专利名称：分割半导体晶片的方法
技术领域：
本发明涉及分割具有在正面以网格方式形成的许多间隔以及在许多区域中形成的电路的半导体晶片的方法，这些区域通过许多间隔隔开成单个半导体芯片。
背景技术：
在半导体器件的生产工艺中，例如，半导体芯片由形成在许多区域中的像IC，LSI或诸如此类的电路制造而成，这些区域通过以网格方式形成在大体为圆片形的半导体晶片的正面上的间隔(切割线)隔开并且沿着间隔分为带有形成于其中的电路的区域。切片机通常被用作分割半导体晶片的分割机械，切片机用厚度约为20μm的切割刀片切割半导体晶片。这些半导体芯片被封装而广泛地用于如蜂窝电话和个人计算机这样的电子装置中。
由聚酰亚胺树脂等构成、厚度为20-40μm用于管芯键合的键合膜粘附于半导体芯片的背面，以便通过加热，经键合膜使得半导体芯片可以键合至支撑半导体芯片的导线框架。为了粘附用于管芯键合的键合膜至半导体芯片的背面，键合膜被粘附于半导体晶片的背面，沿着形成于正面上的间隔用切割刀片切割半导体晶片，与键合膜一同形成具有粘附至其背面的键合膜的半导体芯片。当半导体芯片键合至支撑半导体芯片的导线框架时，由于用于管芯键合的键合膜已经粘附至半导体芯片的背面，键合工艺可以顺利地实施。
然而，当半导体晶片用切割刀片如上述切割时，由于在半导体芯片的切割面上同时产生碎屑或裂纹，考虑到裂痕或裂缝的影响，每个间隔的宽度设为约50μm。因而，当每个半导体芯片的尺寸减小时，就增加了半导体芯片中间隔的份额，从而导致了产量的减少。进而，用切割刀片切割涉及限定馈送速度和半导体芯片被切割碎屑污染的问题。
同时，如日本专利JP-A 6-120334揭示了沿间隔应用激光束着手进行切割半导体晶片。
在通过使用激光束切割半导体晶片的方法中，没有裂痕或裂缝的干扰，不产生切割碎屑，由于沿间隔应用激光束切割半导体晶片，可以增加馈送速度。
当沿间隔施加激光束至半导体晶片时，半导体晶片被分割成单个半导体芯片，使用具有较低的输出的激光束使得形成在半导体晶片上的电路不因加热而遭致损坏。相应地，这涉及了用于管芯键合的粘附至半导体晶片背面的键合膜不能与半导体晶片一同分割的问题。
发明概述本发明的目的是提供分割半导体晶片的方法，沿着具有用于管芯键合的粘附至背面的键合膜的半导体晶片的间隔，在通过应用激光束把半导体晶片分割成半导体芯片之后，通过划开相应于半导体芯片用来管芯键合的键合膜，能够把半导体芯片相互移除开来。
为实现上述目的，依据本发明，提供分割具有在正面以网格方式形成的许多间隔和形成在许多区域中形成的电路的半导体晶片的方法以及，这些区域通过许多间隔隔开成单个半导体芯片，包括将用于管芯键合的键合膜粘附于半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带于背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤。
从粘贴了保护性粘附带的半导体晶片的正面沿间隔通过实施激光束把半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过延伸的保护性粘附带对键合膜产生的拉力，划开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划开步骤；以及把保护性粘附带与带有粘贴并被划开的键合膜的半导体芯片移除的半导体芯片移除步骤。
上述键合膜的粘附步骤是通过把上述的键合膜置于半导体晶片的背面上并在80-200℃的温度加热的条件下把键合膜与半导体晶片背面压紧来完成的。粘附上述保护性粘附带以便覆盖环形支撑框架的内部开口。进而，通过外部激励源，希望上述保护性粘附带具备粘附力减小的性能，并且当在上述半导体芯片移除步骤中把保护性粘附带与带有粘贴其键合膜的半导体芯片移除的时候，外部激励源引起保护性粘附带减小其粘附力。
附图简述
图1(a)和1(b)是依据本发明的分割方法中所展示的把用于管芯键合的键合膜粘附至半导体晶片背面的键合膜粘附步骤的示意图；图2是依据本发明的分割方法中所展示的粘贴可延伸保护性粘附带于背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤状况的透视图；图3是依据本发明的分割方法中所展示的实施分割步骤的激光束装置的实例的透视图；图4是提供于图3所示的激光束装置中的激光束应用设备组成部分的示意性框图；图5是依据本发明的分割方法中所展示的分割步骤的实例的放大剖面图；图6是依据本发明的分割方法中所展示的另一分割步骤的实例的放大剖面图；图7是本发明中实施键合膜划开步骤的保护性粘附带延伸器件的透视图；图8(a)和8(b)是用于说明依据本发明的分割方法中的键合膜划开步骤的示图；图9是半导体晶片经受键合膜的划开步骤的部分放大剖面图；以及图10是依据本发明的分割方法通过分割半导体晶片而形成半导体芯片的透视图。
优选实施例的详细描述下面参照附图详细描述按照本发明优选实施例分割半导体晶片的方法。
图1(a)和1(b)是依据本发明的分割方法中示出的粘附用于管芯键合的键合膜至半导体晶片背面的步骤举例的示意图。
图1(a)是半导体晶片10和用于管芯键合的键合膜11被粘附至半导体晶片10的背面的透视图。许多间隔101以网格方式形成在半导体晶片10的正面10a上，电路102形成在被许多间隔101隔开的许多区域中。由聚酰亚胺树脂构成、厚度为20-40μm的膜材料可以用作用于管芯键合的键合膜11。该用于管芯键合的键合膜11置于半导体晶片10的背面上并在80-200℃的温度加热的条件下与半导体晶片10背面相互压紧从而粘附至图1(b)中所示的半导体晶片10的背面。通过施加相对小的拉力可轻易划开用于管芯键合的键合膜。
在上述键合膜粘附步骤中键合膜11被粘附至半导体晶片10的背面之后，可延伸保护性粘附带粘贴到半导体晶片10背面粘附有键合膜11的一侧(保护性粘附带粘贴步骤)。这个保护性粘附带粘贴步骤是将粘附在半导体晶片10背面的键合膜11粘贴到可延伸保护性粘附带14的顶表面，以便覆盖图2所示的环形支撑框架13的内部开口，可延伸保护性粘附带14为合成树脂带，例如氯乙烯带，通常用作切割带。具有通过如紫外辐射等的外部激励源减小粘附力的特性的UV带作为可延伸保护性粘附带14。
在保护性粘附带粘贴步骤中粘附至半导体晶片10背面的键合膜11被粘贴至粘附在支撑框架13上的可延伸保护性粘附带14的顶表面之后，对具有粘贴了保护性粘附带14的半导体晶片进行分割步骤，该分割步骤沿间隔101施加激光束，把半导体晶片分割成单个半导体芯片。
下面参照图3和4描述沿间隔101通过采用激光束实施把半导体晶片10分割成单个半导体芯片的分割步骤的激光束装置。
图3中示出的激光束装置1包括固定基座2，以在所示的箭头X方向上可以移动并吸住工件的方式配置在固定基座2上的吸盘工作台单元3，以在与所示的箭头X方向垂直的箭头Y所示的方向上可以移动的方式安装在固定基座2上的激光束应用单元支撑机构4，以及以在所示的箭头Z方向上可以移动的方式配置在激光束应用单元支撑机构4上的激光束操作单元5。
上述吸盘工作台机构3包括安装在固定基座2上的一对导轨31及31并在所示的箭头X方向上相互平行排列，以在所示的箭头X方向上可以移动的方式安装在导轨31及31上的第一滑块32，以在所示的箭头Y方向上可以移动的方式安装在第一滑块32上的第二滑块33，通过圆柱形部件34支撑在第二滑块33上的支撑工作台35，以及作为工件吸持工具的吸盘工作台36。这个吸盘工作台36有一个由带有气孔的材料构成的吸附吸盘361，以便作为工件的盘形半导体晶片通过未示出的抽气工具被吸在吸附吸盘361上。吸盘工作台36通过装配在圆柱形部件34中的脉动电机(未示出)来转动。
在上述第一滑块32的底表面上有一对与上述一对导轨31及31适配的定向凹槽321及321，以及在第一滑块32的顶表面上，在所示的箭头Y方向上有一对相互形成平行的导轨322及322。这样形成的第一滑块32通过定向凹槽321及321适配于导轨对31及31可以沿导轨对31及31在所示的箭头X方向移动。在给出的实施例中吸盘工作台机构3装备有沿导轨对31及31在所示的箭头X方向用来移动第一滑块32的移动工具37。移动工具37包含位于上述导轨对31及31之间、平行排列的阳螺纹杆371以及用来驱动阳螺纹杆371转动的如脉动电机372的驱动源。在阳螺纹杆371的一端，可转动的阳螺纹杆371被支撑到固定至上述固定基座2的承重块373，在另一端，通过减速器(未示出)支撑到与上述脉动电机372输出轴耦合的变速箱。阳螺纹杆371被旋入形成在从第一滑块32中心部分的底面凸出来的母螺纹块(未示出)中带有螺纹的通孔中。因此，通过脉动电机372在正向或反向驱动阳螺纹杆371，第一滑块32沿导轨对31及31在所示的箭头X方向移动。
在上述第二滑块33的底表面上有一对与提供在第一滑块32的顶表面上的导轨对322及322适配的定向凹槽331及331并且第二滑块33通过定向凹槽331及331适配于导轨对322及322可以沿在所示的箭头Y方向移动。在给出的实施例中吸盘工作台机构3装备有沿提供在第一滑块32上的导轨对322及322在所示的箭头Y方向用来移动第二滑块33的移动装置38。移动装置38包含位于上述导轨对322及322之间、平行排列的阳螺纹杆381以及用来驱动阳螺纹杆381转动的如脉动电机382的驱动源。在阳螺纹杆381的一端，可转动的阳螺纹杆381被支撑到固定至上述第一滑块32上的顶表面的承重块383，在另一端，通过未示出的减速器支撑到与上述脉动电机382输出轴耦合的变速箱。阳螺纹杆381被旋入形成在从第二滑块33中心部分的底面凸出来的母螺纹块(未示出)中带有螺纹的通孔中。因此，通过脉动电机382在正向或反向驱动阳螺纹杆381，第二滑块33沿导轨对322及322在所示的箭头Y方向移动。
上述激光束应用单元支撑机构4包括安装在固定基座2上的一对导轨41及41并在箭头Y所示的指示方向上相互平行排列，以及以在所示的箭头Y方向上的可移动的方式安装在导轨41及41上的支撑基座42，这个移动式支撑基座42包括动态地部署在导轨41及41上的可移动支撑部分421和安装在可移动支撑部分421上的安装部分422。在安装部分422的一侧有在所示的箭头Z方向延伸的一对导轨423及423。在说明的实施例中，激光束应用单元支撑机构4包括沿导轨对41及41在箭头Y所示的指示方向用来移动移动式支撑基座42的移动工具43。移动工具43包含位于上述导轨对41及41之间、平行排列的阳螺纹杆431以及用来驱动阳螺纹杆431转动的如脉动电机432的驱动源。在阳螺纹杆431的一端，阳螺纹杆431被可转动地支撑到固定至上述固定基座2上的承重块(未示出)，在另一端，通过未示出的减速器支撑到与上述脉动电机432输出轴耦合的变速箱。阳螺纹杆431被旋入形成在从组成移动式支撑基座42的可移动支撑部分421的中心部分的底面凸出来的母螺纹块(未示出)中带有螺纹的通孔中。因此，通过脉动电机432在正向或反向驱动阳螺纹杆431，移动式支撑基座42沿导轨对41及41在箭头Y所示的指示方向移动。
在说明的实施例中激光束操作单元5包括单元夹持器51和固定到单元夹持器51的激光束应用工具52。单元夹持器51装备有一对与提供在上述安装部分422上的一对导轨423及423滑动地适配的定向凹槽511及511，以及单元夹持器51以这样的方式支撑，以便通过定向凹槽511及511适配于导轨对423及423其可以沿所示的箭头Z方向移动。
图示的激光束操作工具52包括固定到上述单元夹持器51的圆柱形盒521并基本上在水平方向延伸。在箱521中，装配有图4所示的激光束振荡工具522和激光束调制工具523。YAG或YVO4激光振荡器可用作激光束振荡工具522。激光束调制工具523包括重复频率控制工具523a，激光束脉冲宽度设置工具523b和激光束波长设置工具523c。构成激光束调制工具523的重复频率控制工具523a，激光束脉冲宽度控制工具523b和激光束波长控制工具523c是本领域普通技术人员已知的器件。因而，它们的结构的详细描述在本文中予以省略。聚光器524连接至上述盒521的端部。
从上述激光束振荡工具522产生振荡的激光束通过激光束调制工具523到达聚光器524。激光束调制工具523的重复频率控制工具523a把激光束转换为具有预定重复频率的脉冲激光束，激光束脉冲宽度控制工具523b把脉冲激光束的脉冲宽度转换成一预定宽度，激光束波长控制工具523c把脉冲激光束的波长转换成一预定值。
图像拾取工具6位于组成上述激光束操作工具52的盒521的前端部。该图像拾取工具6包括用来拾取工件图像的图像拾取装置(CCD)，用来辐照工件的辐照工具和用来捕获经辐照工具照射过的区域的光学系统，如此构成的图像拾取工具6将由光学系统拾取的图像传输至把图像转换成电图像信号的图像拾取装置(CCD)。这个图像信号被传送至未示出的控制工具。
在给出的实施例中激光束操作单元5包括在所示的箭头Z方向沿导轨对423及423用来移动单元夹持器51的移动工具53。类似于上面提及的移动工具，移动工具53包括位于导轨对423及423之间、平行排列的阳螺纹杆(未示出)以及用来驱动阳螺纹杆转动的如脉动电机532的驱动源。通过脉动电机532在正向或反向驱动阳螺纹杆(未示出)，单元夹持器51及激光束操作工具52沿导轨423及423在箭头Z所示的方向移动。
通过使用上述激光束装置1把支撑在安装至支撑框架13的保护性粘附带14上的半导体晶片10分割成单个半导体芯片的分割步骤的描述随后给出。
支撑在安装至支撑框架13的保护性粘附带14上的半导体晶片10载送到组成图3所示的激光束装置1的吸盘工作台36的吸附吸盘361上，其正面10a朝上且被吸附在吸附吸盘361上。结果吸附住半导体晶片10的吸盘工作台36通过移动工具37的操作沿导轨31及31移动到安装至激光束操作单元5的图像拾取工具6的正下方位置。
当吸盘工作台36被放置图像拾取工具6的正下方位置时，为了把形成在半导体晶片10上第一方向的间隔101与用来沿间隔101施加激光束的激光束操作单元5的聚光器524对准，通过图像拾取工具6和控制工具(未示出)进行如图形叠合的图像处理。接着实施激光束操作位置的对准。实施激光束操作位置的对准也可以在形成于半导体晶片10上第二方向的间隔101上实施。
检测被吸持在吸盘工作台36的半导体晶片10上的间隔和实施激光束施加位置的对准之后，吸盘工作台36移动至激光束施加区域，在此区域中定位施加激光束的激光束操作单元5的聚光器524，以及在激光束操作区域中，沿半导体晶片10的间隔101施加来自激光束操作单元5的聚光器524的激光束。此时，所产生的激光束通过半导体晶片10的正面10a聚焦到半导体晶片10的内部，以便沿间隔101在半导体晶片10的内部形成调整层。
在沿间隔101于半导体晶片10的内部形成调整层的步骤中，当来自用来照射激光束的激光束操作单元5的聚光器524的脉冲激光束施加到半导体晶片10上的预定间隔101时，吸盘工作台36，即，吸持在吸盘工作台36上的半导体晶片10以预定的馈送速度(例如，100mm/秒)在所示的箭头X方向移动。在形成调整层的步骤中，下述激光束作为被辐照的激光束。
光源TAG激光器或YVO4激光器波长1,064nm(红外激光束)输出5.1W重复频率100kHz脉冲宽度20ns焦点尺寸1μm因为形成调整层步骤中照射的激光束采用了具有长波长的红外激光束，当其聚焦到图5所示的半导体晶片10的内部上时，激光束施加到半导体晶片10的正面。例如，半导体晶片10具有厚度约为100μm的情形下，当红外激光束从正面在聚焦到内部约20μm施加红外激光束的时候，沿箭头X所示方向移动半导体晶片10，使得具有厚度约为50μm的调整区域10c沿间隔在半导体晶片10的内部连续形成。
在上述形成调整层的步骤中，当外力作用于具有在其内部沿间隔形成的调整层10c的半导体晶片10上时，由于半导体晶片10在作为起始点的调整层10c处被划开，因此只需小的外力就可轻易划开半导体晶片。在这种情况下，由于在上述形成调整层10c的步骤中施加的激光束未到达键合膜11，粘附至半导体晶片10背面的用于管芯键合的键合膜11未被划开。
另一个施加激光束方法的例子将在下面进行描述。
在这个例子中，吸盘工作台36移动至激光束操作区域，在此区域中对实加激光束的激光束操作单元5的聚光器524实施如上所述的定位，以及在激光束操作区域中，通过在半导体晶片10的正面10a上聚焦，沿半导体晶片10上的间隔101施加来自激光束操作单元5的聚光器524的激光束来形成切缝线。
形成切缝线的步骤将在下文中进行描述。
在形成切缝线的步骤中，当来自用来施加激光束的激光束操作单元5的聚光器524的脉冲激光束在其聚焦到半导体晶片10上预定间隔101的正面10a时进行施加。吸盘工作台36，即，吸持在吸盘工作台36上的半导体晶片10以预定的馈送速度(例如，100mm/秒)在所示的箭头X方向移动。在形成切缝线的步骤中，下述激光束作为被辐照的激光束。
光源TAG激光器或YVO4激光器波长355nm(紫外线激光束)输出3.0W
重复频率20kHz脉冲宽度0.1ns焦点尺寸5μm此例中具有短波长的激光束用作激光束，但也可使用红外激光束。当通过在所示的箭头X方向移动激光束时，它的焦点P设置在半导体晶片10的正面10a，沿间隔形成具有约30μm深度的切缝线10d。
在上述形成切缝线的步骤中，由于具有沿间隔形成的切缝线10d的半导体晶片10在作为起始点的切缝线10d处被划开，沿间隔通过在其上作用小的外力，半导体晶片分割成单个半导体芯片。由于在上述形成切缝线的步骤中施加的激光束未到达键合膜11，粘附至半导体晶片10背面的用于管芯键合的键合膜11未被划开。
期望不但在半导体晶片10的内部沿间隔101实施形成调整层的步骤而且在分割半导体晶片10为单个半导体芯片的分割步骤中沿半导体晶片10正面上的间隔101实施形成切缝线的步骤。
通过采用激光束装置1实施分割半导体晶片10为单个半导体芯片的分割步骤之后，保护性粘附带14延伸，对键合膜11产生拉力，以便实施用于划开每个半导体芯片键合膜的键合膜划开步骤。这个键合膜划开步骤是通过图7和图8(a)及8(b)所示的保护性粘附带延伸装置15来实施的。保护性粘附带延伸装置15将在下文中进行描述。所示的保护性粘附带14延伸装置15包括具有用来放置上述支撑框架13的放置表面151a的圆柱形基座151和位于基座151中、与基座151同轴配置的、用作强制延伸粘附至支撑框架13的保护性键合带14的延伸工具16。延伸工具16有用来支撑区域141的圆柱形延伸部件161，该区域中的保护性粘附带14上已有许多半导体芯片20。在图8(a)所示的参考位置与图8(b)所示的参考位置上的延伸位置之间，构成这个延伸部件161通过未示出的提升工具可以在垂直方向(圆柱形基座151的轴线方向)移动。在给出的实施例中，紫外线照明灯17置于延伸部件161内。
接着，用上述保护性粘附带14延伸装置15实施的键合膜划开步骤将参考图7、图8(a)及8(b)予以描述。
如上所述，支撑半导体晶片10的支撑框架13置于圆柱形基座151的放置表面151a上并由图7及图8(a)所示的夹具18固定到基座151，半导体晶片10具有粘附至其背面的键合膜11并由粘贴至支撑框架13(粘附至分割成单个半导体芯片20的半导体晶片10背面的键合膜11被粘贴至保护性粘附带14顶表面)的可延伸保护性粘附带14的顶表面所支撑。然后，如图8(b)所示，延伸部件161支撑保护性粘附带14上已有许多半导体芯片20的区域141，延伸工具16的延伸部件161通过未示出的提升工具从图8(a)所示的参考位置移动至图8(b)所示的延伸位置。结果，当可延伸保护性粘附带14被拉伸时，拉力作用在粘贴至这个保护性粘附带14的键合膜11上，由此如图9所示，键合膜11沿半导体芯片20划开。由于此时在芯片之间产生间隙，保护性粘附带14与粘附至半导体芯片20的键合膜11之间粘附性减低，粘附了键合膜11的半导体芯片20可轻易地从保护性粘附带14上移除。
在键合膜划开步骤中，粘附至分割成单个半导体芯片20的半导体晶片10背面的键合膜11沿半导体芯片20划开之后，操纵位于保护性粘附带延伸装置15上的芯片拾取收集器19从图7所示的保护性粘附带14顶表面上移除单个的半导体芯片20并将它们运至装料盘(未示出)或实施管芯键合步骤。此时，打开安装在延伸部件161中的紫外线照射灯17对保护性粘附带14实施紫外辐照，从而可以轻易地从保护性粘附带14上移除半导体芯片20。于是从保护性粘附带14上移除的半导体芯片20含有图10所示的背面仍粘附了键合膜11的情形，以及得到具有背面粘附了键合膜11的半导体芯片20。进而，通过激光束密集地分割半导体晶片10，按照每个半导体芯片20的尺寸分割键合膜11并且键合膜11在管芯键合时不从半导体芯片20中凸出，从而提高了管芯键合的质量。
依据本发明分割半导体晶片的方法，把用于管芯键合的键合膜粘附至半导体晶片背面及对半导体晶片实施激光束的分割步骤实现了分割半导体晶片为单个半导体芯片。在这个步骤中，键合膜未被破坏，只是把拉力施加至粘附到半导体芯片背面的键合膜并沿单个的半导体芯片将其划开。因而，半导体芯片的键合工艺可以顺利地实施。进而，依据本发明分割半导体晶片的方法，当施加到半导体晶片的激光束把其分割成单个半导体芯片，相邻的半导体芯片间未形成裂缝，以及与半导体芯片一起划开键合膜。因而，键合膜不从半导体芯片中凸出。因此，提高了半导体芯片键合至导线框架的质量。
权利要求
1.分割具有在正面以网格方式形成的许多间隔以及在许多区域中形成的电路的半导体晶片的方法，这些区域通过许多间隔隔开成单个半导体芯片，包含将用于管芯键合的键合膜粘附在半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带于背面粘附有键合膜的半导体晶片的键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤；从粘贴了保护性粘附带的半导体晶片的正面沿间隔施加激光束，把半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过延伸保护性粘附带以便对键合膜产生拉力，划开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划开步骤；以及从保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片并被划开的键合膜的半导体芯片的半导体芯片移除步骤。
2.按照权利要求1分割半导体晶片的方法，其中键合膜的粘附步骤是通过把键合膜置于半导体晶片的背面上并在80-200℃的温度加热条件下把键合膜与半导体晶片背面压紧来完成的。
3.按照权利要求1或2分割半导体晶片的方法，其中粘附保护性粘附带以便覆盖环形支撑框架的内部开口。
4.按照权利要求1-3中任何一项分割半导体晶片的方法，其中保护性粘附带具有外部激励源减小粘附力的特性，并且当在上述半导体芯片移除步骤中从保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片的键合膜的半导体芯片的时候，外部激励源导致保护性粘附带减小其粘附力。
全文摘要
分割半导体晶片的方法包括用于管芯键合的键合膜粘附于半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带至背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤；沿间隔通过施加激光束把粘贴了保护性粘附带的半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过延伸保护性粘附带以便对键合膜产生拉力，划开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划开步骤；以及从保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片并被划开的键合膜的半导体芯片的半导体芯片移除步骤。
文档编号H01L21/301GK1534763SQ200410035229
公开日2004年10月6日 申请日期2004年3月11日 优先权日2003年3月11日
发明者川合章仁 申请人:株式会社迪斯科