信号0 53 5380 没有检出信号0 51 5160 没有检出信号0 45 4540 没有检出信号0 40 40
如上所述，可以知道在标记尺寸为衍射极限以下的100nm以下，扩大再现效果显著。
另外，调查记录标记在扩大情况下的尺寸，在点前进方向的扩大再现标记尺寸，不会变成比点直径大。
(再现层5的组成)在实施例1的盘中，一边变化再现层5的材料，一边测定标记尺寸变成80nm时的信号的CNR，如表2所示。其中所示出的CNR，是扩大再现功率内的最大值。表示出扩大再现功率，CNR变成大于等于40dB的范围。
表2再现层材料 CNR(dB) 扩大再现功率(mW)Ge-Sb-Te 51 1.2～3.2Ge-Bi-Te 50 1.1～3.2Ge-Bi-Sb-Te49 1.2～3.4Ag-In-Sb-Te48 1.0～3.1Ag-In-Ge-Sb-Te 47 1.1～3.1Ge-Te 45 1.5～3.3Ge-Sb-Te-O 41 1.0～1.2Ge-Sb-Te-N 41 1.3～1.5Sb 30 -Ag-Sb 15 -Bi-Sb 10 -Ag-Te 没有检出信号0 没有没有再现层 没有检出信号0 没有这样，可以知道，在再现层材料中一使用Ge-Sb-Te，Ge-Bi-Te，Ag-In-Ge-Sb-Te，Ge-Te，Ag-In-Ge-Sb-Te，Ge-Bi-Sb-Te，Ge-Sb-Te-O，Ge-Sb-Te-N，就可以获得记录标记扩大、CNR为大于等于40dB的良好信号。其中，使用Ge-Sb-Te，GeBTe，Ag-In-Ge-Sb-Te，Ge-Te，Ag-In-Sb-Te，Ge-Bi-Sb-Te时为大于等于45dB，非常良好。
而且。可以看出使用Ag-In-Sb-Te，Ge-Sb-Te-O，再现功率低，再现灵敏度良好。而且，可以看出使用Ge-Bi-Te，Ge-Bi-Sb-Te，扩大再现功率的水平提高到大于等于3.1mW，扩大再现的稳定性良好。
即使利用这里没有记载的相变化材料，在核形成、结晶类型的材料体系中，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
而且，在表2中，所谓“没有再现层”，是指为了示出再现层的效果，在使用形成记录标记的信息记录盘、进行测定的情况，与上述以前的例子不同。
本实施例的再现层的任何一种构成元素的含量，偏离上述组成3原子％以上时，结晶速度或者过快或者过慢，导致扩大标记形状变形等问题。因此，杂质元素优选小于3原子％。更优选小于1原子％。
(核形成促进材料的组成)实施例1的盘中，一边变化ROM记录标记形成材料(核形成促进材料)31，一边测量标记尺寸为80nm时的信号的CNR，结果如下。
表3核形成材料CNR(dB)Bi-Te-N 51Sn-Te-N 50Ge-N49Ge-Cr-N 48Bi-Te 48Ta-N45Ta-O-N 43Si-O-N 43Sn-Te 46Bi-Sb 47Cr-O42Sn-O41Ta-O40Bi 40Te 没有检出信号Sb 没有检出信号这样，可以看到如果使用Bi-Te-N，Sn-Te-N，Ge-N，Ge-Cr-N，Ta-N，Ta-O-N，Sn-Te-N，Si-O-N，Sn-Te，Bi-Te，Bi-Sb，Cr-O，Ta-O，Bi作为核形成促进材料，形成记录标记，可以获得记录标记扩大、CNR为大于等于40dB的良好信号。
而且，一边变化Bi-Te-N中的Te与N的量(原子％)，一边测定CNR，结果如下。
表4Te(原子％) N(原子％) Te与N合计(原子％) CNR(dB)0 0 0 4010 0 10 4220 0 20 4542 0 42 4660 0 60 4862 0 62 4515 5 20 4554 1064 5149 1867 4943 2871 451000 100没有检出信号这样，可以知道在加入Te-N材料情况下，Te与N的含量大于等于20原子％，小于等于71原子％时，可以获得CNR大于等于45dB的更良好的信号。在没有N情况下，可以看出Te含量大于等于15原子％，小于等于60原子％时，可以获得CNR大于等于45dB的良好信号。
即使利用这里没有记载的核形成促进材料，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
(ROM标记形成用保护层32的组成)此外，即使用Al2O3、MgO、MgF2或者上述材料的混合物中的任何一种，替换上述ROM标记形成用保护层32中的SiO2，也可以进行与图4所示相同的过程。
(保护层8的组成)此外，即使用SnO2、ZnS-SiO2、Ta-O类材料或者上述材料的混合物中的任何一种，替换上述保护层8中的Cr2O3，也可以获得相同的结果。
即使用这里没有记载的保护层材料，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
即使不形成保护层8，也能够获得扩大再现的效果。可是，可以扩大再现的次数降低两个数量级。
(反射层6的组成)此外，用这些之外的Ag化合物、Al化合物、Au化合物、Cr化合物、或者上述材料的混合物中的任何一种，替换上述反射层6中的AgPdCu，也可以获得相同的结果。
即使利用这里没有记载的反射层材料，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
即使不形成反射层6，也能够获得扩大再现的效果。可是，在形成记录标记情况下加热处理后的热量容易滞留，在形成小标记时的波动变大，CNR降低大约6dB。
(基板)本实施例中，使用保护基板上具有用于跟踪的槽的聚碳酸酯保护基板7。另外，所谓具有用于跟踪的槽的基板，是这样的一种基板，在记录、再现波长为λ时，整个基板表面或者一部分，具有深度为λ/12n’(n’为基板材料的折射率)以上的槽。槽在一周上连续形成或者中途分开都可以。可以看到当槽深度为大约λ/6n时，串扰变小而优选。另外，槽的宽度也可以根据位置不同而不同。可以是在槽部与凸缘部两者上进行记录、再现格式的基板，也可以是在任何一方上进行记录的格式的基板。而且，保护基板除了聚碳酸酯之外，也可以使用玻璃、聚烯烃、紫外线效果树脂、及其他不透光的材料。
本实施例中，虽然通过旋转喷涂涂敷紫外线固化树脂的方法，形成基板2或者ROM标记形成用基板33，但是利用聚碳酸酯和聚烯烃等板粘接在一起，也可以形成基板。如果是这种方法，需要形成花费时间，但是能够减小半径方向基板厚度误差。
(实施例2)实施例2，是根据由上述(1)的核形成材料构成的WO(一次性写入)记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图9是表示本发明第1实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。该介质是以如下方式制作的。
图10表示介质制作工艺。首先，工序1，是在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次形成由Ag98Pd1Cu1构成的200nm厚反射层6、由CrO3构成的20nm厚保护层8、由Ge6Sb2Te9构成的10nm厚反射层5、由Ti-Te-N和Ti-N构成的膜厚20nm的MO记录标记形成材料91、ZnS-SiO2构成的厚度为20nm的保护层3。
然后，通过旋转喷涂，形成利用紫外线固化树脂，形成厚度大约为0.1μm的基板2。
然后，在工艺2中，是在具有激光34的信息记录装置中，通过与记录信息对应的记录脉冲，在MO记录标记形成材料91上，进行局部加热处理。加热处理部82，在WO记录标记形成材料91内，与Si和Ti混合，变成与再现层接触的一侧、不容易被核形成促进的状态，未处理部81，与再现层接触一侧仍然是核形成促进状态。这样，形成WO记录标记81。
这里，在工序2中形成WO记录标记时，虽然使用波长为405nm，孔径数值为0.85的激光器，但是使用波长更短的激光或者数值孔径更大的激光器进行记录，变化线速度进行加热处理也可以。
虽然没有形成基板、保护层，但是在MO记录标记用形成材料表面进行加热处理之后，再形成基板或者保护层也可以。在这种情况下，也可以使用激光照射之外的电子射线照射，进行加热或者局部电流加热的方法。
而且，其中加热处理，使加热处理部82成为间隔，未处理部81成为标记，但是处理加热处理部成为标记也可以。在这种情况下，为了通过加热处理变成核形成促进状态，必须改变WO记录标记形成材料的组合或者层积顺序。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层结晶，发生反射率变化。本实施例的再现层，从接近核形成促进物质的130℃开始结晶，但是在不接近核形成促进物质情况下，具有在200℃开始结晶的结晶特性，所以扩大再现温度高于130℃、低于200℃。再现记录标记尺寸在衍射极限以下80nm的WO标记，获得与实施例相同的结果。
(与以前的例子比较)下面表5表示一边变化标记尺寸，一边与以前的例子比较、调查扩大再现的效果。扩大再现的效果用两个扩大再现效果的差表示。以前的例子不具有再现层，使用由于两层的反应、发生反射率变化的WO盘。所述以前的介质的结构如图38所示。而且，在变化标记尺寸在该介质上，变化标记尺寸、进行记录之后，进行再现。
表5标记尺寸以前的再现结果发明的扩大再 扩大再现的效(nm)(dB) 现结果(dB)果(dB)170 5453-1150 5453-1130 52531120 105342100 没有检出信号0 515180 没有检出信号0 505060 没有检出信号0 454540 没有检出信号0 4040如上所述，可以知道，在标记尺寸为衍射极限以下的100nm以下，扩大再现效果显著。
(核形成材料的组成)在实施例2的盘中，一边变化核形成促进材料，一边测定最短标记尺寸为80nm(2T)的信号CNR，如下表所示。
表6核形成促进材料(再现层 加热处理后的状态(再现层CNR(dB)一侧/远离再现层一侧)一侧/远离再现层一侧)Si-Te-N/Ti-NSi-Ti/Si-Te-N，Ti-N51Bi-Te/Sn-Te-O Bi-O/Sn-Te 48Bi-Te-N/Sn-OBi-O/Sn-Te-N 50Bi-Sb/Ta-O Bi-O，Sb-O/Ta 40这样，可以知道一使用上述核形成促进材料、形成标记和间隔，就可以获得记录标记扩大、CNR为40dB以上的良好信号。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法等，与实施例1相同。
(实施例3)实施例3，是根据由上述(2)的结晶材料、构成ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图13是表示本发明第3实施例的盘状信息，记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的、聚碳酸酯保护基板7上，顺次形成由Ag98Pd1Cu1构成的、厚200nm反射层6、由CrO3构成的、厚20nm保护层8、由Ge5Sb70Te25构成的、厚10nm反射层105、由Sb-Bi构成的膜厚20nm的ROM记录标记形成材料122、SiO2构成的厚度为20nm的保护层3，利用紫外线固化树脂形成厚度大约为0.1μm的基板2。
介质的制作工艺，除了材料不同外，与实施例1相同。记录标记，通过加热处理，保留使Sb-Bi结晶的地方，形成标记和间隔。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率，从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层结晶，发生反射率变化。本实施例的再现层，从接近结晶的165℃开始结晶，但是在不接近结晶情况下，具有从220℃开始结晶的结晶特性，扩大再现温度，高于165℃、低于220℃。
再现记录标记尺寸，再现在衍射极限以下80nm的ROM标记。Pf为0.3mW，一边变化再现功率(Pr2)一边调查记录标记的CNR，获得如图17所示的再现结果。
与Pf相同，在0.3mW处，检测不出来自标记的信号，Pf高到2.2mW时、CNR为40dB，Pf高到2.4mW时、CNR为45dB，最大获得50dB。而且，如果提高功率、进行扩大再现，变成在3.6mW时、为45dB，在3.7mW时、为40dB。能够使聚焦、跟踪用再现功率，稳定在0.2mW到0.5mW范围内，进行跟踪。
这样，获得良好的扩大再现特性，可以知道聚焦、跟踪用再现功率(Pf)与扩大再现功率(Pr2)之间的关系为4×Pf≤Pr2。
(结晶材料的组成)在实施例3的盘中，一边变化ROM记录标记形成材料(结晶材料)，一边测定最短标记尺寸为80nm(2T)的信号CNR，如下表所示。
表7结晶材料 CNR(dB)Sb-Bi 50Ge-Te-N49Ge-N 49Ge-Cr-N48Sb 43Ta-N 45Ta-O-N 43Sn-Te-N49Si-O-N 43Ag-Sb-Te 42Ag-Te 41W-O41Ta-O 40Bi 40Te 不能检出信号(0)这样，可以知道一使用Sb-Bi，Ge-Te-N，Ge-N，Ge-Cr-N，Sb，Ta-N，Ta-O-N，Sn-Te-N，Si-O-N，Ag-Sb-Te，Ag-Te，W-O、Ta-O，Bi作为结晶材料，形成记录标记，就可以获得记录标记扩大、CNR大于等于40dB的良好信号。
即使利用这里没有记载的结晶材料，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
本实施例中没有记载的，例如再现层、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1和2相同。
实施例4实施例4，是根据由上述(2)的结晶材料构成的WO记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图14是表示本发明第4实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge5Sb70Te25构成的厚10nm再现层105、由Al-Te构成的膜厚20nm的ROM记录标记形成材料122、SiO2构成的厚度为20nm的保护层3，利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板2。
介质的制作工艺，除了材料不同外，与实施例1相同。在记录标记，通过加热处理，使Al-Te结晶的地方和没有结晶的地方，形成标记和间隔。
介质制作工艺，除了部分材料不同外，与实施例2相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率，从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr2)，使再现层结晶，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的WO标记，获得与实施例3相同的结果。
(结晶材料的组成)在实施例4的盘中，一边变化结晶材料，一边测定标记尺寸为80nm的信号CNR。
表8结晶材料 CNR(dB)Al-Te50Al-Te-N 48Cu-Te-N 46Cu-Te49
这样，可以知道在结晶材料中一使用Al-Te，Al-Te-N，Cu-Te，Cu-Te-N，记录标记就扩大、CNR得到大于等于40dB的良好信号。
本实施例中没有记载的，例如再现层、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等与实施例1～3同。
实施例5实施例5，是根据由上述(2)的结晶材料构成的RAM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。而且，所谓RAM记录标记，意味着可以重复书写方式使用的记录标记。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图15是表示本发明第5实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。该介质通过如下方式制作。
图16表示介质制作工艺。首先，工序1，是在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge15Sb70Te25构成的厚10nm反射层105、由Ge-Te构成的膜厚20nm的RAM记录标记形成材料151、由ZnS-SiO2构成的厚度为20nm的保护层3。然后，通过旋转喷涂，形成利用紫外线固化树脂，形成厚度大约为0.1μm的基板2。
然后，在工序2中，是在具有激光34的信息记录装置中，通过与记录信息对应的记录脉冲，在RAM记录标记形成材料151上，进行局部加热。通过加热处理，高温加热处理部152，使RAM记录标记形成材料105非晶体化，低温加热处理部151结晶。这样，形成RAM记录标记151。
这里，在形成工序2的ROM记录标记时，虽然使用波长是405nm、数值孔径为0.85的激光器，但是也可以使用波长更短的激光器或者数值孔径更大的激光器进行记录，变化线速度也可以进行加热处理。
虽然没有形成基板、保护层，但是在RAM记录标记用形成材料表面，进行加热处理之后，再形成基板或者保护层也可以。在这种情况下，也可以使用激光照射之外的、电子射线照射进行加热，或者局部电流加热的方法。
另外，在这里，加热处理使高温加热处理部152成为间隔，低温加热处理部151成为标记，但是处理成高温加热处理部成为标记也可以。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr2)，使再现层结晶，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记再现，获得与实施例3相同的结果。
(再现层105的组成)在实施例5的盘中，一边变化再现层5的材料，一边测定标记尺寸为80nm时信号的CNR，如下表9所示。其中所示出的CNR，是扩大再现功率内的最大值。表示了扩大再现功率在CNR大于等于40dB的范围。
表9再现层材料 CNR(dB)扩大再现功率(mW)Ge-Sb-Te51 1.2～3.2Ge-Bi-Te50 1.1～3.2Ge-Bi-Sb-Te 49 1.2～3.3Ag-In-Sb-Te 48 1.0～3.1Ag-In-Ge-Sb-Te 47 1.1～3.1Ge-Sb-Te-O 41 1.0～1.2Ge-Sb-Te-N 41 1.3～1.5Sb 30 *Ag-Sb 15 *Bi-Sb 10 **没有CNR变成40dB以上的再现功率。
虽然没有形成基板、保护层，但是将RAM记录标记用形成材料作为表面、进行加热处理之后，形成基板或者保护层也可以。在这种情况下，也可以使用激光照射之外的电子射线照射进行加热、或者局部电流加热的方法。
另外，在这里，加热处理使高温加热处理部152成为间隔，低温加热处理部151成为标记，但是处理高温加热处理部成为标记也可以。
本实施例的再现层的任何一种构成元素的含量偏离上述组成大于等于3原子％时，结晶速度或者过快或者过慢，导致扩大标记形状变形等问题。因此，优选杂质元素小于3原子％。更优选小于1原子％。
(结晶材料的组成)在实施例5的盘中，一边变化RAM记录标记形成材料151(结晶材料)，一边测定标记尺寸为80nm的信号CNR，如下所示表10结晶材料 CNR(dB)可重复写入的次数(次)Ge-Te 47 500Ge-Te-N 49 300Si-Te 51 50Cu-Te 51 5Ag-Te 50 3Ag-Sb 1这样，可以知道一使用Ge-Te，Si-Te，Cu-Te，Ag-Te，AG-Sb作为结晶材料，形成记录标记，就可以获得记录标记扩大、CNR为大于等于40dB的良好信号。
即使利用这里没有记载的结晶材料，扩大再现效果中，也可以看到与上述结果类似的CNR。如果调查重复写入次数，就可以看到使用Ge-Te、Ge-Te-N超过100次而良好。
本实施例中没有记载的、例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～4相同。
实施例6实施例6，根据由上述(3)的吸收率大的WO记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图20，是表示本发明第6实施例的、盘状信息记录介质的截面结构图。该介质通过如下方式制作。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge5Sb70Te25构成的厚10nm反射层175、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、Ag与ZnS构成的膜厚20nm的WO记录标记形成材料191、ZnS-SiO2构成的厚度为30nm的保护层3，利用紫外线固化树脂，通过旋转喷涂，形成厚度大约为0.1μm的基板2。
介质的制作工艺，在工序1中，除了在再现层与WO记录标记形成材料之间形成中间层这一点之外，与实施例2相同。通过在工序2中加热处理，使Ag与ZnS反应产生AgS，使吸收率变化，形成记录标记和间隔。这样，形成具有Ag与ZnS构成的WO记录标记191，和具有AgS的间隔192构成的间隔192。
另外，其中加热处理，使加热处理部192成为间隔，未处理部191成为标记，但是处理成加热处理部成为标记也可以。在这种情况下，为了通过加热处理使吸收率变大，必须变化WO记录标记形成材料与反应或者扩散的层材料。
(扩大再现准备)如上所述地制作的盘再现层5，进行如下所述初期晶体化。使上述信息记录介质盘，以5m/s线速度旋转，用3mW、脉冲幅度为1/2以下的脉冲光照射再现层5，进行初期晶体化。利用椭圆形光束使之结晶化也可以。与实施例1～5、15～19不同，本实施例的扩大再现方法中，在扩大再现之后，点通过和再现层在冷却过程中结晶化，因此为了扩大再现不需要进行再现准备。
(信息再现方法和信息再现装置)信息再现装置，在记录时的脉冲，除了高功率水平为10mW，中间功率水平为3mW，低功率水平为0.5mW以外，与实施例1相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr3)，使再现层变成非晶体，发生反射率变化。一达到熔化温度就熔化(变成非晶体)。虽然熔融温度大约大于540℃，和吸收率大的部分(记录标记)与吸收率小的部分(记录标记以外)比较，温度变高，从再现温度低的地方开始发生非晶体化。这样，由于记录标记和它周围的温度上升，因此比记录标记大的范围内非晶体化。
再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的ROM标记。Pf为0.3mW，一边改变扩大再现功率(Pr3)，调查记录标记的CNR，获得如图21所示的再现结果。与Pf相同，在0.3mW，检测不出来自标记的信号，Pf高到3.6mW时CNR为40dB，Pf高到3.8mW时CNR为45dB，最大获得51dB。进一步提高功率进行扩大再现，变成在5.6mW时为45dB，在5.8mW时为40dB。能够使聚焦、跟踪用再现功率，稳定在0.2mW到0.5mW范围内进行跟踪。
这样，获得良好的扩大再现特性，可以知道聚焦、跟踪用再现功率(Pf)与扩大再现功率(Pr3)之间的关系为7×Pf≤Pr3。
(与以前的例子比较)下面表11表示一边变化标记尺寸，一边与以前的例子比较，调查扩大再现的效果。扩大再现的效果，用两者的差表示。
以前的例子不具有再现层，使用通过两层反应发生反射率变化的WO盘。该以前的介质结构如图38所示。而且，在所述介质上变化标记尺寸、进行记录之后再现。
表11标记尺寸 以前的再现结果 发明的扩大再现结果 扩大再现的效果(nm) (dB) (dB) (dB)170 55 54 -1150 55 54 -1130 53 54 1120 10 53 43100 没有检出信号0 53 5380 没有检出信号0 51 5160 没有检出信号0 45 4540 没有检出信号0 40 40
如上所述，可知在标记尺寸为衍射极限以下的100nm以下，扩大再现效果显著。
另外，调查记录标记在扩大情况下的尺寸，在点前进方向的扩大再现标记尺寸，不会变成比点直径大。
(再现层175的组成)在实施例6的盘中，一边变化再现层175的材料，一边测定标记尺寸变成80nm使的信号的CNR，如表12所示。其中所显示的CNR，是扩大再现功率内的最大值。显示的扩大再现功率，变成大于等于40dB的范围。
表12再现层材料CNR(dB) 扩大再现功率(mW)Ge-Sb-Te 513.6～5.8Ge-Bi-Te 503.8～6.5Ge-Bi-Sb-Te 493.8～6.5Ag-In-Sb-Te 482.9～5.1Ag-In-Ge-Sb-Te472.9～5.1Ge-Sb-Te-O432.8～5.1Ge-Sb-Te-N413.8～5.8Sb30*Ag-Sb 15*Bi-Sb 10*Ag-Te 没有检出信号(0) 没有没有再现层没有检出信号(0) 没有*CNR没有变成40dB以上的再现功率。
这样，可以知道使用Ge-Sb-Te，Ge-Bi-Te，Ag-In-Ge-Sb-Te，Ge-Te，Ag-In-Sb-Te，Ge-Bi-Sb-Te，Ge-Sb-Te-O，Ge-Sb-Te-N作为再现层材料，可以获得记录标记扩大、CNR为大于等于40dB的良好信号。其中，使用Ge-Sb-Te，GeBiTe，Ag-In-Ge-Sb-Te，Ge-Te，Ag-In-Sb-Te，Ge-Bi-Sb-Te时为大于等于45dB，非常良好。
另外可以知道，使用Ag-In-Sb-Te，Ge-Sb-Te-O，再现功率低，再现灵敏度良好。而且，可以知道，使用Ge-Bi-Te，Ge-Bi-Sb-Te，扩大再现功率的水平提高到2.7mW以上，扩大再现的稳定性良好。
即使利用这里没有记载的相变化材料进行非晶体化、反射率变化类型的材料，可以看到与上述结果相似的扩大再现效果。
本实施例的再现层的任何一种构成元素的含量，偏离上述组成大于等于3原子％时，结晶速度或者过快或者过慢，导致扩大标记形状变形等问题。因此，优选杂质元素小于3原子％，更优选小于1原子％。
(吸收率变化材料的组成)实施例6的盘中，一边改变吸收率材料174的组成，一边测定标记尺寸为80nm时的信号的CNR，结果如下。
表13未处理的状态 加热处理后的状态 CNR(dB)Ag，ZnS AgS，ZnS，Zn 51Co，ZnS CoS，ZnS，Zn 50Cu，Si Cu-Si47Al，Si Al-Si49Ti，Si TiSi，TiSi 48Ge，Si Ge-Si43WO3，TaOx WOx，Ta2O545WO3，IrOx WOx，IrOx43TiO2TiOx 41TaOx Ta2O542这样，可以知道吸收率变化材料利用在上述中记载的材料，就可以获得记录标记扩大、CNR为大于等于40dB的良好信号。另外，调查加热后的状态，如上所述。
可以知道，通过这样加热，吸收率变化的方法可以是氧化、化合、还原这样的化学反应、扩散、形成合金等方法，但是只要吸收率变化，使用任何方法都可以。
此外，还可以知道，使用变化温度高的WO3、TaOx等的氧化还原反应等，稳定地提高可以扩大再现的次数。还可以知道，另一方面，如果变化温度过高，记录时的功率过高，由于保护层材料扩散、反应或者基板变形等、记录等产生的噪声提高。如果再现功率为7mW以下、噪声提高在5dB以下，是理想的，如果再现功率为6mW以下、噪声提高在3dB以下，就更理想了。
(中间层)此外，如果使用SnO2、ZnS-SiO2、Ta-O类材料或者上述材料的混合物中的任何一种，代替上述中间层193中的Cr2O3，也能够获得同样的结果。
利用这里没有记载的保护层材料，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
即使不形成保护层193，也能够得到扩大再现效果。可是，可以扩大再现的次数降低一个数量级。
(保护层)此外，如果使用SnO2、ZnS-SiO2、Ta-O类材料或者上述材料的混合物中的任何一种，代替上述保护层8中的Cr2O3，也能够获得同样的结果。
利用这里没有记载的保护层材料也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
即使不形成保护层8，也能够获得扩大再现效果。可是，可以扩大再现的次数降低两个数量级。
而且，上述吸收率变化材料中的一层兼作保护层。例如，存在保护层用ZnS、吸收率变化材料用Ag和ZnS情况，及保护层用Ta-O、吸收率变化材料用Ta-O、WO3等的情况。在这种情况下，通过连续形成吸收率变化材料的一部分和保护层，能够使制膜工艺缩短，成本降低。
(反射层6的组成)此外，如果把上述反射层6中的AgPdCu，用其之外的Ag化合物、Al化合物、Cu化合物、Cr化合物或者上述材料的混合物中的任何一种来代替，也能够获得同样的结果。
利用这里没有记载的反射层材料，也可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
即使不形成反射层6，也能够获得扩大再现效果。可是，在形成记录标记情况下，加热处理后的热量容易滞留，在形成小标记时的波动变大，CNR降低大约5dB。
本实施例中没有记载的，例如再现层、保护层、反射层材料、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、评价方法等与实施例1相同。
(实施例7)实施例7，是根据由上述(3)的、吸收率大的ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图22是表示本发明第7实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge5Sb70Te25构成的厚10nm再现层5、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由Bi-Te-N构成的膜厚20nm的ROM记录标记形成材料211、由ZnS-SiO2构成的厚度为30nm的保护层3、利用紫外线固化树脂，形成厚度大约为0.1μm的基板2。介质制作工艺，除了材料、和增加中间层之外，与实施例1相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率，从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr3)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸在衍射极限以下80nm的ROM标记，获得与实施例6相同的结果。
(保护层和吸收率变化材料的组成)在实施例7的盘中，一边变化ROM记录标记形成材料(保护层和吸收率不同材料)，一边测定标记尺寸为80nm时的信号CNR，如下所示。
表14保护层与吸收率不同的材料CNR(dB)Bi-Te-N 51Sn-Te-N 50Ge-N49Ge-Cr-N 48Ta-N45Sn-Te-N 49Si 43Sn-Te 46Bi-Te 48Bi-Sb 47Cr-N42Sn-N41Ta 40这样，可以知道一使用Bi-Te-N，Sn-Te-N，Ge-N，Ge-Cr-N，Ta-N，Ta，Sn-Te-N，Si，Sn-Te，Bi-Te，Bi-Sb，Cr-N，Sn-N，Ta作为保护层和吸收率变化材料，形成记录标记，就可以获得记录标记扩大、CNR大于等于40dB的良好信号。
即使利用这里没有记载的吸收率变化材料，在ROM情况下不需要加热、变化吸收率，如果与保护层的吸收率不同，就可以看到与上述结果类似的扩大再现效果。
另外，其中加热处理，使高温加热处理部152成为间隔，低温加热处理部151成为标记，但是处理高温加热处理部成为标记也可以。
(实施例8)实施例8，是根据由上述(3)的吸收率大的ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图23是表示本发明第8实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge5Sb70Te25构成的厚10nm再现层175、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由BiTe构成的膜厚20nm的RAM记录标记形成材料、由ZnS-SiO2构成的厚度为30nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、通过旋转喷涂形成厚度大约为0.1μm的基板2。介质制作工艺，除了材料不同之外，与实施例5相同。
然后，在工序2中，是在具有激光34的信息记录装置中，通过与记录信息对应的记录脉冲，在RAM记录标记形成材料31上，进行局部加热。通过加热处理，高温加热处理部，使RAM记录标记形成材料非晶体化，低温加热处理部结晶。这样，形成RAM记录标记221和间隔222。
而且，其中高温加热处理使高温加热处理部222成为间隔，低温加热处理部221成为标记，但是处理高温加热处理部成为标记，也可以。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率，从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr3)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例6相同的结果。
(RAM记录标记形成材料)在实施例8的盘中，一边变化RAM记录标记形成材料(吸收率变化材料)，一边测定标记尺寸为80nm的信号CNR，如下所示。
表15结晶材料 CNR(dB)重复写入次数(次)Ge-Te 47 250Ge-Te-N49 150Si-Te 51 20Cu-Te 51 3Ag-Te 50 2Ag-Sb 1
这样，可以知道一使用Ge-Te，Si-Te，Cu-Te，Ag-Te，Ag-Sb作为结晶材料，形成记录标记，就可以获得记录标记扩大、CNR为大于等于40dB的良好信号。即使这里没有记载的结晶材料，在扩大再现效果中，也可以看到与上述结果类似的CNR。
如果调查重复写入次数，就可以知道使用Ge-Te，Ge-Te-N超过100次，十分良好。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～7相同。
(实施例9)实施例9，是根据由上述(3)的吸收率大的WO记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例6的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图25，是表示本发明第8实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Bi-Te-N构成的厚20nm的WO记录标记形成材料、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层175、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板2。介质制作工艺除了材料、层构成顺序不同之外，与实施例1几乎相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr2)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例6相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～8相同。
(实施例10)实施例10，是根据由上述(3)的吸收率大的ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例7的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图26，是表示本发明第10实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Bi-Te-N构成的厚20nm的ROM记录标记形成材料211、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层175、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板2。介质制作工艺除了材料、层构成顺序不同之外，与实施例2相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例7相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～9相同。
(实施例11)实施例11，是根据由上述(3)的吸收率大的RAM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例8的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)
图27，是表示本发明第11实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层175、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由SiTe构成的厚20nm的RAM记录标记形成材料221、由ZnS-SiO2构成的厚度为30nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、通过旋转喷涂形成厚度大约为0.1μm的基板2。介质制作工艺，除了材料不同之外，与实施例5相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr3)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例8相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～9相同。
(实施例12)实施例12，是根据由上述(3)的吸收率大的WO记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例6、9的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图29，是表示本发明第12实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Bi-Te-N构成的、膜厚20nm的WO记录标记形成材料191、由Cr2O3构成的厚20nm中间层193、由Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层175、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板。
介质制作工艺，除了材料、结构顺序、有无反射层的不同之外，与实施例1相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr2)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例6相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～8相同。
(实施例13)实施例13，是根据由上述(3)的吸收率大的ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例7、10的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图30，是表示本发明第13实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Bi-Te-N构成的、膜厚20nm的ROM记录标记形成材料211、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层175、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂形成厚度大约为0.1μm的基板。
介质制作工艺除了材料、结构顺序不同之外，与实施例1相同。
工艺上只是在材料、结构顺序、有无反射层方面与实施例2大致相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例6相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等与实施例1～13相同。
(实施例14)实施例14，是根据上述(3)的、吸收率大的RAM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例8、11的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图31，是表示本发明第14实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由SiTe构成的、膜厚20nm的RAM记录标记形成材料、由Cr2O3构成的厚2nm中间层193、由Ge5Sb70Te15构成的膜厚10nm的再现层175、由ZnS-SiO2构成的厚度为30nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、通过旋转喷涂、形成厚度大约为0.1μm的基板2。
介质制作工艺，除了材料、结构顺序、有无反射层不同之外，与实施例5相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr3)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例6相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1～14相同。
(实施例15)实施例15，是根据上述(1)的核形成材料构成的ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例1的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图32，是表示本发明第15实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Bi-Te-N构成的厚20nm的ROM记录标记314、Ge8Sb2Te11构成的膜厚10nm的再现层5、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板。
介质制作工艺，除了材料、层结构顺序不同之外，与实施例1相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例1相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如保护层、核形成促进材料、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1相同。
(实施例16)实施例16，是根据由上述(1)的核形成材料构成的WO记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例2的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图33，是表示本发明第15实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Bi-Te-N和Ti-N构成的厚20nm的ROM记录标记和间隔、Ge8Sb2Te11构成的膜厚10nm的再现层5、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板。
介质制作工艺除了材料、层结构顺序不同之外，与实施例2相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr1)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例2相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如再现层、核形成促进材料、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等与实施例1、2、15相同。
(实施例17)实施例17，是根据由上述(2)的结晶材料构成的ROM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例3的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图34，是表示本发明第17实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Sb-Bi构成的厚20nm的ROM记录标记形成材料、Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层105、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板。
介质制作工艺，只是材料、层结构顺序不同，其他与实施例1大致相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr2)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例2相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如再现层、核形成促进材料、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例1、2、15相同。
(实施例18)实施例18，是根据由上述(2)的结晶材料构成的WO记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例4的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图35，是表示本发明第18实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。
在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Al-Te构成的厚20nm的WO记录标记342和间隔、由Ge5Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层105、由SiO2构成的厚度为20nm的保护层3、利用紫外线固化树脂、形成厚度大约为0.1μm的基板2。
介质制作工艺，除了材料不同之外，其他与实施例2相同。
记录标记，是通过加热处理，使Al-Te结晶或者不结晶的地方，形成标记和间隔。
介质制作工艺，除了一部分材料和层顺序不同之外，其他与实施例2相同。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr2)，使再现层非晶体化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例2相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如再现层、核形成促进材料、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等，与实施例3～5、17相同。
(实施例19)实施例19，是根据由上述(2)的结晶材料构成的RAM记录标记，说明再现层上形成扩大标记的例子，说明与实施例5的信息记录介质结构不同的例子。
(本发明的信息记录介质的结构和制造方法)图36，是表示本发明第19实施例的盘状信息记录介质的截面结构图。该介质是以如下方式制作的。
图16显示介质制作工艺。首先，在工艺1中，在直径为12cm、厚度为1.1mm、表面上具有凸缘、凹槽记录跟踪用的、间距为0.2μm的槽的聚碳酸酯保护基板7上，顺次溅射形成由Ag98Pd1Cu1构成的厚200nm反射层6、由Cr2O3构成的厚20nm保护层8、由Ge15Sb70Te25构成的膜厚10nm的再现层105、由Ge-Te构成的厚度为20nm的RAM记录标记形成材料151、由ZnS-SiO2构成的20nm的保护层3。
然后，通过旋转喷涂，利用紫外线固化树脂，形成厚度大约为0.1μm的基板2。
(本发明的信息再现方法)在进行扩大再现时，把再现功率从进行聚焦、跟踪的再现光(Pf)提高到扩大再现功率(Pr3)，使再现层结晶化，发生反射率变化。再现记录标记尺寸，在衍射极限以下80nm的RAM标记，获得与实施例3相同的结果。
本实施例中没有记载的，例如再现层、核形成促进材料、保护层、反射层、基板、信息再现方法以及信息再现装置、扩大再现准备方法、扩大再现结果等与实施例3～5、16～18相同。
另外，本说明书中使用的词语“相变化”不限于由晶体到非晶体的相变化，也包括结晶-融化之间、融化(变化为液相)和再结晶化等。
权利要求
1.一种信息记录介质，具有基板；由核形成材料构成的记录标记形成的记录层；再现层；其特征在于通过在所述记录标记上照射用于读出的光束，使与所述记录标记对应的所述再现层的区域，比所述记录标记的区域大的范围内结晶化。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于所述再现层区域，以所述记录标记的核形成材料为起点，进行结晶化。
3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于所述记录层与所述再现层接近。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于所述记录层设定在所述基板与所述再现层之间。
5.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于所述再现层设定在所述基板与所述记录层之间。
6.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于所述再现层含有的Te量大于等于15原子％和小于等于60原子％，所述记录层是Bi-Te-N，Sn-Te-N，Ge-N，Ge-Cr-N，Ta-N，Ta-O-N，Sn-Te-N，Si-O-N，Sn-Te，Bi-Te，Bi-Sb，Cr-O，Ta-O，Bi中的任何一种。
7.一种信息再现方法，是在具有基板和由核形成材料构成的记录标记形成的记录层和再现层的记录介质上，照射用于读出的光束，与所述记录标记对应的所述再现层的区域，在平面方向上结晶化、成为比所述记录标记大，再现信息。
8.根据权利要求7所述的信息再现方法，其特征在于进一步在照射用于读出的光束之前或者之后，照射进行所述再现层的非晶体化的第2点。
9.根据权利要求7所述的信息再现方法，其特征在于所述记录标记，是ROM型或者WO型的记录标记。
10.一种信息记录介质，具有基板；记录层，由核形成材料构成的记录标记形成的记录层；再现层；其特征在于通过在所述记录标记上，照射用于读出的光束，使所述再现层的所述记录标记上的区域，比所述记录标记的区域大的范围内结晶化。
11.一种信息再现方法，是在具有基板、由结晶材料构成的记录标记形成的的记录层、再现层的记录介质上，照射用于读出的光束，与所述记录标记对应的、所述再现层的区域、在平面方向上结晶化成为比所述记录标记大，再现信息。
12.一种信息记录介质，具有基板；由吸收率比未记录部大的记录标记形成的记录层；再现层；其特征在于通过在所述记录标记上、照射用于读出的光束，使所述再现层的对应于所述记录标记的区域融化，融化的区域比所述记录标记大。
13.根据权利要求12所述的信息记录介质，其特征在于所述记录层设定在所述基板与所述再现层之间。
14.根据权利要求12所述的信息记录介质，其特征在于所述再现层设定在所述基板与所述记录层之间。
15.根据权利要求12所述的信息记录介质，其特征在于还设定有反射层。
16.根据权利要求12所述的信息再现介质，其特征在于所述记录标记是ROM型、WO型或者RAM型记录标记中的任何一种。
17.根据权利要求12所述的信息记录介质，其特征在于所述记录层与所述再现层之间设定有中间层。
18.一种信息记录方法，是在具有基板、形成有吸收率比未记录部大的记录标记的记录层和再现层的记录介质上，照射用于读出的光束，使上述再现层的对应于上述记录标记的领域融化在平面方向上融化成为比上述记录标记大，进行信息再现。
19.根据权利要求18所述的信息记录介质，其特征在于与所述记录标记对应的所述再现层的区域，通过传导、被从所述记录标记传来的热融化。
20.根据权利要求18所述的信息记录介质，其特征在于通过上述读出用光束之后，上述再现层结晶化。
全文摘要
本发明提供一种能够再现衍射极限以下的信息的信息再现方法和信息记录介质。具有由核形成促进材料构成的记录标记4形成的记录层和再现层5，如果照射再现光束，根据记录层的记录标记4，再现层的所定区域7结晶，变成比所述记录标记大的再现信息。可以不使用特别的信息再现装置，能够再现衍射极限以下的记录标记的信息。
文档编号G11B11/105GK1741159SQ20041007418
公开日2006年3月1日 申请日期2004年9月1日 优先权日2004年8月23日
发明者广常朱美, 峰邑浩行, 安斋由美子, 新谷俊通 申请人:株式会社日立制作所