专利名称：一种存储器的编程方法
技术领域：
本发明涉及半导体存储器领域，尤其涉及一种虚拟接地存储阵列存储器的编程方 法。
背景技术：
虚拟接地存储阵列结构的存储器广泛应用于各种半导体存储器。如图1所示， 虚拟接地存储阵列存储器(memory)包含多个存储阵列(memory array)，每个存储阵列 包含多个存储单元(memory cell)，其特点是将第一个存储单元的漏极(drain)作为相连 接的第二个存储单元的源极(source)，将相连接存储单元间实际的源极或漏极线用位线 (bit-line)连接起来。存储器要对存储单元进行读写操作时，首先通过位线选择电路及字 线选择电路选中相应的位线，再通过在选中的位线上输入电流或电压从而对选中的存储单 元进行读写。为了加快存储器的编程速度，同时读写两个存储单元的双通道技术广泛应用于存 储器编程中。存储器同时选取两个存储单元进行编程时，有两种选择方式一是选中两不相 连的存储单元进行编程，二是选择相连的两存储单元进行编程。如图2所示，若对不相连接的两个存储单元A与B进行编程时，现有技术首先将存 储器中位线均输入编程电流Idp，然后同时选中存储单元A与存储单元B。接着在存储单元 A的漏极位线继续输入编程电流Idp，源极位线输入编程电压Vp，将存储单元B的源极位线 输入编程电压Vp，漏极位线输入继续编程电流Idp，并将存储单元A与B之间的位线均输入 编程电压Vp，其它位线浮置(float)。通过输入的编程电流Idp及编程电压Vp，从而对选中 的存储单元A与B进行同时编程。但该编程方法由于需要将存储单元A与B之间的位线均 输入编程电压Vp，即在地址切换时，由于需要对A与B之间的位线进行充电将造成存储器编 程时极大的功耗浪费。若对相连接两存储单元同时编程时，存在两种方式一是两存储单元共源级，二为 两存储单元共漏极。如图3所示，现有技术通常选择相连接的两共源极的存储单元进行编程。若要对 共源极的两存储位元A与B进行编程，首先在存储器的位线中利用电流源电路输入编程电 流Idp，接着通过位线选择器及字线选择器选中存储单元A与B，并将存储单元A与B之间的 位线作为源极位线输入编程电流Idd，而与存储单元A的漏极相连的漏极位线及与存储单 元B的漏极相连的漏极位线中不输入任何电流，并将其它位线浮置，从而节省功耗。但实际 编程时，存储单元A与B之间的电流均由电流源提供的编程电流Idd提供，但由于存储单元 A与B很难做到完全一样，因而流经存储单元A与B的电流不同，导致流经其中一个存储单 元的电流偏大而产生过度编程，流经另一个存储单元的电流偏小而产生编程不及的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能同时对两个存储单元进行平均编程的编程方法。
本发明提供一种存储器的编程方法。其中，存储器包含存储单元及与存储单元相 连接的位线。该编程方法具体包含步骤选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，第一 存储单元及第二存储单元共漏极，分别与第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位 线为第一源极位线及第二源极位线，与上述漏极相连的位线为漏极位线；分别从第一源极 位线及第二源极位线输入编程电流到第一存储单元及第二存储单元，并从漏极位线输入编 程电压，从而对第一存储单元及第二存储单元进行编程。
作为上述编程方法的进一步改进，在选中两相连的存储单元之前，将存储器内所 有位线均输入编程电流。作为上述编程方法的另一改进，在上述漏极位线输入编程电压之前，将除了上述 第一源极位线、第二源极位线及漏极位线外的其它位线浮置。采用本发明的编程方法，由于选择两相连的存储单元进行编程，不需要额外对其 它位线进行充电，从而节省功耗；且在两个相连的存储单元的源极位线同时输入编程电流 对该两存储单元进行编程，从而保证对两存储单元进行平均编程的效果。
图1为现有技术虚拟接地存储阵列的结构示意图；图2为现有技术对两不相连的存储单元进行编程的示意图；图3为现有技术对两相连共源极的存储单元进行编程的示意图；图4为本发明具体实施方式
一种对两相连共漏极的存储单元进行编程的示意图。
具体实施例方式针对上述存储器传统编程方法的缺陷，本发明提供一种既能节省功耗又能对每个 存储位元进行平均编程的编程方法。如图4所示，当存储器开始工作时，首先对存储单元进行初始化，将存储器内所有 位线均输入电流源电路提供的编程电流Idp ；接着通过位线选择器及字线(word-line)选 择器同时选择两相连接的存储单元第一存储单元A与第二存储单元B，且该两相连接的存 储单元A与B共漏极，两存储单元之间的位线为漏极位线，与第一存储单元A、第二存储单 元B的源极相连接的位线分别为第一源极位线及第二源极位线；然后分别在第一、第二源 极位线利用电流源电路继续提供编程电流Idp，并且在第一存储单元A与第二存储单元B之 间的漏极位线输入编程电压Vp，从而对第一存储单元A与第二存储单元B进行同时编程。 为了节省功耗，通常在对存储单元A与B输入编程电流Idp前，将除了上述第一源极位线、 第二源极位线及漏极位线外的其它位线浮置。由于电流源提供的编程电流Idp相同，所以流经第一存储单元A与第二存储单元B 的电流完全相同，从而保证同时对相连接的存储单元A与B的平均编程。且为了节省功耗， 通常在初始化后及对选择的两相连的存储单元A与B进行编程之前，将存储器内除了与存 储单元A与B相连接的位线外的其它位线浮置。当然，在对第一存储单元A及第二存储单元B进行编程时，可以不对存储单元进行 初始化，仅在于第一存储单元A的源极相连的源极位线及与第二存储单元B的源极相连的 源极位线输入编程电流I dp，并在存储存储单元A与B之间输入编程电压Vp，其它位线均不输入任何电流或电压。本发明选择共漏极的两相连的存储单元的编程方法，与现有的选择不相连的两存 储单元的编程方法相比，由于只需要切换两根源极位线即选中编程的两相连存储单元的源 极位线输入编程电流，从而节省大量功耗；与现有的选择共源极的两相连存储单元的编程 方法相比，由于分别在两相连的存储单元的源极位线分别输入相同的编程电流，虽然在工 艺上多增加了一个电流源提供编程电流，但可以对两存储单元进行平均编程，而不会产生 编程不及或过度编程的缺陷。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
一种存储器的编程方法，所述存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线，其特征在于，所述编程方法包含步骤a、选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，所述第一存储单元及第二存储单元共漏极，分别与所述第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线，与所述漏极相连的位线为漏极位线；b、分别从所述第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到所述第一存储单元及第二存储单元，并从所述漏极位线输入编程电压，从而对所述第一存储单元及第二存储单元进行编程。
2.如权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述编程方法在步骤a之前还包含步 骤设置所述位线的输入电流为编程电流。
3.如权利要求2所述的编程方法，其特征在于，所述编程方法在步骤b之前将所述位线 浮置除所述漏极位线、第一源极位线及第二源极位线外。
4.如权利要求1至3任一项所述的编程方法，其特征在于，所述存储器包含电流源电 路，所述编程电流及编程电流均由所述电流源电路提供。
全文摘要
本发明公开了一种存储器的编程方法。其中，存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线。该编程方法具体包含步骤选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，第一存储单元及第二存储单元共漏极，分别与第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线，与上述漏极相连的位线为漏极位线；分别从第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到第一存储单元及第二存储单元，并从漏极位线输入编程电压，从而对第一存储单元及第二存储单元进行编程。
文档编号G11C16/10GK101807433SQ20101012143
公开日2010年8月18日 申请日期2010年3月10日 优先权日2010年3月10日
发明者徐翌, 杨光军 申请人:上海宏力半导体制造有限公司