半导体器件的制作方法

2018年2月5日提交的日本专利申请no.2018-018185的公开内容，包括说明书、附图和摘要，通过引用整体并入本文。

本发明涉及一种半导体器件，并且涉及例如包括调节电源电压的功能的半导体器件。

背景技术：

在包括闪存存储器的半导体器件中，需要生成用于重写半导体器件内部的闪存存储器的电源电压。然而，在某些情况下，这种电源电压根据要制造的每个半导体器件而变化，因此需要在制造每个半导体器件之后精细调节在每个半导体器件中生成的电源电压。这种技术被称为修整(trimming)技术。

日本未审查专利申请公开no.2007-42838公开了一种技术，其中将从外部提供的参考电压和电荷泵电路的输出电压相互比较，并且将比较结果反馈给修整代码生成电路，以生成与半导体器件内部生成的电源电压的调节量对应的修整代码。

技术实现要素：

如上所述，在日本未审查专利申请公开no.2007-42838中公开的技术中，将从外部提供的参考电压和电荷泵电路的输出电压相互比较，以生成作为在半导体器件内部生成的电源电压的调节量的修整代码。然而，在使用日本未审查专利申请公开no.2007-42838中公开的技术的情况下，当修整多个电源电压时，需要从半导体器件的外部提供与电源电压对应的多个参考电压。因此，半导体器件中的修整的控制变得复杂，并且不利地花费时间来执行修整操作。

根据说明书和附图的描述，其他问题和新颖特征将变得显而易见。

根据实施例的半导体器件在修整操作时使用特定参考电压和外部参考电压来调节特定参考电压，然后使用利用调节的特定参考电压而生成的多个参考电压和对应于所述参考电压的多个电源电压来确定与多个电源电压的调节量对应的修整代码。

根据实施例，可以提供能够简化修整操作的半导体器件。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件器件的配置示例的图。

图2是用于说明根据第一实施例的半导体器件的修整操作的流程图。

图3是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图4是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图5是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图6是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图7是示出根据第一实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件的配置示例的图。

图8是用于说明根据第一实施例的半导体器件的修整操作的细节的流程图。

图9是用于说明根据第一实施例的半导体器件的修整操作的细节的时序图。

图10是示出根据第二实施例的半导体器件的配置示例的框图。

图11是用于说明根据第二实施例的半导体器件的修整操作的流程图。

图12是用于说明根据第二实施例的半导体器件的修整操作的框图。

图13是用于说明根据第二实施例的半导体器件的修整操作的框图。

图14是用于说明根据第三实施例的半导体器件的故障检测操作的图。

图15是示出根据第四实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件的配置示例的图。

图16是用于说明根据第四实施例的半导体器件的修整操作的流程图。

图17是用于说明图15所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图18是用于说明图15所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图19是用于说明图15所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图20是用于说明图15所示的半导体存储器件中的修整操作的图。

图21是用于说明根据第五实施例的半导体器件中的故障检测操作的图。

具体实施方式

<第一实施例>

在下文中，将参考附图描述第一实施例。

图1是示出根据第一实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件的配置示例的图。应注意，图1仅示出了半导体存储器件的一部分的配置。如图1所示，半导体存储器件10包括电源电路11和修整电路12。半导体存储器件10是例如非易失性半导体存储器件，诸如闪存存储器。下面将描述在使用闪存存储器作为半导体存储器件的情况下的配置示例。然而，半导体存储器件不限于实施例中的闪存存储器。

电源电路11包括参考电压生成电路21和电压生成电路22。

参考电压生成电路21生成在修整操作时使用的多个参考电压。具体地，参考电压生成电路21被配置为能够使用特定参考电压生成参考电压。特定参考电压为参考电压中最高的参考电压。在参考电压生成电路21中，与其他参考电压相比参考电压ref_uout16是最高的参考电压。因此，在这种情况下，参考电压ref_uout16是特定参考电压。

参考电压生成电路21划分特定参考电压ref_uout16以生成参考电压ref_vdd、参考电压ref_vdd2、参考电压ref_vdd3和参考电压ref_vrf。例如，参考电压生成电路21包括分压电阻器，并且可以通过使用分压电阻器来划分参考电压ref_uout16以生成参考电压ref_vdd、参考电压ref_vdd2、参考电压ref_vdd3和参考电压ref_vrf。

由参考电压生成电路21生成的参考电压ref_uout16、参考电压ref_vdd、参考电压ref_vdd2、参考电压ref_vdd3和参考电压ref_vrf通过开关sw_1到sw_5输入到设置在修整电路12中的比较器comp的一个输入。也就是说，使开关sw_1到sw_5中的一个开关置于导通状态，从而对应于处于导通状态的开关的参考电压被供给至比较器comp的一个输入。例如，通过使开关sw_1置于导通状态并通过使其它开关sw_2到sw_5置于非导通状态，参考电压ref_uout16被供给至比较器comp的一个输入。

电压生成电路22生成闪存存储器使用的多个电源电压。由电压生成电路22生成的电源电压在修整操作时被供给到修整电路12。具体地，电压生成电路22生成电源电压uout16、电源电压vdd、电源电压vdd2、电源电压vdd3、电源电压vrf、电源电压vp和电源电压vn。这里，电源电压uout16、电源电压vdd、电源电压vdd2、电源电压vdd3和电源电压vrf是正的低电压电源31。电源电压vp是正的高电压电源32，并且使用在电压生成电路22中设置的正升压电路(电荷泵电路：未示出)而生成。电源电压vn为负电压电源33，并且使用在电压生成电路22中设置的负升压电路(电荷泵电路：未示出)而生成。

由电压生成电路22生成的每个电源电压在正常操作时被用作闪存存储器的内部电源。这里，当执行写入或擦除操作时，在闪存存储器中使用比正常读取操作中使用的电压高的电压。因此，闪存存储器需要多种电源(正的低电压电源、正的高电压电源和负电压电源)。

修整电路12包括比较器comp。由参考电压生成电路21生成的参考电压(ref_uout16等)被供给至比较器comp的一个输入，并且由电压生成电路22生成的电源电压(uout16等)被供给至比较器comp的另一输入。

由电压生成电路22生成的电源电压包括正的低电压电源31、正的高电压电源32和负电压电源33。这里，由于作为正的高电压电源32的电源电压vp的绝对值大，所以使用电阻分压电路34将电源电压vp转换为可以通过比较器comp进行比较的电压。同样地，由于作为负电压电源33的电源电压vn的绝对值大，所以使用电阻分压电路35将电源电压vn转换为可以通过比较器comp进行比较的电压。另外，修整电路12包括外部端子38。外部端子38被配置成使得可以从半导体器件的外部供给外部参考电压vccmon。

由电压生成电路22生成的电源电压uout16、电源电压vdd、电源电压vdd2、电源电压vdd3、电源电压vrf、电源电压vp、电源电压vn和外部参考电压vccmon通过开关sw_11至sw_18被供给至比较器comp的另一输入。也就是说，使开关sw_11至sw_18中的一个开关置于导通状态，从而对应于处于导通状态的开关的电源电压被供给至比较器comp的另一输入。例如，通过使开关sw_11置于导通状态并且通过使其他开关sw_12至sw_18置于非导通状态，电源电压uout16被供给至比较器comp的另一输入。

在修整操作时，比较器comp将由参考电压生成电路21生成的参考电压(ref_uout16等)与由电压生成电路22生成的电源电压(uout16等)进行比较。在这些电压彼此匹配的情况下，比较器comp输出“标志＝1(匹配)”作为比较结果。另一方面，在由参考电压生成电路21生成的参考电压(ref_uout16等)与由电压生成电路22生成的电源电压(uout16等)不匹配的情况下，比较器comp输出“标志＝0(不匹配)”作为比较结果。这里，参考电压与电源电压匹配的情况不限于参考电压与电源电压完全匹配的情况，并且包括参考电压在某种程度上接近电源电压的情况(即，参考电压和电源电压之间的差异是微小的情况)。

在实施例中，由电压生成电路22生成的电源电压通过在修整操作时递增修整代码而按相位升高。在修整代码较小的阶段，电源电压较低，因此供给比较器comp的电源电压低于参考电压。在这种情况下，比较器comp输出“标志＝0(不匹配)”作为比较结果。另外，当修整代码按相位增加时，电源电压也逐渐增加，并接近参考电压。此后，电源电压在某个时刻变得高于参考电压。比较器comp在该时刻输出“标志＝1(匹配)”作为比较结果，即，电源电压变得高于参考电压的时刻。

例如，使用闪存控制电路(控制电路)40(参见图7)来控制闪存存储器10中的修整操作。

接下来，将描述修整操作。图2是用于说明根据该实施例的半导体器件的修整操作的流程图。在该实施例中，如图2所示，首先使用参考电压(特定参考电压)ref_uout16和外部参考电压vccmon调节(修整)参考电压(步骤s1)。

具体地，如图3所示，使参考电压生成电路21的开关sw_1置于导通状态，以将参考电压ref_uout16供给至比较器comp的一个输入。另外，使修整电路12的开关sw_18置于导通状态，以将外部参考电压vccmon供给至比较器comp的另一输入。这里，外部参考电压vccmon是用于调节参考电压ref_uout16的电压，并且是恒定电压。

另外，当修整参考电压时，参考电压生成电路21改变参考电压ref_uout16。例如，从闪存控制电路40(参见图7)向参考电压生成电路21供给修整代码，并且参考电压生成电路21根据所供给的修整代码生成参考电压ref_uout16。例如，闪存控制电路40增加(递增)供给参考电压生成电路21的修整代码，使得由参考电压生成电路21生成的参考电压ref_uout16可以从低电压变为高电压。

比较器comp将参考电压ref_uout16与外部参考电压vccmon进行比较。当这些电压彼此匹配时，比较器comp输出“标志＝1(匹配)”作为比较结果。即，比较器comp的比较结果匹配时的参考电压ref_uout16的值是调节后的参考电压ref_uout16的值。此外，将与此时的参考电压ref_uout16的调节量对应的值确定为用于调节参考电压ref_uout16的修整代码。此后，使用该修整代码调节参考电压ref_uout16。

另外，参考电压生成电路21划分调节后的参考电压ref_uout16以生成参考电压ref_vdd、参考电压ref_vdd2、参考电压ref_vdd3和参考电压ref_vrf。

接下来，修整正的低电压电源31(即，电源电压uout16、电源电压vdd、电源电压vdd2、电源电压vdd3和电源电压vrf)(图2的步骤s2)。例如，在修整电源电压uout16的情况下，通过使参考电压生成电路21的开关sw_1置于导通状态，将参考电压ref_uout16供给至比较器comp的一个输入，如图4所示。另外，通过使修整电路12的开关sw_11置于导通状态，将电源电压uout16供给至比较器comp的另一输入。这里，参考电压ref_uout16是用于调节电源电压uout16的电压，并且是恒定电压。

另外，电压生成电路22改变电源电压uout16。例如，从闪存控制电路40(参照图7)向电压生成电路22供给修整代码，并且电压生成电路22根据所供给的修整代码生成电源电压uout16。例如，闪存控制电路40增加(递增)供给至电压生成电路22的修整代码，使得由电压生成电路22生成的电源电压uout16可以从低电压变为高电压。

比较器comp将参考电压ref_uout16与电源电压uout16进行比较。当这些电压彼此匹配时，比较器comp输出“标志＝1(匹配)”作为比较结果。也就是说，当比较器comp的比较结果匹配时的电源电压uout16的值是调节后的电源电压uout16的值。此外，将与此时的电源电压uout16的调节量对应的值确定为用于调节电源电压uout16的修整代码。此后，电压生成电路22在正常操作时使用修整代码调节电源电压uout16，并且将调节后的电源电压uout16供给至闪存存储器10。

也可以修整作为另一个正的低电压电源31的电源电压vdd、电源电压vdd2、电源电压vdd3和电源电压vrf。应当注意，当修整电源电压vdd时，使用对应于电源电压vdd的参考电压ref_vdd。同样，当修整电源电压vdd2时，使用参考电压ref_vdd2。当修整电源电压vdd3时，使用参考电压ref_vdd3。当修整电源电压vrf时，使用参考电压ref_vrf。

接下来，修整正的高电压电源32(即，电源电压vp)(图2的步骤s3)。使用设置在电压生成电路22中的正升压电路(未示出)生成作为正的高电压电源32的电源电压vp，因此电压的绝对值大。因此，使用电阻分压电路34将电源电压vp转换为可以由比较器comp进行比较的电压，即，可以与参考电压ref_uout16进行比较的电压。

在修整电源电压vp的情况下，通过使参考电压生成电路21的开关sw_1置于导通状态，将参考电压ref_uout16供给至比较器comp的一个输入，如图5所示。另外，通过使修整电路12的开关sw_16置于导通状态，将电源电压vp供给至比较器comp的另一输入。这里，参考电压ref_uout16是用于调节电源电压vp的电压，并且是恒定电压。

另外，电压生成电路22改变电源电压vp。例如，从闪存控制电路40(参见图7)向电压生成电路22供给修整代码，并且电压生成电路22根据所供给的修整代码生成电源电压vp。例如，闪存控制电路40增加(递增)供给至电压生成电路22的修整代码，使得由电压生成电路22生成的电源电压vp可以从低电压变为高电压。

比较器comp将参考电压ref_uout16与电源电压vp进行比较。当这些电压彼此匹配时，比较器comp输出“标志＝1(匹配)”作为比较结果。也就是说，当比较器comp的比较结果匹配时的电源电压vp的值是调节后的电源电压vp的值。此外，将与此时的电源电压vp的调节量对应的值确定为用于调节电源电压vp的修整代码。此后，电压生成电路22在正常操作时使用该修整代码调节电源电压vp，并将调节后的电源电压vp供给至闪存存储器10。

接下来，修整负电压电源33(即，电源电压vn)(图2的步骤s4)。使用设置在电压生成电路22中的负升压电路(未示出)生成作为负电压电源33的电源电压vn，因此电压的绝对值大。因此，使用电阻分压电路35将电源电压vn转换为可以由比较器comp进行比较的电压，即，可以与参考电压ref_uout16进行比较的电压。

在修整电源电压vn的情况下，通过使参考电压生成电路21的开关sw_1置于导通状态，将参考电压ref_uout16供给至比较器comp的一个输入，如图6所示。另外，通过使修整电路12的开关sw_17置于导通状态，将电源电压vn供给至比较器comp的另一输入。这里，参考电压ref_uout16是用于调节电源电压vn的电压，并且是恒定电压。

另外，电压生成电路22改变电源电压vn。例如，从闪存控制电路40向电压生成电路22供给修整代码，并且电压生成电路22根据所供给的修整代码生成电源电压vn。例如，闪存控制电路40增加(递增)供给至电压生成电路22的修整代码，使得由电压生成电路22生成的电源电压vn可以从低电压变为高电压。

比较器comp将参考电压ref_uout16与电源电压vn进行比较。当这些电压彼此匹配时，比较器comp输出“标志＝1(匹配)”作为比较结果。也就是说，当比较器comp的比较结果匹配时的电源电压vn的值是调节后的电源电压vn的值。此外，将与此时的电源电压vn的调节量对应的值确定为用于调节电源电压vn的修整代码。此后，电压生成电路22在正常操作时使用该修整代码调节电源电压vn，并且将调节后的电源电压vn供给至闪存存储器10。

图2说明了以步骤s1至s4的顺序执行修整的情况。然而，只要首先执行参考电压的修整(步骤s1)，就可以任意确定修整的顺序。即，可以交换步骤s2至s4的顺序。

如上所述，在根据该实施例的半导体器件中，在修整操作时使用参考电压ref_uout16和外部参考电压vccmon首先调节参考电压ref_uout16。然后，使用调节后的参考电压ref_uout16生成在修整操作时使用的参考电压，并且使用参考电压和对应于参考电压的电源电压来确定与电源电压的调节量对应的修整代码。

因此，当在根据该实施例的半导体器件中修整电源电压时，不必从半导体器件的外部供给与电源电压对应的参考电压。因此，可以简化修整操作。即，在根据实施例的半导体器件中使用外部参考电压vccmon调节参考电压ref_uout16之后，使用参考电压ref_uout16生成另一参考电压。因此，可以一次从半导体器件的外部获得外部参考电压。因此，可以简化修整控制。此外，可以缩短修整所需的时间。

在根据该实施例的半导体器件中，可以在半导体器件的装运(shipment)之前使用参考电压ref_uout16和外部参考电压vccmon来确定与参考电压ref_uout16的调节量对应的修整代码。

如上所述，通过在半导体器件的装运之前确定与参考电压ref_uout16的调节量相对应的修整代码，当在半导体器件的装运后执行修整时，不必输入外部参考电压。

也就是说，当在半导体器件的装运之后执行修整时，参考电压生成电路21使用与装运前确定的调节量对应的修整代码来调节参考电压ref_uout16，并且可以使用调节的参考电压ref_uout16来生成参考电压。即，参考电压生成电路21划分使用在装运前确定的调节量调节的参考电压ref_uout16，使得可以生成参考电压ref_vdd、参考电压ref_vdd2、参考电压ref_vdd3和参考电压ref_vrf。

因此，在半导体器件的装运后可以使用由此生成的参考电压和与参考电压相对应的电源电压来确定与电源电压的调节量相对应的修整代码。

接下来，将详细描述根据该实施例的半导体器件的配置和修整操作。如图7所示，根据实施例的半导体器件1包括闪存存储器10和闪存控制电路40。闪存存储器10包括电源电路11、修整电路12、逻辑电路13和寄存器14。闪存控制电路40耦合到闪存存储器10。应注意，电源电路11和修整电路12与图1中所示的相同，因此将省略其重复说明。

用于调节由电源电路11生成的电源电压(uout16等)的修整代码被存储在寄存器14中。逻辑电路13在正常操作时对从寄存器14提供的修整代码进行解码，并将解码的修整代码供给至电源电路11。电源电路11生成使用从逻辑电路13供给的修整代码而调节的电源电压(uout16等)。这些电源电压(uout16等)用作闪存存储器10的内部电源。

闪存控制电路40控制闪存存储器10。例如，闪存控制电路40在正常操作时控制闪存存储器10中的写入操作、读取操作和擦除操作。另外，闪存控制电路40控制闪存存储器10中的修整操作。例如，闪存控制电路40在修整操作时生成用于修整的修整代码，并将生成的修整代码供给至逻辑电路13。

逻辑电路13对从闪存控制电路40供给的修整代码进行解码，并将所解码的修整代码供给至电源电路11。电源电路11生成与从逻辑电路13供给的所解码的修整代码对应的电源电压，并且将所生成的电源电压供给至修整电路12的比较器comp。

闪存控制电路40包括计数器41和计时器42。使用计数器41和计时器42生成从闪存控制电路40供给的修整代码。应注意，稍后将描述生成修整代码的操作。

接下来，将使用图8中所示的流程图详细描述修整操作。当指示修整操作的模式信号(模式)被供给至闪存控制电路40时，闪存控制电路40开始闪存存储器10的修整操作。首先，闪存控制电路40将修整代码tc设置为下限值，并将所设置的修整代码供给至逻辑电路13(步骤s11)。

逻辑电路13对从闪存控制电路40供给的修整代码进行解码，并将所解码的修整代码供给至电源电路11。电源电路11根据从逻辑电路13供给的所解码的修整代码生成电源电压，并且将所生成的电源电压供给至修整电路12的比较器comp的一个输入。参考电压从电源电路11被供给至比较器comp的另一输入。因此，比较器comp将参考电压与电源电压进行比较(步骤s12)，并将参考电压和电源电压之间的比较结果(标志)输出到逻辑电路13。

在参考电压和电源电压彼此不匹配的情况下，比较器comp将“标志＝0”输出到逻辑电路13作为比较结果(步骤s13：否)。此后，逻辑电路13将比较结果“标志＝0”供给到闪存控制电路40。当接收“标志＝0”时，闪存控制电路40确定当前修整代码tc是否是上限值(步骤s14)。

然后，在当前修整代码tc不是上限值的情况下(步骤s14：否)，闪存控制电路40递增修整代码tc(步骤s15)。递增的修整代码再次被供给至逻辑电路13。逻辑电路13对从闪存控制电路40供给的所递增的修整代码进行解码，并且将所解码的修整代码供给至电源电路11。电源电路11根据从逻辑电路13供给的所解码的修整代码生成电源电压，并且将所生成的电源电压供给至修整电路12的比较器comp的输入。比较器comp再次比较参考电压与电源电压(步骤s12)，并将参考电压和电源电压之间的比较结果(标志)输出至逻辑电路13。

在参考电压和电源电压彼此不匹配的情况下，比较器comp将“标志＝0”输出到逻辑电路13作为比较结果(步骤s13：否)。此后，逻辑电路13将比较结果“标志＝0”供给至闪存控制电路40。当接收到“标志＝0”时，闪存控制电路40确定当前修整代码tc是否是上限值(步骤s14)。

然后，在当前修整代码tc不是上限值的情况下(步骤s14：否)，闪存控制电路40递增修整代码tc(步骤s15)。所递增的修整代码tc再次供给至逻辑电路13。此后，重复步骤s12至s15的操作，直到比较器comp确定参考电压和电源电压彼此匹配(即，“标志＝1”)。

应当注意，在步骤s14中确定当前修整代码tc是上限值的情况下(步骤s14：是)，通知错误(步骤s16)。即，在以下情况下认定在电源电路11中存在异常：虽然修整代码是上限值，但比较器comp确定参考电压和电源电压彼此不匹配。例如，在设置在电压生成电路22中的电荷泵电路中存在异常的情况下(参照图1)，即使修整代码tc被设置为上限值，在某些情况下也不能得到足够的电压。在这种情况下，闪存控制电路40输出错误信号。

在步骤s12中比较器comp确定参考电压和电源电压彼此匹配的情况下，比较器comp将“标志＝1(匹配)”输出到逻辑电路13作为比较结果(步骤s13：是)。此时，逻辑电路13将比较结果“标志＝1”供给至闪存控制电路40。当接收到“标志＝1”时，闪存控制电路40将此时的修整代码确定为调节后的修整代码。闪存控制电路40将此时确定的修整代码从闪存控制电路40传送到sram(参见图10的sram(52))以临时保存在sram中(步骤s17)。

此后，确定是否已经修整了所有电源电压(uout16等)(步骤s18)。在没有修整所有电源电压(uout16等)的情况下，即留有一些未被修整的电源电压(步骤s18：否)，再次重复步骤s11至s17的操作。另一方面，在已经修整了所有电源电压(uout16等)的情况下(步骤s18：是)，保存在sram中的修整代码被写入闪存存储器10的寄存器14中(步骤s19)。

可以通过执行上述修整操作来对闪存存储器10执行修整。

接下来，将使用图7的框图和图9中所示的时序图详细描述修整操作。在图9所示的时序图中，模式信号“模式”表示旨在修整的电源电压，并且表示对于在图9所示的时序图中的两种电源电压的修整(模式1和模式2)。计数器信号“计数器”表示修整代码在每种模式下已经被递增。另外，计时器启动信号“计时器启动”是用于断言(assert)计时器标志信号“计时器标志”的信号，计时器结束信号“计时器结束”是当计时器“计时器”停止时要断言的信号。另外，计时器标志信号“计时器标志”是用于表示修整的有效时段的信号，标志复位信号“标志复位”是用于复位标志信号“标志”、模式信号“模式”和修整代码“tc”的信号。错误信号“err”是在修整操作没有正常完成的情况下的通知信号。计时器“计时器”的“atc”表示计时器正在运行，且“stp”表示计时器“计时器”已经停止。

首先，将描述模式1的修整操作。应注意，模式1的修整操作表示修整成功的情况。

如图9所示，当在时刻t1将模式信号“模式1”供给至闪存控制电路40时，计数器41开始操作，并且计数器信号“计数器”变为“c0000”。当计数器41开始操作时，计时器42断言计时器启动信号“计时器启动”。因此，计时器42“计时器”开始操作。另外，计时器标志信号“计时器标志”变为高电平。当计时器标志信号“计时器标志”变为高电平时，闪存控制电路40将修整代码tc(“0x00”)输出到闪存存储器10。

闪存存储器10的电源电路11根据修整代码(“0x00”)生成电源电压，并将生成的电源电压供给至修整电路12的比较器comp的一个输入。从电源电路11向比较器comp的另一输入供给参考电压。因此，比较器comp将参考电压与电源电压进行比较，并输出参考电压和电源电压之间的比较结果，即标志信号“标志”。即，在计时器标志信号“计时器标志”处于高电平的时段中，预计将从比较器comp返回标志信号“标志＝1”。

此后，当计时器42在时刻t2断言计时器结束信号“计时器结束”时，计时器标志信号“计时器标志”从高电平转变为低电平。在计时器标志信号“计时器标志”转变为低电平的时刻，检查计数器信号“计数器”和标志信号“标志”。然后，在计数器信号“计数”不是上限并且标志信号“标志”处于低电平的情况下，计数器信号“计数器”在时刻t3向上计数。在这种情况下，计数器信号“计数器”向上计数到“c0001”。

因此，计时器42再次断言计时器启动信号“计时器启动”，并且计时器42“计时器”开始操作。另外，计时器标志信号“计时器标志”变为高电平。当计时器标志信号“计时器标志”变为高电平时，闪存控制电路40递增修整代码，并将所递增的修整代码(“0x01”)输出到闪存存储器10。

闪存存储器10的电源电路11根据修整代码(“0x01”)生成电源电压，并将生成的电源电压供给到修整电路12的比较器comp的一个输入。从电源电路11向比较器comp的另一输入供给参考电压。因此，比较器comp将参考电压与电源电压进行比较，并输出参考电压和电源电压之间的比较结果，即标志信号“标志”。

此后，当计时器42在时刻t4断言计时器结束信号“计时器结束”时，计时器标志信号“计时器标志”从高电平转变为低电平。在计时器标志信号“计时器标志”转变为低电平的时刻，检查计数器信号“计数器”和标志信号“标志”。然后，在计数器信号“计数器”不是上限并且标志信号“标志”处于低电平的情况下，计数器信号“计数器”向上计数。此后，将重复相同的操作。

然后，当在时刻t5计数器信号“计数器”变为“c0003”时，计时器42再次断言计时器启动信号“计时器启动”，并且计时器42“计时器”开始操作。另外，计时器标志信号“计时器标志”变为高电平。当计时器标志信号“计时器标志”变为高电平时，闪存控制电路40递增修整代码，并将所递增的修整代码(“0x03”)输出到闪存存储器10。

闪存存储器10的电源电路11根据所递增的修整代码(“0x03”)生成电源电压，并将生成的电源电压供给至修整电路12的比较器comp的一个输入。从电源电路11向比较器comp的另一输入供给参考电压。因此，比较器comp将参考电压与电源电压进行比较，并输出参考电压和电源电压之间的比较结果，即标志信号“标志”。由于此时参考电压和电源电压彼此匹配，因此标志信号“标志”在时刻t6变为高电平。

当标志信号“标志”变为高电平时，停止计时器42的操作，并且断言计时器结束信号“计时器结束”。因此，计时器标志信号“计时器标志”从高电平转变为低电平(时刻t7)。在计时器标志信号“计时器标志”转变为低电平的时刻，检查计数器信号“计数器”和标志信号“标志”。由于计数器信号“计数器”不是上限并且此时标志信号“标志”处于高电平，所以发出标志复位信号“标志复位”。因此，标志信号“标志”、模式信号“模式”和修整代码“tc”被复位。另外，闪存控制电路40确定此时的修整代码(“0x03”)作为用于调节的修整代码以临时保存在sram中。

接下来，将描述模式2的修整操作。应注意，模式2的修整操作表示修整失败的情况。

如图9所示，当在时刻t8将模式信号“模式2”供给至闪存控制电路40时，计数器41开始操作，并且计数器信号“计数器”变为“c0100”。当计数器41开始操作时，计时器42断言计时器启动信号“计时器启动”。因此，计时器42“计时器”开始操作。另外，计时器标志信号“计时器标志”变为高电平。当计时器标志信号“计时器标志”变为高电平时，闪存控制电路40将修整代码tc(“0x00”)输出到闪存存储器10。后续操作与模式1的情况相同，因此将省略其重复说明。

在模式信号为“模式2”的情况下，当计时器标志信号“计时器标志”在时刻t9从高电平转变为低电平时，检查计数器信号“计数器”和标志信号“标志”。在这种情况下，由于计数器信号“计数器”已达到上限值并且标志信号“标志”处于低电平，因此错误信号“err”变为高电平。因此，通知修整操作尚未正常完成。

也就是说，在计数器信号“计数器”已达到上限值的情况下，修整代码也已达到上限值。在比较器comp确定参考电压和电源电压彼此不匹配的情况下，尽管修整代码是上限值，但是认为电源电路11中存在异常。在这种情况下，闪存控制电路40输出错误信号。

在图7所示的配置示例中，闪存控制电路40使用计数器41和计时器42自动生成修整代码。因此，即使在半导体器件的装运之后，也可以自动修整每个电源电压。

应当注意，在以上描述的修整操作中，修整代码从下限值递增到上限值，但是该实施例的半导体器件不限于此。例如，修整代码可以从上限值变化到下限值。即，可以递减修整代码。另外，如果可以在某种程度上预测电源电压的调节量，则可以从与调节量对应的修整代码的附近开始修整。例如，在存在先前修整时确定的修整代码的情况下，修整可以从在先前修整时确定的修整代码的附近开始。

<第二实施例>

接下来，将描述第二实施例。在第二实施例中，将描述第一实施例中描述的半导体器件的安装示例。应当注意，除了具体的安装示例之外，根据该实施例的半导体器件与第一实施例中描述的半导体器件相同，因此将适当地省略其重复说明。

图10是示出根据该实施例的半导体器件的配置示例的框图。如图10所示，根据该实施例的半导体器件2包括运算电路51(cpu：中央处理单元)、存储器电路52(sram：静态随机存取存储器)、rom接口53、bist(内建自检)电路54、if控制电路55、寄存器56、闪存存储器10和闪存控制电路40。闪存存储器10和闪存控制电路40的配置和操作与第一实施例中描述的相同，因此将省略重复说明。

cpu(51)在半导体器件2中执行各种运算处理。sram(52)被配置为能够存储预定程序，并且可以存储用于在实施例中执行修整操作的固件。另外，sram(52)被配置为能够临时存储在修整操作时确定的修整代码。rom接口53是sram(52)和bist电路54之间设置的接口。bist电路54是在半导体器件2执行自诊断测试的电路。寄存器56临时存储从闪存存储器10传输的数据。if控制电路55是使用存储在寄存器56中的数据进行接口控制的电路。

在图10所示的半导体器件2中，包括闪存存储器10、闪存控制电路40、rom接口53和bist电路54的系统构成第一子系统61。另外，包括第一子系统61、if控制电路55和寄存器56的系统构成第二子系统62。这里，第二子系统62是通过将应用功能模块添加到第一子系统61而获得的系统。例如，应用功能模块包括用户接口模块、安防(security)模块、安全模块和重置传输模块。

在根据实施例的半导体器件2中，在半导体器件2的装运之前修整参考电压ref_uout16(参见图1)。即，在半导体器件2的装运之前使用外部参考电压vccmon来确定参考电压ref_uout16的修整代码。用于调节参考电压ref_uout16的修整代码存储在闪存存储器10的存储器区域16中。闪存控制电路40在执行修整时从存储器区域16读取修整代码，并将修整代码存储到寄存器14。

另外，当在半导体器件2的装运之后执行修整时，使用在装运之前确定的修整代码来调节参考电压ref_uout16，并且使用调节的参考电压ref_uout16生成多个参考电压。因此，在根据实施例的半导体器件2中，可以在半导体器件2的装运之后使用参考电压来修整多个电源电压。

此外，在根据本实施例的半导体器件2中，当使用bist电路54对半导体器件2执行自诊断测试时，可以修整电源电压。由于可以如第一实施例中描述的那样自动生成在执行修整时使用的修整代码，所以当使用bist电路54执行半导体器件2的自诊断测试时，可以自动修整电源电压。

图11是用于说明根据本实施例的半导体器件的修整操作的流程图。当在根据本实施例的半导体器件2中执行修整操作时，首先将用于执行修整操作的固件从闪存存储器10传送到sram(52)(步骤s21)。此后，运行存储在sram(52)中的固件(步骤s22)。通过这样的操作来执行修整操作(步骤s23)。应当注意，步骤s23中的修整操作与第一实施例中描述的修整操作(参见图8)相同，因此将省略其重复说明。

尽管在根据本实施例的半导体器件2的装运之后在半导体器件2中执行修整，但是在此时可以由cpu(51)主动执行修整，或者可以由闪存控制电路40主动执行修整。换句话说，在根据本实施例的半导体器件2中可以使用cpu(51)和闪存控制电路40中的至少一个来控制修整操作。

图12是用于说明根据本实施例的半导体器件的修整操作的框图，并且示出了在由cpu(51)主动执行修整的情况下的流程。在由cpu(51)主动执行修整的情况下，当使用bist电路54执行用于半导体器件2的自诊断测试时，cpu(51)将用于修整操作的固件从闪存存储器10传送并存储到sram(52)。此后，cpu(51)运行存储在sram(52)中的固件以对闪存存储器10执行修整。

在cpu(51)主动执行修整的情况下，由于在修整操作时cpu(51)被占用，所以不能执行其它测试。

图13是用于说明根据本实施例的半导体器件的修整操作的框图，并且示出了在由闪存控制电路40主动执行修整的情况下的流程。在闪存控制电路40主动执行修整的情况下，当使用bist电路54执行用于半导体器件2的自诊断测试时，bist电路54将用于修整操作的固件从闪存存储器10传送并存储到sram(52)。此后，bist电路54使用闪存控制电路40运行固件以对闪存存储器10执行修整。

在闪存控制电路40主动执行修整的情况下，cpu(51)在修整操作时不被占用，因此可以与使用cpu(51)的测试并行地执行修整操作。即，在闪存控制电路40主动进行修整的情况下，修整操作可在第一子系统61内部进行。

另外，在根据本实施例的半导体器件2中，在当cpu(51)控制修整操作时cpu(51)上的负荷被增加的情况下，修整操作的控制可以从cpu(51)切换到闪存控制电路40。也就是说，在首先由cpu(51)控制修整操作并且cpu(51)上的处理负荷超过预定参考值的情况下，修整操作的控制(51)可以从cpu切换到闪存控制电路40。如上所述，通过将修整操作的控制配置为可切换，可以提高系统的灵活性。

<第三实施例>

接下来，将描述第三实施例。在第三实施例中，描述在第一实施例和第二实施例中描述的半导体器件中检测电源电路的故障的情况。应当注意，除了检测电源电路的故障之外，根据该实施例的半导体器件与第一实施例和第二实施例中描述的半导体器件相同，因此将适当地省略重复说明。

根据该实施例的半导体器件包括故障检测模式，其中检测设置在电源电路11中的电压生成电路22(见图1)的故障。电压生成电路22生成在闪存存储器中使用的多个电源电压。电压生成电路22包括升压电路(电荷泵电路)，并且使用该升压电路对电源电压升压。

如图14所示，随着修整代码的增加，在修整操作时从电压生成电路22输出的电压值增加(参见图14中的正常操作时的cp电压)。在修整操作时设置用于修整的参考电压vref_1。另外，当在修整代码增加之后从电压生成电路22输出的电压值与参考电压vref_1匹配时的修整代码被确定为用于调节的修整代码。

另一方面，在电压生成电路22故障的情况下，即使修整代码增加，从电压生成电路22输出的电压值的增加量也较小(参见图14中的故障时的cp电压)。根据该实施例的半导体器件包括故障检测模式，其中检测电压生成电路22的这种故障。

根据实施例的半导体器件将在修整操作时低于参考电压vref_1的参考电压vref_2设置为在故障检测模式中的故障检测时的参考电压。另外，在电源电压改变并且未达到参考电压vref_2的情况下，确定电压生成电路22故障。

也就是说，电压生成电路22被配置为根据修整代码生成电源电压。然而，在以下情况中可以确定电压生成电路22故障：在故障检测模式中即使将修整代码改变到最大值时电源电压也没有达到参考电压vref_2。

如上所述，根据本实施例的半导体器件设置用于检测电压生成电路22的故障的参考电压vref_2，并且然后改变修整代码，从而可以检测电压生成电路22的故障。通常，用于检测电压生成电路22的故障的故障检测模式的操作优选地在第一实施例中描述的修整操作之前执行。故障检测模式的操作可以通过例如图10所示的cpu(51)或闪存控制电路40来执行。

在闪存控制电路中执行故障检测模式的情况下，cpu(51)在故障检测模式的操作中不被占用。因此，可以与使用cpu(51)的测试并行地执行故障检测模式的操作。即，在闪存控制电路40中进行故障检测模式的操作的情况下，故障检测模式的操作可以在第一子系统61的内部来进行。

<第四实施例>

接下来，将描述第四实施例。在第一实施例至第三实施例中已经描述了电源电压的修整操作。然而，将在第四实施例中描述用于电流源的修整操作。应当注意，第四实施例中的用于电流源的修整操作的基本构思与第一实施例至第三实施例中描述的用于电源电压的基本构思相同。

图15是用于示出根据该实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件的配置示例的图。应注意，图15仅示出了半导体存储器件的一部分的配置。如图15所示，半导体存储器件70包括电源电路71和修整电路72。半导体存储器件70是例如非易失性半导体存储器件，诸如闪存存储器。下面将描述在使用闪存存储器作为半导体存储器件的情况下的配置示例。然而，该实施例中的半导体存储器件不限于闪存存储器。

电源电路71包括参考电压生成电路81、参考电流源82和操作电流源83。参考电压生成电路81生成在修整操作时所使用的参考电压(确定电压)。具体地，参考电压生成电路81生成参考电压ref_uout16和低于参考电压ref_uout16的参考电压ref_out75。在该实施例中，参考电压ref_out75用作修整操作时的确定电压。

由参考电压生成电路81生成的参考电压ref_out75和参考电压ref_uout16通过开关sw_21至sw_22被供给至设置在修整电路72中的比较器comp的一个输入。

参考电流源82生成在修整操作时使用的参考电流iref_1和iref_2。参考电流源82包括生成参考电流iref_1的电流源型参考电流源和生成参考电流iref_2的电流汇型参考电流源。由参考电流源82生成的参考电流iref_1和iref_2使用例如镜像电路被供给至修整电路72。

操作电流源83生成在半导体存储器件中使用的操作电流ird和ivfy。操作电流源83包括生成操作电流ird的电流汇型操作电流源和生成操作电流ivfy的电流源型操作电流源。由操作电流源83生成的操作电流ird和ivfy在正常操作时用作闪存存储器的内部操作电流。例如，操作电流ird是用于读取闪存存储器的电流。另外，操作电流ivfy是用于验证闪存存储器的电流。另外，在修整操作时使用例如镜像电路将由操作电流源83生成的操作电流ird和ivfy供给至修整电路72。

修整电路72在修整操作时修整操作电流ird和ivfy。修整电路72包括比较器comp。由参考电压生成电路81生成的参考电压(确定电压)被供给至比较器comp的一个输入，而比较器comp的另一输入被耦合到节点n1。

参考电流源iref_1被配置为能够通过开关sw_23耦合到节点n1。参考电流源iref_2被配置为能够通过开关sw_24耦合到节点n1。操作电流源ird被配置为能够通过开关sw_25耦合到节点n1。操作电流源ivfy被配置为能够通过开关sw_26耦合到节点n1。

另外，修整电路72包括外部端子98。外部参考电流i_out从设置在半导体器件外部的外部参考电流源i_out被供给至外部端子98。外部参考电流源i_out被配置为能够通过开关sw_27耦合到节点n1。

接下来，将描述闪存存储器10中的修整操作。例如，使用闪存控制电路(控制电路)控制闪存存储器10中的修整操作。如图16的流程图所示，在该实施例中首先修整参考电流iref_1(步骤s31)。

具体地，如图17所示，使参考电压生成电路81的开关sw_22置于导通状态，以将参考电压(确定电压)ref_out75供给至比较器comp的一个输入。另外，使修整电路72的开关sw_23置于导通状态以将参考电流源iref_1耦合到节点n1。另外，使修整电路72的开关sw_27置于导通状态，以将外部参考电流源i_out耦合到节点n1。

这里，从外部参考电流源i_out供给的外部参考电流i_out是用于调节参考电流源iref_1的电流量的电流，并且是恒定电流。由于参考电流源iref_1是电流源型电流源，因此将电流汇型电流源用于外部参考电流源i_out。在这种情况下，如图17所示，当参考电流源iref_1和外部参考电流源i_out耦合到节点n1时，电流从参考电流源iref_1流到外部参考电流源i_out。

在修整操作时参考电流源iref_1改变供给至节点n1的电流量。例如，从闪存控制电路向参考电流源82供给修整代码，并且参考电流源82根据所供给的修整代码调节从参考电流源iref_1供给至节点n1的电流量。然后，调节参考电流源iref_1的电流值，使得参考电流源iref_1和外部参考电流源i_out之间的电流差变得小于预定值，并且确定对应于调节量的修整代码。

例如，在步骤s31中参考电流源iref_1的电流量从最大值逐渐减小。在从参考电流源iref_1供给到节点n1的参考电流iref_1的电流量大于外部参考电流i_out的电流量的情况下，节点n1的电压变高。在这种情况下，由于节点n1的电压变得高于确定电压ref_out75，比较器comp输出“标志＝0”。然后，当从参考电流源iref_1供给至节点n1的参考电流iref_1的电流量逐渐减小时，参考电流源iref_1的电流量逐渐变得接近外部参考电流源i_out的电流量，因此参考电流源iref_1的电流量与外部参考电流源i_out的电流量之间的电流差变得小于预定值。此时，由于节点n1的电压变得小于确定电压ref_out75，因此比较器comp输出“标志＝1”。然后，将与此时的参考电流源iref_1的调节量对应的值确定为用于调节参考电流源iref_1的修整代码。此后，使用修整代码调节参考电流源iref_1。在该实施例中使用的确定电压ref_out75是预定电压值(例如，0.75v)。

接下来，如图16的流程图所示，修整参考电流iref_2(步骤s32)。

具体地，如图18所示，使参考电压生成电路81的开关sw_22置于导通状态，以将参考电压(确定电压)ref_out75供给至比较器comp的一个输入。另外，使修整电路72的开关sw_24置于导通状态，以将参考电流源iref_2耦合到节点n1。另外，使修整电路72的开关sw_27置于导通状态，以将外部参考电流源i_out耦合到节点n1。

这里，从外部参考电流源i_out供给的外部参考电流i_out是用于调节参考电流源iref_2的电流量的电流，并且是恒定电流。由于参考电流源iref_2是电流汇型电流源，因此将电流源型电流源用于外部参考电流源i_out。在这种情况下，如图18所示，当参考电流源iref_2和外部参考电流源i_out耦合到节点n1时，电流从外部参考电流源i_out流到参考电流源iref_2。

在修整操作时参考电流源iref_2改变从节点n1提取的电流量。例如，修整代码从闪存控制电路被供给至参考电流源82，参考电流源82根据所供给的修整代码调节在参考电流源iref_2中流动的电流量。然后，调节参考电流源iref_2的电流值，使得参考电流源iref_2和外部参考电流源i_out之间的电流差变得小于预定值，并且确定对应于调节量的修整代码。

例如，在步骤s32中使参考电流源iref_2的电流量从最小值逐渐增加。当在参考电流源iref_2中流动的电流量小于外部参考电流源i_out的电流量的情况下，节点n1的电压变高。在这种情况下，由于节点n1的电压变得高于确定电压ref_out75，所以比较器comp输出“标志＝0”。然后，当在参考电流源iref_2中流动的电流量逐渐增加时，参考电流源iref_2的电流量逐渐变得接近外部参考电流源i_out的电流量，因此参考电流源iref_2的电流量和外部参考电流源i_out的电流量之间的电流差变得小于预定值。此时，由于节点n1的电压变得小于确定电压ref_out75，因此比较器comp输出“标志＝1”。然后，将与此时的参考电流源iref_2的调节量对应的值确定为用于调节参考电流源iref_2的修整代码。此后，使用该修整代码调节参考电流源iref_2。

接下来，如图16的流程图所示，修整操作电流ird(步骤s33)。

具体地，如图19所示，使参考电压生成电路81的开关sw_22置于导通状态，以将参考电压(确定电压)ref_out75供给至比较器comp的一个输入。另外，使修整电路72的开关sw_23置于导通状态，以将参考电流源iref_1耦合到节点n1。另外，使修整电路72的开关sw_25置于导通状态，以将操作电流源ird耦合到节点n1。

这里，从参考电流源iref_1供给的参考电流iref_1是用于调节操作电流源ird的电流量的电流，并且是恒定电流。如图19所示，参考电流源iref_1是电流源型电流源，操作电流源ird是电流汇型电流源。因此，当参考电流源iref_1和操作电流源ird耦合到节点n1时，电流从参考电流源iref_1流到操作电流源ird。

在修整操作时操作电流源ird改变从节点n1提取的电流量。例如，从闪存控制电路向操作电流源83供给修整代码，并且操作电流源83根据所供给的修整代码调节在操作电流源ird中流动的电流量。然后，调节操作电流源ird的电流值，使得参考电流源iref_2和操作电流源ird之间的电流差变得小于预定值，并确定对应于调节量的修整代码。

例如，在步骤s33中操作电流源ird的电流量从最小值逐渐增加。当在操作电流源ird中流动的电流量小于参考电流源iref_1的电流量的情况下，节点n1的电压变高。在这种情况下，由于节点n1的电压变得高于确定电压ref_out75，所以比较器comp输出“标志＝0”。然后，当在操作电流源ird中流动的电流量逐渐增加时，操作电流源ird的电流量逐渐变得接近参考电流源iref_1的电流量，因此参考电流源iref_1的电流量和操作电流源ird的电流量之间的电流差变得小于预定值。此时，由于节点n1的电压变得小于确定电压ref_out75，因此比较器comp输出“标志＝1”。然后，将与此时的操作电流源ird的调节量对应的值确定为用于调节操作电流源ird的修整代码。此后，操作电流源83在正常操作时使用该修整代码生成操作电流ird。

接下来，如图16的流程图所示，修整操作电流ivfy(步骤s34)。

具体地，如图20所示，使参考电压生成电路81的开关sw_22置于导通状态，以将参考电压(确定电压)ref_out75供给至比较器comp的一个输入。另外，使修整电路72的开关sw_24置于导通状态，以将参考电流源iref_2耦合到节点n1。另外，使修整电路72的开关sw_26置于导通状态，以将操作电流ivfy耦合到节点n1。

这里，在参考电流源iref_2中流动的参考电流iref_2是用于调节操作电流ivfy的电流量的电流，并且是恒定电流。如图20所示，参考电流源iref_2是电流汇型电流源，操作电流源ivfy是电流源型电流源。因此，当参考电流源iref_2和操作电流源ivfy耦合到节点n1时，电流从操作电流源ivfy流到参考电流源iref_2。

操作电流源ivfy在修整操作时改变供给至节点n1的电流量。例如，从闪存控制电路向操作电流源83供给修整代码，并且操作电流源83根据所供给的修整代码调节从操作电流源ivfy向节点n1供给的电流量。然后，调节操作电流源ivfy的电流值，使得参考电流源iref_2和操作电流源ivfy之间的电流差变得小于预定值，并确定对应于调节量的修整代码。

例如，在步骤s34中使操作电流源ivfy的电流量从最大值逐渐减小。在操作电流源ivfy中流动的电流量大于参考电流源iref_2的电流量的情况下，节点n1的电压变高。在这种情况下，由于节点n1的电压变得高于确定电压ref_out75，因此比较器comp输出“标志＝0”。然后，当在操作电流源ivfy中流动的电流量逐渐减小时，操作电流源ivfy的电流量逐渐变得接近参考电流源iref_2的电流量，并且然后参考电流源iref_2的电流量和操作电流源ivfy的电流量之间的电流差变得小于预定值。此时，由于节点n1的电压变得小于确定电压ref_out75，因此比较器comp输出“标志＝1”。然后，将与此时的操作电流源ivfy的调节量对应的值确定为用于调节操作电流源ivfy的修整代码。此后，操作电流源83在正常操作时使用该修整代码生成操作电流ivfy。

如上所述，在根据实施例的半导体器件中，使用在修整操作时从半导体器件的外部供给的外部参考电流i_out来调节参考电流iref_1和iref_2。然后，使用经调节的参考电流iref_1和iref_2来确定与操作电流源ird和ivfy的调节量对应的修整代码。在根据本实施例的半导体器件中，可以在半导体器件的装运之前使用外部参考电流i_out来调节参考电流iref_1和iref_2。即，可以在半导体器件的装运之前确定参考电流iref_1和iref_2的修整代码。

如上所述，在半导体器件的装运之前确定与参考电流iref_1和iref_2的调节量对应的修整代码。因此，在半导体器件的装运后进行修整时，不需要输入外部参考电流i_out。

也就是说，当在半导体器件的装运之后执行修整时，参考电流源82使用作为与在装运之前确定的调节量相对应的值的修整代码来调节参考电流iref_1和iref_2，并且可以使用调节的参考电流iref_1和iref_2来修整操作电流源ird和ivfy。

另外，如第一实施例中所述，可以自动生成执行修整时的修整代码。因此，当使用bist电路54(参见图10)执行半导体器件的自诊断测试时，可以自动地修整操作电流源ird和ivfy。

通常，在第一实施例中描述的参考电压(ref_uout16等)和电源电压(uout16等)的修整之后，优选地执行在本实施例中描述的参考电流iref_1和iref_2以及操作电流ird和ivfy的修整。

另外，根据本实施例的半导体器件可以被配置为类似于第二实施例中描述的半导体器件(参见图10)。另外，类似于在第二实施例中描述的情况，可以由cpu(51)或闪存控制电路40主动执行在本实施例中描述的参考电流iref_1和iref_2以及操作电流ird和ivfy的修整。

另外，在当cpu(51)控制修整操作时cpu(51)上的负荷增加的情况下，即使在根据本实施例的半导体器件中，修整操作的控制也可以从cpu(51)切换到闪存控制电路40。也就是说，在先由cpu(51)控制修整操作并且cpu(51)的处理负荷超过预定参考值的情况下，修整操作的控制可以从cpu(51)切换到闪存控制电路40。如上所述，通过将修整操作的控制配置为可切换，可以提高系统的灵活性。

另外，与第三实施例中描述的半导体器件类似，根据本实施例的半导体器件可以包括故障检测模式。

如图21所示，由于在修整操作时增加修整代码，从操作电流源83输出的电流值增加(参见图21中的“正常操作时的电流ird和电流ivfy”)。在修整操作时设置用于修整的参考电流值。然后，当在修整代码增加之后从操作电流源83输出的电流值与参考电流值匹配时的修整代码被确定为用于调节的修整代码(在操作电流ivfy的情况下)。

另一方面，在操作电流源83故障的情况下，即使修整代码增加，从操作电流源83输出的电流值的增加量也较小(参见图21中的“故障时的电流ird和电流ivfy”)。根据本实施例的半导体器件可以包括用于检测操作电流源83的这种故障的故障检测模式。

在执行故障检测模式的情况下，将比修整操作时低的参考电流值设置为故障检测时的参考电流值。然后，在操作电流改变并且在故障检测时没有达到参考电流值的情况下，确定操作电流源83故障。

也就是说，操作电流源83被配置为根据修整代码生成操作电流。然而，在以下情况下也可以确定操作电流源83故障：即使在故障检测模式中将修整代码改变到最大值，在故障检测时操作电流也未达到参考电流值。

通常，用于检测操作电流源83的故障的故障检测模式的操作优选地在操作电流的修整之前执行。故障检测模式的操作可以由例如cpu(51)或闪存控制电路40执行，如图10所示。

上面基于实施例具体描述了发明人实现的发明。然而，显而易见的是，本发明不限于上述实施例，而是可以在不脱离其范围的情况下进行各种改变。