技术总结
本发明提供一种可改善编程不良的良率且进行不合格存储胞元的修复的半导体存储装置及与非型快闪存储器的编程方法。本发明的NAND型快闪存储器的编程方法包括以下步骤：对选择页面施加编程脉冲；判定选择页面的编程的合格与否；以及当判定为不合格时，在编程脉冲的施加次数未达到最佳次数的情况下，对选择页面进一步施加编程脉冲，在编程脉冲的施加次数达到最佳次数的情况下，若选择页面为预先指定的不合格位数，则判定为疑似合格。本发明可改善编程不良的良率且进行不合格存储胞元的修复。
技术研发人员：山内一贵
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
文档号码：201610140202
技术研发日：2016.03.11
技术公布日：2017.06.27