具有静电防护的封装模具的制作方法

文档序号:6938372阅读:243来源:国知局
专利名称:具有静电防护的封装模具的制作方法
技术领域
本发明涉及一种封装模具,具体地说,本发明涉及一种具有静电防护的封装模具。
二承载部12、13用以承载具有芯片的基底,一个承载部12承载五个基底,该等承载部12、13连接至该等流道116、117,接收来自流道的封胶,以封装承载部12、13上所承载的基底及芯片。该现有的承载部12、13分别具有承载面121、131与基底接触,且该承载面121、131的表面均为光滑的镜面。
由于不同材质间物体接触后再分离时,通常在两者的接触面间会产生静电。因此,当封胶封装后,要与该下模具1分离时,基底与该承载部的承载面121、131间会产生极大的静电,通常分离时产生的静电约为1KV/in。且若两者的接触面积越大,则分离时所产生的静电就越大。
同样地,在流道内的封胶与该模具1的流道116、117分离时,也会在两者的接触面产生静电,通常该静电约为2KV/in。
因此,有必要提供一种创新且富进步性的具有静电防护的封装模具,以解决上述问题。
本发明的目的在于提供一种具有静电防护的封装模具,包括一套筒区及至少一承载部。该套筒区具有多个套筒及流道,每一个套筒分支连通至该等流道,封胶由各该等套筒压注至该等流道。承载部用以承载多个基底,承载部连接至该等流道,接收来自流道的封胶,以封装该等基底上的芯片,各该等承载部具有一承载面与该等基底接触,该承载面具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时该等基底与该承载面间的静电,使封装后的芯片不致因静电过高而损坏。
本发明的另一目的在于提供一种具有静电防护的封装模具,该封装模具的该等流道具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时流道内的封胶与流道间的静电。
二承载部22、23用以承载具有芯片的基底(图未示出),每一个承载部22或23承载五个基底,该等承载部22、23连接至该等流道,接收来自流道的封胶,以封装承载部22、23上所承载的基底及芯片。该等承载部22、23分别具有一承载面221、231,分别用以与基底接触。
为减少与该等基底接触的面积,将承载面221、231的表面施以粗糙化处理(roughing)。因此,当封胶封装后,基底与该封装模具2分离时,基底与该承载部的承载面间的接触面积大大地降低,而使得分离时基底与该承载面间产生的静电大幅地降低。经实验量测所得的结果,该静电可降低至25V/in以下。相较于现有的封装模具1(如

图1所示)于分离时所产生的静电通常约为1KV/in,本发明的封装模具2对于基底与承载面221、231间静电的改善相当显著。
同样地,本发明将封装模具2的流道216、217等的表面作粗糙化处理,以减少流道内的封胶与流道216、217表面的接触面积,使在流道内的封胶与流道216、217分离时,在封胶与流道216、217表面的静电能被降低。经实验量测所得的结果,该静电可降低至400V/in以下。相较于现有的封装模具1于其分离时所产生的静电约为2KV/in,本发明的封装模具2对于封胶与流道216、217间静电的改善也相当显著。
为使承载部的承载面及流道的表面粗糙化处理数据化,兹以中心线平均粗糙度(Ra)表示该表面粗糙化的处理程度,参考图3,该中心线平均粗糙度的定义为若从加工面的粗糙曲线上,截取一段测量长度L,并以该长度内粗糙深的中心线为x轴,取中心线的垂直线为y轴,则粗糙曲线可用y=f(x)表示。以中心线为基准将下方曲线反折。然后计算中心线上方经反折后的全部曲线所涵盖面积(图中的斜线部份),再以测量长度除之。所得数值以μm为单位,即为该加工面测量长度范围内的中心线平均粗糙度值,其公式定义如下式(1)所示Ra=1L∫0t|f(x)|dx---(1)]]>参考图4,将图3的粗糙曲线y=f(x)沿中心线方向细分等间隔后取各分段点所对应的y值,利用下列式(2)可得到Ra的近似值Ra≅y1+y2+y3+···+ynnΣt=1ytn---(2)]]>依据上述中心线平均粗糙度的定义,现有的封装模具1承载部12的承载面121为光滑如镜的表面,其中心线平均粗糙度的范围为0.010至0.20之间。本发明的最佳表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度的范围为0.25至1.6之间。实际上,并非该表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度的范围值越高就越好,若该中心线平均粗糙度的值过高,参考图5所示,则软化的热封胶51将顺着该粗糙化表面52的起伏流动,并依该表面的粗糙化形状逐渐硬化,故若该中心线平均粗糙度的值很高,反而将加大封胶51与粗糙化表面52的接触面积,将造成更差的结果。
参考图6所示,若该中心线平均粗糙度适当,则封胶61不会顺着该粗糙化表面62的起伏流动,封胶61与粗糙化表面62的接触面积由面的接触减少至点的接触,因而减少两者分离时所产生的静电。经多次实验的结果,本发明的最佳表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度的范围为0.25至1.6之间,且可利用喷砂等方式完成该表面粗糙化处理。
如图7所示,本发明第二实施例的具有静电防护的封装模具7的套筒区71除了套筒711、712所在位置外,其余均做表面粗糙化处理。亦即,不仅该封装模具7的流道做粗糙化处理,该套筒区71的所有表面均做粗糙化处理。无论流道的形状如何(流道的形状由封装模具的上模具决定),本发明的第二实施例封装模具7均可适用,以达到降低静电的功效。
上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效,而非限制本发明。因此,本领域普通技术人员可在不违背本发明的精神的情况下,对上述实施例进行修改及变化。本发明的保护范围应以权利要求为准。
权利要求
1.一种具有静电防护的封装模具,其特征在于,包括一套筒区,具有多个套筒及流道,每一个套筒分支连通至该等流道,封胶即由各该等套筒压注至该等流道;及至少一承载部,用以承载多个具有芯片的基底,该等承载部连接至该等流道,接收来自流道的封胶,以封装该等基底上的芯片,各该等承载部具有一承载面与该等基底接触,该等承载面具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时该等基底与该承载面间所产生的静电。
2.如权利要求1所述的封装模具,其特征在于该套筒区具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时流道内的封胶与流道间的静电。
3.如权利要求1所述的封装模具,其特征在于该等流道具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时流道内的封胶与流道间的静电。
4.如权利要求1、2或3所述封装模具,其特征在于该等承载面及流道的表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度范围为0.25至1.6之间。
全文摘要
本发明公开了一种具有静电防护的封装模具,包括一套筒区及至少一承载部。该套筒区具有多个套筒及流道,每一个套筒分支连通至该等流道,封胶即由各该等套筒压注至该等流道。承载部用以承载多个基底,并连接至该等流道,接收来自流道的封胶,以封装该等基底上的芯片。各该等承载部具有一承载面与该等基底接触,该承载面具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时该等基底与该承载面间的静电。此外,该封装模具的该等流道具有表面粗糙化处理,从而减少封装后离模时流道内的封胶与流道间的静电。使封装后的芯片不致因静电过高而损坏,从而提高封装的良好率。
文档编号H01L21/56GK1479358SQ0214207
公开日2004年3月3日 申请日期2002年8月26日 优先权日2002年8月26日
发明者李孟苍, 罗光淋 申请人:日月光半导体制造股份有限公司
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