1.一种静态随机存储单元，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、写传输晶体管、读传输晶体管和控制晶体管，其中：
第一反相器的输入端与第二反相器的输出端电连接；
写传输晶体管的控制电极与写字线WWL电连接，写传输晶体管的第一电流传导电极与写位线WBL电连接，写传输晶体管的第二电流传导电极与第二反相器的输入端电连接；
读传输晶体管的控制电极与读字线RWL电连接，读传输晶体管的第一电流传导电极与读位线RBL电连接，读传输晶体管的第二电流传导电极与第二反相器的输出端电连接；
控制晶体管的控制电极与控制线CG电连接，控制晶体管的第一电流传导电极与第一反相器的输出端电连接，控制晶体管的第二电流传导电极与第二反相器的输入端电连接。
2.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于，
控制晶体管在写传输晶体管导通时处于截止状态，从而断开第一反相器的输出端和第二反相器的输入端之间的电连接。
3.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于，
控制晶体管在读传输晶体管导通时处于导通状态，从而使第一反相器的输出端和第二反相器的输入端电连接。
4.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于，
控制晶体管在写传输晶体管和读传输晶体管均截止时处于导通状态，从而使第一反相器的输出端和第二反相器的输入端电连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的静态随机存储单元，其特征在于，
控制晶体管、写传输晶体管和读传输晶体管为NMOS场效应晶体管。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的静态随机存储单元，其特征在于，第一反相器包括第一上拉晶体管、第一下拉晶体管，其中：
第一上拉晶体管的控制电极与第一下拉晶体管的控制电极电连接，以构成第一反相器的输入端；
第一上拉晶体管的第一电流传导电极与第一下拉晶体管的第一电流传导电极电连接，以构成第一反相器的输出端；
第一上拉晶体管的第二电流传导电极接电源，第一下拉晶体管的第二电流传导电极接地。
7.根据权利要求6所述的静态随机存储单元，其特征在于，
第一上拉晶体管的控制电极为栅极，第一上拉晶体管的第一电流传导电极为漏极，第一上拉晶体管的第二电流传导电极为源极；
第一下拉晶体管的控制电极为栅极，第一下拉晶体管的第一电流传导电极为漏极，第一下拉晶体管的第二电流传导电极为源极。
8.根据权利要求6所述的静态随机存储单元，其特征在于，第二反相器包括第二上拉晶体管、第二下拉晶体管，其中：
第二上拉晶体管的控制电极与第二下拉晶体管的控制电极电连接，以构成第二反相器的输入端；
第二上拉晶体管的第一电流传导电极与第二下拉晶体管的第一电流传导电极电连接，以构成第二反相器的输出端；
第二上拉晶体管的第二电流传导电极接电源，第二下拉晶体管的第二电流传导电极接地。
9.根据权利要求8所述的静态随机存储单元，其特征在于，
第二上拉晶体管的控制电极为栅极，第二上拉晶体管的第一电流传 导电极为漏极，第二上拉晶体管的第二电流传导电极为源极；
第二下拉晶体管的控制电极为栅极，第二下拉晶体管的第一电流传导电极为漏极，第二下拉晶体管的第二电流传导电极为源极。
10.根据权利要求8所述的静态随机存储单元，其特征在于，
第一上拉晶体管和第二上拉晶体管为PMOS场效应晶体管；
第一下拉晶体管和第二下拉晶体管为NMOS场效应晶体管。