专利名称：固体摄象装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于数字照相机等中的MOS型的固体摄象装置。
在PD1中进行光电变换的信号电荷通过读出晶体管2被读出到用于储存信号电荷的存储区域即FD部。由读出到该FD部的电荷量来决定FD部的电位，并改变检测晶体管4的栅极电压，选择地址晶体管5，以此作为条件将信号电压取出到信号线6中。
根据
图17的现有技术，各单位像素具有纵向的2条配线(信号线6和漏极线7)；横向的3条配线(读出栅极线8、复位栅极线9和地址栅极线10)；4个晶体管(读出晶体管2、复位晶体管3、检测晶体管4和地址晶体管5)。可是，在像素微细化发展的情况下，为了提高各像素的开口率，必须削减配线总数。
根据特开平10-93070号公报所公开的技术，可以采用兼作读出和复位的栅极线。而且，使用共用的栅极线供给某像素(第1像素)的读出脉冲和在列方向与此相邻的像素(第2像素)的复位脉冲，并使读出晶体管的阈值电压比复位晶体管的阈值电压高，将3个脉冲值提供给兼作读出和复位的栅极线。
为了达到该目的，构成本发明的第1固体摄象装置，使用共用的栅极线供给提供给第1像素的读出晶体管的读出脉冲，提供给在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管的复位脉冲，并将第2像素复位时的第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的LOW电平电位设定为比第1像素的PD的电位深度更高的电位。通过该结构，在第2像素复位时，即使将脉冲提供给第1像素的读出晶体管，也可以防止第1像素中的从FD部向PD的电荷逆流。
并且，构成本发明的第2固体摄象装置，以便使用共用的栅极线向第1像素的读出晶体管中供给读出脉冲，向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管中供给复位脉冲，在第2像素复位时，将第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的LOW电平电位设定为比第1像素的PD的电位深度低的电位。通过该结构，在第2像素复位时，如果将脉冲供给到第1像素的读出晶体管中，能够发挥用于余象对策的所谓‘引发效果’。
在所述第1或第2固体摄象装置中，如果将把LOW电平电压提供给第1像素的复位晶体管的栅极时的该栅极下的电位设定为比所述第1像素的漏极区域的LOW电平电位更高的电位，就可以达到各种效果。
并且，构成本发明的第3固体摄象装置，以便使用共用的栅极线向第1像素的读出晶体管中供给读出脉冲，向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管中供给复位脉冲，并且，进行设定，使得供给到各像素的读出晶体管的栅极中的LOW电平电压变成比供给到该像素的复位晶体管中的LOW电平电压低的电压，通过该结构，可以防止电荷充满FD部时向PD部的逆流。
并且，构成本发明的第4固体摄象装置，以便使用共用的栅极线向第1像素的读出晶体管中供给读出脉冲，向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管中供给复位脉冲，在第2像素复位时，将第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的电位设定为HIGH电平电位，在第2像素中由光电变换得到的信号电荷通过读出晶体管被读出到储存区域中并且检测晶体管进行工作时，将第1像素的漏极区域的电位设定为LOW电平电位，并且，在将LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管的栅极中时，将该栅极下的电位设定为比第1像素的PD的电位深度高的电位。通过该结构，在第2像素复位时，即使将脉冲供给到第1像素的读出晶体管中，也可以防止第1像素中的从FD部向PD部的电荷逆流。而且，因为第2像素读出时的第1像素的漏极区域的电位是LOW电平电位，所以可以确保第1像素中的检测晶体管的断开状态。
并且，本发明的第5固体摄象装置将多个放大型单位像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)与兼作遮光膜的单一漏极层连接在一起。通过该结构可以削减每一个像素的漏极线。
图1是表示本发明的固体摄象装置的放大型单位像素的结构示例图。
图2是表示垂直移位寄存器的结构示例的电路图。
图3是表示用于驱动图1的放大型单位像素的驱动电路的结构示例的方框图。
图4是用于说明图3的驱动电路动作脉冲波形图。
图5A是表示图1的放大型单位像素中的各电位的相对位置的图，图5B~图5G是伴随图3的驱动电路的动作的同一像素的电位图。
图6是表示图4的动作变形例的脉冲波形图。
图7A～图7G是表示对应图6的、图5A～图5G的变形例的图。
图8是表示用于驱动图1的放大型单位像素的驱动电路的其他构成例的框图。
图9是用于说明图8的驱动电路动作的脉冲波形图。
图10A是表示图1的放大型单位像素中的各电位的相对位置的图；图10B～图10G是伴随图8的驱动电路动作的同一像素的电位图。
图11是表示图3及图8的驱动电路的具体构成例的电路图。
图12是用于说明图11的电路动作的脉冲波形图。
图13是表示图1的放大型单位像素的配线设计例的俯视图。
图14是表示图1的放大型单位像素的其他配线设计例的俯视图。
图15是表示本发明的其他固体摄象装置的构成例的剖视图。
图16是表示图3的构成的构成例的框图。
图17是表示现有固体摄象装置的一例的框图。
图1表示本发明的固体摄象装置的放大型单位像素的结构示例。在图1中，1是光电二极管(PD)，2是读出晶体管，FD是浮动扩散部，3是复位晶体管，4是检测晶体管，6是信号线，7是漏极线(VDD)，15是放大型单位像素，16是兼作读出和复位的栅极线，17是连接FD部和检测晶体管4的栅极的FD配线。假设兼作读出和复位的栅极线16为整数N时，第N行的像素的读出晶体管2的栅极和第(N+1)行的像素的复位晶体管3的栅极连接在一起。检测晶体管4与每一列都不同的信号线6连接在一起。并且，将每一行都不同的VDD电源脉冲供给到横向的漏极线7中。
根据图1，各单位像素15的结构被削减为纵向的1条配线(信号线6)；横向的2条配线(漏极线7、兼作读出和复位的栅极线16)；3个晶体管(读出晶体管2、复位晶体管3和检测晶体管4)。
图2表示垂直移位寄存器12的结构示例。Vin、T1和T2是从定时发生电路11供给的定时脉冲。在移位寄存器的各段中设置有电容器18，Sin1、Sin2和Sin3是移位寄存器各段的输出。
图3表示用于驱动图1的放大型单位像素15的驱动电路的结构示例。在图3中，20是垂直移位寄存器12的第N段，21是垂直移位寄存器12的第(N+1)段，22是电荷读出脉冲发生电路，23是复位脉冲发生电路，24是OR电路，25是VDD横配线电源电路。电荷读出脉冲发生电路22是用于发生垂直移位寄存器12的第N段输出SinN和以前的读出脉冲之间的AND信号的电路。复位脉冲发生电路23是用于发生垂直移位寄存器12的第(N+1)段输出Sin(N+1)和以前的复位脉冲之间的AND信号的电路。OR电路24是用于向栅极线16供给电荷读出脉冲发生电路22的输出和复位脉冲发生电路23之间的OR信号的电路。VDD横配线电源电路25是用于向漏极线7供给垂直移位寄存器12的第N段输出SinN和以前的电源脉冲之间的AND信号的电路。
图4是用于说明图3的驱动电路动作脉冲波形图。图4中的‘FD2的电位’表示图1的放大型单位像素(第1像素)15中的FD部的电位。并且，图5A是表示第1像素中的各电位的相对位置的图，图5B~图5G是伴随图3的驱动电路的动作的同一像素的电位图。图5B~图5G中的定时t1~t6分别与图4中的定时t1~t6相对应。在此，紧邻第1像素的第2像素在复位时，第1像素的漏极线7的LOW电平电位被设定为比第1像素的PD1的电位深度高的电位。并且，在将LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管3的栅极中的情况下，该栅极下的电位被设定为比漏极线7的LOW电平电位高的电位。因此，在第2像素复位时，即使将脉冲供给到第1像素的读出晶体管2中，例如，如图5E所示，可有效地去除第1像素中的PD1的不要电荷，其结果，可防止从FD部向PD1的电荷的逆流。而且，在图5C以外的状况下，为了能确保第1像素的检测晶体管4的断开状态，将供给到同一像素的读出晶体管2的栅极中的LOW电平电压设定为比供给到同一像素的复位晶体管3的栅极中的LOW电平电压低的电压。
在这种情况下，在从PD1读出的信号电荷储存在FD部中的期间和将该FD部的信号电荷进行复位期间中的至少1次，需要将漏极线7的电位设定为HIGH电平电位。为了实现电子快门功能而去除在PD1中得到的不要电荷的情况下，可以在从PD1读出的不要电荷储存在FD部中的期间和将该FD部的不要电荷进行复位期间，将漏极线7的电位设定为HIGH电平电位。但是，在对从PD1读出到FD部的不要电荷立即进行复位的情况下，可以在读出晶体管2和复位晶体管3同时导通期间，将漏极线7的电位设定为HIGH电平电位。为了实现隔行扫描显示，应该检出在列方向上相邻的2个像素以上的信号电荷，在1水平消隐期间内，可以将2行以上的漏极线7的电位设定为HIGH电平电位。
而且，也将第2像素复位时的第1像素的漏极线7的LOW电平电位设定为比第1像素的PD1的电位深度低的电位，并且，在向第1像素的复位晶体管3的栅极中供给LOW电平电压的情况下，将该栅极下的电位设定为比漏极线7的LOW电平电位高的电位。由此，在第2像素复位时，如果将脉冲供给到第1像素的读出晶体管2中，那么为了余象对策而将VDD的LOW电平电位设为PD的基准电位，能够发挥所谓的‘引发效果’。
图6是表示图4的动作变形例的脉冲波形图；图7A～图7G是表示对应图6的、图5A～图5G的变形例的图。如图6和图7A～图7G所示，即使只增大VDD的LOW电平电位与PD1的电位之间的差，也能够防止流向PD1的电荷逆流。此时，能够使提供给读出晶体管2和复位晶体管3的各个栅极的LOW电平电压为同一电压，并且能够简化制造工序。
图8表示用于驱动图1的放大型单位像素的驱动电路的其他结构示例。在图8中，30是第1电源脉冲发生电路，31是第2电源脉冲发生电路，32是VDD横配线电源OR电路。第1电源脉冲发生电路30是用于在第1期间中发生垂直移位寄存器12的第N段输出SinN和第1电源脉冲之间的AND信号的电路。第2电源脉冲发生电路31是用于在与第1期间连续的第2期间中发生垂直移位寄存器12的第(N+1)段输出Sin(N+1)和第2电源脉冲之间的AND信号的电路。VDD横配线电源OR电路32是用于向漏极线7供给第1电源脉冲发生电路30的输出和第2电源脉冲发生电路31之间的OR信号的电路。用于驱动栅极线16的电路结构与图3的情况相同。
图9是用于说明图8的驱动电路动作脉冲波形图。图9中的‘FD2的电位’表示图1的放大型单位像素(第1像素)15中的FD部的电位。在此，为了漏极线7的LOW电平电位不向PD1产生逆流，在图9中的定时t4~t6中，作为电荷读出脉冲发生电路22的输出和复位脉冲发生电路23的输出之间的OR信号的‘OR电路输出2’在定时t4后变为LOW，其后，VDD电源脉冲(VDD2)变为LOW电平(t5)。并且，图10A是表示第1像素中的各电位的相对位置的图，图10B~图10G是伴随图8的驱动电路动作的同一像素的电位图。图10B~图10G中的定时t1~t6分别与图9中的定时t1~t6相对应。在此，紧邻第1像素的第2像素在复位时，第1像素的漏极线7的电位被设定为HIGH电平电位，在第2像素中由光电变换得到的信号电荷通过读出晶体管2被读到FD部中并且检测晶体管4进行工作时(t5)，第1像素的漏极线7的电位被设定为LOW电平电位(在此为0)。并且，在将LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管3的栅极中的情况下，该栅极下的电位被设定为比第1像素的PD1的电位深度高的电位。因此，在第2像素复位时，即使将脉冲供给到第1像素的读出晶体管2中，例如，如图10E所示，可防止第1像素中的从FD部向PD1的电荷逆流。而且，如图10F所示，因为第2像素读出时的第1像素的漏极线7的电位是LOW电平电位，所以能够确保第1像素中的检测晶体管4的断开状态，能够防止信号线6中的输出信号的混合。而且，可以将复位晶体管3变成消耗型。并且，即使漏极线7的LOW电平电位变为零，也可以确保检测晶体管4的断开状态。
图11表示图3和图8的驱动电路的具体结构示例。在图11中，Cl和C2是电容器，SW1和SW2是开关，Tr1和Tr2是防止逆流用晶体管。图11的结构是通过由C1、SW1和Tr1组成的第1AND电路；由C2、SW2和Tr2组成的第2AND电路；以及该两个AND电路的输出的有线OR连接而构成的动态电路。例如，第1AND电路与电荷读出脉冲发生电路22相对应，第2AND电路与复位脉冲发生电路23相对应，有线OR连接与OR电路24相对应(参照图3)。在这种情况下，第1AND电路的2个输入φA和φT分别相当于垂直移位寄存器12的第N段输出SinN和以前的读出脉冲，第2AND电路的2个输入φX和φR分别相当于垂直移位寄存器12的第(N+1)段输出Sin(N+1)和以前的复位脉冲。在第1AND电路中，开关SW1将第1脉冲信号φA外加在电容器C1的其中一端(+侧)上。在该电容器C1的另一端(-侧)上外加第2脉冲信号φT。晶体管Tr1的栅极与电容器C1的其中一端(+侧)连接在一起，漏极与该电容器C1的另一端(-侧)连接在一起，信号源与有线OR连接点连接在一起。第2AND电路也具有相同的结构。φB和φY分别是用于控制开关SW1和SW2的开闭的信号。
图12是用于说明图11的电路中的第1AND电路动作脉冲波形图。根据图12，由控制信号φB使开关SW1处于闭合状态，到达第1脉冲信号φA的起立边缘，由此电容器C1被充电，断开开关SW1之后，电容器C1也保持充电电压(具有图11所示的极性的HIGH电平电压)。如果在该状态下到来第2脉冲信号φT，那么该信号的HIGH电平电压与电容器C1的充电电压重叠的结果是，晶体管Tr1导通，该脉冲信号φT流向有线OR连接点并消失。其后，在第1脉冲信号φA降下后，开关SW1再次闭合的结果是，电容器C1放电并返回到原状态。
根据图11中的各AND电路，可以防止从输出端向输入端的电荷逆流。因此，即使图2所示的垂直移位寄存器12中的电容器18处于充电状态，也不会产生对该垂直移位寄存器12工作的阻碍。但是，具有图11的逆流防止功能的动态电路不局限于本实施例的固体摄象装置，是具有广泛的应用范围的。
图13表示图1的放大型单位像素15中的配线轮廓示例。为了防止漏入光，对信号线6和漏极线7进行配线，使得它们在不同层进行交叉。具体地说，漏极线7和FD配线17由栅极线16(未图示)的上层的第1层金属构成，信号线6由比这更上层的第2层金属构成。在此，FD配线17是第1层的遮光性金属，信号线6是第2层的遮光性金属。也可以在信号线6的上面再设置遮光膜。而且，如果在同一配线层由例如多晶硅、聚硅化物、硅化物构成漏极线7和栅极线16，能够使叠积到半导体衬底上的积层变薄，所以可以改善PD1的开口中的聚光率。
图14表示图1的放大型单位像素15中的其他的配线轮廓示例。即使该例，为了防止漏入光，对信号线6和漏极线7进行配线，使得它们在不同层进行交叉。具体地说，信号线6和FD配线17由栅极线16(未图示)的上层的第1层金属构成，漏极线7由比这更上层的第2层金属构成。在此，FD配线17是第1层的遮光性金属，漏极线7是第2层的遮光性金属。也可以在漏极线7的上面再设置遮光膜。
图15表示本发明的其他固体摄象装置的结构示例。在图15的示例中，在多晶硅/铝配线40的上面形成VDD共用配线(单一的漏极层)41。即，图1的横向的漏极线7被进一步削减，各单位像素的漏极区域与兼作遮光膜的单一漏极层41连接在一起。具体地说，信号线和FD配线由栅极线(未图示)的上层的多晶硅/铝配线40构成，漏极层41由比这更上层的第2层金属构成。在此，FD配线是第1层的遮光性金属，漏极层41是第2层的遮光性金属。漏极层41也可以兼作光学暗盒部的盒状遮光膜。但是，图15的结构即使对于不具有兼作读出和复位的栅极线的固体摄象装置也能适用。
图16表示图3的结构的变形例。由图2可知，用于驱动垂直移位寄存器12的输入定时脉冲T1和T2变为移位寄存器各段的输出Sin(N)(N＝1、2、3、…)。根据图16，垂直移位寄存器12的第N段输出SinN不通过VDD横配线电源电路25(参照图3)直接驱动漏极线7。即，根据图16的示例，可以省略构成VDD横配线电源电路25的激励器，能够实现缩小半导体衬底的尺寸和低消耗功率化。也可以使用垂直移位寄存器12的各段输出来驱动兼作读出和复位的栅极线16。
并且，虽然所述实施例表示了晶体管是N型MOS的情况，但当晶体管是P型MOS的情况和CMOS的情况时也用相同的原理进行工作，能够实现同样的效果。并且，本发明不局限于所述实施例，可以采用单位像素、垂直移位寄存器和其驱动电路、配线和遮光膜的构造等各种组合作为实施例。另外，在所述实施例中，表示了N型光电二极管的情况，不用说，在P型光电二极管的情况下，各电压和电位的关系正好相反。
权利要求
1.一种固体摄象装置，将具有用于对各种入射光进行光电变换的光电变换区域、用于读出用所述光电变换得到的信号电荷的读出晶体管、用于储存所述读出的信号电荷的储存区域、用于通过将所述储存区域的电位施加在栅极上来检测所述读出的信号电荷的检测晶体管、用于对所述储存区域的信号电荷进行复位的复位晶体管、以及用于通过所述复位晶体管向所述储存区域供给脉冲电压的漏极区域的多个放大型单位像素，以二维形状排列在半导体衬底上，其特征在于其构成为使用共用的栅极线，向所述多个放大型单位像素中的第1像素的读出晶体管供给读出脉冲，向在列方向上与所述第1像素相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲；将所述第2像素复位时的所述第1像素的漏极区域的LOW电平电位设定为比所述第1像素的光电变换区域的电位深度更高的电位。
2.根据权利要求1所述的固体摄象装置，其特征在于把将LOW电平电压提供给所述第1像素的复位晶体管的栅极时的该栅极下的电位设定为比所述第1像素的漏极区域的LOW电平电位更高的电位。
3.一种固体摄象装置，将多个具有用于对各种入射光进行光电变换的光电变换区域、用于读出由所述光电变换得到的信号电荷的读出晶体管、用于储存所述读出的信号电荷的储存区域、用于通过将所述储存区域的电位施加在栅极上来检测所述读出的信号电荷的检测晶体管、用于对所述储存区域的信号电荷进行复位的复位晶体管、用于通过所述复位晶体管向所述储存区域供给脉冲电压的漏极区域的放大型单位像素，以二维形状排列在半导体衬底上，其特征在于其构成为使用共用的栅极线，向所述多个放大型单位像素中的第1像素的读出晶体管供给读出脉冲，向在列方向上与所述第1像素相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲；将所述第2像素复位时的所述第1像素的漏极区域的LOW电平电位设定为比所述第1像素的光电变换区域的电位深度更低的电位。
4.根据权利要求3所述的固体摄象装置，其特征在于把将LOW电平电压提供给所述第1像素的复位晶体管的栅极时的该栅极下的电位设定为比所述第1像素的漏极区域的LOW电平电位更高的电位。
5.一种固体摄象装置，在半导体衬底上将具有用于对各种入射光进行光电变换的光电变换区域、用于读出由所述光电变换得到的信号电荷的读出晶体管、用于储存所述读出的信号电荷的储存区域、用于通过将所述储存区域的电位施加在栅极上而检测出所述读出的信号电荷的检测晶体管、用于对所述储存区域的信号电荷进行复位的复位晶体管、用于通过所述复位晶体管向所述储存区域供给脉冲电压的漏极区域的多个放大型单位像素排列为二维形状，其特征在于其构成是使用共用的栅极线，向所述多个放大型单位像素中的第1像素的读出晶体管供给读出脉冲，向在列方向上与所述第1像素相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲，并且将提供给所述各像素的读出晶体管的栅极的LOW电平电压设定为比供给到该像素的复位晶体管的栅极中的LOW电平电压更低的电压。
6.根据权利要求1~5种任意1项所述的固体摄象装置，其特征在于还包括用于选择所述多个放大型单位像素中的某行的垂直移位寄存器；使用所述垂直移位寄存器的某段的输出来生成所述第1像素的读出脉冲，使用所述垂直移位寄存器的下一段的输出来生成所述第2像素的复位脉冲，并且将表示该生成的读出脉冲和复位脉冲的逻辑和的信号提供给所述共用的栅极线的电路。
7.根据权利要求6所述的固体摄象装置，其特征在于所述电路由2个AND电路、该两个AND电路的输出的有线OR连接而构成；所述2个AND电路分别具有电容器；用于为了对所述电容器进行充电而将第1信号外加到所述电容器的一端的开关；用于将第2信号外加到所述电容器的另一端的部件；栅极与所述电容器的其中一端连接、漏极与所述电容器的另一端连接、信号源与所述有线OR连接点连接的逆流防止用晶体管。
8.根据权利要求1~5所述任意1项的固体摄象装置，其特征在于所述多个放大型单位像素的漏极区域与每一行不同的漏极线连接，所述多个放大型单位像素的检测晶体管与每一列不同的信号线连接；并且，进行配线，使所述漏极线和所述信号线在相互不同的层中并且交叉。
9.根据权利要求8所述的固体摄象装置，其特征在于还包括用于选择所述多个放大型单位像素中的某行的垂直移位寄存器；使用所述垂直移位寄存器的某段的输出生成所述第1像素的读出脉冲，使用所述垂直移位寄存器的下一段的输出生成所述第2像素的复位脉冲，并且将表示该生成的读出脉冲和复位脉冲的逻辑和的信号供给到对应的共用栅极线的第1电路；将使用所述垂直移位寄存器的输出中的所述读出脉冲和同一段的输出而生成的电源脉冲供给到对应的行的漏极线中的第2电路。
10.根据权利要求8所述的固体摄象装置，其特征在于所述栅极线和所述漏极线在同一配线层中形成。
11.根据权利要求8所述的固体摄象装置，其特征在于连接所述储存区域和所述检测晶体管的栅极的配线由第1层的遮光性金属构成。
12.根据权利要求8所述的固体摄象装置，其特征在于连接所述储存区域和所述检测晶体管的栅极的配线，和所述漏极线由比所述栅极线更上层的第1层金属构成，并且所述信号线由比所述第1层金属更上层的第2层金属构成。
13.根据权利要求8所述的固体摄象装置，其特征在于连接所述储存区域和所述检测晶体管的栅极的配线，和所述信号线由比所述栅极线更上层的第1层金属构成；并且所述漏极线由比所述第1层金属更上层的第2层金属构成。
14.一种固体摄象装置，在半导体衬底上将具有用于对各种入射光进行光电变换的光电变换区域、用于读出由所述光电变换得到的信号电荷的读出晶体管、用于储存所述读出的信号电荷的储存区域、用于通过将所述储存区域的电位施加在栅极上来检测出所述读出的信号电荷的检测晶体管、用于对所述储存区域的信号电荷进行复位的复位晶体管、用于通过所述复位晶体管向所述储存区域供给脉冲电压的漏极区域的多个放大型单位像素排列为二维形状，其特征在于其构成为使用共用的栅极线，向所述多个放大型单位像素中的第1像素的读出晶体管供给读出脉冲，向在列方向上与所述第1像素相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲；将所述第2像素复位时的所述第1像素的漏极区域的电位设定为HIGH电平电位，并且，将在所述第2像素中，通过所述读出晶体管把由所述光电变换得到的信号电荷读出到所述储存区域中，所述检测晶体管进行工作时的所述第1像素的漏极区域的电位，设定为LOW电平电位，并且，将把LOW电平电压供给到所述第1像素的复位晶体管的栅极中时的该栅极下的电位，设定为比所述第1像素的光电变换区域的电位深度更高的电位。
15.根据权利要求14所述的固体摄象装置，其特征在于所述漏极区域的LOW电平电位是零。
16.一种固体摄象装置，在半导体衬底上，将具有用于对各种入射光进行光电变换的光电变换区域、用于读出由所述光电变换得到的信号电荷的读出晶体管、用于储存所述读出的信号电荷的储存区域、用于通过将所述储存区域的电位施加在栅极上而检测出所述读出的信号电荷的检测晶体管、用于对所述储存区域的信号电荷进行复位的复位晶体管、用于通过所述复位晶体管供给对所述储存区域的信号电荷进行复位的电压的漏极区域的多个放大型单位像素排列为二维形状，其特征在于所述多个放大型单位像素的漏极区域与兼作遮光膜的单一的漏极层连接。
全文摘要
一种固体摄象装置,在将浮动扩散(FD)型放大器内藏于像素中的MOS型传感器中,削减脉冲配线数,据此来提高开口率。因此,使用共用的栅极线,向第1像素的读出晶体管供给读出脉冲,向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲,将连接第2像素复位时的第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的漏极线的LOW电平电位,设定为比第1像素的光电二极管的电位深度更高的电位,并且,将把LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管的栅极中时的该栅极下的电位,设定为比所述漏极线的LOW电平电位更高的电位。
文档编号H01L27/146GK1374702SQ0210673
公开日2002年10月16日 申请日期2002年3月5日 优先权日2001年3月5日
发明者山口琢己, 菰渕宽仁 申请人:松下电器产业株式会社