技术特征：
技术总结
一种集成电路，其通过使用在BEOL中制造的薄膜晶体管(TFT)而与标准硅集成电路相比能够实现更低成本，并且还提供更好的性能。改进的存储器电路通过利用TFT来提高三维电路设计中的密度和访问来实现，其使得晶粒面积最小化。通过消除专用于I/O的在半导体表面上的面积可以实现改进的I/O，并允许提供多倍数量的可用I/O。缩短的金属路由线路也可以提高速度、降低功耗并减少泄漏。
技术研发人员：T·A·阿甘;J·J·卢皮诺
受保护的技术使用者：3B技术公司
技术研发日：2015.12.23
技术公布日：2017.08.29