信息记录方法、信息记录介质和信息记录装置的制作方法

专利名称：：信息记录方法、信息记录介质和信息记录装置的制作方法
技术领域：
：本发明通常涉及信息记录技术，更具体地，涉及用于记录的大容量信息记录介质、适合使用这种大容量信息记录介质的信息记录方法和信息记录装置。
背景技术：
：随着数字信息处理技术和多媒体技术的进步，需要一种能够以增加的存储容量和改进的速度记录和复制信息同时保持对关于传统的只重放记录介质(playback-onlyrecordingmedia)诸如DVD-ROM或CD-ROM复制的兼容性。具体地，DVD-R、DVD-RW、DVD+R、DVD+RW、CD-R、CD-RW等的可记录光盘具有广泛的多功能性，并易于使用，其需要正在扩大。最近，为了获得进一步增加的存储容量，新格式和M^范的新信息记录技术诸如使用405nm波长的蓝色激光二极管的蓝光盘(Blu-rayDisk)或HDDVD，已进入关于只读类型、可记录类型和可写类型的记录介质的实际使用。然而，利用这些大容量信息记录介质，要花很长时间记录，因此，迫切需要能够实现高速记录的记录介质。非专利参考文献1和2描述了以BD-RE规范和DB-R规范方式使用的1-2x记录才莫式的记录方法。
发明内容图1-3表示在非专利参考文献2中描述的蓝光盘规范的信息记录介质中的记录操作的概要。参考图1-3，非专利参考文献2的技术将激光束功率控制到Pw、Ps、Psw和Pc的四个级别(quaternarylevels),通过在记录介质上加热记录层以便在其中引起状态变化诸如熔化，形成记录标记(recordingmark)。另一方面，当连续照射功率Pw时，引起记录介质中的温度过度升高，并且妨碍正常的记录标记形成。为了避免这个问题，在现有技术中实际上是将功率PW的激光束打开和关闭，以形成激光束脉冲。在图1的例子中，每当加热脉沖的数量增加1，就发生标记长度增加1T。因此，N-l个加热脉沖用于形成1T标记长度的记录标记。图1的记录过程被称为(N-1)记录策略。图2表示所谓的N/2记录策略的例子，其中每当加热脉沖的数量增加，标记长度增加2T，并且通过使用N/2个加热脉沖实施标记长度NT的记录。在实施高速记录的情况下，通常需要降低参考时钟的周期，而参考时钟T的周期的降低导致难以针对每个时间间隔T控制激光光发射的问题。因此，在高速记录的时候，如在N/2记录策略的情况下一样，允许使用长脉冲周期的"i己录策略(recordingstrategy)是1"尤选的。而且，正如在BD-RE格式的情况下，在当对记录层使用相变记录材料的时候重复进行记录的情况下，在现有技术中实际利用激光束功率Pw在记录层中产生熔化，如图l和2所示，随后通过将激光束功率改变成具有接近于零的值的Psw来浮火(quenching)，因此形成非晶(amorphous)记录标记。利用这种记录策略，尤其是在冷却时间短的情况下有发生再结晶的趋势，并且有不能形成足够尺寸的非晶记录标记的趋势。这也是能够确保足够标记长度的N/2记录策略在高速记录中使用的原因。在BD-R格式和BD-RE格式的情况下，用2T-9T的标记长度进行记录，其中，当使用具有这种记录格式的N/2记录策略的时候，需要通过相同数量的加热脉冲写不同长度的标记，正如在用一个加热脉冲写2T和3T标记，用两个加热脉沖写4T和5T标记，用三个加热力永沖写6T和7T标记，用四个加热脉冲写8T和9T标记等的情况一样。当用相同数量的脉沖写不同长度的标记时，在现有技术中通常实际上是改变第一加热脉沖的照射起始时间或其脉沖宽度，或改变最后加热脉冲的照射时间或其脉沖宽度，或改变最终冷却脉沖的脉沖宽度。在BD-R和BD-RE格式的l-2x记录模式中，具体地，在现有技术中实际上，当n是等于和大于4的整数时，在其中n是奇数的情况和其中n是偶数的情况之间，通过改变确定第一加热脉冲的起始时间和宽度的参数dTtop和Ttop、确定最终加热脉冲宽度的参数Tlp、和确定最终冷却脉沖的宽度参数dTs，并通过进一步将第一加热脉沖和最后加热脉沖之间形成的多个脉冲的起始时间延迟T/2的计时，以及通过将最终加热脉冲的起始时间提前T/2的计时，来写不同长度的标记。而且，在2T和3T标记长度的情况下，各个参数dTtop、Ttop和dTs被单独确定，而不是根据数字n是偶数还是奇数的标准确定。图3是设置考虑符号间干扰的影响的记录策略的例子。同时，当实施高密度记录时，如在蓝光盘的情况下，存在作为符号间千扰的结果而移动标记边沿(markedge)的定位的情况。例如，当第一加热脉冲的照射，对于在短空区(shortspace)之后形成记录标记的情况起始于与在2T和3T标记的例子中相同的定时，而对于在长空区(longspace)之后形成记录标记的情况起始于与在5T和6T标记的例子中相同的定时时，这就产生了一个问题作为前一记录标记形成的残余热的结果，记录介质的温度过度增高。为了避免这个问题，在BD-R格式和BD-RE格式中，实际上是，在形成记录标记之前，在根据空区长度2T、3T、4T和5T四种不同情况下或者更大长度的情况下设置确定第一加热脉冲的照射起始时间和其宽度的参数dTtop和Ttop。然而，这仅适用于N-l策略的情况。对于基于高密度记录介质的高速度记录方法，除了前述的BD-R和BD-RE格式的记录方法之外，存在各种建议。例如，专利参考文献l公开了一种用于确定脉沖照射定时和照射时间的有效方法，和以逐步的方式照射加热月永沖的方法。另一方面，专利参考文献2-4公开了这样的技术，通过在标记形成之前基于空区长度控制第一加热脉冲的照射起始时间，和基于紧接在标记形成之后的空区长度进一步控制最终加热脉沖的照射终止时间。对于专利参考文献2,根据紧接在记录标记之前的空区长度对加热脉冲的照射起始时间进行调整，或对相应于蓝光盘的图3的标示中的参数dTtop进行调整。在这里，假定对于记录标记的形成使用单脉冲。对于专利参考文献3，根据前一空区长度，对紧接在第一加热脉沖之后的第一冷却脉冲的照射起始时间进行调整，或对图3的标示中的第一加热脉冲的宽度Ttop进行调整。而且，根据紧接在记录标记之后的空区长度，调整紧接在最终加热脉冲之后的最终冷却脉沖的终止时间，或调整图3的标示中的参数dTs。尽管没有关于脉沖周期的具体描述，该参考预期了周期为1T的多脉沖的使用。对于专利参考文献4，根据紧接在记录标记之前的空区长度，调整加热脉沖的照射起始时间，或调整参数dTtop。而且，根据紧接在记录标记之后的空区长度，调整最终冷却脉沖的终止时间，或调整图3的标示中的参数dTs。在这种情况下，尽管没有对脉沖周期的说明，但预期了周期为1T的多脉沖的使用。前述是蓝光盘技术的1-2x记录模式的概述。同时，利用蓝光盘技术，记录介质具有非常大的存储容量，诸如在使用单记录层的情况下具有25GB的容量，或对于使用两个记录层的情况具有50GB的容量，因此，对于进行信息记录需要相对长的记录时间。因此，需要更高的记录速度。本发明的发明人已经对4x记录速度(19.68m/s)的情况进行了关于蓝光盘技术中高速度记录的研究，并已发现在对于蓝光盘的记录策略的1-2x记录模式中使用的参数范围内不能获得满意的记录特性，如前面所解释的。具体地，在(N-l)记录策略的情况下，即使当针对脉冲调整诸如功率、照射时间、行宽度和类似的各种参数时，调制的程度仍保持很小。而且，不可能降低抖动。相信引起上述问题的原因是因为，考虑到如上所解释的不可能照射足够长度的冷却脉冲的事实，在记录标记中引入了再结晶，其应当通过非晶相形成。因此，不可能形成足够尺寸的非晶标记。而且，本发明的发明人已经研究了以N/2记录策略进行记录的可能性。然而，发明人发现当可能以这种方法确保足够的调制程度的同时，不可能以这种方法满意地抑制抖动。而且，已经尝试以N/2记录策略以如专利参考文献1中所公开的逐步方式照射加热脉沖，但以蓝光盘的四倍速度(4x)记录模式不能获得满意的记录特性。因此，本发明的目的是当使用大存储容量介质时获得高速记录，为了此目的，本发明提供了信息记录方法、信息记录介质和信息记录装置，其即使在对诸如蓝光盘的高密度介质进行诸如四倍速度(19.68m/s)记录模式的高速记录的情况下，其也能够获得极好的记录特性。专利参考文献1日本公开专利申请2005-4800专利参考文献2日本专利公开6-64741专利参考文献3日本专利3138610专利参考文献4日本专利3762907非专利参考文南足1WhitepaperBlu-rayDiscFormat1.APhysicalFormatSpecificationsforBD-RE，2ndEdition,February2006(在线)<http:〃www.blu-raydisc.com/Section-13470/Section-13628/Index.html>非专利参考文献2WhitepaperBlu-rayDiscRecordableFormatPart1PhysicalFormatSpecifications,February2006(在线)<http:〃www.blu-raydisc.com/Section-13470/Section-13628/Index.html〉在第一方面，本发明提供了一种信息记录方法，该方法通过根据记录策略照射光束脉冲到信息记录介质上，在该信息记录介质上以具有nT(T:基础时钟周期，n是2或更大的自然数)时长的记录标记的形式记录信息，所述记录策略包含下列步骤通过将所述光束脉沖的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe(Pw>Pe〉Pb)之一，并且交替地照射加热脉沖和冷却脉沖到所述信息记录介质上，而在所述记录介质上形成所述记录标记，其中在所述加热脉冲中所述光束脉冲的所述功率被设置到所述功率Pw，而在所述冷却脉沖中所述光束脉沖的所述功率被设置到所述功率Pb;以及，通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区(space),每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉沖的lt量增加1,当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉沖起始时间sTtop并且为所述第一加热脉沖设置加热脉沖终止时间eTtop。在另一方面，本发明提供了一种信息记录介质，当以光束脉冲照射该信息记录介质时，该信息记录介质以具有nT(T:基础时钟周期，n是2或更大的自然数)时长的记录标记的形式记录信息，所述信息记录介质根据记录策略被预先格式化，其中通过将所述光束脉沖的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe(Pw〉Pe〉Pb)之一，并且交替地照射加热脉冲和冷却脉冲到所述信息记录介质上，而在所述记录介质上形成所述记录标记，其中在所述加热脉冲中所述光束脉冲的所述功率被设置到所述功率Pw，而在所述冷却脉冲中所述光束脉沖的所述功率被设置到所述功率Pb;并且，通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉冲的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，使用所述记录策略，并且所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉沖设置加热脉冲起始时间sTtop并且为所述第一加热脉冲设置加热脉沖终止时间eTtop。而且，在另一方面，本发明提供了一种信息记录装置，该装置通过照射光束脉冲到信息记录介质上，而在该信息记录介质上以具有nT(T:基础时钟周期，n是2或更大的自然数)时长的记录标记的形式记录信息，所述信息记录装置包含用于形成所述光束脉冲的光源；用于驱动所述光源的驱动系统；和以记录策略设置的确定光发射波形的光发射控制装置，所述光发射控制装置根据所述记录策略控制所述驱动系统，所述记录策略通过通过将所述光束脉沖的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe(Pw>Pe>Pb)之一，并且交替地照射加热脉沖和冷却脉沖到所述信息记录介质上，而在所述记录介质上形成所述记录标记，其中在所述加热脉冲中所述光束脉冲的所述功率被设置到功率Pb;并且，通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉冲的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉沖起始时间sTtop并且为所述第一加热脉冲设置加热脉冲终止时间eTtop。根据本发明，降低了由符号间干扰引起的记录标记劣化(边沿移位(edgeshift)的问题，并且即使当通过使用蓝激光二极管实施高密度记录时，也有可能获得极好的记录特性。图1是表示根据本发明相关技术的(N-l)记录策略的图2是表示根据本发明相关技术的N/2记录策略的图3是表示根据本发明相关技术的(N-l)记录策略的记录标记形成中使用的自适应控制的例子的图4A和4B是解释由本发明提出的问题的图；图5是表示根据本发明实施例的记录介质的结构的横截面图；图6是表示根据本发明实施例的记录装置的结构的横截面图；图7是表示本发明使用的各参数定义的图；；—'''图10是表示针对与比较例子相比较的实施例获得的本发明效果的又一图。具体实施方式[原理]本发明的发明人在构成本发明的基础的调查中已经发现尤其是在2T标记中产生抖动的增加，其中本发明的基础为当在蓝光盘的4倍速度(4x)模式中使用各种N/2记录策略时改善记录特性。因此，本发明人对于为什么这个抖动的增加在在四倍速度(4x)模式中形成的2T记录标记的情况下尤其表现得明显的原因进行了深入研究，发现这个问题是作为符号间干扰的结果产生的。更详细地，标记2T是只具有0.15nm长度的最短标记，因此，当如在四倍速度(4x)模式的情况一样以高速写模式重复写标记2T时，发生脉沖照射间隔的降低。应当注意到，适于N/2记录策略的记录介质是这样的介质，设计该介质使得当由冷却脉冲提供足够的冷却时有效地控制标记信息。对于用于重复记录的记录层的相变材料，使用两种材料，一种是包含作为主成分的Sb的Sb基材料诸如Ag-In-Sb-Te系统材料，另一种是包含作为主成分的Te的Tc基材料诸如Ge2Sb2Te5系统材料。在Sb基材料的情况下，结晶主要是通过晶体成长进行，而在Te基材料的情况下，结晶主要是通过晶核形成进行。通常，结晶以晶核形成和晶体成长两步骤过程进行，其中晶体成长过程趋向于发生在比晶核形成过程更高的温度。而且，在这些材料之间，导热性存在差别，应当注意到，Sb基材料与Te基材料相比显出更高的导热性。因为晶体机理和导热性的这种差别，这些材料之间的最优策略模式是不同的。通常，只要如在蓝光盘的lx速度的情况下一样实施低速写，则(N-l)记录策略模式可适用于任何材料系统。另一方面，在稍微快速记录的情况下，正如在蓝光盘的双倍速度写的情况下一样，由于Te基材料具有更小的导热性并因此热耗散更低效的事实，并且由于以晶核形成的结晶占主导地位并因此存在即使当存在相对低温的热干扰时记录标记也经受大影响的趋势的事实，因此当使用Te基材料时由符号间干扰引起的结果热干扰表现得更明显。因此，应用了图3所示的记录策略，其中应当注意到，在图3的记录策略中考虑了符号间干扰的影响。另一方面，对于Sb基系统的材料，由于大的导热性符号间千扰的影响较不明显。而且，因为晶体成长时占主导地位的晶体成长机理，对标记形状的影响不明显，除非热干扰是在高温下产生的。因此，在本领域中已经接受，只要使用Sb系统材料，在不考虑符号间干扰影响的情况下，极好的记录应当是可能的。因此，在可记录DVD装置的情况下，例如，通过使用稍微类似于(N-])记录策略的模式，因为它由多个1T周期的脉沖形成，对使用Te基材料的DVD-RAM记录策略考虑符号间干扰，而在使用Sb基材料的DVD+RW或DVD-RW格式的情况下，没有考虑符号间干扰，尽管它使用了类似于(N+1)记录策略的模式并因此由多个1T周期的脉冲形成。另一方面，在以使用Sb基材料的DVD+RW或DVD-RW格式实施高速写的情况下，使用稍微类似于(N/2)记录策略并因此由多个2T周期的脉冲形成的模式。应当注意到，使用(N/2)记录策略有效地避免了在以1T周期实施高速写的情况下由于不充足的冷却时间而由再结晶产生的非晶标记尺寸降低的问题。另外，在'高速写中以1T周期控制光脉冲发射出现困难。在使用Te基材料的DVD-RAM中，在实施高速写的时候，使用除了在前边沿和后边沿功率增加以外类似于单脉沖模式的被称为"城堡(castle)模式"的模式。因此，不使用(N/2)记录策略的模式。利用Te基材料，应当注意到，通过如在Sb基材料的情况下一样使用(N/2)记录策略确保充分的冷却时间的方法不是特别有效。另一方面，在对于记录层使用Sb基材料的情况下，引起熔化的过程较少受到由随后的脉沖序列(pulsetrains)引起的加热的影响，该熔化过程之后跟随足够时间的冷却，以使得介质温度快速降低到其中发生晶体成长的温度之下，有可能形成足够尺寸的非晶记录标记，同时抑制再结晶。另一方面，在使用Te基材料的情况下，当在熔化之后温度降低到低于其中发生晶体成长的温度之下时，发生广泛的晶核形成。因此，在这种情况下，介质在这种状态下由跟随在记录脉沖之后的光脉沖序列加热，由于Te基材料的小导热性，这就趋向于发生在起始于由此形成的晶核的非晶标记模式中的晶体成长。利用此，在非晶记录标记中发生再结晶。在对于写脉沖使用"城堡模式"的情况下，消除了在冷却之后的导致引起晶核形成的再加热过程，并且Te基材料的再结晶不容易进行。因此，当使用(N/2)记录策略的驱动模式时，还没有考虑符号间干扰的影响，(N/2)记录策略假定使用具有大的导热性的Sb基记录材料。然而，在由本发明的发明人实施的、并且組成本发明的基础的研究中，发现当降低空区长度时发生抖动增强的问题，即使当使用大导热性的Sb基记录材料时，正如在诸如蓝光盘的高密度记录介质中实施例如为四倍速度(4x)模式的高速写的情况一样。这也意味着，当符号间干扰在使用(N/2)记录策略时被适当补偿时，即使在蓝光盘的四倍速度(4x)模式中也有可能获得极好的记录特性。而且，根据本发明的发明人的研究，还发现当补偿符号间千扰的影响时，不仅优选地考虑紧接在当前记录标记之前的空区长度，还优选地考虑紧接在当前记录标记之后的空区长度。参见图4A,当照射加热脉冲用于形成当前记录标记时有可能产生过度的温度增长，此时由于在形成前一记录标记时形成残余热，紧-接在这个当前记录标记之前的空区长度是小的。当这种情况发生时，记录标记的起始位置B从记录标记的预定前沿位置A移动。而且，在紧接在当前标记之后的空区长度是小的情况下，当如图4B中所示照射下一加热脉冲时，在记录标记的后沿处产生再加热。因此，在这部分产生再结晶，特别是在相变材料用于记录层的情况下，并且记录标记的后沿C从预定的后沿位置D移动。尽管前述的现象在2T记录标记中表现得特别显著，但对于3T记录标记的情况当对其应用类似补偿时也获得更好的记录特性。尽管在下文中描述的实施例是针对使用25GB存储容量的蓝光盘的情况，其中最短的标记长度2T是0.149)am，但本发明在15GB记录容量的HDDVD的情况下也是有效的，其在使用波长为405nm的蓝激光二极管时，以最短的标记长度0.20jim实现记录和重放。而且，尽管对于在诸如蓝光盘的高密度记录介质上实施诸如四倍速度(4x)记录模式(线性速度19.6m/s)的高速记录的情况证实了本发明的有效性，但本发明对于除了对记录层使用相变材料的蓝光盘之外的其它可重写的光信息记录介质诸如CD、DVD、HDDVD等上以高速记录信息也是有效的。图5表示根据本发明实施例的对记录层使用相变材料的可重写光信息记录介质60的结构。参见图5，光信息记录介质60是蓝光盘格式的光盘，在其上包括以导槽形成的透明基底61，其中当从照射光的一侧观测时，第一保护层62、相变记录层63、第二保护层64和反射层65依次层叠在基底61上。在DVD格式和HDDVD格式的光盘的情况下，通过旋涂(spincoating)过程在反射层65上形成有机保护膜，而在蓝光盘的情况下，透明覆盖层66形成在第一保护层42上。虽然图5显示的是仅形成一层记录层的例子，还存在这样的方案其中有两个记录层，在两个记录层之间插入透明中间层。在这种情况下，当从光的入射侧观测时，位于近侧的记录层必须是半透明的，为的是实现位于内侧的记录层的记录和重放。在下文中，将解释图5的光信息记录介质60的各个部分。A.基底首先，将解释基底61。基底61可以由普通的玻璃、陶瓷或树脂形成，其中，鉴于形成过程的容易性以及鉴于成本的考虑，由树脂形成基底61是优选的。对于这种树脂，有可能使用聚碳酸酯树脂(polycarbonateresin)、丙烯酸类树脂(acrylicresin)、环氧树脂(epoxyresin)、聚苯乙烯树脂(polystyreneresin)、丙,希9臾月會苯乙丈希共聚型才对月旨(acrylicnitrile-styrenecopolymerresin)、聚乙烯树脂(polyethylene)、聚丙烯树脂(polypropyleneresin)、有机硅树脂(siliconeresin)、含氟树脂(fluorineresin)、ABS树脂、聚氨酯树脂(urethaneresin)，等等，其中由于形成过程的容易性、光学特性和费用优选地使用聚碳酸酯树脂或丙烯酸类树脂。基底61形成具有符合记录介质60的标准的尺寸、厚度和槽图案。在蓝光盘格式的情况下，基底61形成具有直径为12cm厚度为l.lmm的盘形，其中形成有导槽，该导槽的宽度为0.14-0.18|im,深度为20-35pm，轨道间距为0.32pm。而且，利用蓝光盘格式，采用所谓的槽上记录，其中当从照射光的一侧观测时，在槽的凸出部分上进行信息记录。通常，导槽是由摆动形成的，以使得记录装置可以在记录时对频率采样，其中，通过反转摆动相位或通过改变预定范围内的频率，有可能写记录所需要的地址或其他信息。具体地，利用本发明，其中将策略信息或记录所需要的记录功率的信息预先写入到盘的最内部区域(读入区域)，有可能通过由记录装置读取策略信息和记录功率信息，以最优于记录速度的记录策略和功率条件执行记录。B.第一保护层接下来，将对图5的第一保护层62进行解释。优选地，第一保护层62由Si、Zn、Sn、In、Mg、Al、Ti、Zr等的氧化物组成，或由Si、Ge、Al、Ti、B、Zr等的氮化物组成，或由Zn、Ta等的硫化物组成，或由Si、Ta、B、W、Ti、Zr等的碳化物组成，或由类金刚石碳形成，或由它们的混合物组成，其中优选地使用具有大约7:3到8:2的摩尔比(moleratio)的ZnS和Si02的混合物。因此，第一保护层62邻近相变记录层63形成，其严格地在室溫和高温之间改变温度，因此，优选地形成第一保护层62以具有成分(ZnS)8。(Si02)2o(mole%),其中应当注意到这个成分提供了最优的光学常数、热膨胀系数和弹性模数。当然，对第一保护层62来说有可能层叠不同的材料。第一保护层的厚度对信息记录介质60的反射比、调制度和记录灵敏度提供了深远的影响。因此，有可能通过选择薄膜厚度以使得盘反射比变得最小来提高记录灵敏度。在BD-RE格式的信息记录介质60中，优选地设置第一保护层62的厚度到20-50nm。当厚度小于前述范围时，将引起对基底的严重热损伤，导致槽形可能被改变的危险。当厚度超过前述范围时，盘的反射比变得过大，而这导致灵敏度的降低。C.相变记录层接下来，将描述相变记录层63。相变记录层63由含有作为主成分的Sb的材料形成，并进一步添加有帮助非晶相形成的元素，诸如Sb-In系统、Sb-Ga系统、Sb-Te系统、Sb-Sn-Ge系统及其类似的材料。在这里，"主成分(majorcomponent)"指的是以50原子百分比或更高的比例被包含的元素。而且，为了改善记录层的各种特性，可将其它各种元素添加到前述材料中。在由Sb-In基材料形成相变记录层63的情况下，优选地使用下面的成分范围0,15^0.27,0.0^0.2M是除Sb和In之外的一个或多个元素。即使是利用Sb-In二元系统的材料，也能获得极好的重复记录特性。而且，利用这种材料，获得大约170。C的高结晶温度。因此，实现了用于保持非晶相状态的极好稳定性。另一方面，也有可能对这种材料添加元素Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Ga、Se、Te、Zr、Mo、Ag和稀土元素中的至少之一，为的是进一步改善记录的保存稳定性，改善重复记录的持久性，初始化的容易性，等等。因为这些元素的添加趋向于引起结晶速度的降低，所以为了改善结晶速度也有可能添加Sn或Bi。为了避免重复记录特性的退化，优选地将M的总量抑制到20%或更低。在由Sb-Ga基材料形成相变记录层63的情况下，优选地使用下面的成分范围(Sb!—xGax)"My,0.0^0.3M是除了Ga和Sb之外的一个或多个元素。即使是利用Sb-Ga二元系统的材料，也能获得极好的重复记录特性。而且，利用这种材料，获得大约180。C的高结晶温度。因此，实现了用于保持非晶相状态的极好稳定性。另一方面，用于提高结晶速度的Sb含量的增加引入了这样的问题，即，初始化之后的反射变得不一致。因此，为了获得高速记录，优选地在初始化时添加改善反射不一致性的元素M。对于这样一种元素M,可使用元素A1、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Se、Zr、Mo、Ag、In、Sn、Bi和稀土元素中的一种或多种。而且，因为这种元素M的添加会引起结晶相稳定性的恶化和相关的问题作为在高温保存时产生的反射降低的结果，在已在高温进行保存之后，不再能以与前相同的条件进行记录，对于元素M也有可能添加Ge、Te等。另一方面，为了避免重复记录特性的退化，优选地将M的总量抑制到30%或更低。在利用Sb-Te系统材料形成相变记录层63的情况下，有可能通过使用下面的成分范围获得极好的重复记录特性。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>M是除了Sb和Te之外的一个或多个元素。尽管有可能利用这个Sb-Te二元系统获得极好的重复记录特性时，但由于这个二元系统具有大约120。C的低结晶温度的事实，存在这样的问题即，当进行信息的高温保存时记录标记经历结晶。因此，在利用Sb-Te系统材料形成记录层43的情况下，不可避免地添加提高结晶温度和改善非晶相稳定性的元素M。对于提高非晶相稳定性的元素M，可以使用元素A1、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Zr、Mo、Ag、In和稀土元素中的一种或多种。而且，在添加这种元素的情况下，有降低结晶速度的趋势。因此，为了改善结晶速度，有可能进一步添加Sn、Bi等。尽管为了获得所需的效果添加量必须是3个原子百分比或更高，需要将添加量抑制到20个原子百分比或更低，以避免重复记录特性的退化。在利用Sb-Sn-Ge系统材料形成相变记录层63的情况下，有可能通过使用下面的成分范围获得极好的重复记录特性。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>M是除了Sb、Sn和Ge之外的一个或多个元素。尽管有可能利用这个Sb-Sn-Ge系统的三元材料获得极好的记录特性，当进一步添加一个或多个元素时有可能降低抖动。对于有效元素，可以使用元素A1、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Te、Zr、Mo、Ag、In和稀土元素中的一种或多种。当添加量过度时，将引起抖动恶化。因此，添加量优选地被抑制到15个原子百分比或更低。在形成相变记录层63的任何情况下，其薄膜厚度被设置成6nm或更厚。当薄膜厚度变得比前述薄膜厚度小时，将产生结晶速度或调制度的严重退化，好的记录不再可能。在信息记录介质只具有一个记录层的情况下，记录层薄膜厚度的上限被设置为30nm或更低，优选地是22nm或更低。这也适用于在信息记录介质具有两个记录层的情况下的内侧记录层。在信息记录介质包括两个记录层的情况下，近侧的记录层具有10nm或更低的薄膜厚度，更优选地是3nm或更低。当记录层的薄膜厚度超过前述限制时，将引起记录灵敏度的降低或重复记录持久性的退化，而在信息记录介质包括两个记录层的情况下，当近侧的记录层薄膜厚度已超过前述上限时，产生保持透明光的困难。因此，以位于远侧的记录层执行记录或重放变得困难。D.第二保护层接下来，将描述第二保护层64。类似于第一保护层42，第二保护层44由Si、Zn、Sn、In、Mg、Al、Ti、Zr等的氧化物组成，或由Si、Ge、Al、Ti、B、Zr等的氮化物组成，或由Zn、Ta等的硫化物组成，或由Si、Ta、B、W、Ti、Zr等的碳化物组成，或由类金刚石碳形成，或由它们的混合物组成。尽管第二保护层提供对信息记录介质60的反射和调制度的影响，其对记录灵敏度的影响最大，因此，对第二保护层64使用适当导热系数的材料是重要的。例如，摩尔比为7:3到8:2的ZnS和Si02的混合物具有小的导热系数，该混合物的使用对于通过降低到反射层的热耗散率来改善记录密度是有效的。在专门为高速记录设计的信息记录介质的情况下，存在对第二保护层64使用大导热系数的材料的情况。对于大导热系数的材料，有可能使用含有作为主成分并用作透明导电薄膜的ln203、ZnO或Sn02或其混合物的材料，或使用含有作为主成分的Ti02、Al203或Zr02或其混合物的材料，进一步地，有可能层叠不同材料。优选地，第二保护薄膜64形成为具有4-50nm的薄膜厚度。当薄膜厚度小于4nm时，记录层63的光学吸收降低，促进了在记录层63中形成的热在热反射层中的扩散。因此，产生记录灵敏度的过度退化。另一方面，当薄膜厚度超过50nm时，有龟裂形成的趋势。E.反射层优选地，反射层65由金属A1、Au、Ag、Cu等和含有作为主成分的这些金属的合金组成。而且，有可能在合金形成时添加Bi、In、Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Ta、Nd等作为辅助元素。反射层的作用是通过在记录或重放时反射光来提高光的使用效率，并进一步作为热辐射层耗散在记录时产生的热。在其中仅提供一个记录层的结构的记录介质情况下，或在两层结构的记录介质中当从光的入射侧观测时对远侧的记录层进行记录的情况下，从光的利用效率和确保冷却速度的观点来看优选地为反射层提供70nm或更大的厚度。然而，当薄膜厚度已经增加到超过某一薄膜厚度时，光的利用效率或冷却速度表示饱和的趋势。而且，当反射层的薄膜厚度过大时，存在基底产生弯曲或发生薄膜剥落的趋势。因此，优选地将反射层65的厚度设置为300nm或更低。然而，在两层结构的记录介质情况下，不可能对于位于光的入射侧近侧的反射层随意地提高厚度，对于这种情况优选地使用5-15nm的薄膜厚度。然而，在这种结构中，可能是这种情况，即由于不充分的热耗散特性好的记录是不可能的。因此，使用在下面解释的热辐射层。F，覆盖层覆盖层66是光从这里进入和穿出的层。在单层结构的蓝光盘的信息记录介质的情况下，100(im厚度的透明树脂层用于覆盖层66。在两层结构的记录介质情况下，覆盖层可以由75pm厚度的透明树脂层形成。G.热辐射层在两层结构的信息记录介质情况下(未示出)，提供当从光的入射侧观测时在后侧的相变记录层前面的前侧相变记录层，其具有插入其间的中间层。因此，热辐射层提供在这样一种两层结构的信息记录介质中，该热辐射层在紧接在前侧记录层后面的反射层和中间层之间，其中优选的是热辐射具有大的透射比和大的导热系数，因此，热辐射层优选地由包含作为主成分的ln203、ZnO或Sn02和用于透明导电膜的材料或其混合物形成，或由包含Ti02、A1203、Zr02、Nb203等的材料或其混合物形成。依赖于记录层的成分，存在其中不需要高效率热耗散的情况。在这种情况下，有可能使用通常用于保护层的ZnS和Si02的混合物。优选地，这种热辐射层形成具有10-150nm的厚度。当厚度小于10nm时，作为热辐射层的作用或作为光调整层的作用变得不充分，而当厚度过大时，有可能由于薄膜应力引起基底弯曲或薄膜剥落。H.中间层如上所解释的，在两层结构(未示出)的信息记录介质中使用中间层，用于当从光的入射方向观测时将前侧记录层与后侧记录层分开。利用DVD格式的信息记录介质，中间层形成有厚度为50)im的透明树脂层，而在蓝光盘规范或HDDVD规范的信息记录介质的情况下，使用厚度为25pm的透明薄膜。I.抗硫化层当在图5的结构中反射层65使用Ag或Ag合金、第二保护层64使用包含S的薄膜诸如ZnS和Si02时，存在这样的情况，其中在第二保护层64和反射层65之间提供抗硫化层，以防止由反射层65的硫化引起的缺陷形成。对于抗硫化层65a，有可能使用Si、SiC、TiC、Ti02和TiC与Ti02的混合物中的任意一种。这种抗疏化层必须具有至少lnm的薄膜厚度。当薄膜厚度小于lnm时，不能形成均匀的薄膜，并且防止硫化的作用消失。因此，优选地，抗硫化层64a形成具有2nm或更大的厚度。通过考虑介质的光特性和热特性的平衡确定上限厚度。通常，当将厚度设为10nm或更少时，获得更好的平衡。在这种情况下，获得极好重复记录特性的机会增加。应当注意到，前述薄膜62_65通过'减射(sputtering)过程顺序形成在基底61上，并在覆盖层66形成和初始化过程之后为光信息记录介质提供。初始化过程的实施是通过用具有大约1-2W功率的激光束扫描信息记录介质的表面，并成形到lx(几十到几百)微米的尺寸。利用这种初始化过程，呈现具有如沉积状态(as-depositionstate)的非晶相的记录层43经受结曰曰曰。接下来，将解释信息记录介质60的预先格式化过程。利用本实施例的信息记录介质60,除了诸如N/2策略的(N-l)策略的记录策略类型之外，光信息记录介质还以其它参数的值被预先格式化，诸如第一加热脉冲的起始时间sTtop、第一加热脉沖的终止时间eTt叩等。因此，通过在开始记录操作之前，通过由信息记录装置读取由此在光记录介质上被预先格式化的这些参数，有可能选择最优于任何任意选取的扫描速度v的记录参数(记录策略)，并将这个最优的扫描速度v设置给信息记录和复制装置。而且，利用本实施例的信息记录装置，记录功率的信息也被预先格式化，因此，有可能利用信息记录装置实施记录条件的最优设置。对于这种预先格式化过程，可使用任意方法，诸如预凹坑方法(pre-pitmethod)、摆动编码方法(wobbleencodingmethod)、格式化方法(formattingmethod)等。预凹坑方法是在使用ROM凹坑(ROMpits)时预格式化关于光信息记录介质的任意区域上的记录条件的信息的方法。因为ROM凹坑是在制造基底的时候形成的，所以这种方法适于批量生产，并且还具有对重放操作和大量信息可靠的有利特点。然而，形成ROM凹坑的技术(所谓的混合(hybrid)技术)包括各种未解决的问题，因此难以实现在RW类型的记录介质中使用预凹坑的预格式化技术。格式化方法是利用普通的记录过程在记录介质上记录关于记录条件的信息的方法。然而，这种方法对每个光记录介质在其制造之后需要预格式化过程，因此，当应用批量生产过程时存在各种问题。而且，因为这种方法允许重写预格式化信息，所以格式化方法不适于记录与介质有关的信息的过程。另一方面，摆动编码过程实际上已在各种信息记录介质格式中使用，包括CD-R/RW、DVD+R/RW和BD-R/RE格式。利用这种方法，以摆动的形式在凹槽(介质上的导槽)上编码光信息记录介质的磁盘特有信息或磁盘上的地址信息。这种编码过程的实施可以通过如在以CD-R/RW格式使用的ATIP(absolutetimeinpregroove,绝对时间预制沟槽技术)情况下一样使用频率调制，或如在DVD+R/RW格式的ADIP(addressinpregroove,地址预制沟槽技术)情况下一样使用相位调制。因为摆动编码方法在制造光信息记录介质的基底时形成^f兹盘特有信息和地址信息，所以不需要如在预凹坑方法的情况下一样形成专门的ROM位，所以有可能容易地形成基底。接下来，将对使用本发明的信息记录介质的信息记录装置进行解释。在下文中，将参考图6描述根据直到现在所解释的记录策略对信息记录介质60执行信息记录的信息记录装置80。参考图6，信息记录装置60包括旋转控制机构22,在其中包括主轴马达21，该马达21驱动光信息记录介质60以引起旋转，其中为了寻道操作进一步以沿磁盘径向方向可移动的方式提供光学头24，其中在光学头24中包括将激光聚焦到光记录装置60上的物镜和诸如激光二极管LD23的激光光源。为光学头24的物镜驱动装置和输出系统提供致动器(actuator)控制装置25。摆动4企测部件27连接到致动器控制装置25，在该摆动^^测部件27中包括可编程BPF27，并且地址解调电路28连接到摆动检测部件27,用于解调来自检测的摆动信号中的地址。记录时钟发生部件30连接到该地址解调电路28，在该记录时钟发生部件30中包括PLL合成电路29,其中由系统控制器32控制的驱动控制器31连接到PLL合成电路29。驱动控制器31与旋转控制机构22、致动器控制装置25、摆动检测部件27和地址解调电路28相连。系统控制器32是微计算机结构的装置，装配有CPU和编码器34,标记长度计算器35和脉冲数控制部件36连接到系统控制器32。记录脉沖序列控制部件37连接到编码器34、标记长度计算器35、脉冲数控制器36和系统控制器32，该记录脉沖序列控制部件37用作光发射波形控制装置，其中在记录脉冲序列控制部件37中包括多脉冲发生器38、边沿选4奪器39和脉冲边沿发生部件40，其中多脉冲发生器38产生由记录策略所规定的具有加热脉冲和冷却脉沖的脉冲序列形式的多脉沖。在记录脉沖序列控制器37的输出侧，连接有作为光源驱动装置的LD驱动器部件42,其中LD驱动器部件42驱动光学头24中的激光二极管23，以引起驱动电流源41中的记录功率Pw、清除功率Pe和偏置功率Pb之间的转换。当以这种结构实施信息记录到光信息记录介质60时，主轴马达21的旋转速度在驱动控制器31的控制下由旋转控制机构22控制，因此获得对应目标记录速度的线速度。在如此控制线速度之后，通过检测摆动信号解调出地址，该摆动信号是通过可编程BPF26从由光学头24获得的推挽信号中分离出来的。而且，由PLL合成电路29产生记录通道时钟。接下来，为了用激光二极管LD23产生记录脉沖列，将组成记录通道时钟和记录信息的17PP数据提供给记录脉冲序列控制器37,根据图2所示的记录策略由记录脉冲序列控制器37中的多脉冲发生部件38产生多脉冲。由此，LD驱动器部件42引起驱动电流源41到前述的功率电平Pw、Pe和Pb之一的转换，利用此，有可能获得对应于记录脉沖列的LD发射波形。而且，利用本实施例结构的记录脉沖列控制部件27，提供有标记长度计算器35，用于计算从编码器34获得的17PP信号的标记长度，通过脉冲数控制部件36产生多脉沖，使得每当标记计算值增加2T就产生一组加热脉冲和冷却脉沖。作为多脉冲发生部件的可替换结构，也有可能使用这样一种结构，其中通过将记录通道时钟的频率分成一半的频率(one-halffrequency)，产生频分记录时钟，通过使用多级延迟电路形成边沿脉沖，通过使用边沿选择器选择前边沿和后边沿，使得每次记录通道时钟增加2T就形成一对加热脉沖和冷却脉沖。在例1中，通过对基底61使用以螺旋形状的连续凹槽转录的BD-RE格式的聚碳酸酯盘基底，并进一步在其上连续地形成反射层65、第二保护层64、相变记录层63、第一保护层62和覆盖层66，并进一步实施初始结晶过程用于引起记录层中的结晶，本发明的发明人制造了信息记录介质60的范例(specimen)。对于反射层65，使用厚度为140nm的Ag-0.5wt°/。Bi合金层。对于第二保护层64，使用厚度为8nm的ZnO-2wt。/。Al203层。对于相变记录层63，使用厚度为llnm的In,8Sb77Zn(原子百分比)层。对于第一保护层62，以33nm的厚度形成ZnS-20mol。/。SiO2层。薄膜的形成是通过使用可乂人市场上买到的来自Unaxis的溅射装置DVDsprinter(模型名称)来完成的。而且，UV-cure树脂的粘结剂被应用到通过旋涂过程由此获得的层叠结构上，覆盖层66是通过粘结可从市场上买到的来自Teijin的厚度为0.75^im的聚碳酸酯薄膜形成的。接下来，通过使用大直径激光器，记录层受到初始结晶过程。而且，当使用Pulsetec工业公司的BD-R/RE记录/重放信号评估装置ODU-1000时，对由此获得的样本进行信息记录。因此，^吏用为405nm波长设计的具有0.85数值孔径(NA)的光学拾取器。通过将扫描速度设置为对应于25GB蓝光盘的四倍速度(4x)模式的19.68m/s,和通过进一步将信道时钟(基本时钟周期)设置到对应于四倍速度(4x)才莫式的106.68MHz,来进行实验。针对这种情况的最短标记长度2T对应于物理长度0.149|im。在本实验中，基于1-7PP的无规晶体点阵(randompattern)作为记录信息被记录，其中l-7PP是蓝光盘技术使用的调制方案。图7表示用于限定N/2记录策略的各种参数的定义。参考图7,Pw表示记录标记形成功率级，Pbl和Pb2表示在某个时间间隔期间使用的光脉沖功率级，在该时间间隔中在记录标记形成之后发生介质冷却，Pe表示用于空区形成的光功率级。而且，sTop表示第一加热脉冲的起始时间，而eTtop表示第一加热脉冲的终止时间。而且，Tlp表示在形成最后记录标记时的加热周期，而Tmp.表示在形成中间记录标记时的加热周期。ATcend表示从最后记录标记形成脉沖的终止到用于空区形成的光脉冲的开始的时间间隔。在例1中，在表l中总结的值用于图7的参数。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>参考表1，应当注意到，利用本实施例，对于其中紧接在2T标记之前的空区长度(预空区长度)是2T、3T、4T和5T或更长的情况，表示第一加热脉冲的起始时间的参数sTtop被独立地设置。而且，在这种条件下对同样的五个连续轨道重复记录10次，并且在中间的轨道以lx速度(4.92m/s)被重放。而且，在限度均等化之后进行抖动测量。图8表示^F动对记录标记形成功率级Pw("例1")的依赖性。在图8中，应当注意到，垂直轴表示在重复记录标记形成10次之后测量的^f动，而水平轴表示记录功率Pw。参考图8，设置用于空区形成的功率级Pe，使得其相对于记录标记功率级Pw的比s(s=Pe/Pw)采用值0.25。关于冷却脉冲功率级Pb，可以如图7中所示将功率级Pbl和功率级Pb2设为不同的值，尽管在例1中将功率级Pbl和Pb2设为相等(Pbl=Pb2)，以使得采用同一值O.lmW，而不考虑记录标记形成功率级Pw的值。而且，图8作为"比较例l"示出在是使用相同记录策略的情况下的抖动，该记录策略在紧接在记录标记之前的空区长度(预空区长度)是5T或更长的时候被使用，该记录策略也用于标记长度为2T的当前记录标记的情况，而不考虑紧接在当前记录标记之前的空区长度(比较例1)。参考图8,可以看到，对使用8.4mW的记录标记形成功率Pw的情况，利用例1获得6.4%的满意抖动，而在比较例1的情况下，获得7.5%的抖动。然而，与例1的情况相比这个值高出1%。因为规定在以相似评估过程实施测量的过程中蓝光盘中的抖动必须是6.5%或更低，所以得出的结论是比较例1不能满足这个规范。而且，可以看到，利用例1，即使当在使用N/2记录策略时以四倍速度(4x)记录模式时，和通过针对其中紧4娄在当前2T标记之前的空区长度(预空区长度)是2T、3丁、4T和5T或更长的情况独立选择sTtop值，也存在满足这种规范的可能性。利用例2,在例1中使用的相同介质上执行类似于例1情况的评估，同时使用如下面表2中所示的记录策略的参数。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>因此，对于其中紧接在当前2T标记之前的空区长度(预空区长度)是2T、3T、4T和5T或更长的情况中的每一种情况，记录策略使用N/2记录策略，并且独立地设置指示第一加热脉冲的起始时间的参数值sTtop。而且，对于其中紧接在当前2T标记之后的空区长度(后空区长度)是2T、3T、4T和5T或更长的情况中的每一种情况，独立地设置指示第一加热脉冲的终止时间的参凄H直eTtop。图8表示针对例2情况的抖动。参考图8，与例l相比较利用例2获得通常低的抖动值，这指示扩展了四倍速度(4x)记录模式的记录容限(margin)。利用例3，在与例1中使用的相同介质上执行类似于例1情况的评估实验，同时使用如下面表3中所示的记录策略的参数。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>利用本实施例，对于类似于例1和2的、当前标记是2T标记的情况，以及也对于其中当前标记是3T标记的情况，对于其中紧4妾在当前标记之前的空区长度(预空区长度)是2T、3T、4T和5T或更长的情况中的每一种情况，记录策略使用N/2记录策略，并且独立地设置指示第一加热脉沖的起始时间的参数值sTtop。而且，对于类似于例1和2的、当前标记是2T标记的情况、以及也对于其中当前标记是3T标记的情况，对于其中紧接在当前标记之后的空区长度(后空区长度)是2T、3T、4T和5T或更长的情况中的每一种情况，独立地设置指示第一加热脉沖的终止时间的参数值cTtop。因此，利用例3对参数值sTtop和eTtop进行优化，以获得小的抖动值。结果证明，对于其中在当前标记之后的空区长度(后空区长度)是2T、3T、4丁和5T或更长的任何情况，针对3T标记的参数eTtop采用同样的值。图8表示实施重复记录10次之后的抖动。可以看到，利用例3，与例l和2相比较，利用例3获得通常小的抖动值，这指示进一步扩展了四倍速度(4X)模式的记录容限。而且，本发明的发明人已经对参数sTtop和eTtop变化量的优选范围进行了研究，对应于依据当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)改变其值的情况。结果，发现对于当前标记为2T或3T的情况，当关于其中在当前标记之前或之后(预空区长度和后空区长度)存在5T或更长的空区长度的情况，对空区长度为2T、3T或4T的情况改变参数值sTtop和eTt叩时，不能有效地获得降低抖动的效果，除非以至少0.02T优选地为0.025T的量改变参数值sTtop或eTtop。相信上面的描述反映了这样的情况，即其中当改变量小于0.02T或没有获得效果时，在光发射波长中引起极小的实质变化。关于前述改变量的最大值，从表3中可以看到，对于当前标记具有标记长度3T和紧接在前的空区长度(预空区长度)是ZT的情况，参数sTtop的值采用最大值。在这种情况下，可以看到，与紧接在当前标记之前的空区长度(预空区长度)是5T的情况相比，参数sTtop的值改变0.15T。当这个改变值进一步增加时，显示出获得好的抖动直到0.2T。另一方面，当改变量进一步增加时，显示出抖动恶化。因此，总结出，当依赖于当前标记之前或之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)改变sTtop和eTtop的值时，优选地在0.02T-0.2T的范围内改变该值，更优选地，在0.25T-0.2T的范围内。在例4中，对具有与例1的结构相同的层结构的图5的信息记录介质60,除了成分为GeuSe67.5Sn。Mn4.5(原子百分比)的层用于记录层63之外，以类似于例1-3进行记录特性的评估。对于记录策略，使用表3中显示的参数。图8表示例4的结构。参考图8，可以看到，对于其中记录层63具有不同成分的情况，也获得类似于例1-3的情况的极好记录特性。而且，对这样的情况进行评估，即，如图8所示的比较例2，用于空区长度是5T或更长的情况的sTtop和eTtop值也用于2T和3T标记，不考虑紧接在当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)。参考图8，可以看到，同样在使用不同记录层的比较例2的情况下，类似于比较例1的情况，当不考虑当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)时，发生抖动的增加。在例5中，在与例1中使用的记录介质相同的记录介质上实施实验，同时使用106.68MHz的通道时钟，对应于四倍速度(4x)模式，除了参考线速度从4.55m/s提高到8m/s之外，与例1的情况相同。在这种情况下，当参考线速度降低时标记长度变得更短，当参考线速度升高时标记长度变得更长，其中在例5的情况下最短标记长度在0.138)im和0.242(im之间变化。而且，利用例5，表2中所示的参数用于记录策略，并且当考虑2T标记之前和之后的空区长度时确定参数sTtop和eTtop。而且，为了比较的目的，实施比较例3的实验，其中对于在紧接在当前标记之前和之后(预标记长度和后标记长度)存在5T或更长的空区长度的情况，参数sTtop和eTtop的值用于2T的当前标记，而不考虑当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)。图9表示由此获得的最小抖动值和最小标记长度之间的关系。在图9中，应当注意到，记录功率等被优化。参考图9，可以看到，对于所有的标记长度，与比较例3的情况相比较，以例5的情况获得更低的抖动。从图9中可以看到，即使当响应于当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)参数sTtop和eTtop没有变化时，对于长标记长度的记录标记获得好的特性。例如，在最短标记长度比大约0.2(im长的情况下，可以看到，假如最短标记长度比大约0.2(im长，即使在比较例3的情况下也能获得对于蓝光盘所规定的6.5%的标准抖动值，该比较例3的情况对于其中当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)是5T或更长的情况使用参数sTtop和eTtop的值。因此，总结出，在最短标记长度比0.2pm长的情况下，当考虑当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)时，不是绝对必须地确定参数sTtop和eTtop的值。图10进一步表示参考例4,其中以4.92m/s的参考线速度以三倍速度((3x)模式和两倍速度(2x)模式在与例1中使用的介质相同的介质上进行记录，同时降低参考线速度和通道时钟率。在图10中，应该注意到，垂直轴表示在重复记录标记形成十次之后的测量抖动，而水平轴表示类似于图8和9的记录功率Pw。利用参考例4的记录策略，始终使用N/2记录策略，并且关于当前标记之前和之后的空区长度(预空区长度和后空区长度)没有对参数sTtop和eTtop进行优化。而且，使用以l-2x速度模式蓝光盘格式的传统规范使用的记录介质。参考图10,可以看到，即使当没有考虑当前2T标记之前和之后的空区长度时，关于以两倍或三倍速度进行的写入模式也能获得好的记录特性。本发明基于分别在2006年9月14日和2007年6月11日申请的日本优先权申请第2006-250050号和第2007-154295号，其在此以引用方式并入。权利要求1.一种信息记录方法，该方法通过根据记录策略照射光束脉冲到信息记录介质上，在该信息记录介质上以具有nT时长的记录标记的形式记录信息，其中T为基础时钟周期，n为2或更大的自然数，所述记录策略包含下列步骤通过下列过程在所述记录介质上形成所述记录标记将所述光束脉冲的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe之一，其中Pw＞Pe＞Pb，并且交替地照射加热脉冲和冷却脉冲到所述信息记录介质上，其中在所述加热脉冲中所述光束脉冲的所述功率被设置到所述功率Pw，而在所述冷却脉冲中所述光束脉冲的所述功率被设置到所述功率Pb；以及通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉冲的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉冲起始时间sTtop并且为所述第一加热脉冲设置加热脉冲终止时间eTtop。2.如权利要求1所述的信息记录方法，其中在所述信息记录介质上形成的最短记录标记具有0.20fim或更短的长度。3.如权利要求1或2所述的信息记录方法，其中以大于参考线性速度4倍或更高的线性记录速度在所述信息记录介质上形成所述记录标记。4.如权利要求1-3任一项所述的信息记录方法，其中在所述信息记录介质上对所述第一加热脉冲的所述起始时间sTtop和终止时间eTtop预格式化，并且其中通过读取在所述记录介质上预格式化的所述第一加热脉冲的所述起始时间sTtop和终止时间eTtop,来执行所述第一加热脉冲的所述起始时间sTtop和终止时间eTt叩的设置。5.—种信息记录介质，当以光束脉冲照射该信息记录介质时，该信息记录介质以具有nT时长的记录标记的形式记录信息，其中T为基础时钟周期，n是2或更大的自然数，所述信息记录介质根据记录策略被预先格式化，其中通过下列过程进行记录将所述光束脉沖的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe之一，其中Pw>Pe>Pb，并且交替地照射加热脉沖和冷却脉沖到所述信息记录介质上，其中在所述加热脉沖中所迷光束脉沖的所述功率被i殳置到所述功率Pw,而通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉沖而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉沖的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，使用所述记录策略，并且所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉沖起始时间sTtop并且为所述第一加热脉冲设置加热脉沖终止时间eTtop。6.如权利要求5所述的信息记录介质，其中经由摆动编码将第一和第二参数连同地址信息记录在所述信息记录介质上。7.如权利要求5所述的信息记录介质，其中所述信息记录介质包含基底和在所述基底上形成的含有Sb的记录层，所述记录标记形成在所述记录层中。8.—种信息记录装置，该装置通过照射光束脉冲到信息记录介质上，而在该信息记录介质上以具有nT时长的记录标记的形式记录信息，其中T为基础时钟周期，n为2或更大的自然数，所述信息记录装置包含用于形成所述光束脉冲的光源；用于驱动所述光源的驱动系统；和以记录策略设置的确定光发射波形的光发射控制装置，所述光发射控制装置根据所述记录策略控制所述驱动系统，所述记录策略通过下列过程在所述记录介质上形成所述记录标记将所述光束脉冲的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe之一，其中Pw>Pe>Pb,并且交替地照射加热脉沖和冷却脉沖到所述信息记录介质上，其中在所述加热脉沖中所述光束脉沖的所述功率被设置到所述功率Pw，而在所述冷却脉沖中所述光束脉沖的所述功率被设置到所述功率Pb;以及通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉沖而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉沖的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉沖设置加热脉沖起始时间sTtop并且为所述第一加热脉沖设置加热脉沖终止时间eTtop。全文摘要一种信息记录方法，该方法通过根据记录策略照射光束脉冲到信息记录介质上，在以具有nT时长的记录标记的形式的信息记录介质上记录信息，所述记录策略包含下列步骤通过将所述光束脉冲的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe之一(Pw＞Pe＞Pb)，并且交替地照射具有被设置到Pw的功率的加热脉冲和具有被设置到Pb的功率的冷却脉冲到所述信息记录介质上，在所述记录介质上形成所述记录标记；通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉冲的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉冲起始时间sTtop和加热脉冲终止时间eTtop。文档编号G11B7/125GK101356577SQ200780001349公开日2009年1月28日申请日期2007年8月14日优先权日2006年9月14日发明者大仓浩子,日比野荣子,金子裕治郎申请人:株式会社理光