技术总结
本发明公开了一种非易失性存储单元及其控制方法。该非易失性存储单元具有一半导体基材、一多层叠层结构。此叠层结构包括位于一浮栅上方的一电荷捕捉层、一上方导体层以及一控制电路。通过在电荷捕捉介电层上施加比第二电荷密度还大的电荷密度，来使写入操作与擦除操作改变浮栅的第一电荷密度，进而控制非易失性存储单元上的写入操作和擦除操作。
技术研发人员：程政宪;蔡文哲
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510154154
技术研发日：2015.04.02
技术公布日：2016.11.23