技术特征：
技术总结
本公开实施例提出了一种NAND闪存存储器的读操作方法、电子设备。所述NAND闪存存储器排列成阵列，所述NAND闪存存储储器包括多个块，每个块包括多个页。一条位线连接至多个块，每一个块连接至下部的多条存储单元串，其中一个存储单元串由多个存储单元串联连接组成，每一个存储器串的底层单元串联连接至选择管，并由所述选择管连接至共同源线。在所述NAND闪存存储器的读取电路中，控制电路通过页选择晶体管来选通将要读取的存储位线，所述读操作方法包括：接收读指令；根据输入的读操作指令分别采用不同的操作电压施加至字线以及不同的读方式来执行全页读操作、二分之一部分页读操作、四分之一部分页读操作。
技术研发人员：杜智超;王颀;霍宗亮;叶甜春
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.06.12
技术公布日：2017.12.05