专利名称：有机el元件、有机el显示装置和有机el元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及有机EL (electroluminescent:场致发光)元件。此夕卜， 本发明还涉及使用有机EL元件的有机EL显示装置和有机EL元件的 制造方法。
背景技术：
图14表示下述专利文献1中公开的现有的有机EL元件。有机EL 元件X形成在透明基板91上，包括反射膜92、阳极93、有机层94和 阴极95。反射膜92由金属制成。阳极93为多层透明电极。更详细而 言，有机层94由空穴注入层94a、空穴输送层94b、发光层94c、电子 输送层94d和电子注入层94e构成。阴极95为透明电极。
若在阳极93和阴极93之间赋与电场，则介于它们之间的发光层 94c放射光。在图中上方放射的光透过阴极95，向有机EL元件X的 上方放射。另一方面，在下方放射的光透过阳极93，在被反射膜92 反射后，透过阳极93、有机层94和阴极93，最终向有机EL元件X 的上方放射。结果是，有机EL元件X向着与位于下方的透明基板91 相反的方向放射光。这种结构称为顶部发射型。
通常，阴极93通过在作为材料的ITO (Indiun Tin Oxide:铟锡氧 化物)或IZO (Indiun Zinc Oxide:铟锌氧化物)上实施溅射法、分子 线外延法(以下称为MBE法)、或离子电镀法而形成。但是，使用这 种方法，要使有机层94上升至超过IO(TC的高温。因此存在有机层94 受到化学损伤的情况。而且，上述方法使构成ITO或IZO的原子、分 子或离子等粒子与有机层94冲突。因此有机层94不可避免地受到物 理损伤。这些损伤可成为引起有机EL元件的特性异常，例如消耗电力 的不当增大或亮度降低等的原因。日本专利特开2004-247106号公报
发明内容
本发明考虑上述问题而提出，其课题是通过抑制制造工序中的有
机层的损伤，提供表现出低消耗电力和高亮度的有机EL元件。此外， 本发明的另一课题是提供使用该有机EL元件的有机EL显示装置，以 及提供该有机EL元件的制造方法。
本发明的第一方面提供的有机EL发光元件，具备相互相对配置 的阳极和阴极；和介于上述阳极和阴极之间，并且包括发光层的有机 层。上述阴极由MgAg合金构成，且具有200A以下的厚度。
根据这种结构，能够使上述阴极的功函数小于由例如ITO构成的 阴极。因此，能够提高电子从上述阴极向上述有机层注入的效率，减 少上述有机EL元件的消耗电力。此外，上述发光层放射的光能够透过 上述阴极，能够实现上述有机EL元件的高亮度化。而且，上述阴极能 够通过以Mg和Ag为蒸镀源的共蒸镀形成，由此能够避免上述有机层 受损伤。
在本发明的优选实施方式中，上述阴极具有40 100A的厚度。根 据这种结构，能够提高上述阴极的透过率，并且减小上述阴极的片电 阻。因此，上述有机EL元件能够表现出低消耗电力和高亮度。
在本发明的优选实施方式中，上述阴极具有25 70atomic。/。的Ag 浓度。根据这种结构，上述阴极的功率功函数为3.7eV以下的程度。 这适合于降低消耗电力。
在本发明的优选实施方式中，上述阴极由均匀浓度层和不均匀浓 度层构成，上述均匀浓度层在厚度方向上具有均匀的Ag浓度；上述不 均匀浓度层夹着上述均匀浓度层，位于与上述有机层相反一侧，'并且 在厚度方向上具有不均匀的Ag浓度。根据这种结构，可将上述均匀浓 度层的Ag浓度设定为适合于减小功函数的浓度；同时，将上述不均匀 浓度层中与上述均匀浓度层相反一侧的部分的Ag浓度设定为适合于 抑制气氛引起的侵蚀等的大浓度。因此，上述有机EL元件能够兼顾低 的消耗电力和对环境的耐性。
在本发明的优选实施方式中，上述均匀浓度层具有25 70atomic% 的Ag浓度。这种结构适合于减小上述有机EL元件的消耗电力。
在本发明的优选实施方式中，上述均匀浓度层具有20A以上的厚
度。根据这种结构，能够适当地发挥提高电子从上述阴极向上述有机 层注入的效率的效果。
在本发明的优选实施方式中，上述不均匀浓度层的最远离上述均 匀浓度层的部分的Ag浓度，比上述不均匀浓度层的最接近上述均匀浓
度层的部分的Ag浓度大。根据这种结构，上述有机EL元件能够兼顾 低消耗电力和对环境的耐性。
在本发明的优选实施方式中，上述不均匀浓度层的最远离上述均 匀浓度层的部分的Ag浓度为100atomic%。这种结构适合于抑制上述 阴极被气氛等侵蚀。
在本发明的优选实施方式中，上述不均匀浓度层包括第一MgAg 合金层；和夹着上述第一 MgAg合金层，位于与上述均匀浓度层相反 一侧，并且具有比上述第一 MgAg合金层的Ag浓度大的Ag浓度的第 二MgAg合金层。根据这种结构，上述有机EL元件也能够兼顾低消耗 电力和对环境的耐性。
在本发明的优选实施方式中，还包括夹着上述阴极，位于与上述 有机层相反一侧的Au层，并且上述阴极的厚度和上述Au层的厚度合 计为200A以下。根据这种结构，有利于避免上述阴极被气氛等侵蚀。 此外，上述阴极和上述Au层能够防止不恰当地衰减上述发光层放射的 光。
在本发明的优选实施方式中，还包括介于上述阴极和上述有机层 之间，并且含有Li的层。根据这种结构，能够提高电子从上述阴极向 上述有机层的注入效率。
本发明的第二方面提供的有机EL显示装置，其特征在于，包括 基板；被支承在上述基板上的多个由本发明的第一方面提供的有机EL 元件；和用于对上述多个有机EL元件进行发光驱动的有源矩阵电路。 根据这种结构，上述有机EL显示装置能够表现出低消耗电力和高显示 画质。
在本发明的优选实施方式中，上述基板为硅基板，上述有源矩阵 电路具备在上述基板上形成的多个晶体管。根据这种结构，能'够以高 密度配置上述有机EL元件，由此，上述有机EL显示装置能够显示更 精细的图像。
本发明的第三方面提供的有机EL元件的制造方法，其包括形成 阳极的工序；形成包括发光层的有机层的工序；和形成阴极的工序。 其特征在于，形成上述阴极的工序通过共蒸镀Mg和Ag而进行。根据 这种结构，能够适当地制造本发明的第一方面提供的有机EL元件。
在本发明的优选实施方式中，上述共蒸镀以0.1 1.0A/sec的蒸镀 速度进行。根据这种结构，能够适当地制造上述阴极，不会不当地损 伤上述有机层。
在本发明的优选实施方式中，形成上述阴极的工序包括分别使 Mg和Ag的蒸镀速度一定以进行共蒸镀的工序；和以Ag的蒸镀速度 与Mg的蒸镀速度之比随着时间的经过而变大的方式进行共蒸镀的工 序。根据这种结构，能够制造上述阴极，使其具有由Ag浓度均匀的均 匀浓度层和离上述均匀浓度层越远则Ag浓度越大的不均匀浓度层构 成的叠层结构。
在本发明的优选实施方式中，其还包括在形成上述阴极的工序之 后，在上述阴极上蒸镀Au的工序。根据这种结构，能够避免上述阴极 被气氛等侵蚀。
在本发明的优选实施方式中，其还包括在形成上述有机层工序之 后、形成上述阴极的工序之前，形成含有Li的层的工序。这种结构有 利于提高电子从上述阴极向上述有机层的注入效率。
本发明的其他特征和优点，通过以下参照附图进行的详细说明， 可更加清楚。
图1为表示本发明的有机EL元件的第一实施方式的主要部分截面
图2为图1所示有机EL元件的主要部分放大截面图3为表示图1所示有机EL元件的阴极厚度和Ag浓度的关系的
图4为表示使用图1所示有机EL元件的有机EL显示装置的主要 部分截面图5为用于说明在图4所示有机EL显示装置的制造方法的一个例
子中，形成有源矩阵电路的工序的主要部分截面图6为用于说明在图2所示有机EL显示装置的制造方法的一个例 子中，形成阳极的工序的主要部分截面图7为用于说明在图4所示有机EL显示装置的制造方法的一个例 子中，形成有机层的工序的主要部分截面图8为用于说明在图4所示有机EL显示装置的制造方法的一个例 子中，形成阴极的工序的主要部分截面图9为表示MgAg合金的透过率的图10为表示MgAg合金的片电阻的图11为表示MgAg合金的功函数的图12为表示本发明的有机EL元件的第二实施方式的主要部分截 面图13为表示图12所示有机EL元件的阴极厚度和Ag浓度的关系 的图14为表示现有的有机EL元件的一个例子的主要部分截面图。
具体实施例方式
图1表示本发明的有机EL元件的第一实施方式。基板1为绝缘基 板，支承有机EL元件Al。有机EL元件Al形成在基板1之上。有机 EL元件A1包括反射层5、阳极2、有机层3和阴极4。
在基板1上形成的反射层5用于使向图中下方传播的光L向图中 上方反射。反射层5由具有比较高的反射率的例如A1构成。
在反射层5上形成的阳极2用于通过将电场赋与有机层3而在有 机层3中注入空穴。阳极2与电源P的+极导通。阳极2为透明的， 具有1000A左右的厚度，由例如ITO或IZO等材料构成。
阳极2和阴极4所夹着的有机层3由空穴输送层3a和在其上叠层 的发光层3b构成。
空穴输送层3a用于将从阳极2注入的空穴向发光层3b进行输送。 空穴输送层3a具有500A左右的厚度，由例如N,N'-双(l-萘基)-N，N，-二苯基-l,l，-联苯-4，4，-二胺(a-NPD)、三苯胺衍生物(TPD)或苯胺的 4聚体(TPTE)构成。 发光层3b是用于使光产生的部分。光的产生通过从阳极2注入的 空穴与从阴极4注入的电子的再结合而引起。发光层3b具有500A左 右的厚度，由例如将8羟基喹啉进行三配位后的铝络合物(以下称为 Alq3)构成。Alq3为电子输送能力比较大的材料。
这样，为了提高空穴和电子的注入平衡，本实施方式的有机层3 具有由空穴输送层3a和发光层3b构成的二层结构。但是，本发明的 有机层的结构不限于此，例如也可以为具备空穴注入层、电子输送层 和电子注入层等的构造。
在发光层3b上形成的LiF层41具有5A左右的厚度。
在LiF层41上形成的阴极4用于通过将电场赋与有机层3而将电 子注入有机层3中。阴极4与电源P的一极导通。阴极4具有80A左 右的厚度，由MgAg合金构成。
在阴极4上形成的Au层42用于保护阴极4不受气氛等的侵蚀， 具有IOA左右的厚度。
图2表示阴极4的详细结构。阴极4由均匀浓度层4a和在其上叠 层的不均匀浓度层4b构成。均匀浓度层4a具有30A左右的厚度ta， 在厚度方向上具有均匀的Ag浓度。不均匀浓度层4b具有50A左右的 厚度tb，在厚度方向上具有均匀的Ag浓度。
图3为表示阴极4厚度方向的Ag浓度分布的图，横轴表示阴极4 的厚度方向尺寸，纵轴表示Ag浓度。在均匀浓度层4a中，Ag浓度表 示50atomic (原子)％左右的一定值。在不均匀浓度层4b中，Ag浓度 随着离开均匀浓度层4a而单调增加。与均匀浓度层4a相接的部分的 不均匀浓度层4b的Ag浓度为与均匀浓度层大致相同的50atoraic。/。的 程度。另一方面，最远离均匀浓度层4a的部分的不均匀浓度层4b的 Ag浓度为大致100atomic%。
图4表示使用有机EL元件Al的有机EL显示装置的一个例子。 有机EL显示装置B1具备基板1、有源矩阵电路C、绝缘层81、场氧 化膜77、矩阵状配置的多个有机EL元件Al和保护层82。有机EL显 示装置Bl对能够从图中上方目视确认的图像进行显示。
基板1为例如单晶硅基板。
在基板1上形成的有源矩阵电路C用于对多个有机EL元件Al进 行发光驱动。有源矩阵电路C包括多个晶体管7、栅极配线78、数据 配线79以及其他配线(图示略)。
多个晶体管7用于进行多个有机EL元件A1的切换(switching)。 各个晶体管7分别为具有栅极电极71、源极电极72、漏极电极73、 N+源极区域74、 N+漏极区域75、通(channel)区域76的MOS (Metal Oxide Semiconductor:金属氧化物半导体)型晶体管。
栅极电极71用于产生作用于通道区域76上的电场。栅极电极71 隔着绝缘层81设在通道区域76的图中上方，并且与栅极配线78导通。 源极电极72通过有机EL元件Al的反射层5与阳极2导通。漏极电 极73与数据配线79导通。
当栅极电极71设定为高电位或低电位时，晶体管7切换为ON状 态或OFF状态。当晶体管7为ON状态时，源极电极72和漏极电极 73导通。由此对有机EL元件A1施加电场，有机EL元件A1发光。
多个晶体管7由绝缘层81覆盖。相邻的晶体管7彼此通过场氧化 膜77绝缘。
多个有机EL元件Al在绝缘层81上形成矩阵状。这些有机EL元 件Al具有参照图1说明过的结构。阴极4作为有机EL显示装置Bl 具有的全部有机EL元件A1的共通电极起作用。
保护层82以覆盖多个有机EL元件Al的方式形成。保护层82具 有比较大的透过率，由例如混入有干燥剂的玻璃和对其进行密封的紫 外线硬化性树脂构成。
其次，以下参照图5 图8对有机EL显示装置Bl的制造方法的 一个例子进行说明。该制造方法包括有机EL元件Al的制造工序。
首先，如图5所示，准备由单晶硅构成的基板l。其次，在该基板 1上形成包括多个晶体管7的有源矩阵电路C、绝缘层81和场氧化膜 77。
其次，如图6所示，形成多个反射层5和多个阳极2。其具体的 顺序如下。首先，在绝缘层81上形成到达源极电极72的多个触点孔 81a。其后，通过对绝缘层81实施例如使用Al的溅射，形成Al薄膜。 在该Al薄膜上，利用溅射法、MBE法或离子电镀法等形成具有1000A 左右的厚度的ITO薄膜。并且，通过利用光刻法对这些薄膜实施成形，
形成多个反射层5和多个阳极2。各反射层5以具有进入触点孔81a中 的部分的方式形成。因此各阳极2与各源极电极72导通。
其次，如图7所示，形成有机层3。其具体的顺序如下。首先，通 过使用a-NPD的真空蒸镀法，形成具有500A左右的厚度的空穴输送 层3a，以覆盖多个阳极2和绝缘层81。作为空穴输送层3a的材料， 可以使用TPD或TPTE代替a-NPD。其次，通过使用Alq3的真空蒸镀 法，在空穴输送层3a上形成具有500A左右的厚度的发光层3b。
其次，如图8所示，形成LiF层41。 LiF层41具有5A的厚度， 通过例如真空蒸镀法形成。
再者，如该图所示，形成阴极4。阴极4通过例如使用Mg和Ag 作为蒸镀源的共蒸镀形成。具体而言，首先，在将Mg和Ag的蒸镀速 度比设定为1: 1的状态下进行共蒸镀，形成均匀浓度层4a。该均匀浓 度层4a具有50atomic。/。的Ag浓度和30A左右的厚度。接着，在使Mg 和Ag的蒸镀速度比从上述的1: 1缓慢变化至0: 1的同时进行共蒸镀。 即，在使Ag的蒸镀速度为一定的状态下，使Mg的蒸镀速度随着时间 的经过向0线性地减少。由此如图3所示，得到Ag浓度在其厚度方向 上从50atomic。/。至100atomic%，线性分布的不均匀浓度层4b。不均匀 浓度层4b的厚度为例如50A左右。上述共蒸镀的蒸镀速度优选为0.1 1.0A/sec的程度。
再者，如该图所示，形成Au层42。 Au层42具有10A左右的厚 度，利用例如真空蒸镀法形成。
最后，形成图4所示的保护层82。其具体的顺序如下。首先，利 用混入有干燥剂的玻璃覆盖Au层42。其次，利用紫外线硬化性树脂 密封该玻璃。通过以上顺序，能够得到使用多个有机EL元件A1的有 机EL显示装置B1。
接着，对有机EL元件和使用该有机EL元件的有机EL显示Bl 的作用进行说明。 -
根据本实施方式，阴极4利用蒸镀法形成。因此，能够避免有机 层3受到物理的或化学的损伤。特别是，如果使形成阴极4时的蒸镀 速度为0.1 1.0A/sec的程度，适于避免有机层3的损伤。
通过使有机层3不受损伤，可适当地进行向有机层3的电子注入，而且防止发光层3b的光放射的不当降低。其结果是，有机EL元件A1 能够具有低消耗电力和高亮度。此外，通过使用这种有机EL元件A1， 有机EL显示装置Bl能够表现出低的消耗电力和高的显示画质。
图9表示MgAg合金的厚度和透过率(Tr)的关系。MgAg合金 为构成阴极4的材料。三种类型的点分别表示对于450nm、 550nm、 600nm的波长的光的透过率。从本图可看出，在阴极4的厚度为80A 左右的情况下，阴极4的透过率为55%左右。如果具有这种程度的透 过率，则能够使来自发光层4b的光L适当地向图1中的图中上方透过。 因此，阴极4具有80A左右的厚度，有利于顶部发射型的有机EL元 件Al的高亮度化和有机EL显示装置B1的画质的提高。而且，根据 本发明的发明者们的研究可知，为了实现有机EL元件A1的高亮度和 有机EL显示装置B1的高画质，必需至少15%程度、优选40%程度以 上的阴极4的透过率。作为结论，如果阴极4的厚度在200A以下，则 能够发挥有机EL元件A1的发光功能。此外，更为优选阴极4的厚度 在IOOA以下。
图10表示MgAg合金的厚度和片电阻(SR)的关系。从本图中可 看出，在阴极4的厚度为80A左右的情况下，阴极4的片电阻表现为 18Q/sq。片电阻越小，电子从阴极4向有机层3的注入效率越高。本 实施方式的阴极4的片电阻为与由一般的ITO构成的阴极的片电阻相 同的程度或其以下。因此，能够降低有机EL元件Al和有机EL显示 装置B1的消耗电力。此外，根据本发明的发明者们的研究可得到以下 见解为了降低有机EL元件A1和有机EL显示装置B1的消耗电力， 必须将阴极4的片电阻至少抑制在40Q/sq以下。作为结论，优选阴极 4的厚度为40A以上。
从以上可知，如果使阴极4的厚度为40 100A的程度，在兼顾高 亮度化和省电力化方面是令人满意的。
图11表示MgAg合金的Ag浓度和功函数(WF)的关系。从本图 中可看出，随着MgAg合金中的Ag浓度从Oatomicn/。开始增大，功函 数从3.8eV的程度开始缓慢减小。当Ag浓度为70atomic。/。的程度时， 功函数表现作为最小值的3.6eV的程度，当Ag浓度进一步变大，超过 80atomic。/。的程度时，功函数变得极端地大。在本实施方式中，位于有
机层3 —侧的均匀浓度层4a的Ag浓度为50atomicn/。的程度，因此均 匀浓度层4a的功函数表现为比较小的3.65eV的程度。如果功函数小， 则向有机层3的电子注入效率高，进而能够减小有机EL元件Al和有 机EL显示装置B1的消耗电力。此外，为了提高电子从阴极4向有机 层3的注入效率，优选使阴极4中至少有机层3 —侧的部分的Ag浓度 为25 75at0mk%。由此，能够使阴极4的有机层3—侧的部分的功函 数大致为3.7eV以下。其中，作为均匀浓度层4a的厚度，优选20A以 上。
此外，如图3所示，与阴极4的Au层42相接的部分的Ag浓度 为100atomic%。由此在有机EL元件A1的制造工序中，难以被气氛侵 蚀。作为结果，可提高阴极4的耐环境性，抑制有机EL元件A1和有 机EL显示装置B1的制造工序中的劣化或因使用引起的经年变化。如 果使阴极4为由均匀浓度层4a和不均匀浓度层4b构成的叠层构造， 能够兼顾电子注入效率的提高和对环境的耐性的提高。此外，在与阴 极4中的Au层42相接的部分的Ag浓度比均匀浓度层4a的Ag浓度 大的情况下，能够提高对环境的耐性。更为优选该部分的Ag浓度为 100atomic%。
覆盖阴极4的Au层42对于防止阴极4被气氛等侵蚀具有效果。 如果Au层42的厚度和阴极4的厚度合计为200A以下，则能够使由 Au层42和阴极4构成的叠层体的透过率为15%左右，进而能够发挥 有机EL元件A1的发光功能。
介于有机层3和阴极4之间的含有Li的LiF层起到作为缓冲层的 功能，提高电子从阴极4向有机层3的注入效率。
图12和图13表示本发明的有机EL元件的第二实施方式。其中， 在这些图中，关于与上述第一实施方式类似的要素，采用同一符号标 示。
在有机EL元件A2中，阴极4的不均匀浓度层4b由多个MgAg 合金层构成的这点与上述第一实施方式不同，其他的构成要素与图1 所示的有机EL元件A1相同。如图12所示，不均匀浓度层4b具有由 具有大致相同的厚度的MgAg合金层4bl、 4b2、 4b3和4b4构成的叠 层构造。如图13所示，不均匀浓度层4b的Ag浓度，离开均匀浓度层 4a的距离(SD)越大而台阶式地增大。该不均匀浓度层4b能够通过 例如共蒸镀Mg和Ag而形成。在共蒸镀的过程中，在使Ag的蒸镀速 度为一定的状态下，通过使Mg的蒸镀浓度随着时间的经过而台阶式 地减小，能够得到具有图13所示的Ag浓度分布的不均匀浓度层4b。
根据该实施方式，也能够通过均匀浓度层4a提高电子注入效率， 并且提高阴极4的耐环境性。
本发明的有机EL元件、有机EL显示装置和有机EL元件的制造 方法不限定于上述实施方式。本发明的有机EL元件和有机EL显示装 置的各部分的具体结构可自由地作各种设计变更。此外，本发明的有 机EL元件的制造方法中所包括的各处理也可自由地作各种变更。
阴极优选具有由均匀浓度层和不均匀浓度层构成的叠层构造。但 是在阴极整体中Ag浓度均匀也可以。在这种结构中，对于电子注入效 率的提高，也优选使Ag浓度为25 70atomic%。此外，阴极的Ag浓 度在阴极整体中不均匀也可以。在这种结构中，优选阴极中有机层一 侧的部分的Ag浓度为25 70atomic。/。，另一方面，最远离有机层的部 分的Ag浓度为100atomic%。
权利要求
1.一种有机EL发光元件，其特征在于，具备相互相对配置的阳极和阴极；和介于所述阳极和阴极之间，并且包括发光层的有机层，其中，所述阴极由MgAg合金构成，且具有200以下的厚度。
2. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极具有40 100A的厚度。
3. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极具有25 70atomic。/。的Ag浓度。
4. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极由均匀浓度层和不均匀浓度层构成，所述均匀浓度层在厚度方向上具有均匀的Ag浓度；所述不均匀浓度层夹着所述均匀浓度 层，位于与所述有机层相反一侧，并且在厚度方向上具有不均匀的Ag 浓度。
5. 如权利要求4所述的有机EL元件，其特征在于 所述均匀浓度层具有25 70atomicG/。的Ag浓度。
6. 如权利要求4所述的有机EL元件，其特征在于 所述均匀浓度层具有20A以上的厚度。
7. 如权利要求4所述的有机EL元件，其特征在于 所述不均匀浓度层的最远离所述均匀浓度层的部分的Ag浓度，比所述不均匀浓度层的最接近所述均匀浓度层的部分的Ag浓度大。
8. 如权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于 所述不均匀浓度层的最远离所述均匀浓度层的部分的Ag浓度为100atomic%。
9. 如权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于所述不均匀浓度层包括第一 MgAg合金层；和夹着所述第一MgAg合金层，位于与所述均匀浓度层相反一侧，并且具有比所述第一 MgAg合金层的Ag浓度大的Ag浓度的第二 MgAg合金层。
10. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 还包括夹着所述阴极，位于与所述有机层相反一侧的Au层，所述阴极的厚度和所述Au层的厚度合计为200A以下。
11. 如权利要求I所述的有机EL元件，其特征在于 还包括介于所述阴极和所述有机层之间，并且含有Li的层。
12. —种有机EL显示装置，其特征在于，包括 基板；被支承在所述基板上的多个有机EL元件；和 用于对所述多个有机EL元件进行发光驱动的有源矩阵电路，其中，所述各有机EL元件具备相互相对配置的阳极和阴极；和介于所述阳极和阴极之间，并且包括发光层的有机层，所述阴极由MgAg合金构成，且具有200A以下的厚度。
13. 如权利要求12所述的有机EL显示装置，其特征在于所述基板由硅制成，所述有源矩阵电路具备在所述基板上形成的 多个晶体管。
14. 一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，包括: 形成阳极的工序；形成包括发光层的有机层的工序；和 形成阴极的工序，其中，所述阴极的形成通过共蒸镀Mg和Ag而进行。
15. 如权利要求14所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于: 所述共蒸镀以0.1 1.0A/sec的蒸镀速度进行。
16. 如权利要求14所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于: 形成所述阴极的工序包括分别使Mg和Ag的蒸镀速度一定以进行共蒸镀的工序；和以Ag的蒸镀速度与Mg的蒸镀速度之比随着时间 的经过而变大的方式进行共蒸镀的工序。
17. 如权利要求14所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于 还包括在形成所述阴极的工序之后，在所述阴极上蒸镀Au的工序。
18. 如权利要求14所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于 还包括在形成所述有机层的工序之后、形成所述阴极的工序之前，形成含有Li的层的工序。
全文摘要
本发明涉及有机EL元件、有机EL显示装置和有机EL元件的制造方法。有机EL发光元件(A1)具备相互相对配置的阳极(2)和阴极(4)；和介于所述阳极(2)和阴极(4)之间，并且包括发光层(3b)的有机层(3)。阴极(4)由MgAg合金构成，且具有200以下的厚度。优选阴极(4)的厚度为40～100的范围。
文档编号H01L51/50GK101194378SQ200680020289
公开日2008年6月4日 申请日期2006年6月6日 优先权日2005年6月9日
发明者下地规之, 加藤弘树, 守分政人, 渊上贵昭 申请人:罗姆股份有限公司