技术特征：
技术总结
公开一种存储器系统，该存储器系统能够使用呈堆栈构型排列的挥发性与非挥发性混合式存储器装置储存信息。一方面，该存储器系统包括存储器元件、汲极选择闸极(“DSG”)晶体管以及电容器元件。在一实例中，每一存储器元件包括源极端、闸极端、汲极端以及非挥发性单元。该存储器元件系以串接形式排列，且该元件互相连接在源极端与汲极端之间。该DSG晶体管的汲极端耦合至存储器元件的源极端，且该DSG晶体管的闸极端耦合至DSG信号。该电容的汲极端耦合至该第一DSG晶体管的源极端。该电容器元件被配置成执行动态随机存取存储器(“DRAM”)功能。
技术研发人员：许富菖
受保护的技术使用者：NEO半导体公司
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.08.29