用于抑制对闪存存储器系统中的未被选择的位线进行编程的方法和设备与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了用于抑制对耦接至未被选择的位线的存储器单元的编程同时对耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元进行编程的各种实施方案。还公开了用于在耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元的编程期间补偿泄漏电流的各种实施方案。

技术研发人员：H.V.陈;A.李;T.于;H.Q.阮
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
技术研发日：2016.02.23
技术公布日：2017.12.01