专利名称：光学信息记录介质的制造方法及光学信息记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及光学信息记录介质的制造方法和光学信息记录介质。更详细地，本发明涉及制造设置有多个信息信号层的光学信息记录介质的方法。
背景技术：
近年来，在再现专用型DVD (DVD-ROM :数字通用光盘-只读存储器)、记录型DVD等中存在广泛的版权保护技木。作为ー种技术，在没有 在光盘上记录的状态下在最内周侧区域(烧录区BCA)内，被称为介质ID的固有ニ进制信息记录在介质上，使用该介质ID对记录的内容数据进行加密。此外，同样在诸如蓝光光盘(注册商标)(BD)的高密度光学信息记录介质中，提出了在BCA中以条形码形式记录作为ニ进制信息的标记(下面称作BCA标记)。通常，在制造光学信息记录介质之后，记录BCA标记。例如，在已顺次执行了基板的形成、信息信号膜的沉积以及中间层和覆盖层的形成之后，执行BCA标记的记录。在光学信息记录介质的初始状态下，信息信号膜是未记录状态，并且通过仅在对应于BCA标记的必要部分上执行激光照射而被设定为记录状态。这时，通常从作为没有形成基板的信息信号膜ー侧的表面侧照射激光。在光学信息记录介质的树脂基板中，因为由于温度变化等而导致基板中的湿气分布不均匀以及存在水分含量高的地方膨胀，光学信息记录介质的翘曲发生。对于此，在日本未审查专利申请公开2003-3380842中公开了ー种技术，其中通过在基板的ー个主面上设置不透湿膜(防湿膜)来防止水分出入基板。
发明内容
在光学信息记录介质中，由于确保偏移特性，所以在基板的主面(没有形成信息信号膜的一侧的主面)上形成防湿膜。在BCA中形成防湿膜。因此，为了避免BCA标记的记录变得困难，在基板的一个主面上顺次形成信息信号膜、中间膜、覆盖膜等之后执行BCA标记的记录，并且在那之后，在基板的另ー主面(没有形成信息信号膜的一侧的主面)上形成防湿膜。然而，在信息信号膜的沉积过程中，如果树脂基板中的湿气排放至用于沉积信息信号膜的真空溅射设备中，那么信息信号膜的记录特性等低下。为了防止这种情况，优选的是，在沉积信息信号膜之前对基板的主面形成防湿膜。然而，难以在沉积信息信号膜前执行防湿膜的形成。这是因为，由于防湿膜也形成在BCA中，所以当在记录BCA标记前形成防湿膜吋，从基板的背面侧照射的用于BCA标记记录激光的需要透过防湿膜，并且在记录BCA标记时对信息信号膜执行记录，結果，由于激光的透过不足而使得BCA标记的记录变得困难。另ー方面，如果在形成信息信号层之后执行防湿膜的形成，那么如上所述，诸如信息信号膜的记录特性的各种特性将低下。因此，期望提供ー种能够提高记录特性等的特性的光学信息记录介质的制造方法和光学信息记录介质。根据本发明第一实施方式，ー种光学信息记录介质的制造方法包括形成具有第一主面和第二主面的基板；在基板的第一主面上形成第一信息信号层；在第一信息信号层上形成中间层；在中间层上形成第二信息信号层；从基板的第二主面侧照射光且在第一区域和第二区域中的第一区域上记录识别信息；以及在记录识别信息前，在除记录识别信息的第一区域以外的第二区域中对第二主面形成阻挡层。根据本发明第二实施方式，ー种光学信息记录介质设置有具有第一主面和第二主面的基板；形成在基板的第一主面上且记录识别信息的一个或多个信息信号层；以及形成在第二主面上的阻挡层，其中在除记录识别信息的第一区域以外的第二区域中形成阻挡层。在本发明的第一实施方式和第二实施方式中，在除记录识别信息的第一区域以外的第二区域中形成阻挡层。由于此，可以在记录识别信息前形成阻挡层，并且可以提高诸如 记录特性的特性。根据本发明的实施方式，能够提高诸如记录特性的特性。
图IA和图IB是示出了根据本发明实施方式的光学信息记录介质的构成示例的截面图；图2是示出了根据本发明实施方式的光学信息记录介质的构成的平面图；图3是示出了根据本发明实施方式的形成在基板的背面上的阻挡层的沉积区的平面图；图4是用于描述光学信息记录介质的制造过程的第一示例的流程图；图5是示出了外周掩模和内周掩模的布置示例的外形图；图6是用于描述光学信息记录介质的制造过程的第二示例的流程图；图7是将关于记录灵敏度劣化率的测量结果汇聚一起的示图；图8A和图8B是示出了实施例I的突变特性的测量结果的曲线图；图9A和图9B是示出了比较例I的突变特性的測量结果的曲线图；以及图IOA和图IOB是示出了比较例7的突变特性的测量结果的曲线图。
具体实施例方式下面，将參照
本发明的实施方式。这里，将以以下的顺序进行描述I.第一实施方式(光学信息记录介质)2.其它实施方式(变形例)I.第一实施方式[光学信息记录介质的构造]图IA和图IB示出了根据本发明第一实施方式的光学信息记录介质的构成示例。光学信息记录介质是例如可记录型光学信息记录介质，并且设置有顺次层叠在基板I的一个主面上的第一信息信号层2 (L0层)、第一中间层3、第二信息信号层4 (LI层)、第二中间层5、第三信息信号层6 (L2)、第三中间层7、第四信息信号层8 (L3层)以及覆盖层9 ;以及层叠在基板I的另ー主面上的阻挡层51，如图IA所示。这里，在与第一信息信号层2、第一中间层3、第二信息信号层4、第二中间层5、第三信息信号层6、第三中间层7、第四信息信号层8以及覆盖层9顺次层叠在的基板的ー个主面相对的ー侧的另一主面被适宜地称作为背面。图2是示出了根据本发明第一实施方式的光学信息记录介质的平面图。导入区12设置在光学信息记录介质的内周部分，并且数 据记录区13设置在导入区12的外周侧。此夕卜，作为识别信息记录区的BCA(烧录区)14设置在导入区12中。BCA 14通常设置在半径r为21. Omm 22. Omm的圆环状区域中。这里，半径r是距离基板I的主面的中心的半径。BCA 14是设定用于在制造光学信息记录介质时记录识别信息并且通常设定在光学记录介质的最内周侧的圆环状区域。识别信息是各介质固有的信息，并且例如用于防止欺诈性拷贝等。例如，条形码形式的BCA标记记录在BCA 14中的第一信息信号层2中。尽管稍后将描述细节，但是在形成基板I之后在基板I的一个主面上顺次形成第一信息信号层2、第一中间层3、第二信息信号层4、第二中间层5、第三信息信号层6、第三中间层7、第四信息信号层8以及覆盖层9后，通过从基板I的背面侧照射激光来对第一信息信号层2执行BCA标记的记录。通常在形成基板I之后且在形成第一信息信号层2之前或在形成第一信息信号层2之后且在形成第一中间层3之前执行形成在基板I的背面上的阻挡层51的形成。数据记录区13是用于使用者记录必要数据的区域。数据记录区13通常设置在半径r为23. 2mm 58. 5mm的地方。例如，在数据记录区13中形成正弦波摆动凹槽。轨距(track pitch)通常是320nm，这是因为由于间距缩短而可以获得能够进行更长时间的记录和再现的高容量。这里，实际的数据记录通常在大于24. Omm的半径r的外周侧。导入区12是例如用于记录诸如识别信息(ID)、加密密钥以及复合密钥的信息的区域，并且该信息在制造光学信息记录介质时被记录。导入区12被进ー步分为PIC (永久信息&控制数据)区、OPC(最佳功率控制)区以及INFO区。PIC区是再现专用区，并且例如设置在半径r为22. 4mm 23. 197mm的地方。例如，在PCI区中，由矩形摆动凹槽的排列形成的凹槽轨道以350nm轨距形成。从矩形摆动凹槽的排列再现信息。在光学信息记录介质中，通过从覆盖层9侧对第一信息信号层2、第二信息信号层4、第三信息信号层6或第四信息信号层8照射激光来执行信息信号的记录和再现。例如，通过从覆盖层9侧对第一信息信号层2、第二信息信号层4、第三信息信号层6或第四信息信号层8照射被具有O. 84 O. 86数值孔径的物镜会聚的波长为400nm 410nm的激光来执行信息信号的记录和再现。对于诸如这种的光学信息记录介质，存在诸如BD-R的可记录型光学信息记录介质。下面，将顺次地描述构成光学信息记录介质的基板I、第一信息信号层2、第一中间层3、第二信息信号层4、第二中间层5、第三信息信号层6、第三中间层7、第四信息信号层8、覆盖层9以及阻挡层51。(基板)基板I具有在中心形成开ロ(下面称作中心孔)的圆环状。基板I的一个主面具有例如凹凸面，并且第一信息信号层2沉积在凹凸面上。下面，在凹凸面中，凹部被称作凹槽内(in groove)Gin以及凸部被称作凹槽上(on groove)Gon。对于凹槽内Gin和凹槽上Gon的形状，例如存在诸如螺旋状或同心圆状的各种形状。此外，凹槽内Gin和/或凹槽上Gon是例如用于添加地址信息的摆动(蜿蜒)。将基板I的直径选择为例如120mm。考虑硬度来选择基板I的厚度，优选地在O. 3mm以上 I. 3mm以下的范围内选择，更优选地在O. 6mm以上 I. 3mm以下的范围内选择，例如选择I. 1mm。此外，中心孔的直径被选择为例如15mm。基板I包括具有吸水特性的塑料树脂材料作为主要组分。对于基板I的材料，例如可以使用诸如聚碳酸酯系列树脂或丙烯酸树脂的树脂材料。(信息信号层) 图IB是示出图IA中示出的各个信息信号层的ー个构成示例的模型图。如图IB所示，第一信息信号层2至第四信息信号层8设置有例如无机记录层61、被设置为与无机记录层61的ー个主面相邻的第一保护层62以及被设置为与无机记录层61的另ー个主面相邻的第二保护层63。通过具有这种构成，可以提高无机记录层61的耐用性。第一信息信号层2至第四信息信号层8中的至少ー个层中的无机记录层61包括W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的三元氧化物作为主要成分。由于此，可以满足对于光学信息记录介质的信息信号层所必需的特性且实现优良的透过特性。这里，作为对于光学信息记录介质的信息信号层所必需的特性，有良好的信号特性、高的记录功率裕度、高的再现持久性、记录后透过率变化的抑制等。优选的是，第一信息信号层2至第四信息信号层8中的至少ー个层中的无机记录层61包括上述三元氧化物进ー步添加有Zn氧化物的四元基氧化物作为主要成分。由于此，可以满足对于光学信息记录介质所必需的特性，实现优良的透过特性，并且減少W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的含量。通过减少W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的含量，特别是Pd氧化物的含量，可以降低光学信息记录介质的成本。对于第一保护层62和第二保护层63，优选的是使用电介质层或透明导电层，并且可以使用电介质层作为第一保护层62和第二保护层63中的一个以及透明导电层作为另ー个。可以通过电介质层或透明导电层作为氧化物阻挡层来提高无机记录层61的耐用性。此夕卜，通过抑制无机记录层61的氧的逃逸，可以抑制记录膜的膜质的变化(主要检测为反射率降低)，并且可以确保对于无机记录层61必要的膜质。此外，可以通过设置电介质层或透明导电层来提高记录特性。这样考虑是因为通过使入射到电介质层或透明导电层上的激光的热扩散最优化以及抑制由于记录部分中的气泡变得太大或Pd氧化物分解的超前进行导致的气泡破裂进行记录时，可以优化气泡的形成。对于第一保护层62和第二保护层63的材料，例如有氧化物、氮化物、硫化物、碳化物以及氟化物或其组合。对于第一保护层62和第二保护层63的材料，可以使用彼此不同或彼此相同的材料。对于氧化物，例如有选自于由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg组成的组中的ー种或多种元素的氧化物。对于氮化物，例如有选自于由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn组成的组中的ー种或多种元素的氮化物，更优选的是选自由Si、Ge以及Ti组成的组中的ー种或多种元素的氮化物。对于硫化物，例如有Zn硫化物。对于碳化物，例如有选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W组成的组中的ー种或多种元素的碳化物，更优选的是选自由Si、Ti以及W组成的组中的ー种或多种元素的碳化物。对于氟化物，例如有选自于由Si、Al、Mg、Ca以及La组成的组中的ー种或多种元素的氟化物。对于其组合，例如有ZnS-Si02、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2 (SCZ)、In2O3-SnO2 (ITO)、In2O3-CeO2 (ICO)、In2O3-Ga2O3 (IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2 等。(中间层对于第一中间层3、第二中间层5以及第三中间层7的材料，例如可以使用具有透明特性的树脂材料。对于诸如这种的树脂材料，例如可以使用诸如聚碳酸酯系列树脂、聚烯烃系列树脂、丙烯酸树脂等的塑料材料。第一中间层3至第三中间层7在覆盖层9侧的表面是以与基板I相同的方式由凹槽内Gin和凹槽上Gon组成的凹凸面。(覆盖层)作为保护层的覆盖层9是例如硬化诸如紫外线硬化树脂的感光性树脂所在的树脂层。对于树脂层的材料，例如有紫外线硬化型丙烯酸树脂。此外，覆盖层可以由圆环状的光透过性片和用于向基板I粘合光透过性片的粘合层构成。优选的是，光透过性片由对用于进行记录和再现的激光具有低吸收能力的材料形成，具体地，优选由具有90 %以上透过率的材料形成。对于光透过性片的材料，例如有聚碳酸酯系列树脂材料和聚烯烃树脂(例如,Zeonex (注册■商标))。光透过性片的厚度优选地选择为O. 3mm以下,更优选地在3 μ m 177μπι的范围内选择。粘合层由例如紫外线硬化树脂或压敏粘合剂(PSA)形成。覆盖层9的厚度优选地在10 μ m 177 μ m的范围内选择，例如选择100 μ m。通过将如此薄的覆盖层9与例如具有约O. 85的高数值孔径的物镜组合，可以实现高密度记录。(硬涂层)可以在覆盖层9上形成硬涂层。硬涂层用于对光照射面施加抗划性等。对于硬涂层的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、硅树脂、氟树脂、有机-无机混合树脂等。(阻挡层)阻挡层51抑制在沉积过程中从基板I的背面排放气体(湿气的释放)。此外，阻挡层51还具有用于抑制在基板I背面吸收湿气的防湿层的功能。构成阻挡层51的材料不被特定地限制，只要能够抑制从基板I的背面排放气体(湿气的释放)即可，但是如果举例说明，可以使用具有低的气体透过性的电介质。对于诸如这种的电介质，例如可以使用SiN、Si02、TiN、AlN以及ZnS-SiO2中的至少ー种。优选的是，阻挡层51的湿气透过率为5X 10_5g/cm2 天以下。优选的是，阻挡层51的厚度设定为5nm以上且40nm以下。在小于5nm时,存在抑制从基板的背面排放气体的阻挡功能减弱的趋势。另ー方面，在大于40nm时,抑制气体排放的阻挡功能在等于或小于该厚度的情况下没有显著变化，但存在生产率降低的趋势。图3是示出了形成在基板I的背面上的阻挡层51的沉积区的平面图。如上所述，在基板I的中心部形成中心孔。在基板I的背面中，从基板I的内周到基板I的外周设置有位于内周侧的基板暴露区R1、阻挡层51的沉积区R2以及位于外周侧的基板暴露区R3。利用在稍后将描述的阻挡层51的沉积过程中分别覆盖基板I的内周部分和外周部分的内周掩模和外周掩模，来调整阻挡层51的沉积区R2。通过利用内周掩模和外周掩模覆盖基板I的内周部分和外周部分，在不形成阻挡层51的情况下，形成了使基板I暴露的位于内周侧的基板暴露区R1和位于外周侧的基板暴露区R3。
在基板I背面上除BCA 14的区域中形成阻挡层51。即，为了提高信息信号层的记录特性等，例如在沉积第一信息信号层2之后且在诸如沉积第二信息信号层4等的记录BCA标记之前，执行对基板I的背面形成阻挡层51。因此，当在基板I的背面上的BCA 14中形成阻挡层51时，必要的是，在记录BCA标记时，用于记录BCA标记的激光通过透过阻挡层51而对第一信息信号层2执行记录，結果，由于激光的透过不足等，使得BCA标记的记录变得困难。为了避免这种情况，在基板I背面上BCA 14除外的区域中形成阻挡层51。具体地，从阻挡层51的沉积区R2中排除BCA 14。即，具有圆环状阻挡层51的沉积区R2设置在BCA 14的外側，而圆环状的基板暴露区R3设置在更外側。这里，即使没有设定基板暴露区R3，也足以。如上所述，由于BCA 14通常形成在半径r为21mm以上且22mm以下的圆环状区域中，所以圆环状的沉积区R2的内周侧的开始位置通常在r > 22_的位置。此外，当考虑能够获得良好的突变特性这点时，沉积区R2的内周侧的开始位置优选在22mm < r < 25mm的 位置处。(光学信息记录介质的制造方法)接下来，将描述具有上述构造的光学信息记录介质的制造方法的第一示例和第二示例。首先，将在參照图4的流程图的同时描述光学信息记录介质的制造方法的第一示例。(第一示例)首先，在步骤SI中，例如通过诸如注塑成型设备的成型设备形成基板I。接着，将形成的基板I从成型设备转入至LO层沉积设备。接下来，在步骤S2中，在LO层沉积设备中形成第一信息信号层2 (L0层)。优选的是，LO层沉积设备是单晶片沉积设备。这是因为利用单晶片沉积设备的各个真空室能够在不破坏真空的条件下使构成第一信息信号层2的各层(例如，第一保护层62、无机记录层61以及第二保护层63)连续地顺次层叠在基板I上。对于单晶片沉积设备，例如可以利用诸如溅射法或真空沉积法的真空薄膜形成技术的应用。对于溅射法，可以使用例如射频(RF)溅射法或直流(DC)溅射法，但是直流溅射法特别是优选的。这是因为，由干与射频溅射法相比，直流溅射法的沉积速率较高，所以可以提高生产率。接着，将形成有第一信息信号层2的基板I从LO层沉积设备转入至阻挡层沉积设备。接下来，在步骤S3中，如图5所示，在阻挡层沉积设备中，基板I的背面的外周部分和内周部分分别被外周掩模31和内周掩模32覆盖，并且在基板I的背面上形成阻挡层51。此时，在參照图3描述的预定区域中形成阻挡层51。对于阻挡层沉积设备，例如可以使用诸如溅射法或真空沉积法的真空薄膜形成技术的应用。这里，LO层沉积设备和阻挡层沉积设备可以是一体的，并且可以在ー个沉积设备中连续地沉积第一信息信号层2和阻挡层51。接着，将形成有阻挡层51的基板I从阻挡层沉积设备转入至中间层形成设备。接下来，在步骤S4中，在中间层形成设备中，利用例如旋涂法将紫外线硬化树脂均匀地涂布在第一信息信号层2上。之后，对均匀涂布在第一信息信号层2上的紫外线硬化树脂按压压模(stamper)的凹凸图案，并且在用紫外线照射紫外线硬化树脂和其硬化之后分离压摸。由于此，压模的凹凸图案被转印至紫外线硬化树脂，并且形成设置有例如凹槽内Gin和凹槽上Gon的第一中间层3。接下来，将形成有第一中间层3的基板I从中间层形成设备转入至LI层沉积设备。
接下来，在LI层沉积设备中，在中间层3上形成第二信息信号层4(LI层)。优选的是，LI层沉积设备是单晶片沉积设备。这是因为利用沉积设备的各个真空室能够在不破坏真空的情况下将构成第二信息信号层4的各层连续地顺次层叠在中间层3上。对于单晶片沉积设备，例如可以利用诸如溅射法或真空沉积法的真空薄膜形成技术的应用。接下来，在步骤S5中，在中间层形成设备中，利用例如旋涂法将紫外线硬化树脂均匀地涂布在第二信息信号层4上。之后，对均匀地涂布在第二信息信号层4上的紫外线硬化树脂按压压模的凹凸图案，并且在用紫外线照射紫外线硬化树脂和其硬化之后分离压摸。由于此，压模的凹凸图案被转印至紫外线硬化树脂，并且形成设置有例如凹槽内Gin和凹槽上Gon的第二中间层5。接下来，将形成有第二中间层5的基板I从中间层形成设备转入至L2层沉积设备。接下来，在L2层沉积设备中，在第二中间层5上形成第三信息信号层6 (L2层)。优选的是，L2层沉积设备是单晶片沉积设备。这是因为利用沉积设备的各个真空室能够在不破坏真空的情况下将构成第三信息信号层6的各层连续地顺次层叠在第二中间层5上。对于单晶片沉积设备，例如可以使用诸如溅射法或真空沉积法的真空薄膜形成技术的应用。接下来，在步骤S6中，在中间层形成设备中，利用例如旋涂法将紫外线硬化树脂均匀地涂布在第三信息信号层6上。之后，对均匀涂布在第三信息信号层6上的紫外线硬化树脂按压压模的凹凸图案，并且在用紫外线照射紫外线硬化树脂和其硬化之后分离压摸。由于此，压模的凹凸图案被转印至紫外线硬化树脂，并且形成设置有例如凹槽内Gin和凹槽上Gon的第三中间层7。接下来，将形成有第三中间层7的基板I从中间层形成设备转入至L3层沉积设备。接着，在L3层沉积设备中，在第三中间层7上形成第四信息信号层8 (L3层)。优选的是，L3层沉积设备是单晶片沉积设备。这是因为利用沉积设备的各个真空室能够在不破坏真空的情况下将构成第四信息信号层8的各层连续地顺次层叠在第三中间层7上。对于单晶片沉积设备，例如可以使用诸如溅射法或真空沉积法的真空薄膜形成技术的应用。接下来，将形成有L3层的基板I从L3层沉积设备转入至覆盖层形成设备。接下来，在步骤S7中，在覆盖层形成设备中，将作为保护层的覆盖层9形成在第四信息信号层8上。对于覆盖层形成设备，可以使用这样的设备，即，通过例如旋涂在第四信息信号层8上的诸如紫外线硬化树脂的感光性树脂以及照射在感光性树脂上的诸如紫外线的光来形成覆盖层9。此外，可以使用通过利用粘合剂将光透过性片粘合在基板I的凹凸面侧上来形成覆盖层9的设备。具体地，例如可以使用通过利用涂布在第四信息信号层8的诸如紫外线硬化树脂的感光性树脂将光透过性片粘合至基板I的凹凸面侧来形成覆盖层9的设备。此外，可以使用通过利用预先均匀地涂布在片的主面上的压敏粘合剂(PSA)将光透过片粘合至基板I的凹凸面侧来形成覆盖层9的设备。之后，在步骤S8中，执行BCA标记的记录。下面，将描述BCA标记的记录过程。首 先，将直至形成有覆盖层9的光学信息记录介质载置在转盘上，以使得基板I的ー侧(基板I的背面侧)与光学拾取器相対。接着，以通过电机驱动的预定速度旋转光学信息记录介质。然后，在移动光学拾取器直到设置在光学信息记录介质的内周部分的BCA 14之后，驱动光学拾取器，并且例如根据识别信息从基板I侧照射被调制为脉冲形式的激光。由于此，在第一信息信号层2的照射有激光的部分中，层叠在基板I上的构成第一信息信号层2的各层被熔融并被去除。结果，例如以硬涂覆形式形成对应于识别信息的标记(BCA标记)，并且将识别信息记录在BCA 14中。这里，优选的是，激光是近红外光或红外光，以及例如是具有SOOnm波长的激光。此外，优选的是，激光照射期间，光学头扫描速度为5m/s 9m/s，并且激光功率在3400mW 4000mW的范围内。在这个范围内，可以抑制记录标记边缘部分中反射率的突然増加。因此，能够减弱识别信息的再现信号中的噪声。由于上面的处理，可以获得图I所示的光学信息记录介质。(第二示例)将在參照图6的流程的同时描述光学信息记录介质的制造方法的第二示例。首先，在步骤Sll中，例如通过诸如注塑成型设备的成型设备形成基板I。接下来，在步骤S12中，如图5所示，在阻挡层沉积设备中，基板I的背面上的外周部分和内周部分分别被外周掩模31和内周掩模32覆盖，并且在基板I的背面上形成阻挡层51。这时，在參照图3描述的预定区域中形成阻挡层51。接着，将形成有阻挡层51的基板I从阻挡层沉积设备转入至LO层沉积设备。这里，阻挡层沉积设备和LO层沉积设备可以是一体的，并且可以在ー个沉积设备中连续地沉积阻挡层51和第一信息信号层2。接下来，在步骤S13中，在LO层沉积设备中形成第一信息信号层2 (L0层)。优选的是，LO层沉积设备是单晶片沉积设备。这是因为利用单晶片沉积设备的各个真空室能够在不破坏真空的情况下将构成第一信息信号层2的各层连续地顺次层叠在基板I上。对于单晶片沉积设备，例如可以使用诸如溅射法或真空沉积法的真空薄膜形成技术的应用。接着，将形成有第一信息信号层2的基板I从LO层沉积设备转入至中间层形成设备。接下来，在步骤S14中，以与第一示例的步骤S4相同的方式执行第一中间层3的形成和第二信息信号层4(LI层)的沉积，以及在步骤S15中，以与第一示例的步骤S5相同的方式执行第二中间层5的形成和第三信息信号层6 (L2层)的沉积。接着，在步骤S16中，以与第一示例的步骤S6相同的方式执行第三中间层7的形成和第四信息信号层8 (L3层)的沉积。接下来，在步骤S17中，以与第一示例的步骤S7相同的方式执行覆盖层9的形成。最后,在步骤S18中，以与第一示例的步骤S8相同的方式执行BCA标记的记录。由于上面的处理，可以获得图I中示出的光学信息记录介质。(实施例)下面，将利用实施例以具体方式描述本发明，但是本发明并不仅限于这些实施例。下面，钨氧化物、钯氧化物、铜氧化物以及锌氧化物的4种金属氧化物的混合物称作“WZCP0”。(实施例I)首先，利用注塑成型设备形成具有120mm直径Φ和I. Ilmm厚度的聚碳酸酯基板。接着，将形成的基板从注塑成型设备转入至第一单晶片溅射设备。接着，利用磁控溅射法在基板表面上顺次层叠具有以下成分和膜厚度的第一信息信号层(L0层)。从而,在基板表面上形成第一信息信号层(L0层)。第一信息信号层(L0层)、
第二 保护层材料ITO厚度8nm无机记录膜层材料WZCP0厚度32nm第一保护层材料ITO厚度8nm接下来，将形成有第一信息信号层的基板从第一单晶片溅射设备转入至阻挡层形成溅射设备。接着，在基板背面上的内周部分和外周部分分别被具有46mm内直径的内周掩模和具有115mm外直径的外周掩模覆盖后，利用磁控溅射法在基板的背面上形成由Tin形成的厚度为IOnm的阻挡层。由于此，圆环状的阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在23mm半径的位置处。接下来，将基板从阻挡层形成设备转入至中间层形成设备，并且利用旋涂法在第一信息信号层上均匀地涂布紫外线硬化树脂(索尼化学和信息设备公司制造的产品名为SK520)。之后，对均匀涂布在第一信息信号层上的紫外线硬化树脂按压压模的凹凸图案，并且在用紫外线照射紫外线硬化树脂和其硬化之后分离压摸。由于此，形成具有15. 5μπι厚度的第一中间层。接下来，将基板从中间层形成设备转入至第二单晶片溅射设备。接着，利用磁控溅射法在中间层上顺次层叠具有以下组成和膜厚度的第二信息信号层(LI层)。从而，在第一中间层上形成第二信息信号层。第二信息信号层(LI层)第二保护层材料ITO厚度8nm无机记录膜层材料WZCPO厚度40nm第一保护层材料ITO厚度7nm接下来，将基板从第二单晶片溅射设备转入至中间层形成设备，并且利用旋涂法在第二信息信号层上均匀地涂布紫外线硬化树脂(索尼化学和信息设备公司制造的产品名为SK520)。之后，对均匀涂布在第二信息信号层上的紫外线硬化树脂按压压模的凹凸图案，并且在用紫外线照射紫外线硬化树脂和其硬化之后分离压摸。由于此，形成具有19. 5 μ m厚度的第二中间层。接下来，将基板从中间层形成设备转入至第三单晶片溅射设备。接着，利用磁控溅射法在第二中间层上顺次层叠具有下列组成和膜厚度的第三信息信号层(L2层)。从而，在第二中间层上形成第三信息信号层。第三信息信号层(L2层)第二保护层材料SIZ厚度24nm无机记录膜 层材料WZCPO厚度35nm第一保护层材料ITO厚度IOnm接下来，将基板从第三单晶片溅射设备转入至中间层形成设备，并且利用旋涂法在第三信息信号层上均匀地涂布紫外线硬化树脂(索尼化学和信息设备公司制造的产品名为SK520)。之后，对均匀涂布在第三信息信号层上的紫外线硬化树脂按压压模的凹凸图案，并且在用紫外线照射紫外线硬化树脂和其硬化之后分离压摸。由于此，形成具有11.5μπι厚度的第三中间层。接下来，将基板从中间层形成设备转入至第四单晶片溅射设备。接着，利用磁控溅射法在第三中间层上顺次层叠具有下列组成和膜厚度的第四信息信号层(L3层)。从而，在第三中间层上形成第四信息信号层。第四信息信号层(L3层)第二保护层材料SIZ厚度3Inm无机记录膜层材料WZCPO厚度35nm第一保护层材料SIZ厚度IOnm接下来，将基板从第四单晶片溅射设备转入至旋涂设备，利用旋涂法在第四信息信号层上涂布紫外线硬化树脂，并且通过对紫外线硬化树脂照射紫外线而形成具有53. 5 μ m厚度的覆盖层。之后，从基板的背面侧对第一信息信号层照射激光，并且在BCA(r为21mm 22mm的圆环状区域)中执行BCA标记的记录。由于上述情况，可以获得光学信息记录介质(目标)。(实施例2)除了内周掩模的内直径被设定为48mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为24_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(实施例3)除了内周掩模的内直径被设定为50mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为25_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(实施例4)除了内周掩模的内直径被设定为52mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为26_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。
(实施例5)除了内周掩模的内直径被设定为54_以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为27_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(实施例6)除了内周掩模的内直径被设定为56mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为28_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(实施例7)除了内周掩模的内直径被设定为58mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为29_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(实施例8)首先，利用注塑成型设备形成具有120mm直径Φ和I. Ilmm厚度的聚碳酸酯基板。接下来，将形成的基板从注塑成型设备转入至阻挡层形成溅射设备。接着，在通过具有46mm内直径的内周掩模和具有118mm外直径的外周掩模分别覆盖基板背面上的内周部分和外周部分之后，利用磁控溅射法在基板的背面上形成由Tin形成的厚度为IOnm的阻挡层。由于此，圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径为23_处。接下来，将形成有阻挡层的基板从阻挡层形成溅射设备转入至第一单晶片溅射设备。接下来，利用磁控溅射法在基板的背面上顺次层叠具有下列组成和膜厚度度的第一信息信号层。由于此，在基板的背面上形成第一信息信号层(L0层)。第一信息信号层(L0层)第二保护层材料ITO厚度8nm无机记录膜层材料WZCPO厚度32nm第一保护层材料ITO厚度8nm之后，以与实施例I相同的方式，顺次形成第一中间层、第二信息信号层、第二中间层、第三信息信号层、第三中间层、第四信息信号层以及覆盖层，此后，执行BCA标记的记录。由于上述处理，获得光学信息记录介质。(比较例I)除了内周掩模的内直径被设定为34_以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为17_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。
(比较例2)除了内周掩模的内直径被设定为36mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为18_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(比较例3)除了内周掩模的内直径被设定为38mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为19_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(比较例4)除了内周掩模的内直径被设定为40mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为20_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。 (比较例5)除了内周掩模的内直径被设定为42mm以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为21_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(比较例6)除了内周掩模的内直径被设定为44_以及圆环状阻挡层形成区域的内周侧的开始位置被设定在半径r为22_处之外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(比较例7)除了在基板的背面上未形成有阻挡层外，以与实施例I相同的方式获得光学信息记录介质。(比较例8)除了在形成覆盖层之后执行阻挡层的形成处理外，以与比较例I相同的方式获得光学信息记录介质。(评价)以下将对如上所述获得的实施例I至实施例8以及比较例I 8的光学信息记录介质进行评价。(记录灵敏度劣化)在光学信息记录介质的记录和再现中，利用磁盘检测器(Pulstec实业有限公司制造的产品名为0DU-1000)通过以NA = O. 85、405nm记录波长以及7. 69m/S的记录线速度记录和再现的具有每层32GB密度的1-7调制数据测量第四信息信号层的i-MLSE值。这里，i-MLSE是相当于过去在高密度记录和再现中使用的抖动的信号评价指标，并且值越低信号特性越好。在i-MLSE值为最低时，记录功率为Pwo1,并且在作为持久性的加速条件的具有80°C和85% RH的环境下进行200个小时存储后的i_MLSE值最低时，记录功率为Pwo2，利用Pwo1进行的Pwo2的记录功率偏移量的标准化是记录灵敏度劣化。即在存储环境前后的记录灵敏度劣化被设定为△的情况下，通过下面描述的式子(I)来規定。Δ = (Pwo2-Pwo1)/Pwo1. · · (I)(突变特性)从光学信息记录介质释放水分以及各个热膨胀以复杂的方式相互影响，以及光学信息记录介质的翅曲(R偏移(skew))变化。为了对此进行评价,如下评价Temp冲击特性和Hum冲击特性。这里，由于变化量具有±0. 15程度范围内的产品规格，所以利用良好、不及格以及平均作为參考值执行评价。
如果以超过产品规格的±0. 15程度的变化量来设计光学信息记录介质，那么在突然的环境变化(即，存在突变)的情况下使用时，存在光学信息记录介质的翘曲大以及记录再现期间伺服机构脱落，以及极端时接触拾取器的情况，可能会在生产中产生这种光学信息记录介质。(Temp冲击特性)被放入温度是25°C以及湿度是45%的 环境的恒温室中的光学信息记录介质被移动至温度是55°C以及湿度是9%的环境中的恒温室中。此时移动后的光学信息记录介质的翘曲(R-偏移)的变化量以移动前光学信息记录介质的翘曲(R偏移)作为标准进行确认。(Hum冲击特性)被放入温度是25°C以及湿度是90%的环境的恒温室中的光学信息记录介质被移动到温度是25°C以及湿度是45%的恒温室中。此时移动后的光学信息记录介质的翘曲(R-偏移)的变化量以移动前光学信息记录介质的翘曲(R偏移)作为标准进行确认。在图7中示出了将对实施例I、实施例8以及比较例8的记录灵敏度劣化的评价汇聚一起的条形图。这里，图7的条形图将对于实施例I、实施例8以及比较例8执行的2个样本测量的结果汇聚一起。如图7所示，与在形成第一信息信号层之后且在形成第一中间层前执行阻挡层的形成的实施例I和在形成基板I之后且在形成第一信息信号层前执行阻挡层的形成的实施例8相比，在形成覆盖层之后执行阻挡层的形成处理的比较例8中，记录灵敏度劣化更大。在图8A和图8B中示出了将实施例I的突变特性的测量结果汇聚一起的曲线图。图8A中示出了 Temp冲击特性以及图8B中示出Hum冲击特性。在图9A和图9B中示出了将比较例I的突变特性的测量结果汇聚一起的曲线图。图9A中示出了 Temp冲击特性以及图9B中示出了 Hum冲击特性。在图IOA和图IOB中示出将比较例7的突变特性的测量结果汇聚一起的曲线图。图IOA中示出了 Temp冲击特性以及图IOB中示出了 Hum冲击特性。这里，图8A中的R28、R54以及R58的数值表示測量位置(距离基板的一个主面的中心的距离)，以及图8B中的R57、R53以及R43表示相同方式的測量位置。此外，通过初始示出的标记所示的值表示移动前的初始值(图9A和图9B以及图IOA和图IOB也ー样)。如果比较图8A 图9B中的曲线图，那么可以确认不存在由阻挡层的形成区域的差异导致的突变特性的差异。因此，从突变特性这点可以理解到，阻挡层的形成区域的开始位置可以在BCA外側。另ー方面，如果比较图8A 图9B中的曲线图，可以确认不形成阻挡层的情况下的突变特性劣化。接下来，在表I中示出对实施例I至实施例7以及比较例I和比较例7的突变特性、BCA标记的存在或不存在、记录灵敏度劣化评价的汇集。在表I中，BCA存在的意义在于可以在与没有形成阻挡层的情况下记录BCA标记相同的记录条件(激光器功率、转数等)下记录BCA标记。BCA标记不存在的意义在于不能在上述条件下记录BCA标记。此外，以5%以下作为标准来评价记录灵敏度劣化为良好、平均、不及格。以5%以下作为标准的原因如下。即，有必要在记录时利用最佳记录功率以良好的数据进行记录，但是存在即使记录功率稍微偏离也能够以比较良好的方式记录数据的范围，这通常称作功率裕度宽度。在设计光学信息记录介质时，功率裕度宽度通常被确保最小为±5%以下。由于此，考虑到最坏情况±5%而将良好的范围上限设定为5%。即，当利用预先存储在光学信息记录介质的信息区域中的记录功率(recording power)进行记录时，即使由于存储环境前没有偏离而是良好的，数据的写入也会由于存储环境后的记录灵敏度显著偏离以致超过功率裕度时导致的不充足记录功率而变得困难。同样，将记录灵敏度劣化的上限设定为5%。
权利要求
1.一种光学信息记录介质的制造方法，包括 形成具有第一主面和第二主面的基板； 在所述基板的所述第一主面上形成第一信息信号层； 在所述第一信息信号层上形成中间层； 在所述中间层上形成第二信息信号层； 从所述基板的所述第二主面侧照射光且在第一区域和第二区域中的所述第一区域上记录识别信息；以及 在记录所述识别信息前，在除记录所述识别信息的所述第一区域以外的所述第二区域中对所述第二主面形成阻挡层。
2.根据权利要求I所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，所述第一区域是圆环状区域，以及 所述第二区域是在所述第一区域的外周侧的圆环状区域。
3.根据权利要求2所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，所述第一区域是距离所述第二主面的中心21mm以上且22mm以下的区域。
4.根据权利要求3所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，所述第二区域的内周侧的开始位置在距所述第二主面的中心22_处的外周侧。
5.根据权利要求4所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，所述第二区域的所述内周侧的开始位置在距所述第二主面的中心25mm处的内周侧。
6.根据权利要求I至5中任一项所述的光学信息记录介质的制造方法，还包括 在形成所述第二信息信号层之后且在记录所述识别信息前，形成一个或多个信息信号层。
7.根据权利要求I至5中任一项所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，在形成所述基板之后且在形成所述第一信息信号层前，形成所述阻挡层。
8.根据权利要求6所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，在形成所述基板之后且在形成所述第一信息信号层前，形成所述阻挡层。
9.根据权利要求I至5中任一项所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，在形成所述第一信息信号层之后且在形成所述第二信息信号层前，形成所述阻挡层。
10.根据权利要求6所述的光学信息记录介质的制造方法， 其中，在形成所述第一信息信号层之后且在形成所述第二信息信号层前，形成所述阻挡层。
11.一种光学信息记录介质，包括 基板，具有第一主面和第二主面； 一个或多个信息信号层，所述一个或多个信息信号层记录有识别信息并形成在所述基板的所述第一主面上；以及 阻挡层，所述阻挡层形成在所述第二主面上， 其中，在除记录所述识别信息的第一区域以外的第二区域中形成所述阻挡层。
12.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，其中，所述第一区域是圆环状区域，以及 所述第二区域是在所述第一区域的外周侧的圆环状区域。
13.根据权利要求12所述的光学信息记录介质， 其中，所述第一区域是距离所述第二主面的中心21mm以上且22mm以下的区域。
14.根据权利要求13所述的光学信息记录介质， 其中，所述第二区域的内周侧的开始位置在距所述第二主面的中心22_处的外周侧。
15.根据权利要求14所述的光学信息记录介质， 其中，所述第二区域的所述内周侧的开始位置在距所述第二主面的中心25mm处的内周侧。
16.根据权利要求11所述的光学信息记录介质， 其中，各个所述信息信号层设置有无机记录层、被设置为与所述无机记录层的一个主面相邻的第一保护层以及被设置为与所述无机记录层的另一个主面相邻的第二保护层。
全文摘要
本发明公开了光学信息记录介质的制造方法及光学信息记录介质，该光学信息记录介质的制造方法包括形成具有第一主面和第二主面的基板；在基板的第一主面上形成第一信息信号层；在第一信息信号层上形成中间层；在中间层上形成第二信息信号层；从基板的第二主面侧照射光且在第一区域和第二区域中的第一区域上记录识别信息，并且在除记录识别信息的第一区域以外的第二区域中对第二主面形成阻挡层。
文档编号G11B7/242GK102629482SQ201210015079
公开日2012年8月8日 申请日期2012年1月17日 优先权日2011年2月3日
发明者乡古健 申请人:索尼公司