高K(HK)/金属栅极(MG)(HK/MG)多次可编程(MTP)切换器件以及相关系统和方法与流程

优先权申请

本申请要求2015年4月1日提交的题为“high-k(hk)/metalgate(mg)(hk/mg)multi-timeprogrammable(mtp)switchingdevices,andrelatedsystemsandmethods(高k(hk)/金属栅极(mg)(hk/mg)多次可编程(mtp)切换器件以及相关系统和方法)”的美国专利申请sn14/676,228的优先权，其通过援引整体纳入于此。

背景

i.公开领域

本公开的技术一般涉及金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(mosfet)，且具体地涉及用作可编程切换器件(诸如存储器单元)的mosfet。

ii.

背景技术：

在现代计算系统中，诸如中央处理单元(cpu)和数字信号处理(dsp)等处理器基于机器可执行二进制指令集来处理二进制输入信号并生成二进制输出信号作为结果。为了产生预期结果，处理器必须能够准确地确定输入信号的状态(例如，输入信号表示二进制0还是二进制1)。确定通常基于检测输入信号的电压电平且由逻辑门来执行。这些逻辑门可包括以提供期望逻辑操作的方式布置的各种金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(mosfet)。取决于基板材料，mosfet可以是n沟道mosfet(nmosfet)或p沟道mosfet(pmosfet)。

就此，图1解说了可被包括在逻辑门中的示例性nmosfet10。nmosfet10包括金属栅极(mg)12、n型源极区14、n型漏极区16以及p型基板(p基板)(主体)18。高k(hk)电介质层/界面层20被布置在金属栅极12和主体18之间。金属栅极12、n型源极区14以及n型漏极区16分别耦合到栅极(g)电极22、源极(s)电极24以及漏极(d)电极26。

继续参考图1，栅极电压(vg)28和源极电压(vs)30提供控制nmosfet10处于耗尽模式还是反型模式的切换电压(vgs)32。如果切换电压(vgs)32小于nmosfet10的阈值电压(vt)，则nmosfet10处于耗尽模式中，而不管漏极电压(vd)34如何。在nmosfet10处于耗尽模式中时，n型源极区14和n型漏极区16之间的沟道区36变成高阻性。结果，在n型源极区14与n型漏极区16之间没有电流流动。在切换电压(vgs)32大于或等于nmosfet10的阈值电压(vt)时，nmosfet10切换到反型模式中，并且沟道区36变成导电的。在反型模式中，如果漏极-到-源极电压(vds)38被施加在漏极(d)电极26和源极(s)电极24之间，则电子40被从n型源极区14拉向n型漏极区16，从而生成从n型漏极区16流向n型源极区14的漏极电流(id)42。

公开概述

详细描述中公开的各方面包括高k(hk)/金属栅极(mg)(hk/mg)多次可编程(mtp)切换器件以及相关系统和方法。一种类型的hk/mgmtp切换器件是mtp金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(mosfet)，可通过将切换电压施加到该mtpmosfet来对它进行编程以存储信息。然而，在mtpmosfet被编程以存储信息时，归因于由所施加的切换电压所感生的切换电流，可能在该mtpmosfet的hk电介质层/界面层中构建电荷陷阱。该电荷陷阱减小了mtpmosfet的切换窗(这指示预切换阈值电压和后切换阈值电压之间的差异)和耐久度，从而降低访问存储在该mtpmosfet中的信息的可靠性。就此，提供了包括mtpmosfet的hk/mgmtp切换器件，且其被配置成在该mtpmosfet被编程时消除切换电流。通过在mtpmosfet编程期间消除切换电流，避免mtpmosfet中的电荷陷阱是可能的，从而恢复mtpmosfet的切换窗和耐久度以用于更可靠的信息访问。

就此，在一个方面，提供了一种hk/mgmtp切换器件。该hk/mgmtp切换器件包括mosfet。该mosfet包括形成源极电极和漏极电极之间的沟道区的主体。该mosfet还包括位于主体上方的栅极电极以及被布置在主体与栅极电极之间的hk电介质层。该mosfet被配置成在施加于栅极电极和源极电极之间的切换电压(vgs)大于mosfet的第一阈值电压时在第一状态中操作。该mosfet被进一步配置成在切换电压(vgs)小于mosfet的第二阈值电压时在不同于第一状态的第二状态中操作。该hk/mgmtp切换器件还包括切换控制器。该切换控制器被配置成在mosfet的栅极电极和源极电极之间施加切换电压(vgs)以将mosfet编程在第一状态或第二状态中，而没有在沟道区中生成电流。

在另一方面，提供了一种用于切换hk/mgmtp切换器件的装置。该用于切换hk/mgmtp切换器件的装置包括mosfet。该mosfet包括形成源极电极和漏极电极之间的沟道区的主体。该mosfet还包括位于主体上方的栅极电极以及被布置在主体与栅极电极之间的hk电介质层。该mosfet被配置成在施加于栅极电极和源极电极之间的切换电压(vgs)大于mosfet的第一阈值电压时在第一状态中操作。该mosfet被进一步配置成在切换电压(vgs)小于mosfet的第二阈值电压时在不同于第一状态的第二状态中操作。该用于切换hk/mgmtp切换器件的装置还包括用于控制mosfet的装置。该用于控制mosfet的装置包括在mosfet的栅极电极和源极电极之间施加切换电压(vgs)以将mosfet编程在第一状态或第二状态中，而没有在沟道区中生成电流。

在另一方面，提供了一种用于在对hk/mgmtp切换器件进行编程时防止电荷陷阱的方法。该方法包括由切换控制器确定hk/mgmtp切换器件中包括的mosfet的类型。该方法还包括基于mosfet的类型来确定栅极电压和源极电压以提供对mosfet进行编程或擦除的切换电压(vgs)。该方法进一步包括将栅极电压和源极电压分别施加到mosfet的栅极电极和源极电极。该方法还包括保持漏极电极浮置或将等于源极电压的漏极电压施加到mosfet的漏极电极。

在另一方面，提供了一种基于hk/mgmtp切换器件的存储器系统。该存储器系统包括存储器阵列，该存储器阵列包括布置成m行和n列的多个mosfet，其中m和n是有限整数。该存储器系统还包括分别耦合到m行的m条字线(wl)、分别耦合到n列的n条位线(bl)、以及分别耦合到n列的n条源线(sl)。多个mosfet中的每一者包括耦合到m条wl中的相应wl的栅极电极。多个mosfet中的每一者包括耦合到n条sl中的相应sl的源极电极。多个mosfet中的每一者包括耦合到n条bl中的相应bl的漏极电极。该存储器系统还包括耦合到该m条wl、该n条bl以及该n条sl的存储器控制器。

附图简述

图1解说了可被编程以在逻辑门中起作用的示例性n沟道金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(mosfet)(nmosfet)；

图2a是解说在图1的nmosfet被编程时生成的电荷陷阱的示例性示意图；

图2b是解说图2a中的电荷陷阱对图2a中的nmosfet的示例性影响的示例性漏极电流对切换电压(id-vgs)曲线；

图2c是解说归因于图2a中的电荷陷阱的影响而来自图2a中的nmosfet的漏极电极和源极电极的不一致电压读数的示例性id-vgs曲线；

图3是配置成通过在对高k(hk)/金属栅极(mg)(hk/mg)多次可编程(mtp)切换器件进行编程时防止在hk/mg切换器件中生成沟道电流来避免图2a中的电荷陷阱的示例性hk/mgmtp切换器件的示意图；

图4是用于在对图3的hk/mgmtp切换器件进行编程时防止电荷陷阱构建的示例性编程过程的流程图；

图5是图形验证图3的hk/mgmtp切换器件在该hk/mgmtp切换器件中的mosfet被编程时的电荷陷阱防止配置的示例性正扫掠和反扫掠id-vgs曲线的标绘；

图6是图形验证图3的hk/mgmtp切换器件在该hk/mgmtp切换器件中的mosfet被编程时的电荷陷阱防止配置的示例性亚阈值斜率(ss)曲线的标绘；

图7是图形验证图3的hk/mgmtp切换器件在该hk/mgmtp切换器件中的mosfet被编程时的电荷陷阱防止配置的示例性漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线的标绘；

图8是图形验证图3的hk/mgmtp切换器件在该hk/mgmtp切换器件中的mosfet被擦除时的电荷陷阱防止配置的示例性预编程后擦除id-vgs曲线的标绘；

图9是图形验证图3的hk/mgmtp切换器件在该hk/mgmtp切换器件中的mosfet被擦除时的电荷陷阱防止配置的示例性ss曲线的标绘；

图10是图形验证图3的hk/mgmtp切换器件在该hk/mgmtp切换器件中的mosfet被擦除时的电荷陷阱防止配置的示例性漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线的标绘；

图11是包括布置成m行乘n列(m×n)的多个hk/mgmtp切换器件以提供m×nhk/mgmtp切换器件的的示例性存储器阵列的示意图；

图12是根据图11的m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列来布置的用于对所选切换器件存储器单元进行编程而通过保持所选切换器件存储器单元的漏极电极浮置来不生成电荷陷阱的示例性m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列的示意图；

图13是根据图11的m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列来布置的用于对所选切换器件存储器单元进行编程而通过将相等电压施加到所选切换器件存储器单元的源极电极和漏极电极来不生成电荷陷阱的示例性m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列的示意图；

图14是根据图11的m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列来布置的用于对所选切换器件存储器单元进行擦除而通过保持所选切换器件存储器单元的漏极电极浮置来不生成电荷陷阱的示例性m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列的示意图；

图15是根据图11的m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列来布置的用于对所选切换器件存储器单元进行擦除而通过将相等电压施加到所选切换器件存储器单元的源极电极和漏极电极来不生成电荷陷阱的示例性m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列的示意图；

图16是根据图11的m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列来布置以从所选切换器件存储器单元读取信息的示例性m×nhk/mgmtp切换器件存储器阵列的示意图；以及

图17是可包括配置成被编程同时避免在图3中的mosfet中的电荷陷阱的图3中的hk/mgmtp切换器件的示例性基于处理器的系统的框图。

详细描述

现在参照附图，描述了本公开的若干示例性方面。措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何方面不必被解释为优于或胜过其他方面。

详细描述中公开的各方面包括高k(hk)/金属栅极(mg)(hk/mg)多次可编程(mtp)切换器件以及相关系统和方法。一种类型的hk/mgmtp切换器件是mtp金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(mosfet)，可通过将切换电压施加到该mtpmosfet来对它进行编程以存储信息。然而，在mtpmosfet被编程以存储信息时，归因于由所施加的切换电压所感生的切换电流，可能在该mtpmosfet的hk电介质层/界面层中构建电荷陷阱。该电荷陷阱减少了mtpmosfet的切换窗(这指示预切换阈值电压和后切换阈值电压之间的差异)和耐久度，从而降低访问存储在该mtpmosfet中的信息的可靠性。就此，提供了包括mtpmosfet的hk/mgmtp切换器件，且其被配置成在该mtpmosfet被编程时消除切换电流。通过在mtpmosfet编程期间消除切换电流，避免mtpmosfet中的电荷陷阱是可能的，从而恢复mtpmosfet的切换窗和耐久度以用于更可靠的信息访问。

在讨论被配置成消除mosfet编程期间的电荷陷阱的hk/mgmtp切换器件的示例之前，参考图2a、2b和2c提供了mosfet中的电荷陷阱现象的概览以及电荷陷阱的影响。以下参照图3开始对hk/mgmtp切换器件的特定示例性方面的讨论。

就此，图2a是解说在图1的nmosfet10被编程时生成的电荷陷阱44的示意图。图1与图2a之间的共同元素以共同元素标号被示出，并且在此将不再重复描述。

参考图2a，在切换电压(vgs)32等于或大于nmosfet10的阈值电压(vt)时，nmosfet10的沟道区36变得导电。在存在施加于漏极电极26和源极电极24之间的漏极-到-源极电压(vds)38的情况下，电子40被从n型源极区14拉到n型漏极区16，使得漏极电流(id)42从n型漏极区16流到n型源极区14。因此，电子40(也被称为“热载流子”)中的一些得到足够动能而进入并被陷获在hk电介质层/界面层20中，从而在nmosfet10中形成电荷陷阱44。该电荷陷阱44减小了nmosfet10的切换窗(这指示预切换阈值电压和后切换阈值电压之间的差异)和耐久度，从而降低访问存储在nmosfet10中的信息的可靠性。此外，电荷陷阱44可保持在hk电介质层/界面层20中达非常长的时间段且不能通过逆切换电压(-vgs)46来擦除。

图2b是解说图2a中的电荷陷阱44对图2a中的nmosfet10的影响的示例性漏极电流对切换电压(id-vgs)曲线48。图2a中的元件结合图2b被引用，并且在本文中将不再描述。id-vgs曲线48提供预编程曲线50、后编程曲线52以及后擦除曲线54。预编程曲线50、后编程曲线52以及后擦除曲线54联合地解说了nmosfet10中的电荷陷阱44引起的经减小切换窗。在切换电压(vgs)32等于或大于施加到nmosfet10以对nmosfet10进行编程的阈值电压(vt)时，预编程曲线50(它表示预切换阈值电压)朝表示后切换阈值电压的后编程曲线52移位。在使用逆切换电压(-vgs)46(未示出)来对nmosfet10进行擦除时，后编程曲线52预期返回到预编程曲线50以表示预切换阈值电压。然而，因为hk电介质层/界面层20中的电荷陷阱44，后编程曲线52只返回到后擦除曲线54，与预编程曲线50相对。为进一步解释后编程曲线52在反型区56内没有返回到预编程曲线50的原因，下文提供并讨论式1(eq.1)。

参照上式1，在nmosfet10被编程时，平带电压(vfb)的增加(它与nmosfet10的固有特性相关)将预编程曲线50朝后编程曲线52驱动。为便于讨论，在本文中引用了预编程曲线50上的预切换阈值电压58、后编程曲线52上的后切换阈值电压60以及后擦除曲线54上的后擦除阈值电压62。归因于平带电压(vfb)的增加，后编程曲线52的向右移动使得预切换阈值电压58移至后切换阈值电压60。在理想情形中，在逆切换电压(-vgs)46对nmosfet10进行擦除时，平带电压(vfb)将减小，从而将后编程曲线52带回预编程曲线50并使后切换阈值电压60返回到预切换阈值电压58。然而，归因于电荷陷阱44(这在式1中由氧化陷阱dot来表示)的存在，后擦除曲线54没有一路返回预编程曲线50。结果，后擦除阈值电压62稳定于预切换阈值电压58和后切换阈值电压60之间。因此，nmosfet10的切换窗64被缩短到经减小切换窗66。结果，切换耐久度被缩短，从而损害并降低nmosfet10的可靠性和性能。

就此，图2c是解说归因于图2a中的电荷陷阱44的影响而来自图2a中的nmosfet10的漏极电极26和源极电极24的不一致电压读数的示例性id-vgs曲线70。

参考图2c，id-vgs曲线70包括漏极侧读数id-vgs曲线72和源极侧读数id-vgs曲线74。漏极侧读数id-vgs曲线72解说了在施加正漏极到源极电压(vds)38(未示出)时的阈值电压(vt)读数。另一方面，源极侧读数id-vgs曲线74解说了在施加负漏极到源极电压(vds)38(未示出)时的阈值电压(vt)读数。在不存在电荷陷阱44的情况下，漏极侧读数id-vgs曲线72和源极侧读数id-vgs曲线74应当会聚。然而，如在id-vgs曲线70中所示，在反型区56内的任何id电流电平处，漏极侧读数vt76不同于源极侧读数vt78。vt差80指示在访问存储在nmosfet10中的信息时归因于电荷陷阱44的存在的潜在不准确度。因而，在nmosfet10被编程时防止在nmosfet10中构建电荷陷阱44是合乎需要的。

就此，图3是配置成通过在对hk/mgmtp切换器件90进行编程时防止生成沟道电流(未示出)来消除图2a中的电荷陷阱44的示例性hk/mgmtp切换器件90的示意图。该hk/mgmtp切换器件90包括mosfet92。为便于讨论，在下文参考nmosfet来描述mosfet92。然而，用于在对hk/mgmtp切换器件90进行编程时消除电荷陷阱44的配置和操作原理也适用于p沟道mosfet(pmosfet)。

参考图3，hk/mgmtp切换器件90还包括切换控制器94。切换控制器94被配置成将栅极电压(vg)96、源极电压(vs)98以及漏极电压(vd)100分别施加到mosfet92的栅极电极102、源极电极104以及漏极电极106。hk/mgmtp切换器件90还包括能由切换控制器94选择性地断开或闭合的栅极侧开关108、源极侧开关110以及漏极侧开关112。例如，在漏极侧开关112闭合时，漏极电压(vd)100被施加到漏极电极106。相反，在漏极侧开关112断开时，漏极电极106浮置。在一非限制性示例中，在mosfet92被集成时，切换控制器94可被集成在半导体管芯或集成电路(ic)中。

继续参考图3，在hk/mgmtp切换器件90被编程以存储信息(例如，二进制状态信息)时，切换控制器94闭合栅极侧开关108和源极侧开关110，以使得切换电压(vgs)114(它等于栅极电压(vg)96减去源极电压(vs)98(vgs＝vg–vs))被施加到mosfet92。在切换电压(vgs)114大于或等于mosfet92的编程电压(vpg)(第一阈值电压)(未示出)时，mosfet92被编程来在反型状态中操作。在一非限制性示例中，对于nmosfet92，反型状态也被称为第一状态、编程状态、或高阈值电压状态。相反，在切换电压(vgs)114小于mosfet92的负擦除电压(-vera)(第二阈值电压)(未示出)时，mosfet92处于累积型状态中。在一非限制性示例中，对于nmosfet92，累积型状态也被称为第二状态、擦除状态、或低阈值电压状态。

继续参考图3，尽管切换电压(vgs)114被施加在栅极电极102和源极电极104之间，但切换控制器94可以通过断开漏极侧开关112来保持漏极电极106浮置。通过保持漏极电极106浮置，在mosfet92的源极区116和漏极区118之间创建开路。结果，没有电子移动发生在沟道区120中，并且因而没有沟道电流在主体121中在源极区116和漏极区118之间流动。通过消除源极区116和漏极区118之间的沟道电流，防止在mosfet92中构建电荷陷阱(未示出)是可能的，从而确保对mosfet92中的更可靠信息的访问。

另选地，代替保持漏极电极106浮置，切换控制器94还可以将漏极电压(vd)100配置成与源极电压(vs)98相同并且闭合漏极侧开关112以将漏极电压(vd)100耦合到漏极电极106。因为漏极电压(vd)100和源极电压(vs)98相等，所以施加在漏极电极106和源极电极104之间的漏极到源极电压(vds)122等于零(0)。因此，在沟道区120中没有沟道电流流动或电子移动。通过消除沟道电流，切换控制器94可以防止在mosfet92的hk电介质层/界面层124中形成电荷陷阱。在这两种配置中，mosfet92由切换电压(vgs)114所生成的电场(未示出)来编程而没有沟道电流。

继续参考图3，为对mosfet92进行擦除，切换控制器94将等于负擦除电压(-vera)的切换电压(vgs)114’施加在栅极电极102和源极电极104之间。就此，切换电压(vgs)114’是用来对mosfet92进行编程的切换电压(vgs)114的相反数。在mosfet92被擦除时，漏极电极106可以保持浮置或耦合到具有与源极电压(vs)98相等电压的漏极电压(vd)100，从而防止在擦除过程期间生成电荷陷阱。

继续参考图3，栅极电压(vg)96和源极电压(vs)98可被配置成各种组合以提供等于编程电压(vpg)的切换电压(vgs)114或者提供等于mosfet92的负擦除电压(-vera)的切换电压(vgs)114’。作为非限制性示例，下表提供了这样的电压组合的列表。

继续参考图3，如果mosfet92是pmosfet，则切换控制器94可被配置成通过将小于负编程电压(-vpg)(第二阈值电压)(未示出)的切换电压(vgs)114’施加在mosfet92的栅极电极102和源极电极104之间来对mosfet92进行编程。切换控制器94还可被配置成通过将大于或等于擦除电压(vera)(第一阈值电压)(未示出)的切换电压(vgs)114施加在mosfet92的栅极电极102和源极电极104之间来对mosfet92进行擦除。就此，在切换电压(vgs)114’小于负编程电压(-vpg)时，mosfet92被切换到反型状态(第二状态、擦除状态、或高阈值电压状态)。在切换电压(vgs)114’大于擦除电压(vera)时，mosfet92处于累积型状态(第一状态、编程状态、或低阈值电压状态)。无论如何，漏极电极106可保持浮置或耦合到具有与源极电压(vs)98相等电压的漏极电压(vd)100。

图4是用于在对hk/mgmtp切换器件90进行编程时防止在图3中的mosfet92中的电荷陷阱构建的示例性编程过程126的流程图。根据编程过程126，切换控制器94基于mosfet92的类型来确定栅极电压(vg)96和源极电压(vs)98以提供等于编程电压(vpg)的切换电压(vgs)114(框128)。切换控制器94随后将栅极电压(vg)96和源极电压(vs)98分别施加到mosfet92的栅极电极102和源极电极104(框130)。为防止在mosfet92中构建电荷陷阱，切换控制器94可以保持漏极电极106浮置，如在图3中讨论的(框132)。另选地，切换控制器94可以将等于源极电压(vs)98的漏极电压(vd)100施加到漏极电极106以避免mosfet92中的电流(框134)。

为了验证在对图3中的mosfet92进行编程或擦除时电荷陷阱能通过将相等电压施加到漏极电极106和源极电极104或通过保持漏极电极106浮置而被有效地防止，接下来提供并讨论图5-10。图3中的元件结合图5-10被引用，并且在此不再重复描述。

就此，图5是图形验证hk/mgmtp切换器件90在该hk/mgmtp切换器件90中的mosfet92被编程时的电荷陷阱防止配置的示例性正扫掠和反扫掠id-vgs曲线140的标绘。正扫掠和反扫掠id-vgs曲线140包括预编程id-vgs曲线142、后编程正扫掠id-vgs曲线144以及后编程反扫掠id-vgs曲线146。在切换电压(vgs)114被施加到mosfet92时，预编程id-vgs曲线142朝后编程正扫掠id-vgs曲线144移位。如早先参考式1讨论的，预编程id-vgs曲线142的向右移位是由于平带电压(vfb)的变化。为了生成后编程反扫掠id-vgs曲线146，切换电压(vgs)114被施加在栅极电极102和漏极电极106之间。从先前讨论中可以理解，在mosfet92中存在电荷陷阱的情况下，后编程反扫掠id-vgs曲线146将不与后编程正扫掠id-vgs曲线144正确地对准。因此，通过解说后编程正扫掠id-vgs曲线144与后编程反扫掠id-vgs曲线146之间的良好对准，正扫掠和反扫掠id-vgs曲线140证明图3中描述的电荷陷阱防止配置是有效的。

图6是图形验证hk/mgmtp切换器件90在该hk/mgmtp切换器件90中的mosfet92被编程时的电荷陷阱防止配置的示例性亚阈值斜率(ss)曲线148的标绘。亚阈值斜率(ss)曲线148解说了分别与图5中的预编程id-vgs曲线142、后编程正扫掠id-vgs曲线144以及后编程反扫掠id-vgs曲线146相对应的预编程ss曲线150、后编程正扫掠ss曲线152、以及后编程反扫掠ss曲线154。如在亚阈值斜率(ss)曲线148中解说的，预编程ss曲线150、后编程正扫掠ss曲线152、以及后编程反扫掠ss曲线154在亚阈值区域156中良好地保持一致，其中切换电压(vgs)114低于阈值电压(vt)。通过示出亚阈值区域156中的良好一致，亚阈值斜率(ss)曲线148也证明图3中描述的电荷陷阱防止配置是有效的。

图7是图形验证hk/mgmtp切换器件90在该hk/mgmtp切换器件90中的mosfet92被编程时的电荷陷阱防止配置的示例性漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线158的标绘。漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线158包括漏极侧读数id-vgs曲线160和源极侧读数id-vgs曲线162。根据早先参考图2b的讨论，在mosfet92中存在电荷陷阱的情况下，漏极侧读数id-vgs曲线160和源极侧读数id-vgs曲线162将不会良好地保持一致。因此，通过解说漏极侧读数id-vgs曲线160和源极侧读数id-vgs曲线162之间的良好一致，漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线158进一步证明图3中描述的电荷陷阱防止配置是有效的。

如先前在以上图2b中的id-vgs曲线48中讨论的，在图2a中的nmosfet10被擦除时，归因于电荷陷阱44的存在，后编程曲线52只返回到后擦除曲线54，而不是一路返回预编程曲线50。就此，图8是图形验证hk/mgmtp切换器件90在该hk/mgmtp切换器件90中的mosfet92被擦除时的电荷陷阱防止配置的示例性预编程后擦除id-vgs曲线170的标绘。预编程后擦除id-vgs曲线170包括预编程曲线172和后擦除曲线174。与图2b中的后擦除曲线54(归因于电荷陷阱44的存在，它没有一路返回预编程曲线50)相对比，后擦除曲线174在mosfet92被擦除之后与预编程曲线172良好地对准。这进一步证明图3中描述的电荷陷阱防止配置是有效的。

图9是图形验证hk/mgmtp切换器件90在该hk/mgmtp切换器件90中的mosfet92被擦除时的电荷陷阱防止配置的示例性ss曲线176的标绘。ss曲线176包括预编程ss曲线和后擦除曲线178以及后编程曲线和预擦除曲线180。预编程ss曲线和后擦除曲线178以及后编程曲线和预擦除曲线180示出了在阈值前区域182中的良好对准，从而进一步证明图3中描述的电荷陷阱防止配置是有效的。

图10是图形验证hk/mgmtp切换器件90在该hk/mgmtp切换器件90中的mosfet92被擦除时的电荷陷阱防止配置的示例性漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线184的标绘。漏极侧读数和源极侧读数id-vgs曲线184包括后擦除漏极侧读数id-vgs曲线186和后擦除源极侧读数id-vgs曲线188。与图2b中不一致的漏极侧读数id-vgs曲线72和源极侧读数id-vgs曲线74相对比，后擦除漏极侧读数id-vgs曲线186和后擦除源极侧读数id-vgs曲线188彼此良好地保持一致。因此，图3中描述的电荷陷阱防止配置被证明是有效的。

由于图3的hk/mgmtp切换器件90作为mtp来存储二进制信息的固有能力，多个hk/mgmtp切换器件90可被配置成形成存储器阵列。在一非限制性示例中，多个hk/mgmtp切换器件90可包括多个mosfet(例如，多个nmosfet或多个pmosfet)。就此，图11是解说配置成形成m行乘n列(m×n)mtp切换器件存储器阵列190的多个hk/mgmtp切换器件90的示例性示意图。就此，m×nmtp切换器件存储器阵列包括m×n个切换器件存储器单元90(x,y)，其中(0≤x≤m-1)且(0≤y≤n-1)。例如，m×n切换器件存储器单元90(0,0)位于行0和列0的交叉点处，m×n切换器件存储器单元90(0,n-1)位于行0和列n-1的交叉点处，m×n切换器件存储器单元90(m-1,0)位于行m-1和列0的交叉点处，以此类推。

参考图11，m×nmtp切换器件存储器阵列190包括m条字线(wl)192(0)-192(m-1)。m条wl192(0)-192(m-1)中的每一者耦合到m×nmtp切换器件存储器阵列190中的相应一行中的n个切换器件存储器单元90(x,y)。例如，wl192(0)耦合到行0中的n个切换器件存储器单元90(0,0)-90(0,n-1)，wl192(m-1)耦合到行m-1中的n个切换器件存储器单元90(m-1,0)-90(m-1,n-1)，以此类推。具体而言，m条wl192(0)-192(m-1)中的每一者耦合到相应行中的n个切换器件存储器单元90(x,y)的n个栅极电极102(x,y)。例如，wl192(0)耦合到行0中的n个切换器件存储器单元90(0,0)-90(0,n-1)的n个栅极电极102(0,0)-102(0,n-1)，wl192(m-1)耦合到行m-1中的n个切换器件存储器单元90(m-1,0)-90(m-1,n-1)的n个栅极电极102(m-1,0)-102(m-1,n-1)，以此类推。

继续参考图11，m×nmtp切换器件存储器阵列190还包括n条位线(bl)194(0)-194(n-1)。n条bl194(0)-192(n-1)中的每一者耦合到m×nmtp切换器件存储器阵列190中的相应一列中的m个切换器件存储器单元90(x,y)。例如，bl194(0)耦合到列0中的m个切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,0)，bl194(n-1)耦合到列n-1中的m个切换器件存储器单元90(0,n-1)-90(m-1,n-1)，以此类推。具体而言，n条bl194(0)-194(n-1)中的每一者耦合到相应列中的m个切换器件存储器单元90(x,y)的m个漏极电极106(x,y)。例如，bl194(0)耦合到列0中的m个切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,0)的m个漏极电极106(0,0)-106(m-1,0)，bl194(n-1)耦合到列n-1中的m个切换器件存储器单元90(0,n-1)-90(m-1,n-1)的m个漏极电极106(0,n-1)-106(m-1,n-1)，以此类推。

继续参考图11，m×nmtp切换器件存储器阵列190还包括n条源线(sl)196(0)-196(n-1)。n条sl196(0)-196(n-1)中的每一者耦合到m×nmtp切换器件存储器阵列190中的相应一列中的m个切换器件存储器单元90(x,y)。例如，sl196(0)耦合到列0中的m个切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,0)，sl196(n-1)耦合到列n-1中的m个切换器件存储器单元90(0,n-1)-90(m-1,n-1)，以此类推。具体而言，n条sl196(0)-196(n-1)中的每一者耦合到相应列中的m个切换器件存储器单元90(x,y)的m个源极电极104(x,y)。例如，sl196(0)耦合到列0中的m个切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,0)的m个源极电极104(0,0)-104(m-1,0)，sl196(n-1)耦合到列n-1中的m个切换器件存储器单元90(0,n-1)-90(m-1,n-1)的m个源极电极104(0,n-1)-104(m-1,n-1)，以此类推。

继续参考图11，m×nmtp切换器件存储器阵列190还包括n个p阱(pw)198(0)-198(n-1)。n个pw198(0)-198(n-1)中的每一者耦合到m×nmtp切换器件存储器阵列190中的相应一列中的m个切换器件存储器单元90(x,y)。例如，pw198(0)耦合到列0中的m个切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,0)，pw198(n-1)耦合到列n-1中的m个切换器件存储器单元90(0,n-1)-90(m-1,n-1)，以此类推。具体而言，n个pw198(0)-198(n-1)中的每一者耦合到相应列中的m个切换器件存储器单元90(x,y)的m个主体200(x,y)。例如，pw198(0)耦合到列0中的m个切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,0)的m个主体200(0,0)-200(m-1,0)，pw198(n-1)耦合到列n-1中的m个切换器件存储器单元90(0,n-1)-90(m-1,n-1)的m个主体200(0,n-1)-200(m-1,n-1)，以此类推。n个pw198(0)-198(n-1)被配置成m×nmtp切换器件存储器阵列190的接地(gnd)(未示出)。

为方便讨论，此后作为非限制性示例来引用切换器件存储器单元90(0,0)(它位于m×nmtp切换器件存储器阵列190的行0和列0处)。可以理解，参考切换器件存储器单元90(0,0)讨论的配置和操作原理一般适用于m×nmtp切换器件存储器阵列190中的切换器件存储器单元90(0,0)-90(m-1,n-1)中的任一者。

为对切换器件存储器单元90(0,0)正确地编程，例如，存储器控制器(未示出)必须确保在切换器件存储器单元90(0,0)没有生成电荷陷阱。此外，存储器控制器还必须确保其他切换器件存储器单元(尤其是耦合到与切换器件存储器单元90(0,0)相同行或相同列的那些切换器件存储器单元)没有被意外地编程。

就此，图12是根据图11的m×nmtp切换器件存储器阵列190来布置的用于对所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)进行编程而通过保持所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)的漏极电极106(0,0)(1)浮置来不生成电荷陷阱的示例性m×nmtp切换器件存储器阵列190(1)的示意图。图11与图12之间的共同元素以共同元素标号被示出，并且在此将不再重复描述。

参考图12，为对位于m×nmtp切换器件存储器阵列190(1)的行0和列0的所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)进行编程，存储器控制器(未示出)使bl194(0)浮置，同时将vg＝(vpg–0.7v)和vs＝(-0.7v)分别施加到wl192(0)和sl196(0)。为了防止列0中的其他切换器件存储器单元被意外地编程，存储器控制器将vg＝0v施加到其余m-1条wl192(1)-192(m-1)。此外，为了防止行0中的其他切换器件存储器单元被意外地编程，存储器控制器将vd＝0.7v施加到其余n-1条bl194(1)-194(n-1)且将vs＝0.7v施加到其余n-1条sl196(1)-196(n-1)。就此，施加到所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)的切换电压(vgs)114(0,0)(1)等于编程电压(vpg)(vgs＝vg–vs＝(vpg–0.7v)–(-0.7v)＝vpg)，从而使得所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)被编程。此外，在所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)中没有生成电荷陷阱，因为所选切换器件存储器单元90(0,0)(1)的漏极电极106(0,0)(1)通过耦合到wl192(0)而保持浮置。

继续参考图12，对于耦合到bl194(0)和sl196(0)的切换器件存储器单元90(1,0)(1)-90(m-1,0)(1)，相应切换电压(vgs)114(1,0)(1)-114(m-1,0)(1)等于0.7v(vgs＝vg–vs＝0v–(-0.7v)＝0.7v)。结果，切换器件存储器单元90(1,0)(1)-90(m-1,0)(1)中没有一者被意外地编程。对于耦合到wl192(0)的切换器件存储器单元90(0,1)(1)-90(0,n-1)(1)，切换器件存储器单元90(0,1)(1)-90(0,n-1)(1)的切换电压(vgs)114(0,1)(1)-114(0,n-1)(1)全部等于vpg减1.4v(vgs＝vg–vs＝(vpg–0.7v)–0.7v＝vpg–1.4v)。结果，切换器件存储器单元90(0,1)(1)-90(0,n-1)(1)中也没有一者被意外地编程。对于不耦合到wl192(0)、bl194(0)以及sl196(0)的其余切换器件存储器单元90(1,1)(1)-90(m-1,n-1)(1)，切换电压(vgs)114(1,1)(1)-114(m-1,n-1)(1)全部等于-0.7v(vgs＝vg–vs＝0v–0.7v＝-0.7v)。结果，切换器件存储器单元90(1,1)(1)-90(m-1,n-1)(1)中没有一者能被意外地编程。

图13是根据图11的m×nmtp切换器件存储器阵列190来布置的用于对所选切换器件存储器单元90(0,0)(2)进行编程而通过将相等电压施加到所选切换器件存储器单元90(0,0)(2)的源极电极104(0,0)(2)和漏极电极106(0,0)(2)来不生成电荷陷阱的示例性m×nmtp切换器件存储器阵列190(2)的示意图。图11与图13之间的共同元素以共同元素标号被示出，并且在此将不再重复描述。

参考图13，为了对所选切换器件存储器单元90(0,0)(2)进行编程而不生成电荷陷阱，代替如图12中保持bl194(0)浮置，存储器控制器(未示出)被配置成将vd＝-0.7v施加到bl194(0)。结果，bl194(0)和sl196(0)具有相同电压，从而防止在所选切换器件存储器单元90(0,0)(2)被编程时构建电荷陷阱。此外，根据早先图12中的讨论，m×nmtp切换器件存储器阵列190(2)中没有其他切换器件存储器单元能被意外地编程。

图14是根据图11的m×nmtp切换器件存储器阵列190来布置的用于对所选切换器件存储器单元90(0,0)(3)进行擦除而通过保持所选切换器件存储器单元90(0,0)(3)的漏极电极106(0,0)(3)浮置来不生成电荷陷阱的示例性m×nmtp切换器件存储器阵列190(3)的示意图。图11与图14之间的共同元素以共同元素标号被示出，并且在此将不再重复描述。

参考图14，为对位于m×nmtp切换器件存储器阵列190(3)的行0和列0的所选切换器件存储器单元90(0,0)(3)进行擦除，存储器控制器(未示出)使bl194(0)浮置，同时将vg＝(-vera+0.7v)和vs＝(0.7v)分别施加到wl192(0)和sl196(0)。为了防止列0中的其他切换器件存储器单元90(1,0)(3)-90(m-1,0)(3)被意外地擦除，存储器控制器将vg＝0v施加到其余m-1条wl192(1)-192(m-1)。此外，为了防止行0中的其他切换器件存储器单元90(0,1)(3)-90(0,n-1)(3)被意外地擦除，存储器控制器将vd＝-0.7v施加到其余n-1条bl194(1)-194(n-1)且将vs＝-0.7v施加到其余n-1条sl196(1)-196(n-1)。就此，施加到所选切换器件存储器单元90(0,0)(3)的切换电压(vgs)114(0,0)(3)等于-vera(vgs＝vg–vs＝(-vera+0.7v)–(0.7v)＝-vera)，从而使得所选切换器件存储器单元90(0,0)(3)被擦除。

继续参考图14，对于耦合到bl194(0)和sl196(0)的切换器件存储器单元90(1,0)(3)-90(m-1,0)(3)，相应切换电压(vgs)114(1,0)(3)-114(m-1,0)(3)等于-0.7v(vgs＝vg–vs＝0v–(0.7v)＝-0.7v)。结果，切换器件存储器单元90(1,0)(3)-90(m-1,0)(3)中没有一者被意外地擦除。对于耦合到wl192(0)的切换器件存储器单元90(0,1)(3)-90(0,n-1)(3)，切换器件存储器单元90(0,1)(3)-90(0,n-1)(3)的切换电压(vgs)114(0,1)(3)-114(0,n-1)(3)全部等于-vera+1.4v(vgs＝vg–vs＝(-vera+0.7v)–(-0.7v)＝-vera+1.4v)。结果，切换器件存储器单元90(0,1)(3)-90(0,n-1)(3)中也没有一者被意外地擦除。对于不耦合到wl192(0)、bl194(0)以及sl196(0)的其余切换器件存储器单元90(1,1)(3)-90(m-1,n-1)(3)，切换电压(vgs)114(1,1)(3)-114(m-1,n-1)(3)全部等于0.7v(vgs＝vg–vs＝0v–(-0.7v)＝0.7v)。结果，切换器件存储器单元90(1,1)(3)-90(m-1,n-1)(3)中也没有一者能被意外地擦除。

图15是根据图11的m×nmtp切换器件存储器阵列190来布置的用于对所选切换器件存储器单元90(0,0)(4)进行擦除而通过将相等电压施加到所选切换器件存储器单元90(0,0)(4)的源极电极104(0,0)(4)和漏极电极106(0,0)(4)来不生成电荷陷阱的示例性m×nmtp切换器件存储器阵列190(4)的示意图。图11与图15之间的共同元素以共同元素标号被示出，并且在此将不再重复描述。

参考图15，为了对所选切换器件存储器单元90(0,0)(4)进行擦除，存储器控制器(未示出)将vg＝(-vera+0.7v)、vd＝(0.7v)以及vs＝(0.7v)分别施加到wl192(0)、bl194(0)以及sl196(0)。为了防止列0中的其他切换器件存储器单元90(1,0)(4)-90(m-1,0)(4)被意外地擦除，存储器控制器将vg＝0v施加到其余m-1条wl192(1)-192(m-1)。此外，为了防止行0中的其他切换器件存储器单元90(0,1)(4)-90(0,n-1)(4)被意外地擦除，存储器控制器将vd＝-0.7v施加到其余n-1条bl194(1)-194(n-1)且将vs＝-0.7v施加到其余n-1条sl196(1)-196(n-1)。就此，施加到所选切换器件存储器单元90(0,0)(4)的切换电压(vgs)114(0,0)(4)等于负阈值电压编程电压(-vt)(vgs＝vg–vs＝(-vt+0.7v)–(0.7v)＝-vt)，从而使得所选切换器件存储器单元90(0,0)(4)被擦除。

继续参考图15，对于耦合到bl194(0)和sl196(0)的切换器件存储器单元90(1,0)(4)-90(m-1,0)(4)，切换电压(vgs)114(1,0)(4)-114(m-1,0)(4)等于-0.7v(vgs＝vg–vs＝0v–(0.7v)＝-0.7v)。结果，切换器件存储器单元90(1,0)(4)-90(m-1,0)(4)中没有一者被意外地擦除。对于耦合到wl192(0)的切换器件存储器单元90(0,1)(4)-90(0,n-1)(4)，切换器件存储器单元90(0,1)-90(0,n-1)的切换电压(vgs)114(0,1)(4)-114(0,n-1)(4)全部等于-vera+1.4v(vgs＝vg–vs＝(-vera+0.7v)–(-0.7v)＝-vera+1.4v)。结果，切换器件存储器单元90(0,1)(4)-90(0,n-1)(4)中也没有一者被意外地擦除。对于不耦合到wl192(0)、bl194(0)以及sl196(0)的其余切换器件存储器单元90(1,1)(4)-90(m-1,n-1)(4)，切换电压(vgs)114(1,1)(4)-114(m-1,n-1)(4)全部等于0.7v(vgs＝vg–vs＝0v–(-0.7v)＝0.7v)。结果，切换器件存储器单元90(1,1)(4)-90(m-1,n-1)(4)中没有一者能被意外地擦除。

图16是根据图11的m×nmtp切换器件存储器阵列190来布置的用于从所选切换器件存储器单元90(0,0)(5)读取信息的示例性m×nmtp切换器件存储器阵列190(5)的示意图。图11与图16之间的共同元素以共同元素标号被示出，并且在此将不再重复描述。

参考图16，为了从所选切换器件存储器单元90(0,0)(5)读取信息，存储器控制器(未示出)将vg＝v读取、vd＝vdd以及vs＝0v分别施加到wl192(0)、bl194(0)以及sl196(0)。就此，切换电压(vgs)114(0,0)(5)等于v读取(vgs＝vg–vs＝vread–0v＝v读取)。如果v读取大于零(0)且小于编程电压(vpg)，则所选切换器件存储器单元90(0,0)(5)能被安全地读取而不被意外地编程。如果v读取小于零(0)且大于负擦除电压(-vera)，则所选切换器件存储器单元90(0,0)(5)能被安全地读取而不被意外地擦除。为了防止列0中的其他切换器件存储器单元90(1,0)(5)-90(m-1,0)(5)被意外地读取，存储器控制器将vg＝0v施加到其余m-1条wl192(1)-192(m-1)。此外，为了防止行0中的其他切换器件存储器单元90(0,1)(5)-90(0,n-1)(5)被意外地读取，存储器控制器将vd＝0v施加到其余n-1条bl194(1)-194(n-1)且将vs＝0v施加到其余n-1条sl196(1)-196(n-1)。

图3的hk/mgmtp切换器件90和图11的m×nmtp切换器件存储器阵列190可以被提供在或集成到任何基于处理器的设备中。不作为限定性的示例包括机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(pda)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(dvd)播放器、便携式数字视频播放器、编程逻辑电路、以及逻辑处理电路。

就此，图17是可包括配置成被编程同时避免在图3的mosfet92中的电荷陷阱的图3中的hk/mgmtp切换器件90的示例性基于处理器的系统的框图。在此示例中，基于处理器的系统204包括一个或多个中央处理单元(cpu)206，其各自包括一个或多个处理器208。图3中的hk/mgmtp切换器件90和/或图11中的m×nmtp切换器件存储器阵列190可被提供在(诸)cpu206中以存储二进制信息(例如，状态消息、加密密钥，等等)。(诸)cpu206可具有耦合到(诸)处理器208以用于对临时存储的数据进行快速访问的高速缓存存储器210。m×nmtp切换器件存储器阵列190可被提供作为高速缓存存储器210的一部分。(诸)cpu206被耦合至系统总线212，并且可将基于处理器的系统204中所包括的设备进行相互耦合。如众所周知的，(诸)cpu206通过在系统总线212上交换地址、控制、以及数据信息来与这些其他设备通信。尽管未在图17中解说，但可提供多个系统总线212，其中每个系统总线212构成不同的织构。

其它设备可连接到系统总线212。如图17中所解说的，作为示例，这些设备可包括存储器系统214、一个或多个输入设备216、一个或多个输出设备218、一个或多个网络接口设备220、以及一个或多个显示控制器222。hk/mgmtp切换器件90和/或m×nmtp切换器件存储器阵列190还可被提供在存储器系统214中。(诸)输入设备216可包括任何类型的输入设备，包括但不限于输入键、开关、语音处理器等。(诸)输出设备218可包括任何类型的输出设备，包括但不限于音频、视频、其他视觉指示器等。(诸)网络接口设备220可以是被配置成允许往来于网络224的数据交换的任何设备。网络224可以是任何类型的网络，包括但不限于：有线或无线网络、私有或公共网络、局域网(lan)、无线局域网(wlan)、无线广域网(wwan)、或因特网。(诸)网络接口设备220可以被配置成支持所期望的任何类型的通信协议。

(诸)cpu206还可被配置成在系统总线212上访问(诸)显示控制器222以控制发送给一个或多个显示器226的信息。(诸)显示控制器222经由一个或多个视频处理器228向(诸)显示器226发送要显示的信息，视频处理器228将要显示的信息处理成适于(诸)显示器226的格式。(诸)显示器226可包括任何类型的显示器，包括但不限于阴极射线管(crt)、发光二极管(led)显示器、液晶显示器(lcd)、等离子显示器等。

本领域技术人员将进一步领会，结合本文所公开的各方面描述的各种解说性逻辑块、模块、电路和算法可被实现为电子硬件、存储在存储器中或另一计算机可读介质中并由处理器或其它处理设备执行的指令、或这两者的组合。作为示例，本文描述的主设备和从设备可用在任何电路、硬件组件、集成电路(ic)、或ic芯片中。本文所公开的存储器可以是任何类型和大小的存储器，并且可被配置成存储所期望的任何类型的信息。为了清楚地解说这种可互换性，各种解说性组件、框、模块、电路和步骤在上文已经以其功能性的形式一般性地作了描述。此类功能性如何被实现取决于具体应用、设计选择、和/或加诸于整体系统上的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本公开的范围。

结合本文所公开的各方面描述的各种解说性逻辑块、模块、以及电路可用被设计成执行本文所描述的功能的处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其他可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件、或其任何组合来实现或执行。处理器可以是微处理器，但在替换方案中，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如dsp与微处理器的组合、多个微处理器、与dsp核心协同的一个或多个微处理器、或任何其它此类配置。

本文所公开的各方面可被体现为硬件和存储在硬件中的指令，并且可驻留在例如随机存取存储器(ram)、闪存、只读存储器(rom)、电可编程rom(eprom)、电可擦可编程rom(eeprom)、寄存器、硬盘、可移动盘、cd-rom、或本领域中所知的任何其它形式的计算机可读介质中。示例性存储介质被耦合到处理器，以使得处理器能从/向该存储介质读取/写入信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在asic中。asic可驻留在远程站中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在远程站、基站或服务器中。

还注意到，本文任何示例性方面中所描述的操作步骤是为了提供示例和讨论而被描述的。所描述的操作可按除了所解说的顺序之外的众多不同顺序来执行。此外，在单个操作步骤中描述的操作实际上可在多个不同步骤中执行。另外，示例性方面中讨论的一个或多个操作步骤可被组合。应理解，如对本领域技术人员显而易见地，在流程图中解说的操作步骤可进行众多不同的修改。本领域技术人员还将理解，可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示信息和信号。例如，贯穿上面说明始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、码元和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。

提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员而言将容易是显而易见的，并且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变型而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最广义的范围。