1.一种与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：
对选择页面施加编程脉冲；
判定所述选择页面的编程的合格与否；以及
当判定为不合格时，在所述编程脉冲的施加次数未达到小于编程的容许最大值的最佳值的情况下，对所述选择页面进一步施加所述编程脉冲，在所述编程脉冲的施加次数达到所述最佳值的情况下，若所述选择页面为预先指定的不合格位数，则判定为疑似合格。
2.根据权利要求1所述的与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括以下步骤：在所述选择页面多于所述预先指定的不合格位数的情况下，判定所述编程脉冲的施加次数是否达到所述容许最大值，在未达到所述容许最大值的情况下，对所述选择页面进一步施加所述编程脉冲，在达到所述容许最大值的情况下，以编程失败的形式结束编程。
3.根据权利要求2所述的与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，所述容许最大值为所述选择页面的编程所容许的所述编程脉冲的最大施加次数。
4.根据权利要求1所述的与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，所述预先指定的不合格位数为能够通过差错检测校正而修复的位数以下。
5.根据权利要求1或2所述的与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，所述最佳值能够通过外部的控制器而设定。
6.根据权利要求1或2所述的与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，编程方法还包括以下步骤：生成应编程的数据的差错校正符号，以及
在所述选择页面对编程数据与所述差错校正符号进行编程。
7.一种与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：
接收应编程的数据；
判定利用所述应编程的数据而进行编程的位数是否为能够利用差错检测校正部件而修复的修复位数以下；
利用所述差错检测校正部件来生成所述应编程的数据的差错校正符号；以及
当判定利用所述应编程的数据而进行编程的位数为所述修复位数以下 时，通过不在选择页面的普通区域进行编程，而在备用区域对所述差错校正符号进行编程来结束针对所述选择页面的编程。
8.根据权利要求7所述的与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括以下步骤：当判定利用所述应编程的数据而进行编程的位数多于所述修复位数时，在所述选择页面的所述普通区域对所述应编程的数据进行编程。
9.一种与非型快闪存储器的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：
接收应编程的数据；
判定利用所述应编程的数据而进行编程的位数是否为能够利用差错检测校正部件而修复的修复位数以下；
利用所述差错检测校正部件来生成所述应编程的数据的差错校正符号；
当判定利用所述应编程的数据而进行编程的位数为所述修复位数以下时，通过不在选择页面的普通区域进行编程，而在备用区域对所述差错校正符号进行编程来结束针对所述选择页面的编程；以及
当判定利用所述应编程的数据而进行编程的位数多于所述修复位数时，在所述选择页面的所述普通区域对所述应编程的数据进行编程，
所述编程方法还包括以下步骤：
对所述选择页面施加编程脉冲；
判定所述选择页面的编程的合格与否；以及
当判定为不合格时，在所述编程脉冲的施加次数未达到小于编程的容许最大值的最佳值的情况下，对所述选择页面进一步施加所述编程脉冲，在所述编程脉冲的施加次数达到所述最佳值的情况下，若所述选择页面为预先指定的不合格位数，则判定为疑似合格。
10.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
存储器阵列；
差错检测校正部件，生成应编程的数据的差错校正符号；以及
编程部件，在所述存储器阵列的选择页面，对所述应编程的数据及所述差错校正符号进行编程，且
所述编程部件执行如下处理：对所述选择页面施加编程脉冲，当判定所述选择页面的编程为不合格时，在所述编程脉冲的施加次数未达到小于编程 的容许最大值的最佳值的情况下，对所述选择页面进一步施加所述编程脉冲，在所述编程脉冲的施加次数达到所述最佳值的情况下，若所述选择页面为预先指定的不合格位数，则判定为疑似合格。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，所述编程部件进而在所述选择页面多于所述预先指定的不合格位数的情况下，判定所述编程脉冲的施加次数是否达到所述容许最大值，在未达到所述容许最大值的情况下，对所述选择页面进一步施加所述编程脉冲，在达到所述容许最大值的情况下，以编程失败的形式结束编程。
12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，所述预先指定的不合格位数为能够通过所述差错检测校正部件而修复的位数以下。
13.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
存储器阵列；
差错检测校正部件，生成应编程的数据的差错校正符号；以及
编程部件，在所述存储器阵列的选择页面，对所述应编程的数据及所述差错校正符号进行编程，且
所述编程部件在利用所述应编程的数据而进行编程的位数为能够利用所述差错检测校正部件而修复的修复位数以下时，通过不在所述选择页面的普通区域进行编程，而在备用区域对所述差错校正符号进行编程来结束所述选择页面的编程。
14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，所述编程部件进而在利用所述应编程的数据而进行编程的位数多于所述修复位数时，在所述选择页面的所述普通区域对所述应编程的数据进行编程。
15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其特征在于，所述编程部件进而执行如下处理：对所述选择页面施加编程脉冲，当判定所述选择页面的编程为不合格时，在所述编程脉冲的施加次数未达到小于编程的容许最大值的最佳值的情况下，对所述选择页面进一步施加所述编程脉冲，在所述编程脉冲的施加次数达到所述最佳值的情况下，若所述选择页面为预先指定的不合格位数，则判定为疑似合格。