半导体存储装置及其操作方法_2

文档序号:8513377阅读:来源:国知局
正自锁存单元2105而接收的多个单元数据G10_10CELL〈0:n>。接着,错误校正单元2107可以输出已校正错误的数据。此外,错误校正单元2107可以输出所述第一错误数据识别信号ERR_0〈0:n>和所述第二错误数据识别信号ERR_l〈0:n>,其中当已发生错误的数据的电压逻辑电平在低电压逻辑电平(即O)时,所述第一错误数据识别信号ERR_0〈0:n>可以被使能,而当已发生错误的数据的电压逻辑电平在高电压逻辑电平(即I)时,所述第二错误数据识别信号ERR_l〈0:n>可以被使能。
[0032]第二锁存单元2109可以将自错误校正单元2107输出并接收的已校正错误的数据锁存预定时间。
[0033]ECC输出单元2111可以被输入自第二锁存单元2109接收的多个单元数据G1_10CELL〈0:n>和已校正错误的数据。接着,ECC输出单元2111可以在接收或响应接收错误检查使能信号ECCEN之后输出所述已查出错误的数据DATA_ECC。
[0034]DBI电路块220可以包括输入单元2201、RDBI操作单元2203和第一锁存单元2205。DBI电路块220可以还包括选择单元2207、DBI控制单元2209和DBI输出单元2211。
[0035]输入单元2201可以在接收或响应接收读取数据总线反相使能信号RDBIEN后输出多个单元数据G10_10CELL〈0:n>。
[0036]RDBI操作单元2203可以根据包括于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>中的数据的电压逻辑电平来确定是否执行数据反相。接着,RDBI操作单元2203根据该确定来执行用于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>的数据反相,并接着输出结果数据。当包括于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>中的多数数据在第一电压逻辑电平时,RDBI操作单元2203可以输出被使能的第一反相控制信号DBI_0_FIVE〈0:n>。此外,当包括于多个单元数据G1_10CELL〈0:n>中的少数数据在第一电压逻辑电平时,RDBI操作单元2203可以输出被使能的第二反相控制信号DBI_0_F0UR〈0:n>。
[0037]举例来说,但不被限制,当包括于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>中的数据当中的低电压逻辑电平数据的总数为5或更多时,RDBI操作单元2203可以使能所述第一反相控制信号DBI_0_FIVE〈0:n> ;以及当包括于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>中的数据当中的低电压逻辑电平数据的总数为4或更少时,RDBI操作单元2203可以使能所述第二反相控制信号 DBI_0_F0UR〈0:n>。
[0038]第一锁存单元2205可以将自RDBI操作单元2203接收的数据锁存预定时间。接着,第一锁存单元2205可以在接收或响应接收错误检查选通信号ECC_STB后输出结果数据。
[0039]DBI控制单元2209可以在接收或响应接收自ECC电路块210提供的第一错误数据识别信号ERR_0〈0:n>的被延迟信号ERR_0D〈0:n>、所述第二错误数据识别信号ERR_l〈0:n>的被延迟信号ERR_lD〈0:n>、自RDBI操作单元2203提供的第一反相控制信号DBI_0_FIVE<0: n>的被延迟信号DBI_0_FIVED〈0: n>以及所述第二反相控制信号DBI_0_F0UR〈0: n>的被延迟信号DBI_0_F0URD〈0:n>来确定是否执行数据反相。接着,DBI控制单元2209可以输出DBI控制信号DBI_CTR。
[0040]选择单元2207可以在接收或响应接收DBI控制信号DBI_CTR后输出第一锁存单元2205的输出信号及其反相信号之中的任一种。
[0041]DBI输出单元2211可以在接收或响应接收错误检查使能信号ECCEN后输出自RDBI操作单元2203接收的数据和选择单元2207的输出数据之中的任一种,来作为DBI数据 DATAJiDB10
[0042]举例来说,当出自包括于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>中的所有数据的第一电平数据(或具有第一电压逻辑电平的数据)为多数且因而需要反相时,若ECC电路块210的检查结果被确定为在第一电平数据中已发生错误,则由于第一电平数据实际上占有少数,故根据一实施例的DBI电路块220可以将反相数据再次反相并输出结果数据。若ECC电路块210的检查结果被确定为第二电平数据(或具有第二电压逻辑电平的数据)中已发生错误,则由于第一电平数据占有多数,故DBI电路块220可以输出反相数据。
[0043]举例来说,当出自包括于多个单元数据G10_10CELL〈0:n>中的所有数据的第一电平数据为少数(亦即被计数为4或更少(请见上述例子))且因而无需反相时,若错误的ECC电路块210的检查结果被确定为在第二电平数据中已发生,那么由于第一电平数据实际上占有多数,故根据DBI电路块220而可以输出反相数据。若错误的ECC电路块210的检查结果被确定为在第一电平数据中已发生,那么由于第一电平数据占有少数,故DBI电路块220可以将反相数据再次反相并输出结果数据。
[0044]因此,DBI电路块220可以基于自ECC电路块210的错误校正单元2107而接收的错误数据识别信号ERR_0〈0:n>与ERR_l〈0:n>来确定是否反相多个单元数据G1_10CELL<0:n>o接着,DBI电路块220可以确定是否对DBI电路块220的最后输出数据执行数据总线反相(DBI)。因为这些操作与ECC电路块210的操作并行执行,故可以减少读取操作的延迟。
[0045]图3和图4为示出应用图2的组件的延迟信号发生单元的示意图。
[0046]请参考图3,所述第一错误数据识别信号ERRJKO:n>的被延迟信号ERR_0D〈0:n>和所述第二错误数据识别信号ERR_l〈0:n>的被延迟信号ERR_lD〈0:n>可以藉由第二锁存单元2213被延迟预定时间。
[0047]此外,请参考图4,所述第一反相控制信号DBI_0_FIVE〈0:n>的被延迟信号DBI_0_FIVED<0:n>和所述第二反相控制信号DBI_0_F0UR〈0:n>的被延迟信号DBI_0_F0URD〈0:n>可以藉由第三锁存单元2215被延迟预定时间。
[0048]图5为示出图2所示的DBI控制单元的例子的示意图。
[0049]请参考图5,DBI控制单元2209可以在接收或响应接收所述第一错误数据识别信号ERR_0〈0: n>的被延迟信号ERR_0D〈0: n>、所述第二错误数据识别信号ERR_1〈O: n>的被延迟信号ERR_1D〈0: n>、所述第一反相控制信号DBI_0_FIVE〈0: n>的被延迟信号DBI_0_FIVED<0:n>以及所述第二反相控制信号DBI_0_F0UR〈0:n>的被延迟信号DBI_0_F0URD<0:n>之后来确定是否执行数据反相。接着,DBI控制单元2209可以输出DBI控制信号 DBI_CTR。
[0050]DBI控制单元2209可以包括第一确定组件ND1,第一确定组件NDl用于:在接收或响应接收所述第一错误数据识别信号ERRJKO:n>的被延迟信号ERR_0D〈0:n>和所述第一反相控制信号DBI_0_FIVE〈0:n>的被延迟信号DBI_0_FIVED〈0:n>之后,根据当所述第一电压逻辑电平数据为数据的多数时该第一电压逻辑电平数据中是否已发生错误来首次确定是否执行数据反相。DBI控制单元2209可以还包括第二确定组件AND1,第二确定组件ANDl用于:在接收或响应接收所述第二错误数据识别信号ERR_l〈0:n>的被延迟信号ERR_lD<0:n>和所述第二反相控制信号DBI_0_F0UR〈0:n>的被延迟信号DBI_0_F0URD〈0:n>后,根据当第一电压逻辑电平数据为数据的少数时该第二电压逻辑电平的数据中是否已发生错误来二次确定是否执行数据反相。DBI控制单元2209可以还包括用于产生DBI控制信号DBI_CTR的第三确定组件ND2,其根据第一确定组件NDl和第二确定组件ANDl的确定结果来最终确定是否执行数据反相。
[0051]亦即,当第一电压逻辑电平数据为多数数
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