专利名称：一种闪速存储器的控制方法
技术领域：
本发明涉及闪速存储器，特别涉及一种闪速存储器的控制方法。
背景技术：
闪速存储器通常由控制芯片、闪存(flash)芯片及外围电路组成。 控制芯片中存储有控制程序，控制芯片利用该控制程序进行闪存芯片 的读写操作控制以及与其他设备通过USB (通用串行总线)接口进行 通信的控制等。在控制芯片的制造过程中，为了降低制造成本，通常 采用掩膜的方式将控制程序固化在控制芯片内。由于以这种方式制作 的控制芯片内的固化程序不可更改，因此当出现了原固化程序不能支 持的闪存芯片后，原有的控制芯片与新的闪存芯片将无法兼容。此时 只能重新设计新的控制芯片并进行掩膜制作，以支持新的闪存芯片， 从而造成了资源的浪费和成本的大幅提高。
由于闪存芯片的制造工艺日新月异，新的闪存芯片不断涌现，因 此迫切需要对原有采用掩膜技术制作的、控制程序被固化且不可更改 的控制芯片进行改进，提供一种无需重新掩膜制作、只需加载修补软 件即可使原控制芯片与新型闪存芯片兼容的方法。
发明内容
因此，本发明的目的是在闪速存储器控制芯片内的固化程序不可 直接更改的情况下，通过加载修补软件来对原有固化程序进行升级， 从而使得原控制芯片可适用于新的闪存芯片。
为了实现上述目的，本发明提供了一种闪速存储器的控制方法， 所述闪速存储器包括控制芯片和闪存芯片，在控制芯片内固化有控制 程序，所述方法包括1 )在闪速存储器内设置修补区；2)在修补区 内加载修补代码；3)扫描修补区，如果修补区内存储有修补代码，则执行所述修补代码；以及4)执行所述固化的控制程序。
其中，在修补区内加载修补代码的步骤包括2-l)在闪存芯片内 划分预留块；2-2)将修补代码由外部设备写入预留块内；以及2-3) 将预留块内的数据读取到修补区。
由此，当用户更换新的闪存芯片后，通过将修补代码传送到闪存芯 片的预留块内，即可实现控制芯片的软件更新。根据本发明的方法， 闪速存储器在使用时，预留块内的修补代码首先被写入设置在控制芯 片RAM内的修补区，并被执行，由此实现对原固化程序进行升级的 目的，从而使得原控制芯片可支持新型闪存芯片，而无需重新设计制 作控制芯片。
图1是现有闪速存储器内部控制芯片与闪存芯片设置示意图2是一个简单状态机的示意图3是根据本发明方法的闪速存储器内部控制芯片与闪存芯片设 置的示意图4是根据本发明方法的闪速存储器修补代码加载流程图5是根据本发明方法的闪速存储器工作流程图； 图6是根据本发明方法的升级后的状态机的示意图。
具体实施例方式
以下将结合附图详细介绍本发明，附图仅用于说明，而并非对本 发明专利保护范围的限制。
图1为现有闪速存储器内部控制芯片与闪存芯片设置示意图。如 图所示，控制芯片通过I/0接口与闪存芯片連接，通过USB接口与外 部设备连接，控制芯片通过其内固化的控制程序对闪存芯片的读写操 作以及与其他设备的USB通信进行控制。其中的固化程序可以认为是 一个状态机，其由各个独立的原子状态组成，图2为一个简单状态机 的示意图。在现有通过掩膜的方式固化有控制程序的控制芯片中，由 于固化程序不可更改，因此当原有固化程序不能支持新的闪存芯片时，无法通过对固化程序进行直接更新，来使其适用于控制新的闪存芯片。 由此，本发明提出了一种在控制芯片内设置修补区，并且在固化程序 内预先设计接口的方法，来对固化程序进行升级。
图3是根据本发明方法的闪速存储器内部控制芯片与闪存芯片设 置的示意图。如图所示，控制芯片中具有RAM (随机存取内存)区， 根据本发明的方法，将该RAM区内的部分空间划分出来作为修补区， 同时在闪存芯片中划分一部分空间作为预留块，用于存储修补代码。 另外，在对固化程序进行设计时，在其内增加两个功能1)当执行常 规的闪速存储器格式化时，闪存芯片预留块将不进行格式化；2)固化 程序内的某些原子状态预先留有接口可以执行修补区内的代码。
图4是根据本发明方法的闪速存储器修补代码加载流程图。如图 4所示，在更换了新的闪存芯片后，根据本发明的方法，按照如下流 程对闪速存储器进行处理首先，将闪速存储器上电(步骤101);然 后，将闪速存储器与存储有修补代码的装置(如电脑)相连，通过USB 接口将修补代码发送给闪速存储器，并写入闪存芯片的预留块内(步骤102);最后，对已存储有修补代码的闪速存储器进行格式化(步骤 103 )，该格式化步骤与现有技术中闪速存储器通常执行的格式化相同， 在格式化过程中，预留块内存储的代码被保留。
图5是根据本发明方法的闪速存储器工作流程图。如图所示，当 闪速存储器上电后，首先将闪存芯片预留块内存储的数据读取到修补 区(步骤202)，此时，若该闪速存储器已经进行了如图4所示的软件 加载操作，则预留块内已存储有修补代码，该修补代码将被读取到修 补区；如闪速存储器未进行上述软件加载，则预留块为空，此时没有 代码被读取到修补区。然后，继续对闪速存储器进行其他常规初始化 操作(步骤203 )，当初始化操作完成后，执行原始固化程序(即进入(步骤204)，若没有，则顺序执行固化程序内的原有步骤(步骤206), 若修补区内存储有代码，则执行修补区内的代码(步骤205 )，然后执 行固化程序内的原有步骤(步骤206)。
即，根据本发明的方法，闪速存储器在应用时，首先将闪存芯片 预留块内的修补代码读取到修补区，然后通过原始固化程序判断{奮补 区内是否存在修补代码，若存在，则将修补代码读取到修补区并执行 该代码，若不存在，则按照原有程序执行。
修补区内的修补代码可以为用于替换控制芯片内原有固化程序一 部分的程序，也可为用于改变原有固化程序状态的状态位。根据本发 明的 一个实施方案，修补代码是用于改变原有固化程序状态的状态位。
以图2所示的状态机为例，当检查到存在修补代码并执行了修补区内 的程序后，原有状态机的状态变迁机制被改变，程序由原子状态2跳 到状态3，而并非状态4，如图6所示。由此，可通过改变原子状态关 系来修改整个状态机。根据本发明的另一个实施方案，修补代码是用 于替换原有状态机内某一个或多个原子状态的新的原子状态，这样， 可通过改变原子状态本身来修改整个状态机。
综上所述，通过采用本发明的方法(即，将修补代码传送到闪存 芯片的预留块内，并在控制芯片的RAM内设置修补区，闪速存储器 在使用时，固化程序首先将预留块内的修补代码写入修补区并执行该 代码)，可实现对原固化程序进行升级的目的，从而使得原有控制芯片 可以支持新的闪存芯片。
由此，利用本发明可对釆用掩膜方式制造的、其内固化程序不可 修改的控制芯片进行升级，使其可适用于新型的闪存芯片，从而无需 制作新的控制芯片，大大降低生产成本。
以上所述仅为本发明的优选实施方式，本领域技术人员可以理解，
这些实施方案不应构成对本发明专利保护范围的限制，凡在本发明的 说明书及附图所公开内容的基础上进行的等效结构变换，都包括在本 发明的权利要求书所限定的本发明的专利保护范围内。
权利要求
1. 一种闪速存储器的控制方法，所述闪速存储器内设置有控制程序，所述方法包括1)在所述闪速存储器内设置修补区；2)在所述修补区内加载修补代码；3)扫描修补区，如果修补区内存储有修补代码，则执行所述修补代码；以及4)执行所述控制程序。
2. 如权利要求l所述的方法，其中所述闪速存储器包括控制芯片 和闪存芯片。
3. 如权利要求2所述的方法，其中所述修补区设置在所述控制芯 片的RAM区内。
4. 如权利要求2或3所述的方法，其中，步骤2)中在所述修补 区内加载修补代码的步骤包括2-1)在所述闪存芯片内划分预留块；2-2)将所述修补代码由外部设备写入所述预留块内；以及 2-3 )将所述预留块内的数据读取到所述修补区。
5. 如权利要求4所述的方法，其中当执行常规的闪速存储器格式 化时，所述闪存芯片预留块将不进行格式化。
6. 如权利要求l所述的方法，其中所述控制程序是由多个原子状 态组成的状态才几。
7. 如权利要求6所述的方法，其中在执行所述修补代码的情况下， 某些原始的原子状态由新的原子状态所替换。
8.如权利要求6所述的方法，其中在执行所述修补代码的情况下 原有状态机的状态变迁机制被改变。
全文摘要
本发明公开了一种新的闪速存储器的控制方法，用以克服现有技术中控制芯片内的固化程序不可更改，从而无法支持新的闪存芯片的问题。本发明的方法包括，将修补代码传送到设置在闪存芯片内的预留块内，并在控制芯片的RAM内设置修补区，闪速存储器在使用时，固化程序首先将预留块内的修补代码写入修补区并执行该代码。由此，可实现通过执行修补区代码而对固化程序进行升级的目的，从而使得原控制芯片可支持新型闪存芯片，而无需重新设计制作控制芯片。
文档编号G11C29/04GK101206924SQ200610167869
公开日2008年6月25日 申请日期2006年12月20日 优先权日2006年12月20日
发明者万红波 申请人:深圳市朗科科技有限公司