专利名称：晶界层半导体陶瓷电容器制造方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元件技术领域，特指一种晶界层半导体陶瓷电容器制造方法。
本发明是通过如下技术方案实现的晶界层半导体陶瓷电容器制造方法，其特征在于该方法按下列步骤依次完成①按照配方范围0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2，0.001～0.01mol的Nb2O5配制瓷料。
②球磨成粉状，粒度＜1um。
③在1150℃～1250℃温度下煅烧。
④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO。
⑤球磨成粉状，粒度＜1um。
⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。
⑦冲片。
⑧排胶。
⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。
⑩被银电极。
本发明主晶相SrTiO3制备采用工业纯SrCO3与TiO2，成本低，助熔剂采用PbO、Bi2O3、B2O3、CuO，总体工艺简单，低温一次烧成，介电性能参数优于清华大学各项指标，更重要的是它适宜产业化生产。与美国专利US6292355中公开的SrTiO3晶界层电容器相比，在烧制过程中添加的助烧剂没有采用液相的BaO、CaO，采用了助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO，烧结温度降低约200℃，对制备工艺及设备的要求降低，生产成本也就降低了。同时整体介电性能参数更加优良。
②游星式球磨8小时，达到粒度＜1um。
③在1160℃温度下煅烧，形成主晶相SrTiCO3。
④在上述煅烧后的粉料中按配方每100g的SrTiCO3添加0.4g的MnCO3及5g的助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO。
⑤球磨24小时，粒度＜1um。
⑥按每100g球磨后的瓷料中，混合20g的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成0.35mm厚的薄片。冲5.5mm。
⑦冲压成Φ5.5mm的圆片素坯。
⑧圆片素坯经排胶处理。
⑨将排胶后的圆片置于还原烧结炉中，通入30％的H2与70％的N2混合流动气体，在1250℃温度下还原烧结4小时，使晶粒长大并半导体化，然后将温度降至1050℃，在空气中氧化处理60分钟，进行晶界绝缘化。
⑩在瓷片两端被覆银浆，形成电极。
这样得到的晶界层瓷片电容器的各项介电性能为ε≈30000tgδ≤0.015ρv≥1010Ω·cmαc≤±15％Uj≥800v/mm
本发明主晶相SrTiO3制备采用工业纯SrCO3与TiO2，成本低，总体工艺简单，低温一次烧成，介电性能参数优于清华大学各项指标，更重要的是它适宜产业化生产。与美国专利US6292355中公开的SrTiO3晶界层电容器相比，在烧制过程中添加的助烧剂没有采用液相的BaO、CaO，采用了助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO，烧结温度降低约200℃，对制备工艺及设备的要求降低，生产成本也就降低了。同时整体介电性能参数更加优良。
权利要求
1.晶界层半导体陶瓷电容器制造方法，其特征在于该方法按下列步骤依次完成①按照配方范围0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2，0.001～0.01mol的Nb2O5配制烧块。②球磨成粉状，粒度＜1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO。⑤球磨成粉状，粒度＜1um。⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电极。
全文摘要
本发明涉及电子元件技术领域,晶界层半导体陶瓷电容器按下列方法制成:①按照配方范围:0.95～1.05mol的SrCO
文档编号H01G13/00GK1389882SQ0211517
公开日2003年1月8日 申请日期2002年4月29日 优先权日2002年4月29日
发明者章士瀛, 王振平, 王守士 申请人:广东南方宏明电子科技股份有限公司