信号。在一些实施例中，第六信号连接至复用器。在一些实施例中，第六信号是控制信号。在一些实施例中，第六信号是YMUX信号。在一些实施例中，第四晶体管124的源极连接至第五晶体管128的漏极。在一些实施例中，第五晶体管128的栅极连接至第七节点126，第七节点126连接至字线。在一些实施例中，第五晶体管128的源极连接至第二电压源130。
[0033]在一些实施例中，存储单元经历被配置成将第五晶体管128设置为第一状态的写操作。在一些实施例中，存储单元经历被配置成将第五晶体管128设置成第二状态的写操作。在一些实施例中，当第五晶体管128处于第一状态中，并且对存储单元进行读取操作时，进行读取操作的器件将读取等于I的数据位。在一些实施例中，当第五晶体管128处于第二状态中，并且进行读取操作时，进行读取操作的器件将读取等于O的数据位。在一些实施例中，第一状态是位-1状态。在一些实施例中，第二状态是位-O状态。在一些实施例中，第一电流流经第五晶体管128到达第二电压源130。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-1状态时的第一电流的大小不等于当第五晶体管128处于位-O状态时的第一电流大小。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-1状态时，第一电流的大小在30 μΑ和70 μ A之间。在一些实施例中，当第五晶体管128为位-1状态时，第一电流的大小在45 μ A和55 μ A之间。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-1状态时，第一电流的大小基本等于50 μ Α。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-O状态时，第一电流的大小在O μ A和20 μ A之间。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-O状态时，第一电流的大小在5μΑ和15 μA之间。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-O状态时，第一电流的大小基本等于10 μ Α。
[0034]在一些实施例中，第一晶体管110配置成将第二电流提供给第一晶体管110的漏极。在一些实施例中，向第一晶体管I1的栅极施加电流参考信号的电压。在一些实施例中，电流参考信号的电压小于5V。在一些实施例中，电流参考信号的电压大于0.8V并且小于IV。在一些实施例中，电流参考信号保持恒定电压。在一些实施例中，第二电流为参考电流。在一些实施例中，参考电流为恒值。在一些实施例中，参考电流的大小在O μ A和50 μ A之间。在一些实施例中，参考电流的大小在20 μΑ和30 μΑ之间。在一些实施例中，参考电流的大小基本等于25 μ Α。
[0035]在一些实施例中，当第二晶体管112导通时，第二晶体管112配置成在第二晶体管112的漏极生成第一偏压信号的第一偏压。在一些实施例中，当第二晶体管112截止时，第二晶体管配置成将第三节点106处的第一偏压信号和第二晶体管112的源极之间的连接断开。在一些实施例中，当预充电信号的电压在高压状态的电压范围内时，第二晶体管112截止。在一些实施例中，高压状态的电压范围包括大于3V且小于5V的电压。在一些实施例中，当预充电信号的电压在低压状态的电压范围内时，第二晶体管112截止。在一些实施例中，低压状态的电压范围包括大于OV并且小于IV的电压。在一些实施例中，当预充电信号的电压基本等于OV时，第二晶体管112截止。
[0036]在一些实施例中，第一偏压基本等于3V。在一些实施例中，第一偏压基本等于5V。在一些实施例中，第一偏压小于5V。在一些实施例中，第一偏压大于2.5V并且小于3.5V。在一些实施例中，MTP存储器结构100的功率是第一偏压的函数。在一些实施例中，当第一偏压增大时，MTP存储器结构100的功率增大。在一些实施例中，为了限制能量，期望限制MTP存储器结构100的功率。在一些实施例中，期望限制第一偏压。在一些实施例中，控制第一偏压减小了在读取操作期间生成的瞬态开路电流。
[0037]在一些实施例中，当第三晶体管118截止时，第三晶体管118配置成将第三晶体管118的漏极和第三晶体管118的源极之间的连接断开。在一些实施例中，当第二偏压信号的电压基本等于OV时，第三晶体管118截止。在一些实施例中，当第二偏压信号的电压基本等于第二偏压时，第三晶体管118配置成允许一些电流从第三晶体管118的漏极流至第三晶体管118的源极。在一些实施例中，流至第三晶体管118的源极的电流是第二偏压的函数。在一些实施例中，当第二偏压增大时，流至第三晶体管118的源极的电流增大。在一些实施例中，MTP存储器结构的功率是第二偏压的函数。在一些实施例中，当第二偏压增大时，MTP存储器结构100增大。在一些实施例中，期望限制MTP存储器结构100的功率。在一些实施例中，期望限制第二偏压。在一些实施例中，第二偏压基本等于5V。在一些实施例中，第二偏压大于2V并且小于3V。在一些实施例中，第二偏压基本等于2.3V。
[0038]在一些实施例中，当第四晶体管124截止时，第四晶体管124配置成将第四晶体管124的漏极和第四晶体管124的源极之间的连接断开。在一些实施例中，当第四晶体管124导通时，第四晶体管124配置成将第四晶体管124的漏极连接至第四晶体管124的源极。在一些实施例中，当YMUX信号的电压大于2V并且小于5V时，第四晶体管124导通。在一些实施例中，当YMUX信号的电压基本等于5V时，第四晶体管124导通。在一些实施例中，流经第四晶体管124到达第四晶体管124的源极的电流为YMUX信号的电压的函数。在一些实施例中，当YMUX信号的电压增大时，流经第四晶体管124到达第四晶体管124的源极的电流增大。在一些实施例中，对存取单元进行读取操作的读取裕量是YMUX信号的电压的函数。在一些实施例中，当YMUX信号的电压增大时，对存储单元进行的读取操作的读取裕量增大。在一些实施例中，第一电压源102提供小于2V的电压。在一些实施例中，当第一电压源102提供小于2V的电压时，YMUX信号的电压小于2V。在一些实施例中，当YMUX信号小于2V时，读取裕量低于期望的读取裕量。在一些实施例中，YMUX升压电路连接至第六节点122。在一些实施例中，YMUX升压电路配置成当YMUX信号的电压在1.5V和3.5V之间时，向第六节点122提供电压，使得读取裕量处于期望等级。
[0039]在一些实施例中，当第五晶体管128截止时，第五晶体管128配置成将第五晶体管128的漏极和第五晶体管128的源极之间的连接断开。在一些实施例中，当第五晶体管128导通时，第五晶体管128配置成允许一些电流流经第五晶体管128到达第五晶体管128的源极。在一些实施例中，当字线的电压大于2V并且小于5V时，第五晶体管128导通。在一些实施例中，当字线的电压基本等于5V时，第五晶体管128导通。在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-1状态时，流经第五晶体管128到达第五晶体管128的源极的电流大于45 μ A并且小于55 μ Ao在一些实施例中，当第五晶体管128处于位-O状态时，流经第五晶体管128到达第五晶体管128的源极的电流大于5 μ A并且小于10 μ Α。在一些实施例中，流经第五晶体管128到达第五晶体管128的源极的电流为字线的电压的函数。在一些实施例中，当字线电压增大时，流经第五晶体管128到达第五晶体管128的源极的电流增大。在一些实施例中，对存储单元进行的读取操作的读取裕量为流经第五晶体管128到达第五晶体管128的源极的电流的函数。在一些实施例中，当字线电压增大时，对存储单元进行读取操作的读取裕量增大。在一些实施例中，第一电压源极102提供小于2V的电压。在一些实施例中，当第一电压源102提供小于2V的电压时，字线的电压小于2V。在一些实施例中，当字线小于2V时，读取裕量低于期望的读取裕量。在一些实施例中，字线升压电路连接至字线。在一些实施例中，字线升压电路配置成当字线电压在1.5V和3.5V之间时，向字线提供电压，使得读取裕量处于期望等级。
[0040]在一些实施例中，MTP存储器结构100连接至字线升压电路，并且MTP存储器结构100不连接至YMUX升压电路。在一些实施例中，MTP存储器结构100连接至YMUX升压电路，并且MTP存储器结构100不连接至字线升压电路。在一些实施例中，当MTP存储器结构100连接至字线升压电路，但不连接至YMUX升压电路时，读取裕量基本等于第一读取