专利名称：新型有机半导体聚合物和使用该聚合物的有机薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种新的有机半导体聚合物和使用该聚合物的有机薄膜晶体管，特别是涉及一种组合结构的聚噻吩基噻唑衍生物，其中具有高的电子亲合性的噻唑环，也就是n-型半导体性能，与具有p-型半导体性能的噻吩单元相组合，因此显示p-型和n-型半导体特性。
相关技术的描述最近，已积极地研究小分子的诸如并五苯作为有机半导体材料的用途。另一方面，特别关注于集中于聚噻吩的高分子。高分子引人注目是由于其与低分子相比较具有低的电荷迁移率和可加工性。另外，由于高分子有机半导体材料能以溶液的形式应用，这和低分子不一样，它们能通过丝网印刷、墨水喷射、和滚动印刷技术而形成薄膜。这种高分子有机半导体材料有助于在塑料膜上以低成本制造大面积晶体管。
Cambridge大学、Seiko Epson公司、Philips公司等，已经使用聚噻吩基材料诸如P3HT(聚(3-己基噻吩))或F8T2(包括二辛基芴和并噻吩(其比例为8∶2)的共聚物)制造了高分子有机薄膜晶体管的实验样品。这些有机薄膜晶体管(在下文中称为‘OTFT’)具有约0.02cm2/Vs的低电荷迁移率，这不及上述的并五苯，但不需要高的工作频率并能以低成本制造成薄膜晶体管。为了OTFTs的工业化，必须满足重要的参数，如可接受的开/关电流比例和高的电荷迁移率。特别地，为提高开/关电流比例，断路漏电必须尽可能减到最低程度。为了改善这些性能用不同的方法作出了很多努力。LucentTechnologies公司的科学研究组报告了在利用一种n-型无机半导体材料和一种p-型有机半导体材料的组合物作为活性层(美国专利NO.5 625 199)来改善OTFT设备中的参数的结果。然而，这在制作过程中与常规的硅基TFT过程相比较并无优点，并且不适合用于OTFT装置的大规模生产。同样地，满足高的电荷迁移率和断路状态下低电流损失的要求的高分子量的OTFTs迄今未见报道。
发明概述本发明的一个目的是提供一种有机半导体聚合物，其中具有n-型半导体性能的单元与具有p-型半导体性能的单元相结合以使聚合物具有n-型电子性能。
本发明的另一目的是提供一种聚噻吩基噻唑衍生物，其中具有n-型半导体性能的噻唑环与具有p-型半导体性能的噻吩单元相结合以使聚合物具有n-型电子性能。
本发明还有一目的是提供一种制备上述聚噻吩基噻唑衍生物的方法。
本发明还有一目的是提供一种利用上述组合结构的半导体聚合物制成的具有低漏电的有机薄膜晶体管。
根据本发明的一个目的，提供一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该薄膜晶体管在聚合物的主链中含有一个表示n-型半导体性能的单元和一个表示p-型半导体性能的单元。
根据本发明的另一个目的，提供一种以下化学式1所示的聚噻吩基噻唑衍生物， 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1～12直链、支链或环烷基)；并且l是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要l和m的和等于1。
根据本发明的另一个目的，提供一种用于制备以下化学式1所示的聚噻吩基噻唑衍生物的方法 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1-12直链、支链或环烷基)；并且l是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要l和m的和等于1，该聚噻吩基噻唑衍生物是通过下化学式2所示的单体和选择性地混入下化学式3所示的单体在下化学式4所示的催化剂存在条件下、在氮气气氛中、温度60～80℃下聚合48～72小时而形成的， 式2中，R1到R4的定义与化学式1相同，X是卤素原子， 式3中，R5的定义与化学式1相同，X是卤素原子，Ni(O)Lm(4)式4中，Lm表示至少两种选自于cod(1，5-环辛二烯)、2，2’-联吡啶、和三苯基膦的配体化合物。
根据本发明的另一个目的，提供一种具有栅电极、栅绝缘层、有机活性层和源极/漏极组成的薄膜晶体管，其中有机活性层由包含一个表示n-型半导体性能的单元和一个表示p-型半导体性能的的单元的有机半导体聚合物组成。
本发明的上述的和其它的目的、特征和其它优点从下面的结合附图的详细描述中可理解得更清楚，其中图1表示在本发明的一个实施例中所制备的设备结构的剖面图；图2表示本发明的制备例5中合成的四聚物的1H-NMR谱；图3表示本发明的制备例6中合成的四聚物的1H-NMR谱；图4表示本发明的制备例7中制备的聚噻吩基噻唑衍生物的1H-NMR谱；图5表示本发明的制备例8中制备的聚噻吩基噻唑衍生物的1H-NMR谱；图6表示本发明的制备例9中制备的聚噻吩基噻唑衍生物的1H-NMR谱；图7表示由本发明的制备例7中制备的聚噻吩基噻唑衍生物制造的设备的电流传输曲线(p-型)；图8表示由本发明的制备例7中制备的聚噻吩基噻唑衍生物制造的设备的电流传输曲线(n-型)；和图9表示由聚己基噻吩制造的设备的电流传输曲线。
发明的详细描述。
在下文中，将详细描述本发明。
本发明的有机半导体聚合物具有表示n-型半导体性能的单元和p-型半导体性能的单元相结合的组合结构。
作为一种有机半导体聚合物，优选的是有噻唑环加入聚噻吩衍生物主链的结构的聚噻吩基噻唑衍生物。该聚噻吩基噻唑衍生物由以下化学式1所表示
其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1～12直链、支链或环烷基)；并且l是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要l和m的和等于1。
本发明的聚噻吩基噻唑衍生物可通过下化学式2所示单体的均聚或下化学式2所示单体与下化学式3所示单体的共聚而制备 式2中，R1到R4的定义与化学式1相同，X是卤素原子， 式3中，R5的定义与化学式1相同，X是卤素原子，化学式2表示的由两个噻唑环和两个噻吩环构成的四聚物是利用并噻吩作为初始原料通过多步反应而合成的，如下列反应方案1所描述反应方案1 根据各步骤解释该反应。
首先，初始原料并噻吩用试剂如N-溴丁二酰亚胺(NBS)在溶剂如DMF、四氯化碳(CCl4)或乙酸中进行卤化反应以高产率合成化合物(1)。化合物(1)与氰化铜(CuCN)反应制备化合物(2)，该化合物(2)然后与二硫代磷酸O，O’-二乙醚和卤代烷酮进行卤化而制备含有噻唑环的化合物(4)。该化合物(4)用与制备化合物(1)相同方法进一步卤化而制备化合物(5)。
根据本发明，可在有机过渡金属如镍或钯存在的条件下使用化学或电化学的氧化聚合或缩聚来制备聚噻吩基噻唑衍生物。这两种方法对芳香杂环化合物都是有代表性的聚合过程。特别是，就高度区域规整性而言，优选的是在镍(O)化合物存在的条件下进行缩聚，该镍(O)化合物是通过比例为1∶1的Ni(cod)2和共-配体诸如2，2’-联吡啶或三苯基膦的反应来制备。该镍(O)化合物是一种混合的配位化合物并用下化学式4表示Ni(O)Lm(4)其中，Lm表示至少两种选自cod(1，5-环辛二烯)、2，2’-联吡啶、和和三苯膦中的配体化合物。
在镍(O)化合物存在的条件下，按照如下反应方案2进行缩聚反应方案2 特别是，缩聚是在氮气气氛中温度60～80℃下进行48～72小时。这时，甲苯、二甲基甲酰胺(DMF)等可用作聚合溶剂。这样制备的聚噻吩基噻唑衍生物具有10000～70000的数均分子量。
本发明的有机半导体聚合物可用作构成活性层的新型有机半导体材料来制备OTFT设备。OTFT结构的具体实施例包括，但不限于，基体/栅电极/栅绝缘层/有机活性层/源-漏极，和基体/栅电极/栅绝缘层/源-漏电极/有机活性层。
本发明的有机半导体聚合通过丝网印刷、印刷、旋转涂覆、浸渍或墨水喷雾可形成薄膜。
构成OTFT设备的栅绝缘层可用常用的具有高介电常数的绝缘体制造。绝缘体的具体实例包括，但不限于，铁电绝缘体，如Ba0.33Sr0.66TiO3(BST钛酸锶钡)、Al2O3、Ta2O5、La2O5、Y2O3、TiO2等；无机绝缘体，如PbZr0.33Ti0.66O3(PZT)、Bi4Ti3O12、BaMgF4、SrBi2(TaNb)2O9、Ba(ZrTi)O3(BZT)、BaTiO3、SrTiO3、Bi4Ti3O12、SiO2、SiNx、AlON等；和有机绝缘体，如聚酰亚胺、BCB(苯并环丁烯)、聚对亚苯基二甲基、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚等。
栅电极可用常用的金属制造。金属的具体实例包括金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、氧化锡铟(ITO)、铝(Al)、铬(Cr)等，但不限于此。
源和漏电极可用常用的金属制造。金属的具体实例包括金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、氧化锡铟(ITO)、铬(Cr)等，但不限于此。
基体可用玻璃、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚醚砜(PES)等制造，但不限于此。
在下文中，参考下列实施例更详细地解释本发明。然而，这些实施例用于说明解释，并不限于此。
制备例12，5-二溴并噻吩(1)的合成10g(60mmol)并噻吩用300mL乙酸稀释，然后逐渐加入22g(0.12mol)N-溴丁二酰亚胺(在下文中，称为‘NBS’)。当发生放热反应时获得固体沉淀物。反应混合物在室温下反应3小时，倒入到碳酸钠水溶液中以终止反应。生成的混合物用甲苯萃取并用水洗涤后、获得的有机层用无水硫酸镁干燥、过滤和减压蒸馏，以制备得到未提纯的灰色固体状的标题化合物。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ(ppm)6.84(d，2H，J＝3.8Hz)，6.95(d，2H，J＝3.8Hz)制备例22，5-二氰基并噻吩(2)的合成由制备例1制备的化合物(1)和11.8g(0.13mmol)氰化铜(CuCN)加入到含有150mL DMF的反应器中。该混合物回流4小时。反应完成后，将氯化铁(FeCl3)、浓盐酸和蒸馏水(48g12mL72mL)的混合物加入到反应器中并加热到60～70℃保持30分钟以粉碎络合物(RCN-Cu络合物)。该热溶液用甲苯萃取，获得的有机层用50％的盐酸洗涤，获得的有机层用无水硫酸镁干燥、过滤和减压蒸馏，制备得到1.67g固体状的标题化合物。
1H-NMR(300MHz，DMSO-d6)δ(ppm)7.70(d，2H，J＝4.0Hz)，8.02(d，2H，J＝4.0Hz)制备例32，5-二硫代酰胺并噻吩(3)的合成
1.67g(7.72mmol)由制备例2制备的化合物(2)和7.2mL(38.6mmol)二硫代磷酸O，O’-二乙醚加入到22mL THF/蒸馏水(10∶1)的混合物中。该反应混合物回流8小时。随着温度的升高，获得更多的固体沉淀物。这样获得的沉淀物冷却到室温，用乙酸乙酯和丙酮洗涤，过滤，制备得到1.84g橙色固体的标题化合物。
1H-NMR(300MHz，DMSO-d6)δ(ppm)7.46(d，2H，J＝4.1Hz)，7.65(d，2H，J＝4.1Hz)，9.49(s，2H)，9.69(s，2H)制备例42，5-二噻唑并噻吩(4)的合成1.84g(6.47mmol)由制备例3制备的化合物(3)和4g(19.4mmol)溴辛酮加入到12mL DMF(0.5M)中。该反应混合物回流2小时，并用水洗涤。然后，获得的有机层用无水硫酸镁干燥，过滤和减压蒸馏，并通过色谱柱纯化(洗脱液(eleunt)100％甲苯)，制备得到1.6g黄色固体状的标题化合物。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ(ppm)0.90(t，6H，J＝7.0Hz)，1.25-1.41(m，12H)，1.71-1.80(m，4H)，2.79(t，4H，J＝7.7Hz)，6.81(s，2H)，7.17(d，2H，J＝3.9Hz)，7.38(d，2H，J＝3.9Hz)制备例5由噻唑和噻吩环构成的单体(5)(R2，R3＝H)的合成1.6g(0.6mmol)由制备例4制备的化合物(4)用30mL乙酸稀释，然后将1.2g(6.71mmol)NBS缓慢加入。当发生放热反应时，获得黄色固体沉淀。该反应混合物在室温下反应3小时后，小心地倒入碳酸钠水溶液中以终止反应。生成物用乙酸乙酯萃取并用水洗涤。获得的有机层用无水硫酸镁干燥，过滤和减压蒸馏，并重结晶，制备得到黄色固体状的标题化合物。化合物5的1H-NMR谱(CDCl3)如图2所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ(ppm)0.90(t，6H，J＝7.0Hz)，1.25-1.41(m，12H)，1.67-1.80(m，4H)，2.74(t，4H，J＝7.7Hz)，7.16(d，2H，J＝3.9Hz)，7.31(d，2H，J＝3.9Hz)制备例6由噻唑和噻吩环构成的单体(5)(R2，R3＝n-C6H13)的合成除了初始原料是3，4-己基并噻吩外，其过程与制备例1到5相同。
化合物(5)的1H-NMR谱(CDCl3)如图3所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ(ppm)0.89(m，12H)，1.27-1.41(m，24H)，1.63-1.73(m，8H)，2.65(t，4H，J＝7.7Hz)，2.83(t，4H，J＝7.7Hz)，6.93(s，2H)。
制备例7聚合物1的制备1.044g(3.8mmol)的Ni(cod)2，0.59g(3.8mmol)联吡啶和0.45g环辛二烯在氮气气氛中注入含有无水DMF(10mL)的反应器。该混合物在60℃下搅拌30分钟。将1.25g(1.9mmol)由制备例5制备得到的单体(5)(R2，R3＝H)和40mL无水甲苯加入反应器，然后在80℃下搅拌约48小时。反应结束后，反应液冷却到室温并转移到氨水/甲醇(1/2，约1.2L)的混合物中。生成的混合物搅拌约12小时，然后减压过滤，获得粗产品。该粗产品溶解于甲苯中，在甲醇中沉淀数次，在60℃下干燥24小时，制备得到0.25g聚合物1(产率＝26％；Mn＝20000)。聚合物1的1H-NMR谱(CDCl3)示于图4。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ(ppm)1.21(3H，CH3)，1.30(6H，(CH2)3)，1.73(2H，CH2)，2.69(2H，CH2)，7.24(2H，噻吩-H)，7.40(2H，噻吩-H)。
制备例8聚合物2的制备1.75g(6.4mmol)的Ni(cod)2，1.00g(6.4mmol)联吡啶和0.76g环辛二烯在氮气气氛中注入含有10mL无水DMF的反应器中。该混合物在60℃下搅拌30分钟。将0.70g(1.06mmol)由制备例5制备得到的单体(5)(R2，R3＝H)、0.69g(2.1mmol)二溴己基噻吩和60mL无水甲苯加入反应器，然后在70℃下搅拌约48小时。反应结束后，反应液冷却到室温并转移到氨水/甲醇(1/2，约1.2L)的混合物中。生成的混合物搅拌约12小时，然后减压过滤，获得粗产品。该粗产品溶解于甲苯中，在甲醇中沉淀数次，在60℃下干燥24小时，制备得到0.17g聚合物2(产率＝24％；Mn＝22000)。聚合物2的1H-NMR谱(CDCl3)示于图5。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)d(ppm)0.84-0.88(br，6H，-CH3)，1.23-1.27(br，12H，-(CH2)3-)，1.71(s，4H，-CH2-)，2.80(br，4H，噻唑-CH2)，7.50(s，2H，噻吩-H)。
制备例9聚合物3的制备1.044g(3.8mmol)的Ni(cod)2，0.59g(3.8mmol)联吡啶和0.45g环辛二烯在氮气气氛中注入含有10mL无水DMF的反应器中。该混合物在60℃下搅拌30分钟。将1.25g(1.9mmol)由制备例6制备得到的单体(5)(R2，R3＝n-C6H13)和40mL无水甲苯加入反应器中，然后在80℃下搅拌约48小时。反应结束后，反应液冷却到室温并转移到氨水/甲醇(1/2，约1.2L)的混合物中。生成的混合物搅拌约12小时，然后减压过滤，获得粗产品。该粗产品溶解于甲苯中，在甲醇中沉淀数次，在60℃下干燥24小时，制备得到0.25g聚合物3(产率＝26％；Mn＝20000)。聚合物3的1H-NMR谱(CDCl3)示于图6。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ(ppm)0.89(12H，CH3)，1.31(24H，(CH2)3)，1.74(8H，CH2)，2.70(4H，噻吩-CH2)，2.89(4H，噻唑-CH2)，7.13(2H，噻吩-H)。
1)制造OTFT装置实施例首先，将作为栅电极的铬通过溅射过程沉积到预先清洗过的玻璃基体上，沉积厚度1000埃，然后将作为栅绝缘层的SiO2通过CVD过程沉积到栅电极上，沉积厚度1000埃。作为源-漏电极的ITO通过溅射过程沉积到栅绝缘层上，沉积厚度1200埃。生成的结构用异丙醇清洗10分钟，并干燥。然后，浸入到10mM十八烷基三氯硅烷的氯仿溶液中30秒钟，用丙酮洗涤，并干燥。由制备例7到9制备得到的聚合物1到3分别溶解在氯仿中，浓度为1wt％。每一种溶液以1000转/分钟下施加到所得的结构上，厚度1000埃，在氩气气氛中100℃下烘烤1小时制备如图1所示的OTFT装置。
比较例一OTFT装置，除了用市售的Aldrich的聚己基噻吩作为有机半导体材料使用外，用上述实施例相同的方式进行制造。
2)OTFT装置的电学性能的评估实施例和比较例中制造的装置的电荷迁移率由装置的电流传输曲线计算，用半导体特征体系(4200-SCS，KEITHLER公司)作图。图7和8分别表示由聚合物1制造的装置测得的p-型和n-型电流传输曲线。图9表示由聚己基噻吩制造的装置测得的电流传输曲线。
装置的电荷迁移率通过下列在饱和区的电流方程式计算得到ISD=WC02Lμ(VG-VT)2]]>转换该方程式为表示(ISD)1/2和VG的关系的另一种方程式，电荷迁移率最终通过下列方程的斜率而计算得到。
ISD=μC0W2L(VG-VT)]]>
*ISD源-漏电流，μFET电荷迁移率，C0绝缘层的电容量，W信道频宽，L信道长度，VG栅电压，VT阀电压。
通过测定断路状态下的电流确定断路漏电。
表1
从表1可以看出，其中具有高电子亲合性的噻唑环与聚噻吩衍生物结合的聚噻吩基噻唑衍生物显示明显降低的断路漏电。Ion/Ioff的比例也增加了约1数量级。
在表示电流传输性能的图7和8中，上述实施例中制造的OTFT装置显示出OTFT性能，也就是说，能在正负栅电压下均起作用。这些图显示本发明的聚噻吩基噻唑衍生物具有p-型和n-型组合结构，这是在OTFT的常规高分子半导体材料中没有见到过。
虽然公开了本发明优选的实施例以解释目的，本领域普通技术人员可在不脱离本发明权利要求中公开的范围和精神下进行各种可能的修改、补充和替代。
权利要求
1.一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该薄膜晶体管在聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元和一种表示p-型半导体性能的单元。
2.根据权利要求1的有机半导体聚合物，其特征在于，该有机半导体聚合物是如下化学式1所示的聚噻吩基噻唑衍生物， 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1～12直链、支链或环烷基)；并且1是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要1和m的和等于1。
3.一种制备下化学式1所示的聚噻吩基噻唑衍生物的方法， 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1～12直链、支链或环烷基)；并且l是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要l和m的和等于1，该聚噻吩基噻唑衍生物是通过下化学式2所示的单体和选择性地混入下化学式3所示的单体在下化学式4所示的催化剂存在条件下、氮气气氛中、温度60～80℃聚合48～72小时而形成的， 式2中，R1到R4的定义与化学式1相同，X是卤素原子， 式3中，R5的定义与化学式1相同，X是卤素原子，Ni(O)Lm(4)式4中，Lm表示至少两种选自cod(1，5-环辛二烯)、2，2’-联吡啶、和和三苯膦的配体化合物。
4.一种有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包含有栅电极、栅绝缘层、有机活性层和源/漏电极组成，其中该有机活性层由有机半导体聚合物组成，该有机半导体聚合物由一种表示n-型半导体性能的单元和一种表示p-型半导体性能的的单元所组成。
5.根据权利要求4的有机薄膜晶体管，其特征在于所述有机半导体聚合物是由化学式1所表示的聚噻吩基噻唑衍生物， 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1-9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1-12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1-12直链、支链或环烷基)；并且l是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要l和m的和等于1。
6.根据权利要求4的有机薄膜晶体管，其特征在于有机活性层是通过丝网印刷、印刷、旋转涂覆、浸渍或墨水喷雾形成薄膜。
7.根据权利要求4的有机薄膜晶体管，其特征在于所述的绝缘层由选自包括Ba0.33Sr0.66TiO3(BST钛酸锶钡)、Al2O3、Ta2O5、La2O5、Y2O3和TiO2的铁电绝缘体；包括PbZr0.33Ti0.66O3(PZT)、Bi4Ti3O12、BaMgF4、SrBi2(TaNb)2O9、Ba(ZrTi)O3(BZT)、BaTiO3、SrTiO3、Bi4Ti3O12、SiO2、SiNx和AlON的无机绝缘体和包括聚酰亚胺、BCB(苯并环丁烯)、聚对亚苯基二甲基、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇和聚乙烯苯酚的有机绝缘体材料所制成。
8.根据权利要求4的有机薄膜晶体管，其特征在于基体由选自玻璃、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚醚砜(PES)中的材料制成。
9.根据权利要求4的有机薄膜晶体管，其特征在于所述的栅电极是由选自金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、铝(Al)、氧化锡铟(ITO)、铬(Cr)的材料制成；所述的源和漏电极是由选自金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、氧化锡铟(ITO)、铬(Cr)中的材料制成。
全文摘要
本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n－型半导体性能的单元与一种表示p－型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
文档编号H01L51/00GK1511863SQ200310124730
公开日2004年7月14日 申请日期2003年12月26日 优先权日2002年12月26日
发明者李芳璘, 郑银贞, 慎重汉, 具本原, 姜仁男, 李芳 申请人:三星电子株式会社