专利名称：磁记录介质及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种适于高记录密度的以离散轨道介质和位图案化介质为代表的图 案化介质及其制造方法。
现有技术在诸如大型计算机、工作站以及个人计算机的记录装置中所使用的磁盘设备在过 去的这些年变得更加重要，并且发展成更大容量，实现了更小尺寸。增大密度对增大磁盘设 备的容量并且使这些设备更紧凑是必要的。可引用的增大密度的一个方法涉及降低由减少磁记录介质的磁化反向单元所引 起的介质噪声。因此传统磁记录介质采用如下的结构形成磁记录层的铁磁晶粒通过已包 含在磁记录层之中的非磁性材料而分隔。通过更为主动地控制这种分隔区域来增加磁记录密度的一个建议涉及离散轨道 介质(DTM)的研究和开发，其中执行处理以提供记录轨道之间的分隔，以及位图介质(BPM) 的研究和开发，其中执行处理以提供记录位之间的分隔，并且在这两种情况下，用于形成分 隔区域的技术是增大密度的重要因素。通过蚀刻等来对磁性膜进行物理处理的一种磁性膜处理已被提出作为用于制造 DTM的方法。磁性膜处理的DTM通常是通过以下处理来制造的。(1)在记录层上提供金属 薄膜并且涂覆抗蚀剂。( 通过光刻技术等将微图案施加到抗蚀剂。( 通过干法处理对 抗蚀剂图案的凹部中的金属薄膜进行蚀刻，并且使记录层暴露。(4)通过干法处理对暴露的 记录层进行蚀刻，并且形成记录轨道分隔部(凹槽)。(5)去除记录轨道(岸台)中的残留 抗蚀剂和金属薄膜。(6)对凹槽区回填非磁性材料并且使其平坦化。(7)涂覆保护层和润 滑层。当前执行各类研究和开发以便提高每个处理的精确性。已提出了与回填和平坦化处理相关的各种制造方法，并且通常在其中使用氧化 物、氮化物、碳化物以及硼化物。专利文献1提出了一种方法，其中分隔区域(S印arating region)包括“诸如Si02、Al203、Ti02的氧化物；诸如Si3N4、AlN、TiN的氮化物；诸如TiC的 碳化物；以及诸如BN的硼化物；或者基于C、CH以及CF中的任何一个的聚合物”；此外，专 利文献2提出了一种其中分隔区域包括“诸如Si02、Al203、Ti&的氧化物；诸如Si3N4、AlN、 TiN的氮化物；诸如TiC的碳化物；以及诸如BN的硼化物；或者基于C、CH以及CF中的任何 一个的聚合物”的方法。此外，专利文献3 提出 了有关于由 “C、Si、Ti、V、Cr、Ni、Cu、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、 Ta、W以及Al的氮化物或者其合金”所代表的金属氮化物。另外，专利文献4公开了下述回填材料，回填材料包括例如除了 Al、Ti、Cr和Cr合 金、NiTa, TiOx, A1203、Ru以及Ta之外的氧化物、氮化物以及硼化物，但是这不作为对实施 例的效果或方式的参考。现有技术文献专利文献
[专利文献1]日本未审专利申请公布H9-97419[专利文献2]日本未审专利申请公布2000-298822[专利文献3]日本未审专利申请公布2009-080902[专利文献4]日本未审专利申请公布2008-15914
发明内容
本发明要解决的问题磁记录介质的记录区域(recording region)通常包括用于存储数据的数据轨道 区域以及用于对数据轨道的位置进行控制的伺服区域。在诸如DTM的图案化介质中，数据 轨道区域和伺服区域的记录区域已通过分隔区域(s印arating region)而被划分，但是伺 服区域中的记录区域和分隔区域的尺寸和节距通常大于数据轨道区域。例如，在伺服区域 中，存在或不存在铁磁层被用作“1”或“0”信息以对头部进行定位，并且当“0”继续时，形 成没有铁磁层的区域(region)，并且铁磁层的各区(area)之间的距离增大。在伺服区域 中，铁磁层的各区之间的宽度不是恒定的并且根据“0”的数目及其布置而混合多个宽度。与数据轨道区域相比，较难对伺服区域进行回填并使其平坦化，并且研发人员的 研究表明在伺服区域中有可能保持不平坦(阶梯或凹部)，并且最终这对磁头浮动特性具 有不良影响。下述是发现的这种情况。回填和平坦化处理通常涉及通过诸如溅射或CVD的干法处理或者以SOG为代表的 湿法处理来形成膜，在此之后通过诸如离子束蚀刻或反应离子束蚀刻的干法处理或者CMP 来执行回蚀刻，并且去除多余膜厚度以产生与记录区域相同的高度。诸如SOG和CMP的湿 法处理通常由于残留微粒而不利地影响记录介质的浮动特性和电磁转换特征，因此通常选 择干法处理。然而，即使利用专利文献1-4中所公开的材料执行回填，在图案尺寸和节距超 过IOOnm的区域中也不容易进行平坦化。借助于图l(a)_l(c)和图2(a)_2(c)对这些状况进行描述。 l(a)-1(c)示出了 记录层(铁磁层)101-1的图案尺寸小并且居间分隔区域102的宽度小的数据轨道区域的 状态；图2(a)-2(c)示出了铁磁层101-2的图案尺寸大并且居间分隔区域102的宽度大的 伺服区域的状态。在轨道数据区域中，分隔区域102的宽度小，并且因此如果分隔区域填充有非磁 性材料，那么在记录层(铁磁层)101-1上形成的非磁性材料层103-1的表面与分隔区域 102上的非磁性材料层表面之间的差Gd小于记录层(铁磁层)101-1的高度Lh (图1 (a))， 并且仅仅通过形成非磁性材料层，可以使表面不平坦平滑。此后，如图1(c)所示，通过图 1(b)所示的状态，对非磁性材料层进行蚀刻，使得在记录层(铁磁层)101-1上以及分隔区 域102中，对表面进行平坦化。当然，如图2(a)所示，当伺服区域中的分隔区域102的宽度Gw大并且非磁性材 料层103-1薄时，即使非磁性材料层被形成得薄，在铁磁层101-2上形成的非磁性材料层 103-1的表面与分隔区域102上的非磁性材料层表面之间的差Gd也实际上等于铁磁层 101-2的高度Lh，并且通过形成非磁性材料膜103-1也不能使表面不平坦被平滑。此后，即 使非磁性材料层103-1受到回蚀刻，尺寸大的岸台在尺寸方面被减小，但由于蚀刻再粘附 的效应，也不容易减小中心的高度，并且也难以使整个表面平坦化(图2(c))。
这是因为在诸如数据轨道区域的图案尺寸小的各区中，通过从纵向和横向方向上 生长的膜相对容易回填凹槽，因此在回蚀刻之后容易发生平坦化，然而在诸如伺服区域的 图案尺寸大的各区中生长在凹槽中心周围的膜只能在纵向方向上实现。因此无法很容易 地降低段差(difference in level)Gd0以这种方式形成的凹槽难以在回蚀刻之后被平坦 化。回填和平坦化处理是影响已完成介质的最终表面形状的重要步骤，并且可以说，该步骤 是否成功决定了磁头浮动特性。本发明的目的是提供一种分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记录区域磁记录介 质提供有分隔区域，所述分隔区域包括在包括铁磁层的记录区域之间的非磁性层，并且即 使铁磁层的各区之间的面内距离不同，所述分隔的记录区域磁记录介质也具有极好的磁头 浮动特性；本发明的进一步目的是提供一种用于制造这种磁记录介质的方法。解决该问题的方式用于实现上述目的的一种方式的实施例由下述磁记录介质组成，在所述磁记录介 质中，磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成，其中磁记 录层是具有记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域的图案化介质，并且在分隔区域中 形成包含Ti的非磁性合金层。此外，用于制造磁记录介质的方法包括对磁记录层进行处理以形成记录区域的 步骤；以及通过采用基板偏置的溅射来形成分隔区域的步骤。此外，记录介质具有能够记录数据或伺服信号的铁磁层以及在铁磁层的各区之间 设置的分隔区域；该分隔区域包括多个不同宽度的区域，并且在具有不同宽度的多个分隔 区域中的每一个中形成包含Ti的非磁性合金层。本发明的优点通过在分隔区域中形成包含Ti的非磁性合金层，可以提供具有极好磁头浮动特 性的分隔的记录区域磁记录介质，借此可以降低记录区域和分隔区域中的凹槽，甚至可以 降低诸如伺服区域的具有大图案尺寸的区域中的凹槽。
[图1(a)]是示出当具有小图案尺寸的区域中的分隔区域已回填了传统非磁性材 料时的状况的主要部分横截面图。[图1(b)]是示出当用于回填具有小图案尺寸的区域中的分隔区域的传统非磁性 材料层已被部分蚀刻时的状况的主要部分横截面图。[图1(c)]是示出当用于回填具有小图案尺寸的区域中的分隔区域的传统非磁性 材料层已被完全蚀刻时的状况的主要部分横截面图。[图2(a)]是示出当具有大图案尺寸的区域中的分隔区域已被部分回填有传统非 磁性材料时的状况的主要部分横截面图。[图2(b)]是示出当具有大图案尺寸的区域中的分隔区域回填有传统非磁性材料 层时的状况的主要部分横截面图。[图2(c)]是示出当对用于回填具有大图案尺寸的区域中的分隔区域的传统非磁 性材料层的蚀刻已完成时的状况的主要部分横截面图。[图3]是当根据一种方式的实施例的非磁性材料用于回填具有大图案尺寸的区
6域中的分隔区域时的状况的主要部分横截面图。[图4]是示出用于制造根据第一示例性实施例的磁记录介质的步骤的横截面示 意图。[图5]是示出用于制造根据第一示例性实施例的磁记录介质的步骤的横截面示 意图。[图6]是示出用于制造根据第一示例性实施例的磁记录介质的步骤的横截面示 意图。[图7]是示出用于制造根据第一示例性实施例的磁记录介质的步骤的横截面示 意图。[图8]示出当在根据第一示例性实施例的磁记录介质中TiCr合金用作具有磁性 膜处理深度为20nm并且回填膜厚度为30nm的回填材料时段差Gd对Ti组成比例的依赖性， 其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产生的图表。[图9]示出当在根据第二示例性实施例的磁记录介质中TiCo合金用作具有磁性 膜处理深度为20nm并且回填膜厚度为30nm的回填材料时段差Gd对Ti组成比例的依赖性， 其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产生的图表。[图10]示出当在根据第三示例性实施例的磁记录介质中TiAl合金用作具有磁 性膜处理深度为20nm并且回填膜厚度为30nm的回填材料时段差Gd对Ti组成比例的依赖 性，其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产生的图表。[图11]示出在根据第一至第三示例性实施例以及比较示例的磁记录介质中段差 Gd对具有磁性膜处理深度为20nm并且回填膜厚度为30nm的分隔区域(凹槽)的宽度Gw 的依赖性，其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产生的图表。
具体实施例方式为了解决上面所列的问题，采用以下构造。也就是说，磁记录介质具有如下的构 造磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成，并且磁记录 层是包括记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域的图案化介质，并且分隔区域包括包 含Ti的非磁性合金层。如果包含Ti的非磁性合金具有非晶结构，那么它更合适。图3示出当伺服区域中的分隔区域102回填了用作非磁性材料层的包含有Ti的 非磁性合金层103-2时的状况。这种构造使得可以降低在回填膜形成之后的段差，并且通 过随后的回蚀刻可以获得平的表面。为了进一步说明，当包括记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域的图案化介 质类型的磁记录介质中的分隔区域是由TiCr、TiCo以及TiAl中的至少一个非磁性非晶合 金组成时，可以制造出具有极好头部低浮动特性的分隔记录区域磁记录介质并且适于更高 密度记录。这是因为通过对分隔区域使用TiCr、TiCo以及TiAl中的至少一个非磁性非晶合 金不但可以减小数据轨道区域中的凹槽尺寸，而且还可以减小具有相对大的图案尺寸和节 距的伺服区域中的凹槽尺寸，并且因为还可以减小表面粗糙度，因此能够使磁头的浮动基 准面更靠近，并且可以减小记录区域与磁头之间的距离。当在TiCr的情况下将Ti的组成比例设定为30-70at%、在TiCo的情况下将Ti的组成比例设定为30-70at%以及在TiAl的情况下将Ti的组成比例设定为20-80at%时，但 是更优选的是在TiCr的情况下将Ti的组成比例设定为40-60at%、在TiCo的情况下将Ti 的组成比例设定为40-60at%以及在TiAl的情况下将Ti的组成比例设定为30-70at%时， 使用非磁性非晶合金，以便能够降低伺服区域中的凹槽尺寸。应该注意的是这里所描述的示例涉及其中伺服区域是具有大分隔区域的区域的 情况，但是这不是限制。借助于附图，下面通过示例性实施例对进行本发明更加详细地描 述。[示例性实施例1]借助于图4至8对第一示例性实施例进行描述。图4至7是示出用于制造根据该 示例性实施例的分隔记录区域磁记录介质(磁盘)的步骤的横截面示意图。图4示出当已 在非磁性基板(基板)1之上形成了下列层的堆叠时的状况=AlTi粘附层2、软磁性层3、NiW 种子层4、Ru中间层5、Co基合金粒状磁层(记录层1)6、Co基合金磁层(记录层2~) 以及 Ta掩模层前体8。软磁性层3包括下列层的堆叠TeCo基下软磁性层3a、Ru反铁磁性耦合 层3b以及!^Co基上软磁性层3c。如下所述，根据通常的制造方法来执行直至并且包括在非磁性基板1上形成Ta掩 模层前体8的步骤。首先对用作基板1的钠钙玻璃基体(外径65mm、内径15mm、厚度0. 635mm)进 行彻底地清洗。然后，将其引入到已被抽空到不大于1.3X10_5Pa(10至负的5帕) (1. O X IO7Torr)的真空罐中。最初，将基板传送到粘附层形成舱，其中，在约0. 8Pa (6mTorr) 且Ar大气的条件下通过DC磁控溅射来形成5nm的Al-50at% Ti粘附层2。然后，将基板传送到下软磁性层形成舱，其中，在约0. 8Pa(6mTorr)且Ar大气的 条件下通过DC磁控溅射来形成20nm的Co-9at% Ta-4at% Zr合金下软磁性层 3a。然后，将基板传送到反铁磁性耦合层形成舱，其中，在约0.8Pa(6mTorr)且Ar大气的条 件下通过DC磁控溅射来形成0. 5nm的Ru层北。然后，将基板传送到上软磁性层形成舱， 其中，在约0. 8Pa(6mTorr)且Ar大气的条件下通过DC磁控溅射来形成25nm的 Co-9at% Ta-4at% Zr合金上软磁性层3c。此后，将基板传送到基板冷却舱，其中，使由于溅射所产生的热的影响而上升的基 板温度下降到，在此之后，将基板传送到种子层形成舱，其中，在约0. 9Pa (7mTorr)且 Ar大气的条件下通过DC磁控溅射来形成8nm的Ni-8at% W种子层4。此后，将基板传送到中间层形成舱，其中，在约2Pa(15mT0rr)且Ar大气的条件 下通过DC磁控溅射来形成15nm的Ru中间层4。将基板传送到磁记录层形成舱1，其中， 在约0. 9Pa(6mTorr)且Ar大气的条件下通过DC磁控溅射来形成13nm的包括90mol % (Co-15at% Cr-18at% Pt)8mol% SiO2合金的粒状磁层(记录层1) 6，在此之后，将基板传 送到磁记录层形成舱2，其中，在约0. 8Pa (6mTorr)且Ar大气的条件下通过DC磁控溅射来 形成 7nm 的 Co-13at% Cr-18at% Pt-7at% B 磁层(记录层 2)7。此后，将基板传送到Ta掩模层前体形成舱，其中，在约0. 9Pa(7mTorr)且Ar大气 的条件下通过DC磁控溅射来形成30nm的Ta掩模层前体8。代替用于基板1的钠钙玻璃，可以使用化学强化的铝硅酸盐基板、Ni-P无电镀 Al-Mg合金基板，或者包括硅、由硅酸硼玻璃等形成的陶瓷或者玻璃釉陶瓷的非磁性刚性基板。提供了粘附层2，用以防止从钠钙玻璃中碱金属的电化学洗脱，并且用于改善玻璃 与软磁性层3之间的粘附性，并且除了 AlTi之外，采用NiTa、AlTa或者CoTiAl也是可行 的，并且厚度是不重要的。如果不是特别需要，该层同样可以省略。此外，在粘附层2与软 磁性层3之间还提供了软磁性背衬层。这种情况下的典型结构涉及在粘附层2上相继地形 成 6nm 的 Ni-18-at% FeU7nm 的 Fe_50at% Mn 以及 3nm 的 Co_10at% Fe,并且此后提供软 磁性层3。还可以对种子层4使用Nii^e合金、NiI1a合金或者IVTi合金等。此外，NiCrTi合 金层可以堆叠在种子层4与软磁性层3之间。在形成上软磁性层3c之前或者在形成记录 层6之前，而不是在形成上软磁性层3c之后，提供基板冷却步骤，或者对若干这种步骤进行组合。从真空罐去除其上形成了直至并包括Ta掩模层前体8的层的基板1并将其引入 到抗蚀剂涂布器中，其中，形成了 60nm的甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)层9以作为Ta掩模 层前体上的抗蚀剂材料，在此之后，通过纳米压印技术形成如图5所示的所需的微图案。也就是说，用于形成微图案的溅射涉及对数据轨道区域以及具有比数据轨道区域 更大图案尺寸和节距的伺服区域的拷贝，其包括可以制造抗蚀剂凸部的宽度为90nm、抗蚀 剂凹部的宽度为20、50、100、200以及300nm以及抗蚀剂残留物为5nm的形状中的同心图案 的区域。此后，将提供有直至并包括具有微图案的PMMA层9的基板从用来形成直至并包括 Ta掩模层前体8的层的一个真空装置引入到不同的真空装置，并且形成Ta掩模层82。首 先，将基板传送到反应氧离子蚀刻(RIE-02)舱，并且去除5nm的抗蚀剂残留物。此后，将基 板传送到反应CF4离子蚀刻舱，并且形成Ta掩模层。此后，将基板传送到Ar离子束蚀刻 (IBE)舱，并且将已在Ta掩模层之下的粒状磁层(记录层1)6和Co基合金磁层(记录层 2)7分别蚀刻到13nm和7nm。在图6中，以横截面图示意性地示出根据本发明的经过了直 至该点之前的步骤的磁记录介质。此后，将基板传送到反应CF4离子蚀刻舱，并且通过CF4离子蚀刻完全去除Ta掩 模层，并且制造图7所示的结构。制备图7所示的结构的多个样本，并且制造如下所示的回 填且平坦化样本。其中磁性膜凸部被蚀刻为90nm的宽度、凹部被蚀刻为20、50、100、200以及300nm 的宽度(Gw)以及深度被蚀刻为20nm(图7所示的结构)的样本传送到溅射薄膜形成舱而 不会暴露于真空外部，并且在利用TiCr合金靶所处理的磁性膜表面上形成30nm的合金薄膜。所使用的合金靶中的Ti组成比例被设定为10、20、30、40、50、60、70、80以及 90at%，并且为了比较的目的，也使用纯Ti靶和纯Cr靶。图8 (a)和8 (b)示出对于每个Gw 而言段差Gd对Ti组成比例的依赖性，其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产 生的图表。当Gw是20nm时，Gd没有改变非常大的量，不论Ti组成比例如何。然而，随着Gw 增大，Gd表现出对Ti的组成比例的依赖性，并且当Ti为30-70at%时，可以保持Gd为15nm 或更少，尽管对这些区域，不能如通常那样希望简单回填就能够以Gw产生在100、200以及300nm的高度水平的平坦化的区域。当Ti尤其是40_60at %时，可以保持Gd为13nm或者更 少。换句话说，很明显，TiCr合金对于回填和平坦化是有效的材料，并且呈现出30-70at% 尤其是20-60at%的非晶特性的Ti的组成比例是有效的。通过离子束蚀刻(IBE)或者气体簇离子束(GCIB)来对样本进行蚀刻，并且去除回 填膜的多余膜厚度；对蚀刻影响和再粘附影响做平衡，使得保持记录区域与分隔区域的段 差为最多2nm，即使在伺服区域中，因此可以获得具有极好磁头浮动特性的表面形状。如上所述，该示例性实施例使得可以提供分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记 录区域磁记录介质提设置在包括铁磁层的记录区域之间的、包括有非磁性层的分隔区域， 并且具有极好的磁头浮动特性，即使铁磁层的各区之间的面内距离不同；该示例性实施例 还使得可以提供用于制造这种磁记录介质的方法。[示例性实施例2]借助于图9 (a)和9 (b)对第二示例性实施例进行描述。应该注意的是在该示例性 实施例中未公开的但是在示例性实施例1中所公开的任何内容在该示例性实施例中可以 同样方式应用。按照与示例性实施例1相同的方式制造样本，除了当在已处理的磁性膜表面上形 成合金薄膜时TiCo靶用于形成30nm的合金薄膜。合金靶的Ti组成比例是10、20、30、40、 50、60、70、80以及90at%。图9 (a)和9 (b)示出对于每个Gw而言段差Gd对Ti组成比例 的依赖性，其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产生的图表。还在这种情况下，当Ti为30-70at%时，可以保持Gd为15nm或更少，尽管事实是 这些区域是通常不能希望简单回填能够以Gw产生在100、200以及300nm的高度水平处的 平坦化的区域。当Ti尤其是40-60at%时，可以保持Gd为13nm或者更少。换句话说，很明 显，TiCo合金对于回填和平坦化是有效的材料，并且呈现出30-70at%，尤其是40-60at% 的非晶特性的Ti组成比例是有效的。按照与示例性实施例1相同的方式，通过离子束蚀刻(IBE)或者气体簇离子束 (GCIB)来对样本进行蚀刻，并且去除回填膜的多余膜厚度；甚至在伺服区域中，也可以保 持记录区域与分隔区域的段差为最多2nm，并且可以获得具有极好磁头浮动特性的表面形 状。如上所述，该示例性实施例使得可以提供分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记 录区域磁记录介质设置有在包括铁磁层的记录区域之间的、包括有非磁性层的分隔区域， 并且具有极好的磁头浮动特性，即使铁磁层的各区之间的面内距离不同；该示例性实施例 还使得可以提供用于制造该磁记录介质的方法。[示例性实施例3]借助于图10 (a)和10 (b)对第三示例性实施例进行描述。应该注意的是在该示例 性实施例中未公开的但是在示例性实施例1中所公开的任何内容在该示例性实施例中可 以同样方式应用。按照与示例性实施例1相同的方式制造样本，除了当在已处理的磁性膜表面上形 成合金薄膜时TiAl靶用于形成30nm的合金薄膜。合金靶的Ti组成比例是10、20、30、40、 50、60、70、80以及90at%。图10(a)和10(b)示出对于每个Gw而言段差Gd对Ti组成比 例的依赖性，其中(a)示出数据并且(b)是从(a)中的数据所产生的图表。
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在这种情况下，当Ti为20-80at%时，可以保持Gd为15nm或更少，尽管事实是这 些区域是通常不能希望简单回填能够制造Gw在100、200以及300nm的高度水平处的平坦 化的区域。当Ti尤其是30-70at%时，可以保持Gd为13nm或者更少。换句话说，很明显 TiAl合金对于回填和平坦化是有效的材料，并且呈现出20-80at%尤其是30-70at%的非 晶特性的Ti组成比例是有效的。按照与示例性实施例1相同的方式，通过离子束蚀刻(IBE)或者气体簇离子束 (GCIB)来对样本进行蚀刻，并且去除回填膜的多余膜厚度；甚至在伺服区域中，也可以保 持记录区域与分隔区域的段差为最多2nm，并且可以获得具有极好磁头浮动特性的表面形 状。如上所述，该示例性实施例使得可以提供分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记 录区域磁记录介质设置有在包括铁磁层的记录区域之间的、包括有非磁性层的分隔区域， 并且具有极好的磁头浮动特性，即使铁磁层的各区之间的面内距离不同；该示例性实施例 还使得可以提供用于制造该磁记录介质的方法。[比较示例]图11(a)和(b)示出示例性实施例1、2、3的这三个代表性示例的Gd对Gw的依 赖性，在示例性实施例的范围之外的合金成分的两个代表性示例，作为比较示例的纯Ti、Ag 以及不包含Ti的三个示例性合金。在所有情况下，膜厚度是30nm。在示例性实施例的三个 代表性示例中，即使当Gw是IOOnm或更大时，保持Gd为最多13nm。另一方面，对于示例性 实施例之外的7个回填样本，当Gw达到100或更大时⑶达到15nm或更大。从此，可以看 出，包含Ti的非晶合金对于回填和平坦化是特别好的材料，甚至对于相对大的图案尺寸和 节距。[附图符号注释]1...非磁性基板；2. ..AlTi粘附层；3...软磁性层；3a. . . i^eCoTa^ 下软磁性 层；3b. .. Ru反铁磁性耦合层；3c. · · FeCoTaZr上软磁性层；4. · · Niff种子层；5. . . Ru中间 层；6. . . Co基合金粒状磁层(记录层1) ；7. . . Co基合金磁层(记录层幻；8. . . Ta掩模层 前体；82... Ta掩模层；9...甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)层；101-1...记录层(铁磁层)； 101-2. · ·铁磁层；102. · ·分隔区域(凹槽)；103-1. · ·非磁性材料层；103-2...包含Ti的 非磁性合金层。
权利要求
1.一种磁记录介质，在所述磁记录介质中，磁记录层直接在基板上形成或利用位于其 间的至少中间层在基板上形成，其中所述磁记录层是具有记录区域以及用于分隔所述记录区域的分隔区域的图案化介质；以及在所述分隔区域中形成包含Ti的非磁性合金层。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，包含Ti的非磁性合金层是包含Ti的非磁 性非晶合金层。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，包含Ti的非磁性合金层包括TiCr合^^ ο
4.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中，TiCr合金中的Ti的组成比例是 30-70at%。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质，其中，TiCr合金中的Ti的组成比例是 40-60at%。
6.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，包含Ti的非磁性合金层包括TiAl合^^ ο
7.根据权利要求6所述的磁记录介质，其中，TiAl合金中的Ti的组成比例是 20-80at%o
8.根据权利要求7所述的磁记录介质，其中，TiAl合金中的Ti的组成比例是 30-70at%。
9.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，包含Ti的非磁性合金层包括TiCo合^^ ο
10.根据权利要求9所述的磁记录介质，其中，TiCo合金中的Ti的组成比例是 30-70at%。
11.根据权利要求10所述的磁记录介质，其中，TiCo合金中的Ti的组成比例是 30-70at%。
12.一种用于制造如权利要求1至11所述的磁记录介质的方法，所述方法包括 对所述磁记录层进行处理使得形成所述记录区域的步骤；以及通过采用基板偏置的溅射来形成分隔区域的步骤。
13.—种记录介质，所述记录介质具有能够记录数据或伺服信号的铁磁层以及在铁磁 层的各区之间设置的分隔区域，其中所述分隔区域包括多个不同宽度的区域；以及在具有不同宽度的多个分隔区域中的每一个中形成包含Ti的非磁性合金层。
14.根据权利要求13所述的磁记录介质，其中包含Ti的所述非磁性合金层是TiCr合金层、TiAl合金层或者TiCo合金层。
15.一种磁记录介质，所述磁记录介质设置有用于存储数据的数据轨道区域以及用于 控制头部位置的伺服区域，其中所述数据轨道区域包括具有第一宽度的第一分隔区域以及用于记录数据的铁磁层，所 述铁磁层与所述第一分隔区域相邻并且与所述第一分隔区域分隔开；所述伺服区域包括具有比第一宽度更宽的多个宽度的第二分隔区域以及铁磁层，所述铁磁层与具有多个宽度的所述第二分隔区域相邻并且与所述第二分隔区域分隔开；以及 在所述第一分隔区域和所述第二分隔区域中形成包含Ti的非磁性合金层。
16.根据权利要求15所述的磁记录介质，其中，包含Ti的非磁性合金层是TiCr合金 层、TiAl合金层或者TiCo合金层。
全文摘要
本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。本发明提供了一种分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记录区域磁记录介质设置有在包括铁磁层的记录区域之间的包括非磁性层的分隔区域，并且即使铁磁层的各区之间的面内距离不同，所述分隔的记录区域磁记录介质也具有极好的磁头浮动特性；以及还提供一种用于制造该磁记录介质的方法。一种磁记录介质以及用于制造其的方法，在该磁记录介质中，磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成，其中磁记录层是具有记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域(102)的图案化介质，并且在分隔区域(102)中形成包含Ti的非磁性合金层(103-2)。
文档编号G11B5/667GK102087857SQ20101055673
公开日2011年6月8日 申请日期2010年11月18日 优先权日2009年12月2日
发明者大野俊典, 桧上龙也, 药师神弘士 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司