专利名称：数据存储介质基板用玻璃、数据存储介质用玻璃基板及磁盘的制作方法
技术领域：
本发明涉及被用于磁盘、光盘等数据存储介质的玻璃基板、该玻璃及磁盘。
背景技术：
作为磁盘、光盘等数据存储介质基板用玻璃，例如使用高杨氏模量的含锂硅铝酸盐类玻璃或对其进行了化学强化处理而获得的玻璃(例如参照专利文献1)，或者使用对具有特定组成的玻璃进行热处理使结晶层析出的结晶化玻璃(例如参照专利文献2)。近年，随着硬盘驱动器的存储容量的增大，以高速度进行了高记录密度化。但是， 随着高记录密度化的发展，出现了磁性粒子的微细化有损热稳定性、串音(cross talk)及重放信号的SN比下降的问题。因此，作为光和磁的融合技术，热辅助磁记录技术受到注目。 它是在对磁记录层照射激光或近场光(near-field light)使局部加热部分的矫顽力下降的状态下施加外部磁场来进行记录，再通过GMR元件等读出记录磁化的技术。由于可记录于高矫顽力介质，因此能够在保持热稳定性的同时将磁性粒子微细化。但是，将高矫顽力介质形成为多层膜时，必须要对基板进行充分地加热，因此需要高耐热基板。专利文献1 日本专利特开2001-180969号公报专利文献2 日本专利特开2000-119042号公报发明的揭示化学强化处理用基板玻璃为了有效地实施化学强化处理其耐热性被降低，将所述高矫顽力介质形成为多层膜时的加热可能会导致其发生翘曲。此外，如果对化学强化处理玻璃基板进行所述加热，则经离子交换处理的交换层因该加热而扩散，强度可能会下降。此外，如果希望使用结晶化玻璃基板，则因结晶层和基体的热膨胀系数不同，所述加热可能会导致基板表面变形。本发明的目的是提供即使不实施化学强化处理或结晶化处理也能够获得高耐热性的数据存储介质基板用玻璃、数据存储介质用玻璃基板及磁盘。本发明提供一种数据存储介质基板用玻璃(以下称为本发明的玻璃)，该玻璃的特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有55 70%的SiO2、2. 5 9%的A1203、 0 10%的]\%0、0 7% 的 Ca0、0. 5 10% 的 Sr0、0 12. 5% 的 Ba0、0 2. 5% 的 Ti02、 0. 5 3. 7%的 Zr02、0 2. 5%的 Li20、0 8%的 Na20、2 8%的 K20、0. 5 5%的 Lei2O3, Al2O3和^O2的合计含量(Al203+Zr02)为12%以下，Li20、Na20和K2O的合计含量为12% 以下。此外，提供下述数据存储介质基板用玻璃(以下称为第1玻璃或玻璃1)，该玻璃的特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有55 70%的SiO2、2. 5 9%的A1203、 0 10%的]\%0、0 7% 的 Ca0、l 10% 的 Sr0、0. 5 12. 5% 的 Ba0、0 2. 5% 的 Ti02、 0. 5 3. 7%的 Zr02、0 2. 5%的 Li20、0 5%的 Na20、2 8%的 K20、0. 5 5%的 Lei2O3, Al203+Zr02为12%以下，SrO和BaO的合计含量与Li2O含量的差值为2%以上，R2O为10% 以下。此外，提供下述数据存储介质基板用玻璃(以下称为第2玻璃或玻璃2、，该玻璃的特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有60 70%的SiO2、2. 5 9%的A1203、 2 10%的Mg0、0 7%的Ca0、0. 5 10%的 Sr0、0 5%的Ba0、0 的Ti02、l 3. 7% 的 Zr02、0 2. 5 % 的 Li20,2 8 % 的 Na20,2 8 % 的 K20,0. 5 3 % 的 La2O3, Al203+Zr02 为 12%&T，Mg0、Ca0、Sr0&Ba0的合计含量RO为10%以上，为12%以下。另外，还提供由所述数据存储介质基板用玻璃形成的数据存储介质用玻璃基板。还提供在所述数据存储介质用玻璃基板上形成有磁记录层的磁盘。利用本发明，即使未实施化学强化处理或结晶化处理，也能够获得适合于热辅助磁记录的高耐热性数据存储介质用玻璃基板。利用本发明的较好实施方式，可获得碱金属氧化物含量少的玻璃，可期待玻璃基板的耐候性的提高。此外，可获得具有与现有的玻璃基板相同程度的热膨胀系数的玻璃基板。另外，使浮法成形成为可能，适合于玻璃基板的大规模生产。另外，可获得杨氏模量(E)为75GPa以上的玻璃，玻璃基板不易挠曲，存储容量增大，即使存储介质受到冲击也不易破裂。另外，如果E为90GPa以下，则容易进行玻璃基板的研磨加工。另外，可减小最终研磨加工后的玻璃表面粗糙度。附图的简单说明
图1是表示Al2O3含量与&02、K2O及La2O3的合计含量之积除以MgO、CaO、SrO及 BaO的合计含量所得的值(Al (ZrKLa)/R0)和粘度达到104dPa-s时的温度与液相温度的差值ΔΤ的关系的图。图2是表示MgO和CaO的合计含量与Lei2O3和TW2的合计含量之积除以^O2含量所得的值((((MgO+CaO) X (La203+Ti02)) +ZrO2)，单位摩尔％ )和进行玻璃的小角X射线散射测定而得的散射峰强度(任意单位)的关系的图。图3是表示进行玻璃的小角X射线散射测定而得的散射峰强度(任意单位)和经研磨的玻璃的通过原子力显微镜测得的表面粗糙度Ra(单位nm)的关系的图。实施发明的最佳方式本发明的数据存储介质用玻璃基板典型的是厚度为0. 5 1. 5mm、直径为48 93mm的圆形玻璃板，磁盘用玻璃基板等中通常在其中央形成直径15 25mm的孔。本发明的磁盘中，在本发明的数据存储介质用玻璃基板的主表面至少形成作为磁记录层的磁性层，除此以外可根据需要形成底层、保护层、润滑层、凹凸控制层等。对于本发明的数据存储介质用玻璃基板的制造方法无特别限定。例如，按照目标组成调和常用的各成分的原料，用玻璃熔融窑将其加热熔融，然后通过鼓泡、搅拌、澄清剂的添加等将熔融玻璃均质化，再利用公知的浮法、加压法或下引法等方法将本发明的数据存储介质基板用玻璃成形为规定厚度的平板玻璃。接着进行退火，再根据需要进行研削、研磨等加工而形成为规定尺寸和形状的玻璃基板。作为成形法，优选适合于大规模生产的浮法。本发明的玻璃的玻璃化温度(Tg)较好为660°C以上。如果低于660°C，则可能很难采用在磁性层形成时进行的热处理温度较高的所述热辅助磁记录技术。更好为680°C以上，特好为690°C以上，特别希望提高耐热性的情况下，该玻璃化温度优选为700°C以上。Tg 典型的为740°C以下。本发明的玻璃在50 350°C下的平均线膨胀系数(α)较好是75 X 10_7°C以上。 α如果低于75X10_7°C，则小于目前使用的玻璃的α，另一方面，安装在基板上的插孔的金属的α典型的是100Χ 10_7°C以上，因此插孔和玻璃基板的α的差变大，玻璃基板可能易破碎。α更好为76X10_7°C以上，特好为77X10_7°C以上，最好为78X10_7°C以上，典型的是90X10_7°C以下。本发明的玻璃的粘度达到104dPa · s时的温度(T4)和液相温度(TJ之差ΔΤ(= T4-Tl)较好为-70°C以上。如果低于_70°C，则可能不易成形为平板玻璃。八1~更好为01以上。Δ T如果低于0°C，则可能难以实现浮法成形。Δ T特好为 10°C以上，最好为20°C以上。本发明的玻璃的密度(d)较好为3. 3g/cm3以下。d如果超过3. 3g/cm3，则数据存储介质的轻量化变得困难，存储介质的驱动所要消耗的电力增加，磁盘旋转时可能易受到涡流损失的影响而发生振动，引发读取错误，或者存储介质在受到冲击时基板易挠曲，产生应力，易破碎。d更好为3. Og/cm3以下，最好为2. 8g/cm3以下。玻璃2的d典型的是2. 75g/ cm3以下。本发明的玻璃的杨氏模量(E)较好为75 90GPa。E如果低于75GPa，则磁盘旋转时可能易受到涡流损失的影响而发生振动，引发读取错误，或者存储介质在受到冲击时基板易挠曲，产生应力，易破碎。E更好为78GI^以上，最好为80Gpa以上。E如果超过90GPa， 则研磨速度可能下降，或者产生局部应力，可能易破碎，典型的是87GPa以下。E/d典型的是25 !35MN/kg，玻璃2的E/d典型的是28 33MN/kg。所述第1玻璃为本发明的玻璃，含有1摩尔％以上的Sr0、0. 5摩尔％以上的BaO、 O 5摩尔％的Na2O, SrO和BaO的合计含量与Li2O含量之差为2摩尔％以上，为10摩尔％以下。该第1玻璃适合于希望降低T4、增加Δ Τ、提高Tg等的情况。所述第2玻璃为本发明的玻璃，含有60摩尔％以上的Si02、2摩尔％以上的MgO、 0 5摩尔％的Ba0、0 1摩尔％的TiO2U 3. 7摩尔％的&02、2摩尔％以上的Na20、3 摩尔％以下的La2O3，RO为10摩尔％以上。该第2玻璃适合于希望减小d或E/d、使分相不易发生等的情况。以下，对本发明的玻璃组成进行说明。如无特别限定各成分的含量以摩尔百分率表不。SiO2是形成玻璃骨架的必须成分。SW2如果不足55%，则玻璃变得不稳定或者耐候性或耐酸性下降。SiO2较好为57%以上，典型的是60%以上。SiO2如果超过70%，则α 变得过小或者用于制作玻璃的熔化温度变得过高。SW2较好是68%以下，典型的是67%以下。玻璃2中SiO2* 60%以上。SiO2如果低于60%，则玻璃变得不稳定，玻璃易分相， 或者Tg、耐候性或耐酸性下降。SiA较好为61 %以上，典型的是63%以上。玻璃2中SW2的以质量百分率表示的含量典型的是低于60. 2%。Al2O3具有提高Tg、耐候性或E的效果，是必须成分。Al2O3如果不足2. 5%，则所述效果不明显，较好为4%以上。Al2O3如果超过9%，则&02系或K-Al-Si系结晶易析出， γ 可能会提高，较好是8 %以下。玻璃1的以质量百分率表示的Al2O3含量典型的是低于11%， 更典型的是10. 5%以下。MgO不是必须成分，但具有使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融、减小d、提高E 等效果，至多可以含有10%。MgO如果超过10%，则有化学耐久性劣化、玻璃变得不稳定或 Tl过高的可能，另外玻璃可能易分相，较好为9%以下。含有MgO的情况下，较好的是含有
以上。玻璃2中的MgO特好为9%以下。玻璃2中MgO是必须成分。MgO如果低于2%，则熔融玻璃的粘度提高，玻璃不易熔融，d变大或E下降。MgO较好为4%以上。CaO不是必须成分，但具有使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融或提高E的效果，至多可以含有7 %。如果CaO超过7 %，则易与Si、La生成结晶，Tl可能会变高，玻璃可能会变得不稳定或化学耐久性下降，另外玻璃可能易分相。CaO较好为6%以下，玻璃2中 CaO典型的是4%以下。含有CaO时，其含量典型的是1 %以上。SrO具有增大α、使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融或使 γ下降的效果，是必须的。SrO如果不足0.5%，则所述效果不明显，较好为以上，更好为2%以上。SrO如果超过10%，则有化学耐久性劣化、玻璃变得不稳定或d过高的可能，较好为8%以下。玻璃1中SrO如果不足1%，则所述效果不明显，因此SrO为以上，较好为2% 以上。BaO不是必须成分，但具有提高α、使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融或使下降的效果，至多可以含有12. 5%。BaO如果超过12. 5%，则易生成Ba-Al-Si系结晶，IY反而可能会提高，可能导致耐候性下降、d过高或E下降，较好为10%以下。含有BaO时，其含量典型的是0.1%以上。玻璃1中BaO是必须的。BaO如果不足0. 5 %，则熔融玻璃的粘度提高，玻璃难熔融或IY提高，较好是以上。玻璃2中含有BaO时其含量为5%以下。BaO如果超过5%，则可能d过高或E下降，较好是3%以下。Mg0、Ca0、Sr0及BaO的合计含量RO较好为10%以上。RO如果不足10%，则α可能过小，典型的是12%以上。此外，RO较好为30%以下。RO如果超过30%，则可能Tg下降或d变大，较好是 25%以下，典型的是22%以下。玻璃2中RO必须为10%以上。RO如果不足10%，则α过小，典型的是12%以上。TiO2不是必须成分，但为了具有提高Tg、耐候性或E的效果，可含有至多2. 5%的 Ti02。TiO2如果超过2.5%，则玻璃可能变得不稳定，较好为2%以下。含有TiO2时其含量典型的是0.5%以上。
玻璃1中MgO、CaO和TW2的合计含量较好为16%以下。如果超过16%，则将玻璃退火时在退火温度高或冷却速度慢的情况下可能会发生分相。玻璃2中含有TW2时其含量为以下。TiO2如果超过1%，则玻璃易分相，较好为0. 9%以下，更好为0. 5%以下。为了抑制分相，最好不含Ti02。ZrO2具有提高Tg、耐候性或E的效果，是必须的。如果不足0. 5%，则所述效果不明显，较好是以上。^O2如果超过3. 7%，则有^O2结晶析出、Tl升高或d过大的可能， 较好是3. 6%以下。Al2O3和^O2的合计含量(Α1203+&02)如果超过12%，则 γ可能会过高，典型的是 11%以下。玻璃2中^O2为1 %以上。^O2如果不足1 %，则耐候性下降，E变小或易分相。玻璃2中SW2的以质量百分率表示的含量与TW2及ZiO2的以质量百分率表示的合计含量的比值(Si02/(Ti02+Zr02))最好超过10。该比值如果为10以下，则有I；升高的可能，更好是12以上。Li2O不是必须成分，但为了具有提高α、使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融或提高E的效果，可含有至多2. 5%的Li20。Li2O如果超过2. 5%，则可能造成Tg大幅度下降或耐候性下降，在玻璃2中还可能易引起分相，较好为以下，典型的是不含Li20。玻璃1中SrO和BaO的合计含量与Li2O含量的差值[(SrO+BaO) -Li2O]为2 %以上。该差值如果不足2 %，则Tg可能会过低，较好是3. 5 %以上。Na2O不是必须成分，但为了具有提高α或使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融的效果，可含有至多8%的Na20。Na2O如果超过8%，则可能造成Tg或耐候性下降，较好为 6%以下。玻璃1中含有na2o时其含量为5%以下。nei2o如果超过5%，则tg或耐候性可能下降，较好是4%以下。玻璃2中Na2O是必须成分。Na2O如果不足2%，则α变小或熔融玻璃的粘度增加，玻璃不易熔融，较好为3%以上。K2O具有增大α或使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融的效果，是必须的。如果 K2O不足2%，则所述效果不明显，较好为3%以上。K2O如果超过8%，则易生成K-Si-Al系结晶，Tl可能会升高，或者耐候性或E可能会下降，较好为7%以下。Li20、Nii2O及K2O的合计含量如果超过12%，则Tg或耐候性可能会下降，较好为10%以下。较好为5%以上。如果不足5%，则有α变得过小或玻璃的粘性上升的可能。玻璃1中为10%以下。如果超过10%，则可能会造成Tg或耐候性下降， 较好为9%以下。Li2O和Na2O的合计含量与K2O含量的摩尔比值(Li2CHNa2O) /K2O较好为3以下。该摩尔比值如果超过3.0，则Tg可能会过低或相较于α的增加效果不能够忽略使Tg下降的效果，更好的是1.4以下，典型的是1. 1以下。玻璃1中该摩尔比值较好为1.4以下。Lei2O3具有提高Tg、提高α或提高E的效果，因此是必须的。La2O3如果不足 0.5%,则所述效果不明显，较好是1 %以上。La2O3如果超过5%，则易生成Si-La系结晶或 Si-Ca-La系结晶，反而可能会造成IY提高或d过高，较好是3%以下。
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玻璃2中Lei2O3为3%以下。Lei2O3如果超过3%，则易生成Si-La系结晶或Si-Ca-La 系结晶，反而可能会造成IY提高或d过高，或者可能易分相，较好是2%以下。关于玻璃1，图1是摩尔百分率表示的组成为SW2 52 67. 5%,Al2O3 :4 15%、 MgO 0 8. 5%、CaO :0 8%、SrO :0. 5 9%、BaO 0 10%、TiO2 :0 4%、ZrO2 0 4 %、Li2O :0 2. 5 %、Na2O :0 6 %、K2O :3 7 %、La2O3 :0 5 % 的 67 ±夬玻璃的 Al2O3 含量与&02、K2O及La2O3的合计含量之积除以MgO、CaO, SrO及BaO的合计含量所得的值 Al (ZrKLa)/RO (横轴，单位摩尔％ )和ΔΤ = T4-Tl(纵轴，单位°C )的图。一部分玻璃的1\采用由组成算出的值。从图1可知，希望ΔΤ为0°C以上时，Al (ZrKLa) /RO较好为4. 0%以下。Al (ZrKLa) / RO如果超过4.0%，则Δ T易不足0°C，可能很难实现浮法成形。更好是3. 5%以下，特好是 3. 0%以下。玻璃1中Al2O3和^O2的合计含量为9%以下时，Al2O3JrO2、K20和Lei2O3的合计含量较好为RO以下。如果不是这种情况，则易析出Si-Al-La系结晶、ZiO2系结晶或Si-K-La 系结晶，Δ T可能会变小。玻璃1中Al2O3和^O2的合计含量超过9%时，^O2和K2O的合计含量较好为不足 9%。如果不是这种情况，则&02系结晶或Si-K-La系结晶易析出，ΔΤ可能会变小。关于玻璃2，图2是摩尔百分率表示的组成为SiO2 64. 3 67. 3%, Al2O3 :7. 2 8. 0 %、MgO :4. 5 8. 5 %、CaO :0 8 %、SrO :0. 5 6. 0 %、BaO :0 2. 0 %、TiO2 0 2. 0%,Zr02 :1. 0 3. 0%,Na20 :3. 0 6. 5%, K2O 2. 5 6. 3%, La2O3 0. 5 1. 3%的 20 块玻璃的MgO和CaO的合计含量与La2O3和TW2的合计含量之积除以^O2含量所得的值 (Mg+Ca) (La+Ti)/Zr (横轴，单位摩尔％ )和进行玻璃的小角X射线散射测定而得的散射峰强度、即SAXS强度(纵轴，任意单位)的图。这里，玻璃的小角散射测定以评价玻璃中的微细的分相为目的如下实施。S卩，作为小角X射线散射装置使用理学(RIGAKU)株式会社制NANO-观察器，作为检测器使用成像板，使X射线透过厚约0. 1mm、大小尺寸约IcmX Icm的玻璃试样，对所得的二维数据进行圆环平均处理，对于将其进行数据转换而得的一维数据实施透射率校正、空气散射校正、试样厚度校正，求出散射峰强度。如后述的图3所示，该散射峰强度和后述的最终研磨时的玻璃的表面粗糙度AFM-Ra之间存在关联。希望实现ITb/英寸以上的表面记录密度时，要求该AFM-Ra为0. 15nm以下，更好为0. 12nm以下，为此，由图3等可知，如果希望AFM-Ra为0. 15nm以下，则所述散射峰强度较好为220 (任意单位)以下，如果希望AFM-Ra为0. 12nm以下，则所述散射峰强度较好为 50(任意单位)以下。因此，这种情况下，由图2可知(Mg+Ca) (La+Ti)/& 较好为12.0%以下。(Mg+Ca) (La+Ti)/& 如果超过12.0%，则分相引起的组成波动变大，可能会导致最终研磨时的表面粗糙度的劣化，更好为10. 0%以下，特好为8. 0%以下。本发明的玻璃本质上由以上成分形成，但也可在不影响本发明的目的的范围内含有其它成分。含有该其它成分时，该其它成分的合计含量较好为5%以下，更好为2%以下， 以下例示所述其它成分。可含有合计至多的S03、Cl、As203、Sb203等澄清剂。此外，基板加热时进行红外线照射加热的情况下，为了增加该照射波长带的放射率、提高加热效率，可含有合计至多 0. 5%的 Fe203> NiO, CoO, Cr2O3> CuO, MnO2, CeO2, Er203、 Yb2O3等着色剂。ZnO有时具有使熔融玻璃的粘度下降、使玻璃易熔融或使IY下降的效果，这种情况下，可含有至多5%的SiO。ZnO如果超过5 %，则可能造成Tg下降或d变大，更好为3%以下。为了使IY下降等目的，有时会含有至多5%的B2O3，但这样可能会导致玻璃的均质性或分相特性下降，这时最好不含化03。
实施例对于表1 8的例1 21、28 50、52 65，按照从SW2至Lei2O3的栏中以摩尔百分率表示的组成调和原料并混合，用钼坩锅在1550 1650°C的温度下熔化3 5小时。 典型的是在1550°C 1650°C的温度下熔融1 2小时后搅拌1小时，再用1小时进行澄清。 接着，使熔融玻璃流出，将其成形为板状，退火。对于由此得到的玻璃板，通过以下所示的方法测定或评价Tg(单位°C )、α (单位10_7°C )、密度d(单位g/cm3)、杨氏模量E (单位GPa)、比弹性模量E/d(单位MNm/ kg)、粘度达到IO4P = 104dPa · s时的温度T4(单位0C )、液相温度Tl(单位°C )、分相性、所述散射峰强度(任意单位)。结果示于表中。另外，表中的“_”表示未测定，“*”表示由组成通过计算求得的值。Tg 采用差示热膨胀计，以石英玻璃作为参照试样，测定从室温以5°C /分钟的比例升温时的玻璃的伸长率，直至玻璃软化到已经无法观测到伸长时的温度、即屈服点，将与热膨胀曲线中的拐点相当的温度作为玻璃化温度。α 与所述Tg的测定同样地进行操作，由所得的热膨胀曲线算出50 350°C下的平均线膨胀系数。d:通过阿基米德法测定。E 通过超声波脉冲法对厚度为4 10mm、尺寸约为4cmX4cm的玻璃板进行测定。T4:用旋转粘度计测定。!Y:将约IcmXlcmXO. 8cm的玻璃片置于钼舟中，在1100 1300°C的温度范围内以10°C为单位设定的电炉中热处理3小时。将该玻璃在大气中自然冷却后用显微镜进行观察，将析出结晶的温度范围作为液相温度。分相性将约IcmXlcmXO. 8cm的玻璃片置于钼舟中，放入温度设定为850°C及 750°C的电炉中保持约20分钟后，分别以-1°C /分钟、-10°C /分钟的冷却速度退火至室温后，照射高亮度光源，通过目测确认是否出现白浊。其结果是，全部试验中都未出现白浊的记为◎，750°C、-1 °C /分钟的条件下未出现白浊的记为〇，750°C、-10°C /分钟的条件下未出现白浊的记为Δ，全部的试验中都出现白浊的记为X，示于表的分相性1的栏中。散射峰强度如前所述进行玻璃的小角X射线散射测定，并进行数据处理，求出散射峰强度。结果示于表的分相性2的栏中。如前所述，希望后述的AFM-Ra为0.15nm以下时，该散射峰强度较好为220以下。例22 27、51未制作玻璃，由其组成通过计算求得Tg等。例1 52为实施例，其中，例1 27,31 36为玻璃1的例子，例9、11、16、28 48为玻璃2的例子，例53为参考例，例54 65为比较例。表9 16所示为例1 65的玻璃的以质量百分率表示的组成。为了测定例6、16、28 31、34、37 39、41、43、44、52、63 65的各玻璃的研磨后的表面粗糙度进行了如下试验。作为试验片，准备用氧化铈浆料对厚度约为1. 5mm、大小尺寸约为4cmXkm的玻璃板进行了加工处理后的玻璃，使得用原子力显微镜测得的表面粗糙度为0. 3 0. 4nm。首先，在浜井产业株式会社制小型单面研磨机4BT的研磨平台上铺上聚氨酯制仿麂皮(7々- - K )状研磨布，用金刚石修整工具进行修整。用纯水和刷子洗涤该研磨布后，流过PH调整为2的平均粒径30nm的胶体二氧化硅浆料进行研磨作业。研磨压力为 IOkPa,太阳轮转速为40转/分钟，研磨时间为20分钟。研磨后，用纯水及碱性洗剂洗涤提起的各玻璃后，吹送干燥空气进行干燥。用精工电子纳米科技有限公司(SII Namo Technology)制原子力显微镜SPA400 测定所得各玻璃的表面粗糙度Ra。结果示于表的表面粗糙度的栏(单位mm)。由此得到的表面粗糙度Ra在本说明书中记为AFM-Ra。图3是表示所述散射峰强度(分相性2)和AFM-Ra的关系的图，从该图可明确两者间存在正相关。[表1]
权利要求
1.一种数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有 55 70% 的 Si02、2. 5 9% 的 A1203、0 10% 的 Mg0、0 7% 的 Ca0、0. 5 10% 的 SrO,0 12. 5%的 Ba0、0 2. 5%的 Ti02、0. 5 3. 7%的 Zr02、0 2. 5%的 Li20、0 8% 的 Na20,2 8% 的 K20,0. 5 5% 的 La2O3, Al2O3 和 ZrO2 的合计含量(Al203+Zr02) % 12% 以下，Li20、Na20和K2O的合计含量为12%以下，玻璃化温度在660°C以上。
2.如权利要求1所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，SrO为1摩尔％以上， BaO为0. 5摩尔％以上，Nei2O为0 5摩尔％，SrO和BaO的合计含量与Li2O含量的差值为 2摩尔％以上，为10摩尔％以下。
3.如权利要求2所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Li2O和Nii2O的合计含量与K2O含量的摩尔比值((Li2CHNa2O)/K2O)为1. 4以下。
4.如权利要求2或3所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，MgO、CaO,SrO及 BaO的合计含量为10摩尔％以上。
5.如权利要求2 4中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Al2O3含量与&02、K2O及La2O3的合计含量之积除以MgO、CaO, SrO及BaO的合计含量所得的值(Al 203X (Zr02+K20+La203) + (MgO+CaO+SrO+BaO))为 4.0 摩尔 ％ 以下。
6.如权利要求2 5中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Al2O3与 ZrO2的合计含量为9摩尔％以下，A1203、ZrO2, K2O及La2O3的合计含量在MgO、CaO、SrO及 BaO的合计含量以下。
7.如权利要求2 5中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Al2O3与 ZrO2的合计含量超过9摩尔％，ZrO2与K2O的合计含量小于9摩尔％。
8.如权利要求2 7中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Mg0、Ca0 及TiO2的合计含量为16摩尔％以下。
9.如权利要求2 8中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Al2O3的含量以质量百分率表示小于11%。
10.如权利要求1所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，含有60摩尔％以上的Si02、2摩尔％以上的Mg0、0 5摩尔％&Ba0、0 1摩尔％的TiO2U 3. 7摩尔％的 ZrO2,2摩尔％以上的Na20、3摩尔％以下的Lei2O3, MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量为10摩尔％以上。
11.如权利要求10所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，Li2O和Nii2O的合计含量与K2O含量的摩尔比值((Li2(HNa2OVK2O)为3. 0以下。
12.如权利要求10或11所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于， MgO和CaO的合计含量与La2O3和TW2的合计含量之积除以含量所得的值 (((Mg0+Ca0) X (La203+Ti02)) ^-ZrO2)为 12. 0 摩尔 ％ 以下。
13.如权利要求10 12中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，SiO2 的以质量百分率表示的含量与TiA和ZiO2的以质量百分率表示的含量之和的比值(SiO2/ (Ti02+Zr02))超过 10. 0。
14.如权利要求10 13中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，不含 Ti02。
15.如权利要求1 14中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，&0为5摩尔％以上。
16.如权利要求1 15中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，不含B2O30
17.如权利要求1 16中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，玻璃化温度为680°C以上。
18.如权利要求1 17中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，50 350°C下的平均线膨胀系数为75X10_7°C以上。
19.如权利要求1 18中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，使粘度达到104dPa · s时的温度在液相温度以上。
20.数据存储介质用玻璃基板，其特征在于，由权利要求1 19中任一项所述的数据存储介质基板用玻璃形成。
21.磁盘，其特征在于，在权利要求20所述的数据存储介质用玻璃基板上形成了磁记录层。
全文摘要
本发明提供可获得高耐热性的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有55～70％的SiO2、2.5～9％的Al2O3、0～10％的MgO、0～7％的CaO、0.5～10％的SrO、0～12.5％的BaO、0～2.5％的TiO2、0.5～3.7％的ZrO2、0～2.5％的Li2O、0～8％的Na2O、2～8％的K2O、0.5～5％的La2O3，Al2O3和ZrO2的合计含量(Al2O3+ZrO2)为12％以下，Li2O、Na2O和K2O的合计含量R2O为12％以下。
文档编号G11B5/73GK102584009SQ20111046271
公开日2012年7月18日 申请日期2008年12月22日 优先权日2008年1月28日
发明者中岛哲也, 前田敬, 永井研辅, 长嶋达雄 申请人:旭硝子株式会社