专利名称：半导体器件以及其制造方法
技术领域：
本发明是关于半导体器件、特别是可以层叠多个半导体元件、实现小型化的半导体器件。
背景技术：
由下述专利文件1所公知的半导体器件，具有金属制的支持板、在支持板上依次层叠的第1晶体管以及第2晶体管、在支持板上依次层叠的第3晶体管以及第4晶体管、以及在第1晶体管及第2晶体管和第3晶体管及第4晶体管之间固定于支持板上的控制电路(控制IC)，由第1晶体管以及第2晶体管、和第3晶体管以及第4晶体管构成H型桥接电路。根据专利文件1，通过层叠第1晶体管和第2晶体管、同时层叠第3晶体管和第4晶体管，能够减少支持板的占有面积并提高集成度。
另外，在专利文件1的半导体器件中，形成在第1晶体管以及第3晶体管的上面上的上面电极、和形成在第2晶体管以及第4晶体管的下面上的下面电极通过焊锡而固定粘接，并且形成在第1晶体管以及第3晶体管的上面上的上面电极、和控制电路的上面电极以及配置在支持板的周围的多个外部导线通过引线相连接。由于第1晶体管和第2晶体管、以及第3晶体管和第4晶体管通过焊锡而相互电连接，所以缩短了电流的接线路径，而能够抑制由于电流的接线路径的延长而出现的噪音发生以及电力损失。另外，能够简化引线的接线。
国际公开第2005/018001号公报[本发明要解决的课题]但是，配置在下方的第1晶体管以及第3晶体管的上面电极，是由适合与第2晶体管以及第4晶体管的下面电极进行锡焊连接的金属、或者适合与引线进行连接的金属中的任一种而形成的。由易于进行锡焊连接的镍或者铜等金属构成的电极，与由铝或者金等金属构成的引线的连接性较差。而且，由与引线的连接强度高的铝等金属构成的电极，与由铅或锡等的金属构成的焊锡的连接性(焊锡粘润性)较差。因此，在上述专利文件1的半导体装置中，要实现能够得到较高的焊锡强度和引线连接强度的半导体器件很困难。
发明内容
本发明的目的在于提供具有与引线以及焊锡的连接性高的电极的半导体器件及其制造方法。
本发明的半导体器件，具备下部半导体元件(1)、形成在下部半导体元件(1)的上面(1a)的下部电极层(5)、形成在下部电极层(5)的上面(5a)上的上部电极层(6)、固定在上部电极层(6)的上面(6a)的上部半导体元件(2)、以及固定上部电极层(6)和上部半导体元件(2)的粘接剂层(7)。下部电极层(5)的上面(5a)和上部电极层(6)的上面(6a)由不同的材质形成，在下部电极层(5)的上面(5a)设置从上部电极层(6)部分地露出在外部的接线区域(15)，在接线区域(15)连接了细导线(8)的端部。
本发明的半导体器件的制造方法，包括在下部半导体元件(1)的上面(1a)形成下部电极层(5)的工序，在下部电极层(5)的上面(5a)形成具有由与下部电极层(5)的上面(5a)不同的材质构成的上面(6a)的上部电极层(6)的工序，在上部电极层(6)设置缺口部(36)，在下部电极层(5)的上面(5a)形成通过缺口部(36)而部分地露出在外部的接线区域(15)的工序，利用粘接剂(7)在上部电极层(6)的上面(6a)固定上部半导体元件(2)的工序，以及，在接线区域(15)连接细导线(8)的端部的工序。
由于用不同的材质来构成设在下部半导体元件(1)和上部半导体元件(2)之间的下部电极层(5)的上面(5a)和上部电极层(6)的上面(6a)，所以可以利用焊锡附着性出色的材质形成上部电极层(6)的上面(6a)、利用与形成细导线(8)的连接强度高的材质形成下部电极层(5)的上面(5a)。因此，能够通过由焊锡等构成的粘接剂层(7)良好地固定下部半导体元件(1)和上部半导体元件(2)，同时牢固地连接下部半导体元件(1)和细导线(8)，形成可靠性高的半导体器件。
根据本发明，可以实现可以获得较高的上部半导体元件与下部半导体元件的焊锡强度和引线连接强度两者的半导体器件。
图1是表示根据本发明的半导体器件的一个实施方式的剖面图。
图2是图1的部分扩大图。
图3是图1的下部半导体衬底的部分放大图。
图4是图1的下部半导体衬底的平面图。
图5是表示在下部半导体衬底的上面上形成了下部电极层的状态的剖面图。
图6是表示在图5的下部电极层的上面上形成了上部电极层的状态的剖面图。
图7是表示对图6的上部电极层进行了蚀刻的状态的剖面图。
图8是表示在图9中层叠了上部IGBT的状态的剖面图。
图9是表示在图7的下部半导体衬底的上面上覆盖了保护膜的状态的平面图。
图10是表示图1的半导体器件的实施例子的平面图。
图11是图10的电路图。
图12是表示图1的变形例子的剖面图。
标号说明(1)下部半导体元件(下部IGBT)、(1a、2a、5a、6a)上面(2)上部半导体元件(上部IGBT)(5)下部电极层(6)上部电极层 (7)焊锡(8)细导线(引线)(9)保护膜(15)接线区域 (19)开口部(20)单元形成区域 (20a)单元(21)固定层 (23)接线层(36)缺口部 (40)控制装置具体实施方式
下面，参照图1～图12，对关于本发明的半导体器件及其制造方法进行说明。
如图1所示，本实施方式的半导体器件，具有作为下部半导体元件的下部IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)(1)、形成在下部IGBT(1)的上面(1a)上的下部电极层(5)、与下部电极层(5)相分离并形成在下部IGBT(1)的上面(1a)上的离间电极层(栅极焊盘)(18)、形成在下部电极层(5)的上面(5a)上的上部电极层(6)、通过作为粘接剂层的焊锡(7)固定在上部电极层(6)的上面(6a)上的作为上部半导体元件的上部IGBT(2)、形成在上部IGBT(2)的上面(2a)上的最上部电极层(27)、覆盖上部电极层(6)、离间电极层(18)以及下部电极层(5)等的一部分的非导电性的保护膜(9)、以及覆盖最上部电极层(27)等的一部分的非导电性的保护膜(29)。下部电极层(5)，具有通过设在上部电极层(6)的缺口部(36)和设在保护膜(9)的开口部(19)露出在外部的接线区域(15)。接线区域(15)平坦地形成，与作为细导线的引线(8)的一个端部相连接(引线键合)。
如图2所示，下部IGBT(1)具有由单晶硅衬底等构成的下部半导体衬底(51)、形成在下部半导体衬底(51)的上面(51a)上的例如由二氧化硅构成的栅极绝缘膜(24)、隔着栅极绝缘膜(24)而形成在下部半导体衬底(51)的上面(51a)上的例如由多晶硅构成的栅电极(控制电极)(25)、使栅电极(25)和下部电极层(5)电绝缘的层间绝缘膜(26)、以及在下部半导体衬底(51)的下面(51b)上形成的、层叠例如铝和镍而成的集电极(底面电极)(13)。
下部半导体衬底(51)具有由与下部半导体衬底(51)的下面(51b)相邻接而形成的P+型半导体区域构成的集电区(31)、与集电区(31)相邻接而形成在上方的N-型缓冲区域(32)、与N-型缓冲区域(32)相邻接而形成在上方的N型基区(30)、与下部半导体衬底(51)的上面(51a)相邻接而形成在N型基区(30)内的P型基区(33)、以及与下部半导体衬底(51)的上面(51a)相邻接而形成在P型基区(33)内的N型发射区(34)。在夹持在N型发射区(34)和N型基区(30)之间的P型基区(33)的上方，隔着栅极绝缘膜(24)形成有栅电极(25)，形成公知的沟道区。如图2所示，在使栅电极(25)和下部电极层(5)电绝缘的层间绝缘膜(26)上，形成开口部(26a)，下部电极层(5)通过开口部(26a)电连接到N型发射区(34)和P型基区(33)，构成发射极。
图3以及图4表示下部半导体器件(51)的上面(51a)。如图3所示，P型基区(33)，对于下部半导体衬底(51)的平面方向(平面上看)，在N型基区(30)内格子状或者条状地排列配置。另外，N型发射区(34)配置成沿P型基区(33)的边缘部分相互对置。另外，栅电极(25)，跨越相邻的P型基区(33)地、条状地形成在P型基区(33)之间。由此，形成了半导体元件的有源区的最小单位、即单元(20a)。在本实施方式的半导体器件中，N型发射区(34)仅形成在下部半导体衬底(51)的中央侧，在下部半导体衬底(51)的外周侧没有形成N型发射区(34)。因此，如图4所示，在下部IGBT(1)的上面(1a)上形成有形成了多个单元(20a)的单元形成区域(20)、和没有形成单元(20a)的非形成区域(44)。单元形成区域(20)形成在下部IGBT(1)的中央侧，非形成区域(44)以包围单元形成区域(20)的方式、在下部IGBT(1)的外周侧环状地形成。另外，P型基区(33)也可以在N型基区(30)内形成岛状。
而且，在下部半导体衬底(51)的上面(51a)上，沿下部半导体衬底(51)的周面，形成电连接栅电极(25)和离间电极层(18)的栅极总线(43)。离间电极层(18)以及栅极总线(43)，由铝等导电性金属形成，覆盖形成为条状的栅电极(25)的延长部分，与栅电极(25)电连接。即，离间电极层(18)以及栅极总线(43)在下部半导体衬底(51)的上面(51a)具有多晶硅和铝的层叠结构。
上部IGBT(2)，平面上看，具有与下部IGBT(1)的上面(1a)以及下面(1b)相比面积小的上面(2a)以及下面(2b)。虽然图中未示，但上部IGBT(2)具有在上面(52a)上具有形成有多个单元的单元形成区域(20)的上部半导体衬底(52)、形成在上部半导体衬底(52)的上面(52a)上的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜形成在上部半导体衬底(52)的上面(52a)上的栅电极、与单元电连接的最上部电极层(发射极)(27)、使栅电极和最上部电极层(27)电绝缘的层间绝缘膜、以及形成在上部半导体衬底(52)的下面(52b)上的集电极(14)。上部IGBT(2)，也可以与下部IGBT(2)同样地仅在半导体衬底(52)的中央侧形成单元形成区域(20)，也可以在半导体衬底(52)的整体上形成单元形成区域(20)。
下部IGBT(1)的下部电极层(5)，与N型发射区(34)和P型基区(33)电连接。另外，下部电极层(5)，平面上看，延伸至单元形成区域(20)的外周侧，也覆盖非形成区域(44)的上面的一部分。上部电极层(6)形成在下部电极层(5)的上面(5a)上，延伸至单元形成区域(20)的外周侧，平面上看，也覆盖非形成区域(44)的上面的一部分。即，单元形成区域(20)，平面上看，配置在与单元形成区域(20)以及非形成区域(44)的外周缘相比更靠近下部半导体衬底(51)的中心侧。
另外，至少下部电极层(5)的上面(5a)和上部电极层(6)的上面(6a)由不同的材料形成，下部电极层(5)具有利用与形成引线(8)的金属的连接性高的金属、邻接上部电极层(6)而形成的接线层(23)，上部电极层(6)具有利用与形成焊锡(7)的金属的粘接性高的金属、邻接焊锡(7)而形成的固定层(21)。在本实施方式中，如图2所示，下部电极层(5)仅由接线层(23)构成，接线层(23)通过与形成引线(8)的铝的粘接性高的相同的铝或者含有硅的铝而形成。对此，上部电极层(6)具备由与焊锡(7)的密接性很好的例如镍(Ni)构成的固定层(21)、以及形成在固定层(21)和下部电极层(5)之间的例如由钛(Ti)构成的中间层(22)，固定层(21)形成上部电极层(6)的上面(6a)。也可以与上部电极层(6)同样地把下部电极层(5)作成由多个不同材质构成的层叠结构。
在本实施方式中，利用与焊锡(7)的粘润性(特性关系)很好的镍形成了上部电极层(6)的固定层(21)，但也可以利用与与焊锡(7)的粘润性很好的其他金属材料(例如金)来形成。另外，关于下部电极层(5)，同样也可以使用铝以外的其他金属。上部电极层(6)的中间层(22)，根据与固定层(21)以及下部电极层(5)的接线层(23)这两者材质的特性关系而适当地确定材质。
保护膜(9，29)利用PIF(聚酰乙胺薄膜)或者PBO(聚苯并唑polybenzoxazole)等耐热性材料形成，设在下部IGBT(1)上的保护膜(9)具有向外部露出下部电极层(5)的接线区域(15)的开口部(19)，设在上部IGBT(2)上的保护膜(29)具有向外部露出最上部电极层(27)的接线区域(35)的开口部(39)。保护膜(9，29)保护下部IGBT(1)以及上部IGBT(2)的半导体表面免受离子等杂质的影响。形成在上部IGBT(2)的上面(2a)的最上部电极层(27)，与下部电极层(5)相同，利用与形成引线(8)的金属的粘接性高的金属形成。
如图1所示，下部电极层(5)的接线区域(15)，构成下部IGBT(1)的发射极的引线连接区域(引线键合焊盘)，通过引线(8)与外部元件等相连接。另外，露出保护膜(9)的开口部(19)的上部电极层(6)的上面(6a)，构成上部IGBT(2)的焊锡区域(芯片焊接焊盘)，与上部IGBT(2)的集电极(14)电连接。即，上部IGBT(2)固定的上部电极层(6)的固定区域(16)，成为有出色的焊锡附着性的镍电极面；连接有引线(8)的接线区域(15)，成为有出色的引线(8)的连接性的铝电极面。在本发明中，由于利用不同材质形成设在下部IGBT(1)和上部IGBT(2)之间的下部电极层(5)的上面(5a)和上部电极层(6)的上面(6a)，所以能够利用焊锡附着性好的材质形成上部电极层(6)的上面(6a)，利用与引线(8)的连接强度高的材质形成下部电极层(5)的上面(5a)。因此，可以通过焊锡(7)良好地固定下部IGBT(1)和上部IGBT(2)，并且牢固地连接下部IGBT(1)和引线(8)，形成高可靠性的半导体器件(10)。本发明中所称“粘接剂”，包括焊锡材料、钎料以及银膏等的粘接剂，特别是优选具有导电性的粘接剂。另外，作为焊锡材料，使用了由不含铅的由锡、银、铜或者铝等材料构成的无铅焊锡，但也可以使用由锡和铅构成的一般焊锡或者其他公知的焊锡。引线(8)，可以使用例如金、铝或者含有硅的铝构成的公知的引线。
制造图1的半导体器件(10)时，形成在上面(1a)的中央侧设有形成了多个单元(20a)的单元形成区域(20)的下部IGBT(1)，和与下部IGBT(1)同样地在上面(2a)设有单元形成区域的上部IGBT(2)。如图3所示，下部IGBT(1)的单元形成区域(20)，形成在下部半导体衬底(51)的上面(51a)的中央侧，环绕单元形成区域(20)环状地形成非形成区域(44)。下部IGBT(1)以及上部IGBT(2)这种半导体元件的制造方法已公知，在此省略说明。
如图5所示，由铝构成的下部电极层(5)，通过CVD或PVD等蒸镀法、溅射法或者镀敷法等公知的方法，形成在下部半导体衬底(51)的上面(51a)上。接着，在下部电极层(5)的上面(5a)上形成未图示的蚀刻掩模，通过形成在蚀刻掩模上的开口，利用溶解铝的磷酸类蚀刻液等铝蚀刻液，把离间电极层(18)和下部电极层(5)之间的包含离间部(37)的下部电极层(5)的不需要的部分除去。下部电极层(5)，平面上看，延伸到单元形成区域(20)的外周侧，也覆盖非形成区域(44)的上面的一部分。另外，离间电极层(18)形成在非形成区域(44)的上面上。
接着，如图6所示，利用与下部电极层(5)相同的方法，依次在下部电极层(5)的上面(5a)上形成上部电极层(6)的由钛构成的中间层(22)和由镍构成固定层(21)。此后，如图7所示，在上部电极层(6)的上面(6a)上形成未图示的蚀刻掩模，通过形成在蚀刻掩模上的开口，利用同时溶解钛和镍的盐酸类蚀刻液等金属蚀刻液，除去上部电极层(6)的不需要的部分。也可以利用不同的蚀刻液依次蚀刻钛和镍。由此，在下部IGBT(1)的上面(1a)上层叠了下部电极层(5)和上部电极层(6)。并且，通过利用蚀刻而设在上部电极层(6)的缺口部(36)，在下部电极层(5)形成没有被上部电极层(6)覆盖的接线区域(15)。此时，上部电极层(6)，蚀刻除去与单元形成区域(20)的外周缘相比更靠近下部半导体衬底(51)的外周侧、即非形成区域(44)的上侧。因此，上部电极层(6)延伸到单元形成区域(20)的外周侧，平面上看也覆盖非形成区域(44)的上面的一部分。另外，如图7所示，下部电极层(5)的接线区域(15)形成在下部半导体衬底(51)的单元形成区域(20)的外侧。
利用蚀刻液蚀刻上部电极层(6)之际，有时下部电极层(5)也与上部电极层(6)一起被侵蚀，但由于在与单元形成区域(20)的外周缘相比更靠近下部半导体衬底(51)的外周侧蚀刻除去上部电极层(6)，故可以防止由上部电极层(6)的蚀刻而损害电特性。另外，可以防止在单元形成区域(20)处的单元(20a)的蚀刻损伤。即，下部电极层(5)，由于相互电连接多个单元(20a)的P型基区(33)以及N型发射区(34)，所以形成在单元形成区域(20)上方的下部电极层(5)被蚀刻时，存在损害下部IGBT(1)的电特性的担忧。对此，延伸到下部IGBT(1)的单元形成区域(20)的外侧的非形成区域(44)，是构成成为键合焊盘的接线区域(15)等的部分，即便万一被上部电极层(6)的蚀刻所侵蚀，电特性上所受到的影响极少。由此，可以形成能够获得稳定电特性的高可靠性的半导体器件。
接着，利用保护膜(9)，覆盖上部电极层(6)、离间电极层(18)以及下部电极层(5)的一部分。保护膜(9)，具有接线区域(15)和离间电极层(18)的2个键合焊盘、以及固定区域(16)的焊盘上的开口部(19)。如图8所示，通过固定区域(16)的开口部(19)，利用焊锡(7)把上部IGBT(2)固定在下部IGBT(1)上。上部IGBT(2)上，预先形成有最上部电极层(27)、保护膜(29)以及集电极(14)。如图9所示，保护膜(9)环状地形成在下部IGBT(1)的固定区域(16)的外周，在固定上部IGBT(2)时具有定位效果。结果，如图1所示，上部IGBT(2)精度良好地焊锡于下部IGBT(1)的规定位置上。另外，包围固定区域(16)的保护膜(9)，可以防止焊锡(7)溢出。结果，焊锡(7)较厚地形成在上部电极层(6)的上面上，可以对使半导体器件(10)动作时产生的热良好地散热。
另外，形成在下部半导体衬底(51)的下面(51a)上的集电极(13)，通过焊锡固定在支持板(45)的上面。进一步，如图1所示，下部IGBT(1)以及上部IGBT(2)的接线区域(15，35)和离间电极层(18)，与连接到未图示的外部元件或者外部导线上的引线(8)的端部相连接。由此，半导体器件(10)就完成了。
图10表示利用图1所示的半导体器件(10)，用单一的半导体器件构成图11所示的H型桥接电路的本发明的实施例子。H型桥接电路，具有高边侧的下部IGBT(1)以及其他的下部IGBT(3)、和低边侧的上部IGBT(2)以及其他的上部IGBT(4)。下部IGBT(1)和上部IGBT(2)的第1叠层体、与其他的下部IGBT(3)和其他的上部IGBT(4)的第2叠层体，固定在具有散热性的铜或者铝等的金属制的支持板(45)上。具有控制从下部IGBT(1)到其他的上部IGBT(4)的切换动作的控制装置(40)，利用引线(8)，将控制装置(40)的表面电极或者配置在支持板(45)的周围的多个外部导线(42)、和下部IGBT(1)以及上部IGBT(2)的接线区域(发射极)(15，35)和离间电极层(栅电极)(18)连接。如图10所示，控制装置(40)在第1叠层体和第2叠层体之间固定在支持板(45)上。下部IGBT(1)的下部电极层(发射极)(5)和上部IGBT(2)的集电极(14)的连接点(A1)、与其他下部IGBT(3)的下部电极层(发射极)和其他的上部IGBT(4)的集电极的连接点(A2)之间，连接有由交流电流驱动的例如冷阴极荧光放电管的负载(41)。通过树脂密封体(43)覆盖半导体器件整体，但外部导线(42)从树脂密封体(43)向外部引出。
H型桥接电路工作时，通过使下部IGBT(1)及其他的上部IGBT(4)、和上部IGBT(2)及其他的下部IGBT(3)交替导通/截止动作、进行开关动作，可以使在连接点(A1)和(A2)之间交替流动反方向的电流、使负载(41)工作。如此，能够进行从下部IGBT(1)到其他的上部IGBT(4)的开关动作，使用直流电压源、使得连接在连接点(A1)和(A2)之间的冷阴极荧光放电管点亮。根据图10所示的半导体器件(50)，能够减少支持板(45)的占有面积并提高集成度，并且能够通过焊锡(7)良好地固定下部IGBT(1)和上部IGBT(2)、以及其他的下部IGBT(3)和其他的上部IGBT(4)，牢固地连接各IGBT(1，2，3，4)和引线(8)，形成可靠性高的半导体器件。
本发明的实施方式，并不限定于上述实施方式，可以有各种改变。例如，也可以代替各IGBT(1，2，3，4)，构成其他的双极晶体管、场效应晶体管、晶闸管或者三端双向可控硅等半导体元件。另外，如图12所示，也可以通过保护膜(9)覆盖下部电极层(5)的一部分之后，在下部电极层(5)的上面(5a)形成上部电极层(6)。如此，则由于通过保护膜(9)下部电极层(5)得到保护，所以在保护膜(9)的上方蚀刻除去上部电极层(6)的不需要部分时，能够良好地防止下部电极层(5)被腐蚀。
产业上的可利用性本发明可以良好地适用于构成使用于层叠多个半导体元件而形成的半导体器件、冷阴极荧光放电管的驱动装置中的H桥接电路(全桥接电路)等的半导体器件。
权利要求
1.一种半导体器件，其特征在于，具备下部半导体元件、形成在该下部半导体元件的上面的下部电极层、形成在该下部电极层的上面的上部电极层、固定在该上部电极层的上面的上部半导体元件、以及固定所述上部电极层和所述上部半导体元件的粘接剂层，所述下部电极层的上面和所述上部电极层的上面由不同的材质形成，在所述下部电极层的上面设置从所述上部电极层部分地露出在外部的接线区域，在所述接线区域连接了细导线的端部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，利用与形成所述细导线的金属的粘接性高于所述上部电极层的上面与形成所述细导线的金属的粘接性的金属，形成所述下部电极层的上面，利用与形成所述粘接剂层的材料的粘接性高于所述下部电极层的上面与形成所述粘接剂层的材料的粘接性的金属，形成所述上部电极层的上面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下部半导体元件的所述上面具有形成有多个单元的单元形成区域、和没有形成单元的非形成区域，在所述下部半导体元件的中央侧配置所述单元形成区域，以包围所述单元形成区域的方式在所述下部半导体元件的外周侧、环状地配置所述非形成区域，使所述上部电极层延伸至与所述单元形成区域相比更靠近所述下部半导体元件的外周侧。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含在下部半导体元件的上面形成下部电极层的工序，在所述下部电极层的上面，形成具有由与所述下部电极层的上面不同的材质构成的上面的上部电极层的工序，在所述上部电极层设置缺口部，并在所述下部电极层的上面、形成通过该缺口部而部分地露出在外部的接线区域的工序，利用粘接剂在所述上部电极层的上面固定上部半导体元件的工序，以及，在所述接线区域连接细导线的端部的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括在所述下部半导体元件的上面，设置形成了多个单元的单元形成区域、和没有形成单元的非形成区域的工序，在所述下部电极层的上面形成接线区域的工序包括在与所述单元形成区域相比更靠近所述下部半导体元件内侧蚀刻除去所述上部电极层的工序。
全文摘要
能够通过焊锡良好地固定下部IGBT和上部IGBT，同时牢固地连接下部IGBT和引线，形成可靠性高的半导体器件。具备形成在下部IGBT(1)的下部电极层(5)、形成在下部电极层(5)上的上部电极层(6)、固定在上部电极层(6)的上部半导体元件(2)、以及连接上部电极层(6)和上部IGBT(2)的焊锡(7)。由不同的材质构成下部电极层(5)和上部电极层(6)，在下部电极层(5)的上面(5a)设置从设在上部电极层(6)的缺口部部分地露出在外部的接线区域(15)，在接线区域(15)连接细线(8)。可以利用焊锡附着性出色的材质形成上部电极层(6)，利用与引线(8)连接强度高的材质形成下部电极层(5)。
文档编号H01L27/088GK101040386SQ20068000101
公开日2007年9月19日 申请日期2006年3月22日 优先权日2005年7月7日
发明者鸟居克行 申请人:三垦电气株式会社