技术特征：
技术总结
详细描述中公开的各方面包括高K(HK)/金属栅极(MG)(HK/MG)多次可编程(MTP)切换器件以及相关系统和方法。一种类型的HK/MG MTP切换器件是MTP金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(MOSFET)。在MTP MOSFET被编程时，归因于切换电压所感生的切换电流，可能在MTP MOSFET中构建电荷陷阱。该电荷陷阱减小MTP MOSFET的切换窗和耐久度，从而降低在访问MTP MOSFET中存储的信息时的可靠性。就此，包括MTP MOSFET的HK/MG MTP切换器件被配置成在该MTP MOSFET被编程时消除切换电流。通过消除切换电流，避免MTP MOSFET中的电荷陷阱是可能的，从而恢复MTP MOSFET的切换窗和耐久度以用于可靠的信息访问。
技术研发人员：X·李;X·陆;X·陈;Z·王;C·F·耶普
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.03.28
技术公布日：2017.12.01